显示面板及其制作方法、蚀刻液组合物

技术领域

本申请涉及显示面板制作的领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、蚀刻液组合物。

背景技术

Mini-LED和Micro-LED统称为MLED，MLED显示技术是指以自发光的微米量级的发光二极管LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。

当前，MLED芯片一般通过激光焊技术与阵列基板上的电极端子实现贴装，但在后续制程中，MLED芯片与铜系金属材质的电极端子的焊接位置容易因水汽入侵而发生腐蚀，造成MLED芯片与驱动背板导通不良进而引起显示不良的问题。

发明内容

本申请提供一种显示面板及其制作方法、蚀刻液组合物，以改善当前MLED芯片与电极端子的焊接位置容易因水汽入侵而发生腐蚀引起显示不良的问题。

为解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种显示面板，包括：

驱动背板，包括衬底和设置于所述衬底上的电极端子；以及

发光芯片，设置于所述驱动背板上，所述发光芯片与所述电极端子固定连接；

其中，所述电极端子的表面设置有防锈层，所述防锈层的腐蚀速度小于所述电极端子的腐蚀速度，以及所述发光芯片与所述防锈层直接接触。

在本申请的显示面板中，所述防锈层包括唑类化合物，以及所述电极端子与所述防锈层通过范德华力固定连接。

在本申请的显示面板中，所述唑类化合物包括二唑、三唑、四唑中的至少一种。

在本申请的显示面板中，所述二唑包括咪唑、吡唑中的至少一种，所述三唑包括3-氨基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑中的至少一种，所述四唑包括5-甲基四唑、5-氨基四唑中的至少一种。

本申请还提供一种蚀刻液组合物，用于制作所述显示面板，所述蚀刻液组合物包括以质量分数计的以下组分：

分解剂0.5％至6％、螯合剂0.01％至3％、腐蚀保护剂0.01％至1％，界面活性剂0.001％至0.5％，余量为水；

其中，所述分解剂为具有还原性和氧化性的路易斯酸，所述腐蚀保护剂包括唑类化合物。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述蚀刻液组合物包括以质量分数计的以下组分：

分解剂1％至4％、螯合剂0.5％至1％、腐蚀保护剂0.05％至0.3％，界面活性剂0.005％至0.15％，余量为水。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述分解剂包括过氧化氢、亚硝酸、亚硫酸中至少一种，以及所述蚀刻液组合物的pH值为5至8。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基乙烷-1，1-二膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸中的至少一种。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述界面活性剂包括阴离子表面活性剂，所述阴离子表面活性剂包括十二烷基硫酸纳、月桂醇硫酸酯铵盐、十二烷基硫酸钾、十二烷基磺酸钠、十二烷基苯磺酸铵、十二烷基苯磺酸钾中的至少一种。

本申请还提供一种显示面板的制作方法，通过采用所述蚀刻液组合物制作所述显示面板，所述显示面板的制作方法包括：

提供一驱动背板，所述驱动背板包括衬底和设置于所述衬底上的电极端子；

利用蚀刻液组合物处理所述电极端子的表面，使所述电极端子的表面形成防锈层；

提供多个发光芯片，将多个所述发光芯片焊接在所述电极端子表面。

有益效果

本申请通过在电极端子的表面设置防锈层，且所述防锈层的腐蚀速度小于所述电极端子的腐蚀速度，使所述防锈层可以在所述电极端子表面起到良好的保护效果，有效阻止或延缓所述发光芯片与所述电极端子的焊接位置的腐蚀，从而改善当前MLED芯片与电极端子的焊接位置容易因水汽入侵而发生腐蚀引起显示不良的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请所述显示面板的整体结构示意图；

图2是本申请所述电极端子与所述发光芯片的连接结构示意图；

图3是本申请所述显示面板的制作方法的流程框图；

图4是本申请所述蚀刻液组合物的试验数据表格。

附图标记说明：

100、驱动背板；110、衬底；120、驱动层；130、电极端子；

200、发光芯片；

300、防锈层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

当前，MLED芯片一般通过激光焊技术与阵列基板上的电极端子实现贴装，但在后续制程中，MLED芯片与铜系金属材质的电极端子的焊接位置容易因水汽入侵而发生腐蚀，造成MLED芯片与驱动背板导通不良进而引起显示不良的问题。本申请基于上述技术问题提出了以下方案。

请参阅图1和图2，本申请提供一种显示面板，包括驱动背板和设置在所述驱动背板上的发光芯片，所述驱动背板包括驱动层和设置于所述驱动层上的电极端子，所述发光芯片与所述电极端子固定连接。所述电极端子的表面设置有防锈层，所述防锈层的腐蚀速度小于所述电极端子的腐蚀速度，以及所述发光芯片与所述防锈层直接接触。

