光检测装置

技术领域

本发明涉及一种光检测装置。

背景技术

已知有一种具有受光区域的光检测装置(例如，专利文献1)。专利文献1中记载的光检测装置中，在受光区域排列有多个单元。在多个单元分别连接有焊盘电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开第2009-38157号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在受光区域的周边连接有焊盘电极的情况下，由连接于该焊盘电极的导线的光的反射导致杂散光可能入射于受光区域。这种情况下，由杂散光造成的噪声可能给检测结果带来影响。特别地，在焊盘电极连接导线的球焊(ball bond)的情况下，可能会产生球焊的光的反射。可能会产生由导线反射的杂散光入射于受光区域，电极焊盘和受光区域之间的距离越大，则光检测装置尺寸也变大。

本发明的一个方式的目的在于，提供一种抑制大型化，并且光检测精度提高的光检测装置。

用于解决问题的技术手段

本发明的一个方式涉及的光检测装置具备：半导体基板、多个焊盘电极、及多根导线。半导体基板具有多个单元排列于第一方向的受光区域。多个焊盘电极配置于半导体基板。多个焊盘电极各自电连接于多个单元中的对应的单元。多根导线各自连接于多个焊盘电极中的对应的焊盘电极。在各焊盘电极形成有多根导线中的对应的导线的针脚点焊(stitch bond)。各焊盘电极与对应于该焊盘电极的单元之间的距离比连接于互相不同的单元的焊盘电极间的距离小。多个焊盘电极配置于在与第一方向交叉的第二方向上隔着受光区域互相分离的第一区域和第二区域。多个单元含有包含互相相邻的第一单元及第二单元的多个单元组。对应于第一单元的焊盘电极配置于第一区域。对应于第二单元的焊盘电极配置于第二区域。

在上述的一个方式中，各焊盘电极与对应于该焊盘电极的单元之间的距离比连接于互相不同的单元的焊盘电极间的距离小。因此，可实现光检测装置的小型化。在上述光检测装置中，在焊盘电极形成有针脚点焊。因此，比起形成有球焊的情况，抑制了导线的光的反射。因此，焊盘电极与对应于该焊盘电极的单元之间的距离即使缩小，杂散光也难以入射于各单元。

球焊与焊盘电极的接合部位可以形成为比针脚点焊与焊盘电极的接合部位小。焊盘电极的尺寸越大，则形成有针脚点焊的焊盘电极与形成有球焊的焊盘电极相比，尺寸越难以缩小。焊盘电极的尺寸越大，相邻的焊盘电极的外缘之间的距离变短，可能会产生焊盘电极间的串扰。如果相邻的焊盘电极的外缘之间的距离短，也容易受到导线和焊盘电极之间的连接部分上产生的热的影响。在上述光检测装置中，对应于第一单元的焊盘电极配置于第一区域，对应于第二单元的焊盘电极配置于隔着受光区域与第一区域分离的第二区域。因此，也抑制了焊盘电极间的串扰及热的影响。

在上述的一个方式中，也可以是，多个焊盘电极的至少一部分隔着受光区域交错排列。这种情况下，通过简单的结构可抑制大型化并且可抑制焊盘电极间的串扰。

在上述的一个方式中，也可以是，对应于第一单元的焊盘电极和对应于第二单元的焊盘电极在第二方向上排列。这种情况下，通过简单的结构，可抑制大型化并且也可抑制焊盘电极间的串扰。

在上述的一个方式中，也可以是，进一步具备隔着半导体基板配置并且电连接于多个单元的一对电路构件。也可以是，各导线连接对应的焊盘电极和一对电路构件。也可以是，在一对电路构件形成对应的导线的球焊。这种情况下，各焊盘电极和电路构件通过一根导线连接。因此，进一步实现光检测装置的小型化。

在上述的一个方式中，也可以是，半导体基板具有吸收位于周边的载流子的周边载流子吸收部。也可以是，周边载流子吸收部从与在半导体基板配置有多个焊盘电极的面正交的方向观察，包围各单元的至少一部分。这种情况下，单元的周边产生的载流子被周边载流子吸收部吸收。因此，进一步提高光检测的精度。

