激光退火装置、激光退火方法和半导体器件的制造方法

技术领域

本发明涉及激光退火装置、激光退火方法以及半导体器件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了用于形成多晶硅薄膜的激光退火装置。在专利文献1中，从固体激光器射出直线偏振的激光。直线偏振激光经由1/2波长板入射到偏振射束分离器。偏振射束分离器将激光分支为两个光束。由偏振射束分离器分支得到的两个光束由第2个偏振射束分离器合成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6706155号公报

发明内容

在这样的激光照射装置中，希望照射适于退火工艺的激光。

其他问题及新特征可从本说明书的描述和附图获知。

根据一个实施方式，激光退火装置包括：激光光源，其产生随机偏振的激光；偏振射束分离器，其将随机偏振的所述激光分支；偏振控制元件，其控制由所述偏振射束分离器分支得到的多束激光的偏振状态；和合成部，其对来自所述偏振控制元件的多束激光进行合成，并向对象物照射。

根据一个实施方式，激光退火方法包括包含下述步骤：(a)产生随机偏振的激光；(b)用偏振射束分离器将随机偏振的所述激光分支；(c)控制由所述偏振射束分离器分支得到的多束激光的偏振状态；和(d)对偏振状态被控制的所述多束激光进行合成，并向对象物照射。

根据一个实施方式，半导体器件的制造方法包含下述步骤：(S1)在基板上形成非晶质膜；和(S2)对所述非晶质膜进行退火以使所述非晶质膜结晶化而形成结晶膜，所述(S2)的进行退火的步骤包含下述步骤：(A)产生随机偏振的激光；(B)用偏振射束分离器将随机偏振的所述激光分支；(C)控制由所述偏振射束分离器分支得到的多束激光的偏振状态；和(D)对偏振状态被控制的所述多束激光进行合成，并向对象物照射。

根据上述一个实施方式，能够照射适于退火工艺的激光。

附图说明

图1是示出本实施方式的激光退火装置的光学系统的图。

图2是示出激光退火装置的结构的框图。

图3是示出激光退火装置的光学系统的图。

图4是示出变形例的激光退火装置的光学系统的图。

图5是简化示出有机EL显示器的结构的剖视图。

图6是示出本实施方式的半导体器件的制造方法的工序剖视图。

图7是示出本实施方式的半导体器件的制造方法的工序剖视图。

图8是示出本实施方式的半导体器件的制造方法的工序剖视图。

图9是示出本实施方式的半导体器件的制造方法的工序剖视图。

图10是示出本实施方式的半导体器件的制造方法的工序剖视图。

图11是示出本实施方式的半导体器件的制造方法的工序剖视图。

图12是示出本实施方式的半导体器件的制造方法的工序剖视图。

图13是示出本实施方式的半导体器件的制造方法的工序剖视图。

具体实施方式

实施方式1

本实施方式的激光退火装置例如为形成低温多晶硅(LTPS：Low TemperaturePoly-Silicon)膜的准分子激光退火(ELA：Excimer laser Anneal)装置。以下，参照附图对本实施方式的激光退火装置、激光退火方法以及制造方法进行说明。

ELA装置的光学系统

使用图1说明本实施方式的ELA装置1的结构。图1是示意性示出ELA装置1的光学系统的图。在基板100的上表面(主面)形成有硅膜101。ELA装置1向在基板100上形成的硅膜101照射激光L1。由此，能够将非晶质的硅膜(非晶硅膜：a-Si膜)101转换为多晶的硅膜(多晶硅膜：p-Si膜)101。基板100例如是玻璃基板等透明基板。基板100成为被照射激光的对象物。

此外，在图1中，为了说明的清楚，示出XYZ三维正交坐标系。Z方向为铅垂方向，是与基板100垂直的方向。XY平面是与基板100的形成有硅膜101的面平行的平面。X方向为矩形的基板100的长边方向，Y方向为基板100的短边方向。另外，在ELA装置1中，一边利用搬运机构(未图示)向+X方向搬运基板100，一边向硅膜101照射激光L1。此外，在图1中，在硅膜101中，将激光L1照射前的硅膜101表示为非晶硅膜101a，将激光L1照射后的硅膜101表示为多晶硅膜101b。