本申请通过在电极端子的表面设置防锈层，且所述防锈层的腐蚀速度小于所述电极端子的腐蚀速度，使所述防锈层可以在所述电极端子表面起到良好的保护效果，有效阻止或延缓所述发光芯片与所述电极端子的焊接位置的腐蚀，从而改善当前MLED芯片与电极端子的焊接位置容易因水汽入侵而发生腐蚀引起显示不良的问题。

现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

在本实施例中，所述驱动背板可以是阵列基板，所述驱动背板还可以包括衬底，所述驱动层可以是设置在所述衬底上的阵列驱动层。所述阵列驱动层可以包括多条数据线、多条扫描线和多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电性连接，所述薄膜晶体管的源极/漏极与所述数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极/源极与所述电极端子电性连接。所述扫描线上的扫描信号通过所述栅极控制所述薄膜晶体管的源漏极层的导通与否，所述数据线上的数据信号通过所述源漏极层传输至所述发光芯片上，实现所述发光芯片的发光显示功能。

在本实施例中，所述发光芯片可以是MLED芯片，MLED芯片可以包括Mini-LED芯片、Micro-LED芯片等。

在本实施例中，所述电极端子的材质可以是铜、铝、钼系金属材质，或者它们的合金材料。

在本实施例中，所述防锈层的材质可以是具有导电性质的有机化合物材料，其具有良好的防腐蚀性能，同时能够实现所述发光芯片与所述电极端子的电性导通。所述发光芯片的P极、N极引脚可以与所述防锈层直接接触，并且通过激光焊等技术与所述电极端子固定连接。

在本申请的显示面板中，所述防锈层可以包括唑类化合物，所述电极端子与所述防锈层可以通过范德华力固定连接。具体地，以所述电极端子为Cu为例进行说明，所述唑类化合物中的N原子的s轨道、p轨道与Cu原子的d轨道发生重叠，从而发生化学吸附与物理吸附。其中化学吸附是由于N原子的s轨道、p轨道与Cu原子的d轨道相互作用所致，物理吸附是由于中性分子的范德华相互作用和质子化分子的静电相互作用所致。

本实施例通过将所述防锈层设置为唑类化合物，使所述唑类化合物可以通过化学吸附和/或物理吸附在电极端子表面形成致密的保护膜，从而将腐蚀介质例如外界水汽等与电极端子的金属界面隔开，起到保护电极端子不受腐蚀或延缓腐蚀的效果。

在本实施例中，所述唑类化合物可以包括二唑、三唑、四唑中的至少一种。具体地，所述二唑可以包括咪唑、吡唑中的至少一种；所述三唑可以包括3-氨基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑中的至少一种；所述四唑可以包括5-甲基四唑、5-氨基四唑中的至少一种。

本实施例通过将所述唑类化合物设置为包括上述二唑、三唑、四唑中的至少一种，可以使所述唑类化合物与所述电极端子之间的吸附效果更好，从而可以更加稳定地在所述电极端子表面形成致密的保护膜，起到更好的防腐蚀保护效果。

本申请实施例还提供一种蚀刻液组合物，用于制作上述实施例所述的显示面板。所述蚀刻液组合物可以包括以下质量分数的组分：分解剂0.5％至6％、螯合剂0.01％至3％、腐蚀保护剂0.01％至1％，界面活性剂0.001％至0.5％，余量为水；其中，所述分解剂为具有还原性和氧化性的路易斯酸，所述腐蚀保护剂包括唑类化合物。

在显示面板的芯片绑定制程之前，电极端子在前端制程中表面会发生氧化或腐蚀，导致其表面形成了金属锈迹，例如Cu材质的电极端子表面形成铜锈CuO。本实施例所述具有还原性和氧化性的路易斯酸可以与金属锈迹诸如铜锈CuO等金属氧化物发生反应，自身发生氧化还原反应的同时将金属锈迹等金属氧化物溶解为金属离子，使唑类化合物材质的腐蚀保护剂可以通过物理吸附和/或化学吸附作用吸附在新形成的金属表面诸如铜金属表面等，从而在金属表面形成一层致密的保护膜层，可阻止或减缓路易斯酸以及后续制程中外界水汽进一步腐蚀金属表面，达到良好的防腐蚀效果。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述分解剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.5％至6％中的任意数值。例如，所述分解剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.5％、1％、2.5％、4％、5％、6％等。

在本实施例中，所述分解剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是1％至4％，以使所述分解剂的浓度适中，所述电极端子表面的金属锈迹的溶解速度可控性更好，也能有效减少电极端子自身的金属损伤。

