用于调制等离子体系统的等离子体传递系统

技术领域

本公开的实施例一般地涉及等离子体处理系统，并且更具体地，涉及具有调制等离子体的等离子体处理系统。

背景技术

用于蚀刻和沉积的等离子体处理系统已经使用了几十年，但是处理技术和设备技术的进步持续创建了越来越复杂的系统。这些越来越复杂的系统导致驱动相同等离子体系统的多个发生器之间的更有问题的相互作用。

发明内容

一个方面的特征可以在于一种等离子体处理系统，其包括都向等离子体室传递功率的高频发生器和低频发生器。系统的滤波器耦合在等离子体室与高频发生器之间，并且滤波器抑制高频发生器的频率周围的带宽外的功率。在高频发生器的频率处对功率的抑制为至多2dB，在比低频发生器的频率更高的频率处对来自高频发生器的频率的功率的抑制比在高频发生器的频率处对功率的抑制高至少2dB。

另一方面的特征可以在于一种等离子体处理系统，其包括被配置为向等离子体室传递功率的高频发生器和被配置为向等离子体室传递功率的低频发生器。滤波器耦合在等离子体室与高频发生器之间，并且滤波器包括两个或更多个并联连接的螺旋谐振器。

又一方面的特征可以在于一种用于在等离子体处理系统中对功率进行滤波的方法。该方法包括：利用高频发生器向等离子体室供应功率以点燃并且维持等离子体，以及利用连接到等离子体的低频发生器向等离子体室供应功率。利用滤波器抑制混合产物的功率，以限制给予给高频发生器的时变负载反射系数的变化。

附图说明

图1是等离子体处理系统的块图；

图2是描绘如何通过使用不同的测量系统滤波器带宽测量功率来感知功率的曲线图；

图3A和图3B是描绘负载反射系数的调制的曲线图，并且图3C是描绘当不使用图1中描绘的滤波器时，可以由高频发生器看到的结果反射功率的曲线图；

图4A包括描绘图1中描绘的滤波器的示例性设计的性能方面的两个曲线图，并且图4B是描绘当不使用图1中描绘的滤波器时，在基本和混合产物频率处可以由高频发生器传递到等离子体负载的净功率的曲线图；

图5A和图5B是描绘负载反射系数的调制的曲线图，并且图5C是描绘当使用图1中描绘的滤波器时，可以由高频发生器看到的结果反射功率的曲线图；

图6A和图6B是描绘负载反射系数的调制的曲线图，并且图6C是描绘可以由图1中描绘的滤波器看到的结果反射功率的曲线图；

图7是描绘可以结合本文公开的实施例遍历的方法的流程图；

图8A和图8B是描绘参考图1描述的滤波器的实施例的等效电路的示图；

图9是具有两个平行螺旋谐振器的示例性水冷却滤波器设计的透视视图；

图10是具有两个平行螺旋谐振器的水冷却滤波器设计的内部视图；

图11是具有两个平行螺旋谐振器的水冷却滤波器设计的剖面视图；

图12是具有两个平行螺旋谐振器的水冷却滤波器设计的电容器块的详细视图；

图13是具有两个平行螺旋谐振器的水冷却滤波器设计的分解视图；

图14是包括用于调谐滤波器的装置的滤波器的视图；

图15是描绘可以结合本文公开的实施例遍历的方法的流程图；以及

图16是描绘可以结合本文公开的实施例使用的计算设备的块图。

具体实施方式

随着功率电平的增加，驱动相同等离子体的发生器(其中，发生器之一调制由另一个发生器看到的负载)之间的相互作用变得越来越成问题；因此，需要新的和改进的方法和系统用于处理这个问题。

“示例性”一词在本文中用于意指“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其他实施例优选或有利。

参考图1，其示出了描绘其中可以实施实施例的示例性环境的块图。如图所示，等离子体室100的等离子体负载经由滤波器104和匹配网络106耦合到高频发生器102。另外，低频发生器108也经由匹配110耦合到等离子体负载。在很多应用中，匹配106可以与匹配110组合。还示出了可选的宽带测量部件114、116、118和120以及可选的延迟部件112。可选的延迟元件112可以使用一定长度的同轴电缆、或固定或可变RLCM(即，包含电阻器、电感器、电容器和耦合电感器的电路)电路、或包含分布式电路元件的电路(即，传输线电路)来实现。还示出了可选的连接122和124，如果适当地表征了可选的延迟元件112，则连接122和124允许可选的宽带测量系统116、120之一接管另一个的功能。