在上述的一个方式中，也可以是，周边载流子吸收部从与在半导体基板配置有多个焊盘电极的面正交的方向观察，包围对应于各单元的焊盘电极的至少一部分。这种情况下，在焊盘电极的周边产生的载流子被周边载流子吸收部吸收。因此，进一步提高光检测的精度。

在上述的一个方式中，也可以是，在第一区域中互相相邻的焊盘电极之间，配置有与半导体基板绝缘且接地的电极。这种情况下，上述焊盘电极间的串扰进一步降低。

在上述的一个方式中，也可以是，各焊盘电极为在与第一方向交叉的方向上延伸的矩形状。这种情况下，即使是在各焊盘电极形成针脚点焊的情况下，也可实现各焊盘电极的小型化。

发明的效果

本发明的一个方式能够提供一种抑制大型化，并且光检测精度提高的光检测装置。

附图说明

图1为本实施方式所涉及的光检测装置的俯视图。

图2为受光元件的俯视图。

图3为受光元件的截面图。

图4为受光元件的截面图。

图5为本实施方式的变形例所涉及的受光元件的俯视图。

图6为本实施方式的变形例所涉及的受光元件的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。此外，在说明中对同一要素或者具有同一功能的要素使用同一符号，省略重复的说明。

首先，参照图1说明本实施方式所涉及的光检测装置。图1为本实施方式所涉及的光检测装置的俯视图。光检测装置1具备受光元件10和一对IC芯片50、60。一对IC芯片50、60是处理来自受光元件10的信号的读取电路等的电路构件。一对IC芯片50、60隔着受光元件10而配置。受光元件10和一对IC芯片50、60经由通过打线接合(wire bonding)设置的多根导线W连接。

如图1所示，在受光元件10连接有针脚点焊，在IC芯片50、60连接有球焊。各IC芯片50、60和受光元件10不通过配线基板而由导线W连接。对应于光的入射从受光元件10输出的信号，通过多根导线W，输入于各IC芯片50、60。

接下来，参照图2至图4，对受光元件10进行详细地说明。图2为示出受光元件10的俯视图。图3为沿图2的III-III线的断面图。图4为沿图3的IV-IV线的断面图。

受光元件10具备半导体基板20。半导体基板20具有互相相对的主面20a，20b。半导体基板20具有在主面20a侧排列有多个单元22的受光区域S。多个单元22配置于受光区域S的一个方向。各单元22作为受光部发挥作用。

在各单元22包含至少一个雪崩光电二极管。以下将“雪崩光电二极管”称为“APD”。在本实施方式中，各APD23以线性模式动作。各单元22中包含的APD也可以以盖革模式动作。在APD23以盖革模式动作的结构中，在APD23连接有淬灭电阻。在本实施方式中，各单元22含有一个APD23。各单元22也可以含有多个APD23。各APD23可以是拉通(reach-through)型的APD，也可以是反向(reverse)型的APD。以下，作为一个示例，对各APD23为拉通型的APD的情况下的半导体基板20的结构进行说明。

半导体基板20除了具有包含APD23的多个单元22，还具有周边载流子吸收部24。周边载流子吸收部24为吸收位于周边的载流子的区域。周边载流子吸收部24包围APD23。在本实施方式中，周边载流子吸收部24分别一个一个地包围多个单元22。周边载流子吸收部24分别一个一个地包围多个APD23。

半导体基板20包含半导体区域31、多个半导体层32、多个半导体层33、和半导体层34、35、36。APD23包含半导体区域31及半导体层32、33、36。周边载流子吸收部24包含半导体区域31及半导体层34、36。周边载流子吸收部24在半导体层34吸收位于周边的载流子。即，半导体层34作为吸收周边的载流子的周边载流子吸收层发挥作用。

半导体区域31及半导体层33、35、36为第一导电型，半导体层32、34为第二导电型。半导体的杂质例如通过扩散法或者离子注入法添加。在本实施方式中，第一导电型为P型，第二导电型为N型。在半导体基板20以Si为基底的情况下，B等的第III族元素作为P型杂质使用，N、P或者As等的第V族元素作为N型杂质使用。