ELA装置1具备载置台10、激光光源21、光学系统20和检测部22。基板100配置在载置台10之上。载置台10例如是使基板100空气浮起的浮起搬运载置台(浮起搬运单元)，但不限于浮起搬运载置台。例如，载置台10也可以是真空吸盘型的载置台。载置台10从下侧朝向基板100喷出气体。因此，在载置台10与基板100之间形成有微小气隙的状态下，基板100被向+X方向搬运。

光学系统20是用于向硅膜101照射用于使非晶硅膜101a结晶化的激光L1的光学系统。光学系统20具备控制激光L1的偏振状态的偏振控制部30。偏振控制部30控制激光L1的偏振状态。关于光学系统20的详细结构将在后面叙述。

光学系统20配置在基板100的上侧(+Z侧)。激光光源21是脉冲激光光源，产生脉冲激光。激光光源21例如是发出中心波长为308nm的准分子激光的准分子激光光源。另外，激光光源21发出脉冲状的激光L1。

光学系统20具有用于使激光L1均匀化的均化器以及将激光L1聚光的聚光镜等。激光L1在基板100上形成线状的照射区域。照射区域成为以Y方向为长边方向、以X方向为短边方向的线状。

光学系统20将来自激光光源21的激光L1导向基板100。将从光学系统20照射到基板100的激光设为激光L2。通过激光L2的照射，非晶硅膜101a结晶化。一边改变激光L2相对于基板100的照射位置，一边向硅膜101照射激光L2。通过载置台10的搬运机构将基板100向+X方向搬运，由此在基板100上形成均匀的多晶硅膜101b。当然，也可以不是搬运基板100的结构，而是使激光光源21和光学系统20移动。即，只要通过使基板100和光学系统20相对移动来扫描激光L2的照射区域即可。

进一步，在基板100之上配置有检测部22。检测部22具备检测来自结晶化的多晶硅膜101b的光的光检测器。例如，检测部22具备例如对多晶硅膜101b进行拍摄的摄像头。或者，检测部22也可以具有测定由多晶硅膜101b反射的反射光的光谱的分光计。进一步，检测部22也可以具备对基板100进行照明的照明光源。例如，照明光源产生用于对照射了激光L2的区域进行照明的照明光。摄像头检测来自被照明光照明的区域的反射光。检测部22能够对照射了激光L2的区域进行拍摄，因此能够评价多晶硅膜101b的结晶状态。能够评价多晶硅膜101b的结晶状态的均匀性或不均匀等。

图2是示出ELA装置1的结构的框图。ELA装置1具备载置台10、光学系统20、激光光源21、检测部22、系统控制部50和腔室120。光学系统20、激光光源21、检测部22是图1中示出的部件，因此省略详细的说明。

腔室120是收容载置台10及基板100的处理室。即，在腔室120内配置有载置台10，并且，在载置台10之上配置有基板100。在腔室120的内部进行激光退火工艺。

系统控制部50控制载置台10、激光光源21、光学系统20和偏振控制部30的动作。系统控制部50使载置台10沿X方向移动。进一步，系统控制部50控制激光光源21的输出功率等。另外，控制偏振控制部30的动作。由此，控制照射到基板100上的激光L2的偏振状态。

系统控制部50被输入检测部22中的检测结果。并且，系统控制部50根据检测部22中的检测结果来控制激光光源21、偏振控制部30。即，系统控制部50控制激光的输出功率、偏振状态，以使得多晶硅膜101b的结晶状态更均匀。

图3是示出包含偏振控制部30的光学系统20的结构的图。光学系统20包括偏振控制部30和合成部60。合成部60具备均化器61和聚光镜62。

首先，对偏振控制部30进行说明。偏振控制部30具备偏振射束分离器31、反射镜32、1/2波长板33、1/4波长板34和1/4波长板35。此外，偏振控制器30具备偏振射束分离器41、反射镜42、1/2波长板43、1/4波长板44和1/4波长板45。

在图3中，示出激光光源21产生两束激光L30和激光L40的例子。具体地，设有第1激光光源21a和第2激光光源21b。第1激光光源21a产生激光L30。第2激光光源21b产生激光L40。此外，也可以用半反射镜等将来自一个激光光源的激光分支。当然，激光光源的数量、激光的数量没有特别限定。激光L30和激光L40成为随机偏振。

