荧光体基板、发光基板以及照明装置

技术领域

本发明涉及荧光体基板、发光基板以及照明装置。

背景技术

在专利文献1中，公开了具备搭载有发光元件(LED元件)的基板的LED照明器具。该LED照明器具在基板的表面设置反射材料，提高发光效率。

专利文献1：中国专利公开106163113号公报

然而，在专利文献1所公开的结构的情况下，无法利用反射材料将LED照明器具所发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够在搭载有发光元件的情况下将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光的荧光体基板。

本发明的第一方式的荧光体基板在一面搭载有至少一个发光元件，该荧光体基板具备：绝缘基板；至少一个电极对，配置于上述绝缘基板的一面，与上述发光元件接合；以及荧光体层，配置于上述绝缘基板的一面，包含将上述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体。

本发明的第二方式的荧光体基板在一面搭载有多个发光元件，该荧光体基板具备：绝缘基板；多个电极对，配置于上述绝缘基板的一面，分别与上述多个发光元件接合；以及荧光体层，配置于上述绝缘基板的一面，包含将上述多个发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体。

本发明的第三方式的荧光体基板是在第二方式的荧光体基板的基础上，上述多个电极对分别为配置于上述绝缘基板的一面的电极层的一部分，上述绝缘基板的一面中的配置有上述电极层的区域为上述绝缘基板的一面的60％以上的区域。

本发明的第四方式的荧光体基板是在第三方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层的至少一部分配置于上述绝缘基板的一面中的配置有上述多个电极对的区域以外的区域。

本发明的第五方式的荧光体基板是在第三或第四方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层的至少一部分配置于上述电极层中的上述多个电极对以外的区域。

本发明的第六方式的荧光体基板是在第二～第五方式中任一方式的荧光体基板的基础上，上述绝缘基板的一面中的配置有上述荧光体层的区域为上述绝缘基板的一面的80％以上的区域。

本发明的第七方式的荧光体基板是在第一～第六方式中任一方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体层为含有Eu的CASN荧光体，上述至少一个电极对形成为至少表面含铜。

本发明的第八方式的荧光体基板是在第一～第七方式中任一方式的荧光体基板的基础上，上述发光元件被形成为组装有LED并被封装为芯片尺寸的CSP。

本发明的第九方式的荧光体基板是在第八方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温不同的相关色温。

这里，“荧光体的相关色温”是指该荧光体的发光色的相关色温(以下，相同)。

本发明的第十方式的荧光体基板是在第八方式的荧光体基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温相同的相关色温。

本发明的第一方式的发光基板具备第一～第十方式中任一方式的荧光体基板、和与至少一个上述电极对接合的至少一个发光元件。

本发明的第二方式的发光基板是在第一方式的发光基板的基础上，上述发光元件为组装有LED并被封装为芯片尺寸的CSP。

本发明的第三方式的发光基板是在第二方式的发光基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温不同的相关色温。

本发明的第四方式的发光基板是在第二方式的发光基板的基础上，上述荧光体的相关色温为与上述CSP中包含的荧光体的相关色温相同的相关色温。

本发明的照明装置具备第一～第四方式中任一方式的发光基板、和供给用于使上述发光元件发光的电力的电源。

本发明的第一及第七方式的荧光体基板能够在搭载有发光元件的情况下，将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。

另外，本发明的第二～第十方式的荧光体基板能够在搭载有发光元件的情况下，将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光，并且能够减小眩光。另外，本发明的第十方式的荧光体基板也能够显现出通过荧光体层缓和所搭载的发光元件的色度偏差的效果。