半导体区域31位于半导体基板20的主面20a侧。半导体区域31构成主面20a的一部分。半导体区域31例如为P

各半导体层32构成主面20a的一部分。从与主面20a正交的方向观察，各半导体层32与半导体区域31相接，被半导体区域31包围。各半导体层32构成对应的APD23。因此，半导体层32以APD23的数量而设置。半导体层32例如为N

各半导体层33位于对应的半导体层32和半导体区域31之间。半导体层33在主面20a侧与半导体层32相接，在主面20b侧与半导体层31相接。各半导体层33构成对应的APD23。因此，半导体层33以APD23的数量而设置。半导体层33与半导体区域31相比，杂质浓度更高。半导体层33例如为P型。半导体层33在APD23构成雪崩区域。

半导体层34构成主面20a的一部分。从与主面20a正交的方向观察，半导体层34与半导体区域31相接，被半导体区域31包围。半导体层34隔着半导体区域31包围各半导体层32。如上所述，半导体层34构成周边载流子吸收部24。半导体层34在半导体基板20仅与半导体区域31相接。周边载流子吸收部24不含有相当于雪崩区域的层。在本实施方式中，半导体层34与半导体层32为相同的杂质浓度。半导体层34例如为N

半导体层35构成主面20a的一部分。从与主面20a正交的方向观察，半导体层35与半导体区域31相接。半导体层35沿着半导体基板20的边缘20c而设置。半导体层35隔着半导体区域31包围半导体层32、33。在本实施方式中，半导体层35与半导体区域31及半导体层33相比，杂质浓度更高。半导体层35例如为P

半导体层36相较于半导体区域31更位于半导体基板20的主面20b侧。半导体层36构成主面20b的整面。半导体层36在主面20a侧连接于半导体区域31。在本实施方式中，半导体层36与半导体区域31及半导体层33相比，杂质浓度更高。半导体层36例如为P

光检测装置1具备多个电极部41、多个焊盘电极42、多个焊盘电极43、电极部44、电极部45、及绝缘膜L。多个电极部41、电极部44、电极部45、及绝缘膜L配置于主面20a，与主面20a相接。多个焊盘电极42及多个焊盘电极43与绝缘膜L相接，隔着绝缘膜L配置于主面20a。多个电极部41、多个焊盘电极42、多个焊盘电极43、电极部44、及电极部45均由铝等的金属构成。

从与主面20a正交的方向观察，各电极部41包围对应的单元22。各电极部41连接于对应的单元22。在本实施方式中，各电极部41虽然为环状，但不限于此。例如，在本实施方式中，各电极部41虽然连续地包围对应的单元22，但也可以断续地包围对应的单元22。在各电极部41连续地包围对应的单元22的情况下，各单元22被由一个部分构成的电极部41包围。在各电极部41断续地包围对应的单元22的情况下，各单元22被由多个部分构成的电极部41包围。

单元22的至少一部分从电极部41露出。各电极部41对对应单元22中包含的APD23施加电位。各电极部41与构成对应的单元22的半导体层32相接。在本实施方式中，各电极部41构成单元22的阴极。

从与主面20a正交的方向观察，多个焊盘电极42配置于与多个单元22的排列方向交叉的方向上隔着受光区域S互相分离的第一区域R1和第二区域R2。第一区域R1和第二区域R2沿受光区域S配置于多个单元22的排列方向。各焊盘电极42连接于对应的电极部41。各焊盘电极42通过电极部41电连接于对应的单元22。例如，多个单元22的排列方向构成第一方向的情况下，与该排列方向交叉的方向构成第二方向。

多个单元22包含含有互相相邻的单元22a和单元22b的多个单元组。各单元组由两个以上的单元22构成。在本实施方式中，相邻的单元组间的间隔与同一单元组内的相邻的单元22的间隔相同。多个焊盘电极42含有对应于单元22a的焊盘电极42a和对应于单元22b的焊盘电极42b。在本实施方式中，单元22a和单元22b在单元22的排列方向上交替配置。例如，在单元22a构成第一单元的情况下，单元22b构成第二单元。