尽管高频发生器102和低频发生器108可以均在一定范围的频率内操作，但是一般地高频发生器102以比低频发生器108更高的频率操作。在很多实施例中，高频发生器102可以是在10MHz到200MHz的频率范围中向等离子体室100中的等离子体负载传递RF功率的发生器，并且低频发生器108可以在例如100kHz到2MHz范围中。因此，低频发生器108的频率与高频发生器102的频率的示例性频率比在0.0005与0.2之间。在很多实施例中，例如，低频发生器108的频率与高频发生器102的频率的频率比小于0.05，并且在一些实施例中，低频发生器108与高频发生器102的频率比小于0.01。例如，比率可以是1:150或大约0.0067。

在应用方面，高频发生器102可以用于在等离子体室100中点燃并且维持等离子体负载，并且低频发生器108可以用于将周期性电压函数施加到等离子体室100的衬底支撑件，以在等离子体室100中的衬底表面处实现期望的离子能量分布。

关于功率电平，低频发生器108可以将相对大量功率(例如，在10kW到30kW范围中)施加到等离子体室100的等离子体负载。以低频施加到等离子体的大量功率调制给予给高频发生器102的等离子体阻抗。

申请人已经发现，在具有调制等离子体负载的发生器(例如，低频发生器108)的现有系统中，在由系统生成的足够数量的混合产物处没有测量功率。不能这样做是一个问题，其导致功率测量中大约100％或更多的误差。过去采取的典型方法(在有低频功率扰乱等离子体时)是简单地滤除由于将高频功率施加到以低频调制的负载而产生的混合频率分量(例如，在低频和高频发生器频率分别为400kHz和60MHz时，滤除59.6MHz和60.4MHz分量)。但是在使用低通滤波器时，明显的复阻抗轨迹折叠到一个点，并且令人误解地，它看起来好像高频发生器102正在将功率传递到50欧姆中。

参考图2，其示出了描绘如何通过使用不同的测量系统滤波器带宽测量功率来感知功率的曲线图。在测量信号的下变频或解调之后，应用测量系统滤波；因此，测量系统对以发生器输出频率以中心的频率分量进行滤波。例如，施加到产生60MHz输出的发生器的100kHz的测量系统带宽将抑制低于59.9MHz且高于60.1MHz的频率分量。如图所示，在测量系统的滤波器带宽被选择为低于等离子体的调制频率时，则其表现为好像存在比实际少得多的反射功率(因此，其表现为好像仅正向功率正在去往等离子体负载)，但实际上，这不是发生的事情。

相反，当用足够的带宽(例如，由宽带测量系统116、120中的一个或两鸽)测量功率时，显然，仅有一部分功率(例如，仅一般功率)正在去往等离子体负载。因此，本公开的一个方面包括调节测量系统，使得其滤波器带宽超过调制频率，以用更高的频率捕获混合产物。标题为“System,Method,and Apparatus for Monitoring Power”的美国专利No.7970562(其通过引用并入本文)公开了除了采样和处理技术之外，可以用于实现传感器114、118的传感器类型(例如，定向耦合器或电压/电流(VI)传感器)，所述采样和处理技术可以由宽带测量系统116、120使用，以实现能够以较高的频率捕获关于混频产物的信息的滤波器带宽。应当注意，测量系统116、120的滤波器带宽不应当与滤波器104混淆。

另一个问题在于，高频发生器102需要向时变负载(调制等离子体负载)传递功率，其中，时间平均的负载反射系数量值较高。例如，参考图3A和图3B，其示出了描绘在低频发生器108的一个周期的时间段内高频发生器102看到的负载反射系数的曲线图，并且图3C是描绘当不使用图1中描绘的滤波器104时可以由高频发生器102看到的结果反射功率的曲线图。如图所示，由高频发生器102看到的峰值负载反射系数量值可以接近1(并且甚至可以超过1，意味着净功率从等离子体负载流向高频发生器102)，而由高频发生器102看到的平均负载反射系数量值可以是0.76。相对高的负载反射系数量值意味着，一般地，高频发生器102可能难以施加期望电平的功率，并且更容易发生故障。因此，高频发生器102可能需要比通常所需的更多的功率器件(双极型晶体管、MOSFET等)，以向等离子体室100传递所需量的功率。