另外，本发明的发光基板能够将从荧光体基板发出的光调整为与发光元件所发出的光不同的发光色的光。

上述目的以及其他目的、特征及优点通过以下所述的优选的实施方式及其附带的以下的附图而得以进一步明确。

附图说明

图1A是本实施方式的发光基板的俯视图。

图1B是本实施方式的发光基板的仰视图。

图1C是由图1A的1C-1C切断线切断的发光基板的局部剖视图。

图2A是本实施方式的荧光体基板(省略荧光体层)的俯视图。

图2B是本实施方式的荧光体基板的俯视图。

图3A是本实施方式的发光基板的制造方法中的第一工序的说明图。

图3B是本实施方式的发光基板的制造方法中的第二工序的说明图。

图3C是本实施方式的发光基板的制造方法中的第三工序的说明图。

图3D是本实施方式的发光基板的制造方法中的第四工序的说明图。

图3E是本实施方式的发光基板的制造方法中的第五工序的说明图。

图4是用于对本实施方式的发光基板的发光动作进行说明的图。

图5是用于对比较方式的发光基板的发光动作进行说明的图。

图6是表示本实施方式的发光基板的相关色温的第一试验的结果的图表。

图7是表示本实施方式的发光基板的相关色温的第二试验的结果的图表。

具体实施方式

《概要》

以下，参照图1A～图1C、图2A、图2B对本实施方式的发光基板10的结构及功能进行说明。接着，参照图3A～图3E对本实施方式的发光基板10的制造方法进行说明。接着，参照图4对本实施方式的发光基板10的发光动作进行说明。接着，参照图4～图7等对本实施方式的效果进行说明。此外，在以下的说明中参照的所有附图中，对相同的结构要素标注相同的附图标记，省略适当说明。

《本实施方式的发光基板的结构及功能》

图1A是本实施方式的发光基板10的俯视图(从表面31观察的图)，图1B是本实施方式的发光基板10的仰视图(从背面33观察的图)。图1C是由图1A的1C-1C切断线切断的发光基板10的局部剖视图。

本实施方式的发光基板10从表面31及背面33观察，作为一个例子为矩形。另外，本实施方式的发光基板10具备多个发光元件20、荧光体基板30、以及连接器、驱动器IC等电子部件(省略图示)。即，本实施方式的发光基板10在荧光体基板30上搭载有多个发光元件20及上述电子部件。

本实施方式的发光基板10具有通过导线的直接附着或者经由连接器从外部电源(省略图示)被供电时发光的功能。因此，本实施方式的发光基板10例如被用作照明装置(省略图示)等中的主要的光学部件。

＜多个发光元件＞

作为一个例子，多个发光元件20分别为组装有倒装芯片LED22(以下，称为LED22)的CSP(Chip Scale Package：芯片级封装)(参照图1C)。作为CSP，如图1C所示，优选除LED22的底面之外的整个周围(5面)被荧光体密封层24覆盖。荧光体密封层24包含荧光体，LED22的光通过荧光体密封层24的荧光体进行颜色转换并向外部射出。如图1A所示，多个发光元件20以在荧光体基板30的表面31(一面的一个例子)遍及整个表面31规则地排列的状态搭载于荧光体基板30。此外，本实施方式的各发光元件20发出的光的相关色温作为一个例子，为3,018K。另外，多个发光元件20在发光动作时，通过使用散热器(省略图示)、冷却风扇(省略图示)，以使荧光体基板30作为一个例子从常温落入50℃～100℃的方式进行散热(冷却)。这里，对本说明书中在数值范围使用的“～”的意思进行补充，例如“50℃～100℃”意味着“50℃以上100℃以下”。而且，在本说明书中在数值范围使用的“～”意味着“『～』之前的记载部分以上『～』之后的记载部分以下”。

＜荧光体基板＞

图2A是本实施方式的荧光体基板30的图，是省略了荧光体层36而图示的俯视图(从表面31观察的图)。图2B是本实施方式的荧光体基板30的俯视图(从表面31观察的图)。此外，本实施方式的荧光体基板30的仰视图与从背面33观察发光基板10的图相同。另外，本实施方式的荧光体基板30的局部剖视图与从图1C的局部剖视图除去发光元件20的情况下的图相同的。即，本实施方式的荧光体基板30从表面31及背面33观察，作为一个例子为矩形。

本实施方式的荧光体基板30具备绝缘层32(绝缘基板的一个例子)、电极层34、荧光体层36、以及背面图案层38(参照图1B、图1C、图2A以及图2B)。此外，在图2A中省略了荧光体层36，但如图2B所示，作为一个例子，荧光体层36配置于绝缘层32及电极层34的表面31中的除后述的多个电极对34A以外的部分。