对应于单元22a的焊盘电极42a和对应于单元22b的焊盘电极42b中，一个配置于第一区域R1，另一个配置于第二区域R2。在本实施方式中，多个焊盘电极42a配置于第一区域R1。多个焊盘电极42b配置于第二区域R2。换言之，多个焊盘电极42隔着受光区域S交错排列。

在本实施方式中，各焊盘电极42通过各单元22的中央，并且位于在与多个单元22的排列方向交叉的方向上延伸的直线上。焊盘电极42a通过对应的单元22a的中央，并且位于在与多个单元22的排列方向交叉的方向上延伸的直线上。焊盘电极42b通过对应的单元22b的中央，并且位于与多个单元22的排列方向交叉的方向上延伸的直线上。在本实施方式中，从与多个单元22的排列方向正交的主面20a平行的方向观察，各焊盘电极42配置于对应的单元22所处的范围内。在本实施方式中，各焊盘电极42通过各单元22的中央，并且位于与多个单元22的排列方向垂直的垂直线上。各焊盘电极42不位于该垂直线上，也可以从垂直线向排列方向偏离。

如图4所示，从与主面20a正交的方向观察，在与多个焊盘电极42重叠的区域，设置有半导体区域31、未设置半导体层32。多个焊盘电极42隔着绝缘膜L配置于半导体区域31。

各焊盘电极42和该焊盘电极42对应的单元22之间的距离T1与连接于互相不同的单元22的焊盘电极42之间的距离T2相比小。距离T1为，从与主面20a正交的方向观察，从焊盘电极42的外缘到对应的单元22的外缘的最短距离。距离T2为，从与主面20a正交的方向观察，连接于互相不同的单元22的焊盘电极42的外缘之间的最短距离。距离T1例如为50μm～150μm。距离T2例如为200μm～800μm。单元22的外缘是指，从与主面20a正交的方向观察的情况下的半导体区域31与半导体层32的边界。

在本实施方式中，焊盘电极42a的外缘和对应于该焊盘电极42a的单元22a的外缘之间的最短距离，相较于该焊盘电极42a的外缘和与该单元22a相邻的单元22b的外缘之间的最短距离小。在本实施方式中，焊盘电极42b的外缘和对应于该焊盘电极42b的单元22b的外缘之间的最短距离，相较于该焊盘电极42b的外缘和与该单元22b相邻的单元22a的外缘之间的最短距离小。

从与主面20a正交的方向观察，各焊盘电极42为在与多个单元22的排列方向交叉的方向上延伸的矩形状。各焊盘电极42也可以不是矩形，例如，从与主面20a正交的方向观察也可以是椭圆形或圆形。各焊盘电极42的直径例如为100μm～300μm。在本发明中，焊盘电极42的直径是指，在俯视时通过焊盘电极42的重心位置的直线上的从焊盘电极42的外缘到外缘的最大距离。因此，焊盘电极42为矩形的情况下，长边的长度为焊盘电极42的直径。

通过在各焊盘电极42施加电位，通过连接于该焊盘电极42的电极部41，在对应的单元22施加有电位。在本实施方式中，各焊盘电极42为阴极用的焊盘电极。在各焊盘电极42，通过球焊接合连接有对应的导线W。在焊盘电极42形成有第二接头。因此，在焊盘电极42形成有对应的导线W的针脚点焊。针脚点焊沿焊盘电极42的长边延伸。

连接于各焊盘电极42的各导线W连接于一对IC芯片50、60。配置于第一区域R1的焊盘电极42通过对应的导线W电连接于IC芯片50。配置于第二区域R2的焊盘电极42通过对应的导线W电连接于IC芯片60。一对IC芯片50、60的焊盘电极形成第一接头。因此，一对IC芯片50、60形成对应的导线W的球焊。

当光入射于各单元22时，在APD23中光子转换成电子并倍增。在APD23倍增的电子作为信号输出。从各单元22输出的信号通过对应的电极部41、对应的焊盘电极42、及对应的导线W输入于IC芯片50、60。