从第1激光光源21a射出的激光L30入射到偏振射束分离器31。偏振射束分离器31将激光L30分支为两束激光L31、L32。偏振射束分离器31根据偏振状态对入射光进行分支。具体地，偏振射束分离器31使P偏振分量透射并反射S偏振分量。因此，从偏振射束分离器31透射的激光L31成为P偏振的直线偏光。由偏振射束分离器31反射的激光L32成为S偏振的直线偏光。

从偏振射束分离器31透射的激光L31入射到1/4波长板34。1/4波长板34可旋转地配置在激光L31的光路中。具体地，1/4波长板34以激光L31的光轴为旋转轴旋转。从1/4波长板34透射的激光L31入射到均化器61。

由偏振射束分离器31反射的激光L32入射到1/2波长板33。1/2波长板33的光轴与激光L32的偏振方向倾斜45°。因此，当激光L32透射1/2波长板33时，直线偏光的方向旋转90°。由此，从1/2波长板33中透射的激光L33成为P偏振的直线偏光。此外，通过使1/2波长板33旋转，从而能够使激光L33成为P偏振～S偏振之间的任意朝向的直线偏光。从1/2波长板33中透射的激光L33入射到1/4波长板35。1/4波长板35可旋转地配置在激光L33的光路中。具体地，1/4波长板35以激光L33的光轴为旋转轴旋转。从1/4波长板34中透射的激光L33入射到均化器61。

在偏振控制部30中，激光L40的路径与激光L30的路径相同。即，偏振射束分离器41、反射镜42、1/2波长板43、1/4波长板44以及1/4波长板45分别与偏振射束分离器31、反射镜32、1/2波长板33、1/4波长板34以及1/4波长板35对应。

从第2激光光源21b射出的激光L40入射到偏振射束分离器41。偏振射束分离器41将激光L40分支为两束激光L41、L42。偏振射束分离器41根据偏振状态将入射光分支。具体地，偏振射束分离器41使P偏振分量透射并反射S偏振分量。由此，从偏振射束分离器41中透射的激光L41成为P偏振的直线偏光。由偏振射束分离器41反射的激光L42成为S偏振的直线偏光。

从偏振射束分离器41中透射的激光L41入射到1/4波长板44。1/4波长板44可旋转地配置在激光L41的光路中。具体地，1/4波长板44以激光L41的光轴为旋转轴旋转。从1/4波长板44中透射的激光L41入射到均化器61。

由偏振射束分离器41反射的激光L42入射到1/2波长板43。1/2波长板43的光轴与激光L42的偏振方向倾斜45°。因此，当激光L42透射1/2波长板43时，直线偏光的方向旋转90°。由此，从1/2波长板43中透射的激光L43成为P偏振的直线偏光。此外，通过使1/2波长板43旋转，从而能够使激光L43成为P偏振～S偏振之间的任意朝向的直线偏光。从1/2波长板43中透射的激光L42入射到1/4波长板45。1/4波长板45可旋转地配置在激光L43的光路中。具体地，1/4波长板45以激光L42的光轴为旋转轴旋转。从1/4波长板44透射的激光L43入射到均化器61。

如上所述，1/4波长板34、35、44、45可旋转地配置。例如，在1/4波长板34的光轴与激光L31的偏振方向倾斜45°的情况下，激光L31成为圆偏光。此外，在1/4波长板34的光轴与激光L31的偏振方向从45°偏离的情况下，激光L31成为椭圆偏光。而且，通过改变1/4波长板34的角度，从而能够调整椭圆的角度、程度。同样地，通过分别变更1/4波长板34、35、44、45的旋转角度，从而能够调整激光L33、L41、L43的偏振状态。这样，1/4波长板34、35、44、45分别作为偏振控制元件起作用。

接着，对合成部60进行说明。激光L31、L33、L41、L43入射到均化器61。均化器61将激光束L31、L33、L41、L43合成为线状的光束。均化器61具有例如多个透镜以阵列状排列的透镜阵列。例如，激光L31、L33、L41、L43分别入射到多个透镜，成为多个光束。