本文公开的方面涉及消除或减轻等离子体调制效应的解决方案。图1中描绘的一个方面是所描绘的滤波器104。如上文讨论的，在没有所描绘的滤波器104的情况下，调制等离子体负载向高频发生器102给予时变非线性负载，这带来了挑战性的问题。

在很多实施例中，图1中描绘的滤波器104可以被实施为极窄带宽、高功率滤波器，其设置在高频发生器102与等离子体室100之间。滤波器104在高频发生器102的频率处可以具有相当低的损耗，并且充分地抑制混合产物，以限制在滤波器104的输入处给予给高频发生器102的负载反射系数的变化，同时在施加高功率时是稳定的。在实施时，滤波器104可以具有窄带宽，以对边带频率进行滤波。如本文所用，带宽被定义为存在于低截止频率与高截止频率之间的频率范围，其中，截止频率中的每个低于最大中心或谐振峰值3dB，同时将这两个点外的其他频率衰减或减弱超过3dB。

在一些实施例中，例如，低频发生器108由400kHz发生器实现，并且高频发生器102由60MHz RF发生器实现；因此，呈现1到150的频率比。因此，在这些实施例中，滤波器104可以抑制在小于远离中心频率的百分比的频率处的功率。

并且在很多实施例中，在高频发生器102的频率处对功率的抑制为至多2dB，并且在比低频发生器108的频率更高的频率处对来自高频发生器102的频率的功率的抑制比在高频发生器102的频率处对功率的抑制高至少2dB。在一些实施方式中，滤波器104的带宽是高频发生器102频率的2％(或更小)。如果高频发生器102由60Mhz RF发生器实现，例如，滤波器的带宽可以是1.2MHz或更小。

参考图4A，其示出了描绘滤波器104的示例性设计的性能方面的曲线图。在图4A中，滤波器104的带宽具有大约60Mhz的中心频率，并且在远离中心频率几分之一兆赫处，功率被抑制8dB。图4B示出了在不使用图1中描绘的滤波器时，高频发生器可以传递到等离子体负载的净功率。图4B示出了具有如图4A中所示响应的滤波器将允许以60MHz的基本频率传递到等离子体负载的功率以相对高的效率从高频发生器102传送到等离子体负载，并且抑制从等离子体负载反射回高频发生器102的功率。

但是本领域的普通技术人员还没有引导实施具有与图4A中的滤波器特性类似的特征的滤波器104。缺乏对等离子体调制的潜在问题的认识是一个原因。但是另外，设计具有图4A中描绘的特性的滤波器是具有挑战性的(甚至在低功率电平下)。但是在很多实施例中，滤波器104处理大量功率(例如，几kW的功率)，并且高功率和窄频带组合不是本领域的技术人员可能尝试的组合。

如上文讨论的，图3A和图3B描绘了在不使用滤波器104时由高频发生器看到的负载反射系数。图5A和图5B描绘了在实施示例性滤波器104时由高频发生器102看到的负载反射系数。如图5A中所示，在部署滤波器104时，反射系数被压缩以在等离子体调制的周期内保持更接近曲线图的中心(与图3A中的负载反射系数相比)。

参考图3B，其示出了在不使用滤波器104的情况下，时域中的反射系数量值的描绘。图3C中描绘的正向功率的对应电平(接近100瓦)远低于等离子体处理期间使用的功率，但是图3B中描绘的反射系数以及图3C中的正向和反射功率的相对量值是指导性的。如图所示，正向功率是99.8瓦，并且反射功率是63.4瓦。相反，如图5C中所示，在滤波器104就位的情况下，存在99.9瓦的正向功率和3.4瓦的反射功率；因此，高频发生器102被置于低得多的应力下。并且在滤波器104的负载侧上，如图6C中所示，滤波器104可以增加平均正向功率。

参考图7，其示出了描绘用于在调制等离子体系统中进行等离子体处理的方法的流程图700。如图所示，利用高频发生器102向等离子体室100供应功率，以点燃并且维持等离子体(块710)。另外，利用低频发生器108向等离子体室100供应功率(块720)。利用设置在等离子体室100与高频发生器之间的滤波器，在与高频和低频的混合产物对应的频率处，抑制高频发生器102与等离子体室100之间的功率传输(块730)。可以调节(例如，优化)匹配网络106的调谐，以平衡向高频发生器102提供良好匹配的阻抗的要求与向等离子体室100的功率传输的效率(块740)。