另外，如图1B及图2A所示，在荧光体基板30，在四个角附近的4个部位以及中央附近的2个部位这6个部位形成有贯通孔39。6个部位的贯通孔39在制造荧光体基板30及发光基板10时被用作定位孔。并且，6个部位的贯通孔39被用作用于确保向(发光)灯具壳体的散热效果(防止基板翘曲及浮起)的安装用的螺纹孔。此外，如后所述，本实施方式的荧光体基板30是通过对在绝缘板的两面设置有铜箔层的两面板(以下，称为母板MB。参照图3A)进行加工(蚀刻等)而制造的，母板MB作为一个例子，使用利昌工业株式会社制的CS-3305A。

〔绝缘层〕

以下，对本实施方式的绝缘层32的主要特征进行说明。

形状如上所述，作为一个例子，从表面31及背面33观察为矩形。

材质作为一个例子，是包含双马来酰亚胺树脂及玻璃布的绝缘材料。

厚度作为一个例子为100μm～200μm。

作为一个例子，纵向及横向的热膨胀系数(CTE)分别在50℃～100℃的范围内为10ppm/℃以下。另外，从另一观点来看，作为一个例子，纵向及横向的热膨胀系数(CTE)分别为6ppm/K。该值与本实施方式的发光元件20的情况大致相同(90％～110％，即±10％以内)。

玻璃化转变温度作为一个例子，高于300℃。

储能模量作为一个例子，在100℃～300℃的范围内，大于1.0×10

〔电极层〕

本实施方式的电极层34是设置于绝缘层32的表面31侧的金属层。本实施方式的电极层34作为一个例子为铜箔层(Cu制的层)。换言之，本实施方式的电极层34形成为至少其表面含铜。

电极层34形成为设置于绝缘层32的图案，与接合有连接器(省略图示)的端子(省略图示)导通。而且，电极层34将经由连接器从外部电源(省略图示)供电的电力供给到发光基板10的构成时的多个发光元件20。因此，电极层34的一部分成为分别接合多个发光元件20的多个电极对34A。另外，如上所述，本实施方式的发光基板10中的多个发光元件20遍及整个表面31规则地排列，因此多个电极对34A也遍及整个表面31规则地排列(参照图2A)。将电极层34中的多个电极对34A以外的部分称为布线部分34B。在本实施方式中，如图1C所示，作为一个例子，多个电极对34A比布线部分34B向绝缘层32(荧光体基板30)的厚度方向外侧突出。

此外，绝缘层32的表面31中的配置有电极层34的区域(电极层34的占用面积)作为一个例子，为绝缘层32的表面31的60％以上的区域(面积)(参照图2A)。

〔荧光体层〕

如图2B所示，本实施方式的荧光体层36作为一个例子，配置于绝缘层32及电极层34的表面31中的多个电极对34A以外的部分。即，荧光体层36配置于电极层34中的多个电极对34A以外的区域。而且，在本实施方式中，绝缘层32的表面31中的配置有荧光体层36的区域作为一个例子，是绝缘层32的表面31中的80％以上的区域。

本实施方式的荧光体层36作为一个例子，是包含后述的荧光体和粘合剂的绝缘层。荧光体层36中包含的荧光体是被保持为分散于粘合剂的状态的微粒子，具有将各发光元件20的LED22的发光作为激发光进行激发的性质。具体而言，本实施方式的荧光体具有将发光元件20的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的性质。此外，粘合剂例如为环氧系、丙烯酸酯系、硅酮系等，只要是具有与阻焊剂所含的粘合剂同等的绝缘性的物质即可。

(荧光体的具体例)

这里，本实施方式的荧光体层36中包含的荧光体作为一个例子，是选自含有Eu的α型塞隆荧光体、含有Eu的β型塞隆荧光体、含有Eu的CASN荧光体以及含有Eu的SCASN荧光体中的至少一种以上的荧光体。此外，上述荧光体是本实施方式的一个例子，也可以是如YAG、LuAG、BOS其他可见光激发的荧光体那样的上述荧光体以外的荧光体。