由均化器61合成得到的激光L2由聚光镜62聚光，并照射到基板100上。在基板100上，激光L2成为以Y方向为长边方向、以X方向为短边方向的线光束。激光L2在基板100上形成沿着Y方向的线状的照射区域。此外，激光L2成为顶部平坦的光强度分布。

如上所述，1/4波长板34、35、44、45可旋转地配置。因此，系统控制部50通过使1/4波长板34、35、44、45旋转，从而能够调整激光的偏振状态。

由此，能够向基板100照射任意偏振状态的激光L2。能够根据激光L1的照射条件、基板100的种类来控制偏振状态，以成为最佳的结晶排列。此外，能够通过独立地调整1/4波长板34、35、44、45的旋转角度而使激光L31、L33、L41、L43分别成为任意的偏振状态。能够得到将具有任意偏振状态的多个光轴合成得到的线光束。由此，能够以高自由度控制偏振状态，因此能够照射适于退火工艺的激光。

例如，在图3中，P偏振的激光L31、L33、L41、L43分别入射到1/4波长板34、35、44、45。例如，通过将激光L31、L33、L41、L43的偏振方向与1/4波长板34、35、44、45的光轴所成的角度设为相同的角度，从而能够使激光L31、L33、L41、L43成为相同的偏振状态。而且，合成部60能够将相同偏振状态的激光L31、L33、L41、L43合成。

或者，通过将激光L31、L33、L41、L43的偏振方向与1/4波长板34、35、44、45的光轴所成的角度设为不同的角度，从而能够使激光L31、L33、L41、L43分别成为不同的偏振状态。并且，在合成部60中，将不同偏振状态的激光L31、L33、L41、L43合成并向基板100照射。由此，能够以高自由度控制偏振状态，因此能够照射适于退火工艺的激光。

这样，在由偏振射束分离器31分支得到的两束激光L31、L32的光路中配置有1/4波长板34、1/4波长板35。可旋转地设置的1/4波长板34和1/4波长板35作为偏振控制元件起作用。即，能够通过分别使1/4波长板34和1/4波长板35旋转而分别对两束激光L31、L33独立地调整偏振状态。

同样地，在由偏振射束分离器41分支得到的两束激光L41、L42的光路中配置有1/4波长板44、1/4波长板45。通过使1/4波长板44和1/4波长板45旋转，从而起到偏振控制元件的作用。即，能够通过分别使1/4波长板44和1/4波长板45旋转，从而分别对两束激光L41、L43独立地调整偏振状态。此外，偏振控制元件不限于1/2波长板或1/4波长板等波长板。

合成部60对调整了偏振状态的激光L31、L33、L41、L43进行合成，并向基板100照射。由此，能够以高自由度控制照射到基板100的激光L2的偏振状态。

系统控制部50也可以根据多晶硅膜101b的结晶状态的评价结果来控制偏振状态。例如，检测部22检测多晶硅膜101b的结晶状态。根据检测部22的检测结果，系统控制部50调整1/4波长板34、1/4波长板35、1/4波长板44、1/4波长板45的旋转角度。由此，能够生成适合于各种工艺条件的偏振状态。例如，能够根对应于激光的输出功率、基板100的种类、硅膜101的厚度、基板100的搬运速度等来优化偏振状态。例如，系统控制部50控制偏振状态，以减小多晶硅膜101b的结晶状态的偏差。因此，能够照射适于退火工艺的偏振状态的激光L2。

此外，在图3中，合成部60将4束激光L31、L33、L41、L43合成，但由合成部60合成的激光的数量没有特别限定。即，合成部60只要合成两束以上的激光即可。

此外，在上述说明中，作为偏振控制元件使用了1/4波长板34、35、44、45，但也可以将1/2波长板33、43用作偏振控制元件。例如，能够通过使1/2波长板33、43绕光轴旋转来控制偏振状态。在该情况下，如图4所示，也可以在激光L31、L33、L41、L43的全部光路上配置1/2波长板33、37、43、47。在图4中，在激光L31的光路中追加了1/2波长板37，在激光L41的光路中追加了1/2波长板47。另外，也可以是，激光L31、L33、L41、L43的一部分由1/4波长板来控制偏振状态，其余的由1/2波长板来控制偏振状态。