在本实施例中，所述分解剂可以包括过氧化氢、亚硝酸、亚硫酸中至少一种，以及所述蚀刻液组合物的pH值为5至8。过氧化氢、亚硝酸和亚硫酸都属于自身既具有还原性又具有氧化性的弱酸，这类弱酸可以溶解金属锈迹且溶解速度可控，并且除了金属离子和水之外，其反应产物为气体可以逸出反应体系，不会影响后续腐蚀抑制剂在新形成金属表面的附着。本实施例通过将蚀刻液组合物的体系pH值设置为5至8，可以使蚀刻液组合物的体系始终维持在弱酸性或中性，有利于保持分解剂稳定。

在本实施例中，所述分解剂可以是过氧化氢、亚硝酸、亚硫酸中的任意一种，例如，所述分解剂可以是过氧化氢，或者所述分解剂可以是亚硝酸，或者所述分解剂是亚硫酸。

在本实施例中，所述分解剂也可以是过氧化氢、亚硝酸、亚硫酸中的任意两种的组合，例如，所述分解剂可以是过氧化氢、亚硝酸的组合物，所述过氧化氢与所述亚硝酸可以任意质量比例如1:1、1:2、1:3、2:1、3:1等比例进行混合以形成所述分解剂。需要说明的是，本实施例仅以上述具体比例为例进行说明，所述分解剂内的所述过氧化氢与所述亚硝酸的质量比例并不局限于上述比例，其他质量比例也应当在本申请的保护范围之内。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述螯合剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.01％至3％中的任意数值。例如，所述螯合剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.05％、0.15％、0.5％、1％、2％、3％等。

在本实施例中，所述螯合剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.5％至1％，从而使蚀刻液组合物保持较高的蚀刻效率，并维持反应体系的稳定性，从而达到良好的经济效益。

在本实施例中，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基乙烷-1，1-二膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸中的至少一种。需要说明的是，当所述螯合剂由至少两种上述物质组成时，所述螯合剂内的各组成物质的质量比例可以是任意比例，本申请对此不作具体限制。

本实施例通过将所述螯合剂采用以上几种化合物中的至少一种，使所述螯合剂可以与前述分解剂与金属锈迹反应溶解生成的金属离子形成金属络合物，抑制金属离子的反应活性，避免或减弱金属离子对于弱酸性质的分解剂的水解促进效应，进而抑制分解剂的水解分解反应，有利于维持蚀刻液组合物的体系稳定性。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述腐蚀保护剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.01％至1％中的任意数值。例如，所述腐蚀保护剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.01％、0.05％、0.1％、0.2％、0.25％、0.5％、1％等。

在本实施例中，所述腐蚀保护剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.05％至0.3％，从而使所述腐蚀保护剂在此浓度范围内与电极端子新形成的金属表面之间具有大小适宜的范德华作用力，从而稳定吸附在金属表面形成致密的保护膜层。

在本实施例中，所述腐蚀保护剂中的所述唑类化合物可以包括二唑、三唑、四唑中的至少一种。具体地，所述二唑可以包括咪唑、吡唑中的至少一种，所述三唑可以包括3-氨基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑中的至少一种，所述四唑可以包括5-甲基四唑、5-氨基四唑中的至少一种。需要说明的是，当所述腐蚀保护剂由至少两种上述物质组成时，所述腐蚀保护剂内的各组成物质的质量比例可以是任意比例，本申请对此不作具体限制。

本实施例通过将所述腐蚀保护剂设置为包括以上种类的唑类化合物，使所述唑类化合物与所述电极端子之间的吸附效果更好，从而可以更加稳定地在所述电极端子表面形成致密的保护膜，起到更好的防腐蚀保护效果。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述界面活性剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.001％至0.5％中的任意数值。例如，所述腐蚀保护剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.001％、0.005％、0.01％、0.05％、0.1％、0.2％、0.3％等。

在本实施例中，所述界面活性剂在所述蚀刻液组合物中的质量百分比可以是0.005％至0.15％，从而使界面活性剂的活性适中，去除电极端子表面异物时产生的气泡更小，有利于腐蚀保护剂在电极端子表面的稳定附着。

在本实施例中，所述界面活性剂可以包括阴离子表面活性剂，所述阴离子表面活性剂可以包括十二烷基硫酸纳、月桂醇硫酸酯铵盐、十二烷基硫酸钾、十二烷基磺酸钠、十二烷基苯磺酸铵、十二烷基苯磺酸钾中的至少一种。需要说明的是，当所述界面活性剂由至少两种上述物质组成时，所述界面活性剂内的各组成物质的质量比例可以是任意比例，本申请对此不作具体限制。

本实施例通过将所述界面活性剂设置为包括以上种类的阴离子表面活性剂，使所述界面活性剂可以去除所述电极端子表面的异物，提高所述腐蚀保护剂在所述电极端子表面的吸附效果，从而起到更好的抑制腐蚀效果。