简单地返回参考图6A，注意，负载反射系数的轨迹不是如图3A中的情况那样围绕原点对称。这是滤波器104的负载侧上所需的阻抗的特性，以便将滤波器104的输入与接近零的负载反射系数匹配，并且获得从高频发生器102到等离子体负载的有效功率传输。在图6A中，滤波器104的负载侧上的平均负载反射系数用“+”指示。如图6A中指示的，滤波器104的负载侧上的负载反射系数的平均值为大约-0.23–j0.00。如图5A中指示的，滤波器104的高频发生器102侧上的负载反射系数的平均值为大约0.04–j0.02。这示出使用该滤波器104的方面，即，滤波器104的负载侧上的负载反射系数不被调谐到匹配负载(在大多数系统中为50欧姆)，但是通常被设置为实现如宽带测量系统测量的低的、时间平均的负载反射系数量值。因此，在很多实施方式中，宽带测量部件116或120用于捕获至少一阶混合产物。宽带测量部件116或120可以被实施为匹配网络106、高频发生器102的集成部件，或者可以实施为独立部件。因此，在块740处调节匹配网络的步骤不同于匹配网络106通常所需的步骤。

在很多实施方式中，调节由等离子体室100给予给滤波器104的阻抗，以优化从高频发生器102到等离子体室100的功率传输效率。例如，可以最小化给予给滤波器的负载反射系数的绝对值的时间平均值，并且可以使用至少等于低频发生器108的频率的带宽来测量(例如，由宽带测量部件116或120)负载反射系数。还设想，负载反射系数的时间平均值被优化为远离0+j0。

再次参考图7，可以调节(例如，优化)匹配网络106与滤波器104之间的电缆长度，以控制与混合产物端接的阻抗(块750)。虽然在其他等离子体处理系统(例如，为了稳定性)中调节(匹配网络与等离子体处理室之间)电缆长度，但是在使用滤波器104时，在选择该电缆长度时存在附加的考虑，即：由滤波器104在混合产物的频率处提供到等离子体系统的终端阻抗；将滤波器104连接到匹配网络106的电缆；以及匹配网络106。改变电缆长度改变了滤波器104的负载侧上的调制的性质。该电缆长度还会影响多状态应用中的频率调谐；因此，该电缆长度的选择可能比现有等离子体处理系统中的更复杂。

图8A和图8B是参考图1描述的滤波器104的实施例的等效电路。图8A示出了无损原型的等效电路，并且图8B示出了在简化到实践使用可实现的有损部件时的滤波器104的等效电路。存在实现这种窄带、高功率滤波器的其他方式(例如，使用大的环形谐振器或腔)，但在所有情况下，必须密切关注这种滤波器中存在的高电压、高电流和高功耗。

接下来参考图9，示出了设计有两个平行螺旋谐振器的水冷却滤波器904的外部的透视图。滤波器包含两个水连接910和920，以用于使水穿过滤波器以用于冷却，还包含输入连接器930和输出连接器(在本视图中不可见)。

图10是具有两个平行螺旋谐振器的滤波器904设计的内部视图。如图所示，螺旋谐振器中的每一个包括中空螺旋线圈1020，并且每个中空螺旋线圈1020耦合到铜块1024。铜带1026从铜块1024延伸，并且陶瓷绝缘体1028将铜带1026与铜块1024绝缘。在本实施方式中，金属化1030设置在陶瓷1028上，以形成输入和输出电容器810和820。另外，每个中空螺旋线圈1020包括地接端1022。滤波器904还包括灌封(potted)的圆柱形外壳1032(为了观察滤波器104的内部部件而透明地表示)，外壳1032围绕中空螺旋线圈1020和铜块1024。

图11示出了滤波器904的剖面视图。该视图示出了铜带1026如何连接到输入和输出连接器1110和1140，并且连接到形成在陶瓷绝缘体1120和1150上的电容器。该视图还示出了中空螺旋线圈1130和1160如何连接到铜块1024。

图12示出了铜块1240(图10中的1024)的更多细节。该组件提供了从输入和输出到螺旋谐振器的所需电容耦合。由于所需电容器的较小值、电容器必须承受的高电压，以及电容器必须消耗的功率，所以在滤波器的设计中使用在陶瓷衬底上实施电容器。铜块包含水通道1210，中空螺旋线圈附接(例如，通过焊接)到水通道1210中。因此，形成在陶瓷绝缘体1220和1260上的电容器被水冷却。陶瓷绝缘体分别具有前金属化1280和后金属化1250。前金属化1280的尺寸控制由组件实现的电容。可以使用导电环氧树脂将陶瓷绝缘体附接到铜块1240。带1270和1230可以焊接到前金属化并且焊接到连接器1110和1140。