含有Eu的α型塞隆荧光体由通式：M

含有Eu的β型塞隆荧光体是由通式：Si

另外，作为氮化物荧光体，可列举含有Eu的CASN荧光体、含有Eu的SCASN荧光体等。

含有Eu的CASN荧光体(氮化物荧光体的一个例子)例如是由式CaAlSiN

含有Eu的SCASN荧光体(氮化物荧光体的一个例子)例如是由式(Sr、Ca)AlSiN

〔背面图案层〕

本实施方式的背面图案层38是设置于绝缘层32的背面33侧的金属层。本实施方式的背面图案层38作为一个例子，为铜箔层(Cu制的层)。

如图1B所示，背面图案层38是沿着绝缘层32的长边方向呈直线状排列的多个矩形部分的块在短边方向上以使相位错开的方式相邻排列的层。

此外，作为一个例子，背面图案层38为独立浮动层。另外，背面图案层38在绝缘层32(荧光体基板30)的厚度方向上，作为一个例子，与配置于表面31的电极层34的80％以上的区域重叠。

以上是关于本实施方式的发光基板10及荧光体基板30的结构的说明。

《本实施方式的发光基板的制造方法》

接下来，参照图3A～图3E对本实施方式的发光基板10的制造方法进行说明。本实施方式的发光基板10的制造方法包括第一工序、第二工序、第三工序、第四工序以及第五工序，各工序按照其记载顺序进行。

＜第一工序＞

图3A是表示第一工序的开始时及结束时的图。第一工序是在母板MB的表面31形成从厚度方向观察与电极层34相同的图案34C，在背面33形成背面图案层38的工序。本工序例如通过使用了掩模图案(省略图示)的蚀刻而进行。

＜第二工序＞

图3B是表示第二工序的开始时及结束时的图。第二工序是对图案34C的一部分进行半阴影(蚀刻至厚度方向的中间)的工序。本工序结束后，结果形成具有多个电极对34A和布线部分34B的电极层34。本工序例如通过使用了掩模图案(省略图示)的蚀刻而进行。

＜第三工序＞

图3C是表示第三工序的开始时及结束时的图。第三工序是向绝缘层32的表面31，即形成有电极层34的面的整个面涂敷荧光体涂料36C的工序。在本工序中，例如，通过印刷来涂敷荧光体涂料36C。在该情况下，将荧光体涂料36C涂敷得比所有的电极对34A厚。

＜第四工序＞

图3D是表示第四工序的开始时及结束时的图。第四工序是将荧光体涂料36C固化而成的荧光体层36的一部分除去，使所有的电极对34A的上表面露出的工序。在荧光体涂料36C的粘合剂例如是热固性树脂的情况下，通过加热使荧光体涂料36C固化后，研磨荧光体层36的表面。在荧光体涂料36C的粘合剂例如是UV固化性树脂(感光性树脂)的情况下，对与各接合面34A1重叠的部分(涂料开口部)施加掩模图案，使UV光曝光，使该掩模图案以外UV固化，利用树脂除去液除去非曝光部(未固化部)，由此使各接合面34A1露出。然后，通常，通过加热来进行后固化(照片显影法)。以上的结果，制造本实施方式的荧光体基板30。

＜第五工序＞

图3E是表示第五工序的开始时及结束时的图。第五工序是将多个发光元件20搭载于荧光体基板30的工序。本工序在荧光体基板30的多个电极对34A的各上表面印刷钎焊膏SP，在使多个发光元件20的各电极与多个电极对34A的各上表面对位的状态下熔化钎焊膏SP。然后，当钎焊膏SP被冷却并固化时，各发光元件20与各电极对34A接合。即，本工序作为一个例子，通过回流焊工序进行。