在本申请的蚀刻液组合物中，所述蚀刻液组合物中余量的水可以普通纯净水，或者是离子水，且水的电阻率在18MΩ·CM以上。

在本申请的蚀刻液组合物中，以所述蚀刻液组合物的总重量为100％计，各组分的含量可以是：分解剂1％至4％、螯合剂0.5％至1％、腐蚀保护剂0.05％至0.3％，界面活性剂0.005％至0.15％，余量为水。

本实施例通过将蚀刻液组合物中的各组分含量设置为以上范围内，可以使所述蚀刻液组合物的蚀刻效率更高、蚀刻速度可控性更好、对电极端子表面损伤更少。

请参阅图3，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，通过采用上述实施例所述的蚀刻液组合物制作上述实施例所述的显示面板。

在本实施例中，所述显示面板的制作方法可以包括：

S100、提供一驱动背板，所述驱动背板包括驱动层和设置于所述驱动层上的电极端子。

S200、利用蚀刻液组合物处理所述电极端子的表面，使所述电极端子的表面形成防锈层。

S300、提供多个发光芯片，将多个所述发光芯片焊接在所述电极端子表面。

本实施例通过上述制作方法，既可以去除在绑定发光芯片之前的制程中电极端子表面产生的金属锈迹，还能在电极端子表面形成一层致密的保护膜层即防锈层，从而阻止或减缓后续制程电极端子的腐蚀作用，提高显示面板的显示稳定性。

在本实施例中，所述S100步骤可以包括：

S110、在玻璃基板上形成阵列驱动层，在所述阵列驱动层上形成电极金属层；

S120、利用光刻胶对所述电极金属层进行图案化处理，形成电极端子。

在本实施例中，所述S200步骤可以包括：

S210、将蚀刻液组合物涂覆或喷涂在电极端子表面，使所述蚀刻液组合物溶解所述电极端子表面的金属锈迹；

S220、清洗所述电极端子表面，再烘干至干燥状态，使所述电极端子表面形成一层致密的保护膜层，即防锈层；

S230、将发光芯片转移至电极端子上，并通过激光焊等技术将所述发光芯片的引脚与所述电极端子表面焊接固定。

在本申请的显示面板的制作方法中，为了验证所述S200步骤中在所述电极端子表面形成了防锈层，可以在与所述S200步骤相同的条件下进行效果验证实验，具体包括：

步骤(1)：在S120步骤对所述电极金属层形成图案化处理形成电极端子时，同时形成至少一4cm×3cm的金属试片，并利用接触角测定仪测定金属试片在经过后续处理之前的接触角(前)；

步骤(2)：利用剥离液使所述金属试片与所述阵列驱动层分离，并去除所述金属试片上的光刻胶；

步骤(3)：将所述蚀刻液组合物以水浴方式加热至30℃；

步骤(4)：以蘸涂或浸泡等方式将所述金属试片放入与所述蚀刻液组合物中，2min后用水清洗所述金属试片并干燥；

步骤(5)：利用接触角测定仪测试至少一经过所述蚀刻液组合物处理的金属试片和至少一未经过所述蚀刻液处理的金属试片的接触角(后)，比较金属试片经过所述蚀刻液组合物处理前、后的接触角大小。

在本实施例中，可以选取5个金属试片经过所述蚀刻液组合物处理作为“示例”，其中，示例1、示例2、示例3、示例4、示例5中所选用的所述蚀刻液组合物中的各组分含量可以不同。

在本实施例中，也可以选取3个金属试片经过非本申请实施例中所述的蚀刻液组合物进行处理以作为比较例1、2、3。其中，比较例1、2、3中的蚀刻液组合物中的各组分含量至少有一种不在本申请实施例所公开的范围内，以及比较例1、2、3中的蚀刻液组合物中的各组分含量可以不同。

请参阅图4，在本实施例中，所述示例1、2、3、4、5及比较例1、2、3中的蚀刻液组合物的组分占比(质量百分比)与其接触角的大小比较如表格所示。

根据图4中的表格数据可知，本申请实施例中的所述蚀刻液组合物处理电极端子等金属表面时，可以将金属表面变成亲水表面，从而从侧面印证了本申请实施例中的所述蚀刻液组合物可以在金属表面形成由唑类化合物构成的致密保护膜层即防锈层，起到对电极端子的防腐蚀保护效果。

本申请实施例通过提供一种蚀刻液组合物，并利用该蚀刻液组合物处理制作显示面板，使所述显示面板内的所述电极端子表面形成了防锈层，从而有效降低电极端子与发光芯片的焊接位置受到后续制的腐蚀，稳定显示面板的显示效果，提升产品良率。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、蚀刻液组合物进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。