图13示出了滤波器904的分解视图。绝缘支架1310将中空螺旋线圈保持在适当维持，并且为组件提供机械稳定性。支架由合适的低损耗电介质材料制成，例如PTFE塑料或陶瓷，并且包含允许灌封材料流过的孔。由于这种设计中可能遇到的高电压，所以对滤波器的高电压区域进行灌封(例如，使用硅树脂电介质凝胶)，以降低由于空气击穿而导致的故障的风险。替代地，整个组件可以被抽至高真空，或填充有高质量电介质液体。

应当认识到，本领域的普通技术人员鉴于本公开能够设计螺旋线圈1020的方面(例如，匝数、半径、长度、节距、内外线圈直径和线圈的外径)，以实现期望的带宽和散热。还应当认识到，当然可以设想图9-图13中描绘的滤波器904的设计的变型。

与使用电感器的设计相比，使用接近谐振的低频或电感侧上的谐振的螺旋谐振器，而不是电感器，实现了类似的带宽，但与具有电感器的设计相比，螺旋谐振器提供了更小的有效电感。另外，使用并联的两个谐振器允许整个组件的接地水冷却，其中水系统可以保持接地。更具体地，从接地水系统提供的水穿过中空螺旋线圈1020馈送，使得耗散大量的热。例如，滤波器904(和滤波器904的变型)可以以相对高的功率电平(例如，在1kW到30kW功率范围中)操作。通过其设计，滤波器904(及其变型)可以以相对高的功率电平操作，同时以至少75％的效率操作。

图14示出了具有调谐段(slugs)的滤波器1404。由于部件制造公差，可能需要调谐来设置滤波器的通带频率，但是也可以主动地调节调谐来补偿由于例如滤波器1404的自加热而引起的部件值的改变。调谐段1420和1440可以是例如铁氧体棒，其可以中空螺旋线圈1020内沿着所描绘的Y轴移动，但是更通常地，调谐段可以由铜制成。由合适的绝缘体(例如，PTFE塑料)制成的杯1420和1430提供没有灌封化合物的区域，在该区域中调谐段可以移动。

滤波器104、804B、904、1404的使用将频率调谐(用于阻抗匹配)可以进行的频率范围压缩到非常小的频率范围。这需要不同的方式来处理发生器的多状态操作。多状态操作的示例可以是在多个功率电平之间切换，其中，每个功率电平表示一个状态，并且其中，由于等离子体负载的非线性性质，高频发生器102在每个状态中看到不同的负载阻抗，并且其中，高频发生器102可以在每个状态中以不同的频率操作，以便改进用于该状态的阻抗匹配或稳定性。为了促进使用滤波器104的系统中的多状态操作，可能需要确保对于不同状态给予给滤波器104的负载侧的阻抗沿着或接近阻抗线，所述阻抗线可以通过对高频发生器102频率进行频率调谐来匹配。这可以通过在滤波器的负载侧上添加固定或可变时间延迟(例如延迟112)来实现。

接下来参考图15，其示出了描绘可以结合本文公开的实施例实行的方法的流程图1500。如图所示，利用高频发生器102向等离子体室100施加具有多状态波形的功率(块1510)，并且利用低频发生器108向等离子体室100施加功率(块1520)。利用滤波器104抑制高频与低频的混合产物(块1530)。如图所示，延迟滤波器104与等离子体室100之间的功率信号(块1540)，并且在每个状态期间调节高频发生器102的频率，以调节给予给高频发生器的阻抗(块1550)。

精确的功率测量可能需要测量滤波器的负载侧上的功率，该滤波器具有足以捕获足够数量的混合产物的带宽。这是因为滤波器104的效率取决于给予给滤波器104的负载阻抗的轨迹。在滤波器104的高频发生器102侧上的测量可能不提供对传递给等离子体负载的功率的精确测量，因为，如果不是不可能，也是难以考虑滤波器104的效率。

本领域的技术人员将理解，可以使用各种不同技术和技艺中的任一种来表示信息和信号。例如，在整个以上描述中提及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片可以由电压、电流、电磁波、磁场或磁颗粒、光场或光颗粒或其任何组合来表示。