以上是关于本实施方式的发光基板10的制造方法的说明。

《本实施方式的发光基板的发光动作》

接下来，参照图4对本实施方式的发光基板10的发光动作进行说明。这里，图4是用于对本实施方式的发光基板10的发光动作进行说明的图。

首先，若使多个发光元件20动作的动作开关(省略图示)接通，则开始经由连接器(省略图示)从外部电源(省略图示)向电极层34供电，多个发光元件20将光L呈放射状发散射出，该光L的一部分到达荧光体基板30的表面31。以下，分为射出的光L的行进方向，对光L的行迹进行说明。

从各发光元件20射出的光L的一部分不向荧光体层36入射而向外部射出。在该情况下，光L的波长保持与从各发光元件20射出时的光L的波长相同。

另外，从各发光元件20射出的光L的一部分中的LED22自身的光向荧光体层36入射。这里，上述的“光L的一部分中的LED22自身的光”是指射出的光L中的未被各发光元件20(CSP自身)的荧光体(荧光体密封层24)进行颜色转换的光，即LED22自身的光(作为一个例子为蓝色(波长为470nm左右)的光)。而且，当LED22自身的光L与分散于荧光体层36的荧光体碰撞时，荧光体激发而发出激发光。这里，荧光体激发的理由是分散于荧光体层36的荧光体使用对蓝色的光具有激发峰值的荧光体(可见光激发荧光体)。伴随于此，光L的能量的一部分用于荧光体的激发，由此光L失去能量的一部分。其结果，光L的波长被转换(进行波长转换)。例如，根据荧光体层36的荧光体的种类(例如，在荧光体使用红色系CASN的情况下)光L的波长变长(例如650nm等)。另外，荧光体层36中的激发光有时也保持原样地从荧光体层36射出，但一部分激发光朝向下侧的电极层34。而且，一部分激发光通过电极层34的反射而向外部射出。如以上那样，在由荧光体层36的荧光体发出的激发光的波长为600nm以上的情况下，即使电极层34为Cu，也能够期待反射效果。此外，根据荧光体层36的荧光体的种类，光L的波长与上述的例子不同，但在任何情况下都进行光L的波长转换。例如，在激发光的波长小于600nm的情况下，如果将电极层34或其表面例如设为Ag(鍍金)，则能够期待反射效果。另外，也可以在荧光体层36的下侧(绝缘层32侧)设置白色的反射层。反射层例如由氧化钛填料等白色涂料设置。

如上所述，各发光元件20射出的光L(各发光元件20呈放射状射出的光L)分别经由上述那样的多个光路与上述激发光一起向外部照射。因此，在荧光体层36中包含的荧光体的发光波长与密封(或覆盖)发光元件20(CSP)中的LED22的荧光体(荧光体密封层24)的发光波长不同的情况下，本实施方式的发光基板10将各发光元件20射出时的光L的束作为包含波长与各发光元件20射出时的光L的波长不同的光L的光L的束，与上述激发光一起照射。例如，本实施方式的发光基板10将各发光元件20射出时的光L的束作为包含波长比各发光元件20射出时的光L的波长长的光L的光L的束，与上述激发光一起照射。

与此相对，在荧光体层36中包含的荧光体的发光波长与密封(或覆盖)发光元件20(CSP)中的LED22的荧光体(荧光体密封层24)的发光波长相同的情况(相同的相关色温的情况)下，本实施方式的发光基板10将各发光元件20射出时的光L的束作为包含波长与各发光元件20射出时的光L的波长相同的光L的光L的束，与上述激发光一起照射。

以上是关于本实施方式的发光基板10的发光动作的说明。

《本实施方式的效果》

接下来，参照附图对本实施方式的效果进行说明。

＜第一效果＞

关于第一效果，将本实施方式与以下说明的比较方式(参照图5)进行比较来说明。这里，在比较方式的说明中，在使用与本实施方式相同的结构要素等的情况下，在该结构要素等使用与本实施方式的情况相同的名称、附图标记等。图5是用于对比较方式的发光基板10A的发光动作进行说明的图。比较方式的发光基板10A(供多个发光元件20搭载的基板30A)除不具备荧光体层36这一点以外，采用与本实施方式的发光基板10(荧光体基板30)相同的结构。