多个焊盘电极43配置于第一区域R1和第二区域R2。多个焊盘电极43沿多个单元22的排列方向配置，在该排列方向上配置于多个焊盘电极42之间。多个焊盘电极43含有焊盘电极43a和焊盘电极43b。焊盘电极43a在第二区域R2配置于互相相邻的焊盘电极42b之间。焊盘电极43b在第一区域R1配置于互相相邻的焊盘电极42a之间。

各焊盘电极43配置于绝缘膜L，与半导体基板20、多个电极部41、焊盘电极42、电极部44、及电极部45分离。因此，各焊盘电极43对半导体基板20绝缘。各焊盘电极43接地。

在本实施方式中，从与主面20a正交的方向观察，各焊盘电极43位于通过单元22的中央和对应于该单元22的焊盘电极42的中央的直线上。这样，在本实施方式中，一个单元22、一个焊盘电极42和一个焊盘电极43作为一个组配置为一个组。从与主面20a正交的方向观察，焊盘电极43a位于通过单元22a的中央和对应于该单元22a的焊盘电极42a的中央的直线上。从与主面20a正交的方向观察，焊盘电极43b位于通过单元22b的中央和对应于该单元22b的焊盘电极42b的中央的直线上。

电极部44在主面20a与半导体层34相接，覆盖半导体层34。从与主面20a正交的方向观察，电极部44包围各电极部41、各焊盘电极42、及各焊盘电极43。电极部44对半导体层34施加电位。电极部44与电极部41、焊盘电极42、及电极部45分离。在本实施方式中，电极部44构成周边载流子吸收部24的阴极。

电极部45在主面20a与半导体层35相接，覆盖半导体层35。从与主面20a正交的方向观察，电极部45包围多个电极部41、多个焊盘电极42、及多个焊盘电极43。电极部45对半导体层35施加电位。电极部45从电极部41、焊盘电极42、焊盘电极43、及电极部44分离。在本实施方式中，电极部45构成光检测装置1的阳极。

在光检测装置1中，如上所述，构成周边载流子吸收部24的半导体层34由电极部44覆盖。半导体层34的边缘沿着电极部44的边缘而配置。因此，从与主面20a正交的方向观察，在配置有电极部44的区域，配置有包含半导体层34的周边载流子吸收部24。

周边载流子吸收部24从与主面20a正交的方向观察，包围多个单元22的至少一部分。周边载流子吸收部24从与主面20a正交的方向观察，包围各焊盘电极42的至少一部分。周边载流子吸收部24从与主面20a正交的方向观察，设置于各电极部41、各焊盘电极42、及各焊盘电极43的周围。在本实施方式中，周边载流子吸收部24从与主面20a正交的方向观察，完全包围各单元22、各电极部41、各焊盘电极42、及各焊盘电极43。换言之，周边载流子吸收部24不是断续地而是连续地包围各单元22、各电极部41、各焊盘电极42、及各焊盘电极43。在周边载流子吸收部24连续地包围各单元22、各电极部41、各焊盘电极42、及各焊盘电极43的情况下，周边载流子吸收部24也可以由一个部分构成。

接下来，参照图5对本实施方式的变形例涉及的光检测装置进行说明。图5为示出受光元件10A的俯视图。本变形例大致与上述实施方式类似或相同。本变形例关于多个单元22、多个焊盘电极42、及多个焊盘电极43的排列，与上述实施方式不同。以下，以上述实施方式和变形例的不同点为主进行说明。

如图5所示，在本变形例中，多个单元22对在排列方向上排列的每四个单元22隔开间隔而配置。换言之，在本变形例中，各单元组由四个单元22构成。相邻的单元组间的间隔相较于同一单元组内的相邻的单元22的间隔更大。以下，针对该结构进行详细的说明。