技术人员将进一步理解，结合本文公开的实施例描述的各种说明性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以被实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。结合本文公开的实施例描述的各种说明性逻辑块、模块和电路可以利用通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、离散门或晶体管逻辑、离散硬件部件、或其经设计以执行本文描述的功能的任何组合来实施或执行。通用处理器可以是微处理器，但在替代方案中，处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以被实施为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一个或多个微处理器与DSP内核的结合、或任何其他这样的配置。

结合本文公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接以硬件、以由处理器执行的软件模块或以所述两者的组合来实现。软件模块可以驻留在RAM存储器、闪存存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或本领域已知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器，使得处理器可以从存储介质读取信息，以及向存储介质写入信息。在替代方案中，存储介质可以与处理器成一体。处理器和存储介质可以驻留在ASIC中。ASIC可以驻留在用户终端中。在替代方案中，处理器和存储介质可以作为离散部件驻留在用户终端中。

参考图16，其示出了可以结合本文公开的实施例使用的计算系统1600的示例。如图所示，显示器部分1612和非易失性存储器1620耦合到总线1622，总线1622还耦合到随机存取存储器(“RAM”)1624、处理部分(其包括N个处理部件)1626、现场可编程门阵列(FPGA)1627和包括N个收发器的收发器部件628。尽管图16中描绘的部件表示物理部件，但是图16不旨在是详细的硬件图；因此，图16中描绘的很多部件可以通过公共结构实现或者分布在附加的物理部件中。此外，可以设想，可以利用其他现有的和尚待开发的物理部件和架构来实施参考图16描述的功能部件。

该显示器部分1612一般地操作来为用户提供用户界面，并且在若干实施方式中，该显示器由触摸屏显示器实现。一般地，非易失性存储器1620是非暂时性存储器，其用于存储(例如，永久性地存储)数据和机器可读(例如，处理器可执行)代码(包括与实现本文描述的方法相关联的可执行代码)。例如，在一些实施例中，非易失性存储器1620包括引导加载器代码、操作系统代码、文件系统代码和非暂时性处理器可执行代码，以便于执行本文进一步描述的参考图4和图5描述的方法。

在很多实施方式中，非易失性存储器1620由闪存存储器(例如，NAND或ONENAND存储器)实现，但是设想，也可使用其他存储器类型。尽管可以执行来自非易失性存储器1620的代码，但是非易失性存储器中的可执行代码通常被加载到RAM 1624中并且由处理部分1626中的N个处理部件中的一个或多个执行。

在操作中，与RAM 1624连接的N个处理部件一般地可以操作，以执行存储在非易失性存储器1620中的指令，以实现宽带测量系统116、120的方面，并且控制高频发生器102(例如，频率调谐方面)和匹配106的方面。例如，用于实现参考图7和图15描述的方法的方面的非暂时性处理器可执行指令可以被永久性地存储在非易失性存储器1620中并且由与RAM1624连接的N个处理部件来执行。如本领域普通技术人员将理解的，处理部分1626可以包括视频处理器、数字信号处理器(DSP)、图形处理单元(GPU)和其他处理部件。

另外，或替代地，现场可编程门阵列(FPGA)1627可以被配置为执行本文描述的方法的一个或多个方面(例如，参考图7和15描述的方法)。例如，非暂时性FPGA配置指令可以永久性地存储在非易失性存储器1620中并且由FPGA 1627(例如，在启动期间)访问，以配置FPGA 627，以实现宽带测量系统116、120的方面，并且控制高频发生器102(例如，频率调谐方面)和匹配106的方面。

输入部件可以操作，以接收指示功率的一个或多个方面的信号(例如，来自传感器114、118)。在输入部件处接收的信号可以包括例如电压、电流、正向功率、反射功率和等离子体负载阻抗。输出部件一般地操作，以提供一个或多个模拟或数字信号，以实现发生器102、108，匹配106和/或宽带测量系统116、120的操作方面。例如，输出部分可以提供由发生器102、108，匹配106和/或宽带测量系统116、120使用的控制信号。

所描绘的收发器部件628包括N个收发器链，N个收发器链可以用于经由无线或有线网络与外部设备通信。N个收发器链中的每一个可以表示与特定通信方案(例如，WiFi、以太网、Profibus等)相关联的收发器。

提供对所公开实施例的先前描述，以使本领域的技术人员能够制成或使用本发明。本领域技术人员将容易明白对这些实施例的各种修改，并且在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本文限定的一般原理可以应用于其他实施例。因此，本发明不旨在限于本文所示的实施例，而是应符合与本文公开的原理和新颖特征一致的最广范围。