在比较方式的发光基板10A的情况下，从各发光元件20射出并入射到基板30A的表面31的光L不转换波长而反射或散射。因此，在比较方式的基板30A的情况下，在搭载有发光元件20的情况下，无法调整为与发光元件20所发出的光不同的发光色的光。即，在比较方式的发光基板10A的情况下，无法调整为与发光元件20所发出的光不同的发光色的光。

与此相对，在本实施方式的情况下，在绝缘层32的表面31具备荧光体层36。因此，从各发光元件20射出的光L的一部分入射到荧光体层36，通过荧光体层36进行波长转换，向外部照射。在该情况下，从各发光元件20呈放射状射出的光L的一部分入射到荧光体层36，使荧光体层36中包含的荧光体激发，产生激发光。

这里，图6是表示本实施方式的发光基板10的相关色温的第一试验的结果的图表。另外，图7是表示本实施方式的发光基板10的相关色温的第二试验的结果的图表。

第一试验是向具备相关色温相当于2200K～2300K的多个发光元件20的发光基板10供电而使其发光的情况下的、对多个发光元件20调查电流(mA)与相关色温(K)的关系而得到的结果。这里，HE(1)及HE(2)表示电极层34的构造是与本实施方式相同的构造的情况，FLT(1)及FLT(2)表示电极层34中的一对电极对34A与布线部分34B的厚度相同的情况(变形例)。如图6的结果所示，在任一情况下，发光基板10所发出的光L的相关色温都比多个发光元件20的相关色温低。即，在本实施方式(也包含上述变形例)的情况下，通过具备荧光体层36，能够使相关色温偏移。

另外，第二试验是向具备相关色温相当于2900K～3000K的多个发光元件20的发光基板10供电而使其发光的情况下的、对多个发光元件20调查电流(mA)与相关色温(K)的关系而得到的结果。这里，HE(1)表示电极层34的构造是与本实施方式相同的构造的情况，FLT(1)及FLT(2)表示电极层34中的一对电极对34A与布线部分34B的厚度相同的情况(变形例)。如图7的结果所示，在任一情况下，发光基板10所发出的光L的相关色温都比多个发光元件20的相关色温低。即，在本实施方式(也包含上述变形例)的情况下，通过具备荧光体层36，能够使相关色温偏移。

因此，根据本实施方式的荧光体基板30，在搭载有发光元件20的情况下，能够将从荧光体基板30发出的光L调整为与发光元件20所发出的光L不同的发光色的光。伴随于此，根据本实施方式的发光基板10，能够将从荧光体基板30发出的光L调整为与发光元件20所发出的光L不同的发光色的光L。从其它观点来看，根据本实施方式的发光基板10，能够向外部照射与发光元件20所发出的光L不同的发光色的光L。

此外，在荧光体层36中包含的荧光体的发光波长与密封(或覆盖)发光元件20(CSP)中的LED22的荧光体(荧光体密封层24)的发光波长相同的情况(相同的相关色温的情况)下，本实施方式的发光基板10将各发光元件20射出时的光L的束作为包含波长与各发光元件20射出时的光L的波长相同的光L的光L的束，与上述激发光一起照射。在该情况下，也能够显现出通过荧光体层36缓和所搭载的发光元件20的色度偏差的效果。

＜第二效果＞

在比较方式的情况下，如图5所示，由于各发光元件20的配置间隔而在向外部照射的光L产生斑。这里，光L的斑越大，眩光越大。

与此相对，在本实施方式的情况下，如图2B所示，在相邻的发光元件20彼此之间设置有荧光体层36。因此，也从荧光体层36发出激发光。

因此，根据本实施方式，与比较方式相比，能够减小眩光。

特别是，本效果在荧光体层36遍及绝缘层32的整个面设置的情况下，具体而言，在绝缘层32的表面31中的配置有荧光体层36的区域为表面13的80％以上的区域的情况下有效。

＜第三效果＞

另外，在本实施方式中，如上述的说明，在相邻的发光元件20彼此之间设置有荧光体层36(参照图2B)。另外，荧光体层36的粘合剂例如具有与阻焊剂中包含的粘合剂同等的绝缘性。即，在本实施方式的情况下，荧光体层36发挥阻焊剂的功能。