多个单元22、多个电极部41、多个焊盘电极42、及多个焊盘电极43，与在排列方向上排列的四个单元22、对应于这些单元22的电极部41、焊盘电极42、及焊盘电极43作为一个组而配置。一个组也可以由两个或三个单元22、对应于这些单元22的电极部41、焊盘电极42、及焊盘电极43构成。一个组也可以由五个以上的单元22、对应于这些单元22的电极部41、焊盘电极42、及焊盘电极43构成。在同一组内，多个电极部41、多个焊盘电极42、及多个焊盘电极43与排列方向上的单元22的间隔吻合，以与上述实施方式相同的关系配置。

与包含于同一组且互相相邻的单元22的间隔T3相比，包含于互相不同的组且互相相邻的单元22的间隔T4更大。在本实施方式中，间隔T3比排列方向上的单元22的宽度小。间隔T4比排列方向上的单元22的宽度大。多个电极部41、多个焊盘电极42、及多个焊盘电极43与配置于各组内的单元22吻合，以与上述实施方式相同的关系配置。多个焊盘电极42的至少一部分隔着受光区域S交错排列。在本变形例中，至少，同一组内的四个焊盘电极42隔着受光区域S交错排列。

配置于不同的组且互相的间隔最短的焊盘电极42配置于第一区域R1及第二区域R2中的同一区域。配置于不同的组且互相间隔最短的焊盘电极43配置于第一区域R1及第二区域R2中的同一区域。

接下来，参照图6对本实施方式的其他变形例涉及的光检测装置进行说明。图6为示出受光元件10B的俯视图。本变形例大致与上述实施方式类似或相同。本变形例关于多个焊盘电极42的配置及形状，及多个焊盘电极43的有无的方面与上述实施方式不同。以下，以上述实施方式和变形例之间的不同点为主进行说明。

如图6所示，在本变形例中，对应于单元22a的焊盘电极42a、与对应于与单元22a相邻的单元22b的焊盘电极42b在多个单元22的排列方向交叉的方向上延伸。对应于单元22a的焊盘电极42、对应于单元22b的焊盘电极42在与多个单元22的排列方向交叉的方向上排列。在本变形例中，对应于单元22a的焊盘电极42a、与对应于与单元22a相邻的单元22b的焊盘电极42b位于与多个单元22的排列方向垂直的垂直线上。该垂直线通过对应于单元22a的焊盘电极42a的中央和对应于与单元22a相邻的单元22b的焊盘电极42b的中央。换言之，对应于单元22a的焊盘电极42和对应于与单元22a相邻的单元22b的焊盘电极42配置于距互相相邻的单元22a、22b相等距离的位置。对应于单元22a的焊盘电极42a和对应于与单元22a相邻的单元22b的焊盘电极42b不位于上述垂直线上，而可以从垂直线向排列方向偏离。在本变形例中，各焊盘电极42为椭圆形。

在本变形例中也有，对应于单元22a的焊盘电极42配置于第一区域R1。对应于单元22b的焊盘电极42配置于第二区域R2。

接下来，对上述实施方式及变形例中的光检测装置的作用效果进行说明。

各焊盘电极42和对应于该焊盘电极42的单元22之间的距离比连接于互相不同的单元22中的焊盘电极42间的距离小。因此，可实现光检测装置1的小型化。在上述光检测装置1中，在焊盘电极42形成有针脚点焊。因此，与形成有球焊的情况相比，可抑制导线W的光的反射。因此，焊盘电极42和对应于该焊盘电极42的单元22之间的距离即使缩小，杂散光也难以入射于各单元22。

针脚点焊与焊盘电极之间的接合部位能够形成为比球焊与焊盘电极之间的接合部位小。形成有针脚点焊的焊盘电极42与形成有球焊的焊盘电极相比更难以缩小尺寸。焊盘电极的尺寸越大，则相邻的焊盘电极的外缘之间的距离变短，能够会产生焊盘电极间的串扰。如果相邻的焊盘电极的外缘之间的距离短，则也容易受到导线与焊盘电极的连接部分产生的热的影响。在上述光检测装置1中，对应于单元22a的焊盘电极42配置于第一区域R1，对应于单元22b的焊盘电极42配置于隔着受光区域S而与第一区域R1分离的第二区域R2。因此，焊盘电极42间的串扰及热的影响也被抑制。