＜第四效果＞

另外，在本实施方式的情况下，例如，将荧光体层36中包含的荧光体设为含有Eu的CASN荧光体，将荧光体层36设置在Cu制的布线部分34B上。因此，例如，在各发光元件20射出白色系的光L的情况下，从荧光体层36中包含的CASN荧光体发出的激发光通过基于构成下层电极的Cu的反射，提高发光效率(在本实施方式的结构中，具有Cu的光反射效果)。而且，在本实施方式中，根据该效果，能够将白色系的光L调整为更暖色系的光(相关色温向低温侧偏移的色)(参照图6及图7)。在该情况下，能够在发光元件20的白色系光加入暖色系光，能够提高特殊显色系数R9值。本效果对于使用YAG系白色光(黄色荧光体)的准白色特别有效。

＜第五效果＞

另外，如上述的说明，多个发光元件20在发光动作时，通过使用散热器(省略图示)、冷却风扇(省略图示)，以使荧光体基板30作为一个例子从常温落入50℃～100℃的方式进行散热(冷却)。因此，使LED22的发光时的发热向基板整体扩散，提高向壳体的散热效果。而且，在本实施方式的情况下，绝缘层32的表面31中的配置有电极层34的区域(电极层34的占用面积)作为一个例子，为绝缘层32的表面31的60％以上的区域(面积)(参照图2A)。

因此，本实施方式的电极层34(布线部分34B)除作为用于供电的电气路径发挥功能以外，还作为从多个发光元件20产生的热的散热板发挥功能。因此，发光元件20(LED22)能够在几乎不受热的影响的状况下稳定地发出光L。

以上是关于本实施方式的效果的说明。

如上所述，以上述的实施方式及实施例为例对本发明进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式及实施例。本发明的技术范围例如也包含下述方式(变形例)。

例如，在本实施方式的说明中，将发光元件20的一个例子设为CSP。然而，发光元件20的一个例子也可以是CSP以外。例如，也可以仅搭载了倒装芯片。另外，也能够应用于COB器件的基板自身。

另外，在本实施方式的说明中，在荧光体基板30搭载有多个发光元件20，发光基板10具备多个发光元件20(参照图1A)。然而，若考虑上述的第一效果的说明的机理，则即使发光元件20为一个也能起到第一效果是显而易见的。因此，搭载于荧光体基板30的发光元件20的数量至少为一个以上即可。另外，搭载于发光基板10的发光元件20至少为一个以上即可。

另外，在本实施方式的说明中，在荧光体基板30的背面33具备背面图案层38(参照图1B)。然而，若考虑上述的第一效果的说明的机理，则即使在荧光体基板30的背面33不具备背面图案层38也能起到第一效果是显而易见的。因此，即使是仅在背面33没有背面图案层38这一点与本实施方式的荧光体基板30及发光基板10不同的方式，该方式也属于本发明的技术范围。

另外，在本实施方式的说明中，荧光体层36配置于绝缘层32及电极层34的表面31中的多个电极对34A以外的部分(参照图2B)。然而，若考虑上述的第一效果的说明的机理，则即使不遍及荧光体基板30的表面31中的多个电极对34A以外的部分的整个区域地配置也能起到第一效果是显而易见的。因此，即使是与本实施方式的情况不同的仅在表面31的范围配置有荧光体层36这一点与本实施方式的荧光体基板30及发光基板10不同的方式，也可以说该方式属于本发明的技术范围。

另外，在本实施方式的说明中，说明了在制造荧光体基板30及发光基板10时，将利昌工业株式会社制的CS-3305A用作母板MB。然而，这只是一个例子，也可以使用不同的母板MB。

此外，本实施方式的发光基板10(也包含其变形例)能够与其他结构要素组合而应用于照明装置。该情况下的其他结构要素是供给用于使发光基板10的发光元件20发光的电力的电源等。

本申请主张以在2018年12月27日申请的日本申请特愿2018-244542号为基础的优先权，将其公开的全部内容引入此。