在各单元由APD构成的情况下，特别地，杂散光的入射、焊盘电极间的串扰、及焊盘电极中热的产生容易影响光检测结果。光检测装置1的各单元22包含APD23。但是，光检测装置1由于具有上述结构，因此杂散光难以入射于各单元22，焊盘电极42间的串扰及热的影响也被抑制。

多个焊盘电极42的至少一部分隔着受光区域S交错排列。因此，通过简单的结构能够抑制大型化并且也能够抑制焊盘电极42间的串扰。

对应于单元22a的焊盘电极42和对应于单元22b的焊盘电极42在与多个单元22的排列方向交叉的方向上排列。因此，通过简单的结构能够抑制大型化并且也能够抑制焊盘电极42间的串扰。

具备隔着半导体基板20配置并且电连接于多个单元22的一对IC芯片50、60。各导线W连接对应的焊盘电极42和一对IC芯片50、60。在一对IC芯片50、60形成有对应的导线W的球焊。因此，各焊盘电极42和IC芯片50、60由一根导线W连接。因此，进一步实现了光检测装置1的小型化。

半导体基板20具有吸收位于周边的载流子的周边载流子吸收部24。周边载流子吸收部24从与在半导体基板20配置有多个焊盘电极42的面正交的方向观察，包围各单元22的至少一部分。因此，在单元22的周边产生的载流子被周边载流子吸收部24吸收。因此，光检测的精度进一步提高。

周边载流子吸收部24从在半导体基板20配置有多个焊盘电极42的面正交的方向观察，包围对应于各单元22的焊盘电极42的至少一部分。因此，在焊盘电极42的周边产生的载流子被周边载流子吸收部24吸收。这样，通过设置周边载流子吸收部24，在单元22以外产生的载流子被吸收，光检测的精度进一步提高。

在第一区域R1互相相邻的焊盘电极42之间，配置有与半导体基板20绝缘且接地的焊盘电极43。因此，上述焊盘电极42间的串扰进一步减小。

各焊盘电极42为在与多个单元22的排列方向交叉的方向上延伸的矩形状。因此，即使是在各焊盘电极42形成有针脚点焊的情况下，也可实现各焊盘电极42的小型化。

以上，虽然对本发明的实施方式及变形例进行了说明，但本发明不限于上述实施方式及变形例，在不偏离其主旨的范围内可以进行各种变更。

例如，配置有各焊盘电极42的第一区域R1及第二区域R2也可以替换为上述实施方式及变形例。换言之，在上述实施方式及变形例中，配置于第一区域R1的焊盘电极42也可以配置于第二区域R2，配置于第二区域R2的焊盘电极42也可以配置于第一区域R1。

在图2及图5所示的结构中，多个焊盘电极43在多个单元22的排列方向配置于所有的焊盘电极42之间。但是，多个焊盘电极43配置于一部分焊盘电极42之间，在相邻的焊盘电极42之间也可以有未设置焊盘电极43的部分。

在本实施方式中，周边载流子吸收部24从与主面20a正交的方向观察，连续地包围各单元22、各电极部41、各焊盘电极42、及各焊盘电极43。但是，周边载流子吸收部24从与主面20a正交的方向观察，也可以断续地包围各单元22、各电极部41、各焊盘电极42及各焊盘电极43。这种情况下，周边载流子吸收部24也可以不设置于各焊盘电极42的周围。在周边载流子吸收部24断续地包围各单元22、各电极部41、各焊盘电极42及各焊盘电极43的情况下，周边载流子吸收部24由多个部分构成。

受光元件10通过导线W连接的对象不限定于IC芯片，也可以是配线基板等的电路构件。在光检测装置1中，各焊盘电极42和IC芯片50、60由一根导线W连接。因此，在IC芯片50、60中读出的信号中难以产生噪声。

符号的说明

1……光检测装置、20……半导体基板、22、22a、22b……单元、24……周边载流子吸收部、42、42a、42b……焊盘电极、43、43a、43b……焊盘电极、50、60……IC芯片、R1……第一区域、R2……第二区域、S……受光区域、T1、T2……距离、W…导线。