通过使用偏振射束分离器31、41，从而随机偏振的激光被大致均等地分支。而且，通过控制分支得到的两束激光的偏振状态，从而能够容易地使激光L2成为希望的偏振状态。此外，能够高效地使用激光。也就是说，由于未使用偏振片等，因此能够防止激光的吸收，能够高效地使用激光。

本实施例的激光退火方法包含下述步骤：产生随机偏振的激光；用偏振射束分离器将随机偏振的所述激光分支；控制由所述偏振射束分离器分支得到的多束激光的偏振状态；和对偏振状态被控制的所述多束激光进行合成并将向对象物照射。由此，能够以高自由度控制偏振状态，因此能够照射适于退火工艺的激光。

激光的偏振状态对结晶的粒径、方位产生影响。在本实施方式中，能够进行控制，使得激光成为任意的偏振状态。因此，能够控制偏振状态以改善晶体的均匀性、周期性、方位等品质。通过控制微观的结晶状态，可以在难以产生不均的条件下进行调整。

另外，作为载置台10，优选使用一边使基板100浮起一边进行搬运的浮起搬运载置台。特别地，浮起搬运载置台在大型基板的搬运方面优异。在对大型基板进行ELA处理的情况下，需要降低产品单价的ELA成本。在使用浮起搬运载置台对大型基板进行退火处理的情况下，通过将作为随机偏振的准分子激光转换为偏振后进行照射，能够进行适当的退火。此外，通过基于检测部22中的结晶状态的评价结果来控制偏振状态，能够得到生产率高且高品质的结晶。

有机EL显示器

具有上述多晶硅膜的半导体器件适合于有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器用的TFT(Thin Film transistor：薄膜晶体管)阵列基板。即，多晶硅膜用作具有TFT的源极区域、沟道区域、漏极区域的半导体层。

以下，对将本实施方式的半导体器件应用于有机EL显示器的结构进行说明。图5是简化示出有机EL显示器的像素电路的剖视图。

图5中示出的有机EL显示器300是在各像素PX中配置有TFT的有源矩阵型的显示装置。

有机EL显示器300具备基板310、TFT层311、有机层312、滤色层313和密封基板314。在图5中，示出密封基板314侧为视觉辨认侧的顶部发射方式的有机EL显示器。另外，以下的说明示出有机EL显示器的一个结构例，本实施方式不限于以下说明的结构。例如，本实施方式的半导体器件也可以用于底部发射方式的有机EL显示器。

基板310是玻璃基板或金属基板。在基板310之上设有TFT层311。TFT层311具有在各像素PX中配置的TFT311a。此外，TFT层311具有与TFT311a连接的布线(省略图示)等。TFT311a和布线等构成像素电路。

在TFT层311之上设有有机层312。有机层312具有按像素PX配置的有机EL发光元件312a。有机EL发光元件312a例如具有由阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层及阴极层叠而成的层叠构造。在顶部发射方式的情况下，阳极是金属电极，阴极是ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等透明导电膜。此外，在有机层312中，在像素PX间设有用于分离有机EL发光元件312a的隔壁312b。

在有机层312之上设置有滤色层313。滤色层313设有用于进行彩色显示的滤色部313a。即，在各像素PX中设有着色为R(红色)、G(绿色)或B(蓝色)的树脂层作为滤色部313a。若从有机层312发出的白色光通过滤色部313a，则被转换为RGB颜色的光。此外，在有机层312中设有发出RGB的各种颜色的光的有机EL发光元件的三色方式的情况下，也可以省略滤色层313。

在滤色层313之上设有密封基板314。密封基板314是玻璃基板等透明基板，为了防止有机层312的有机EL发光元件的劣化而设置。

流向有机层312的有机EL发光元件312a的电流根据供给至像素电路的显示信号而变化。因此，通过向各像素PX供给与显示图像对应的显示信号，从而能够控制各像素PX中的发光量。由此，能够显示希望的图像。

在有机EL显示器等有源矩阵型显示装置中，在一个像素PX中设有一个以上的TFT(例如开关用TFT或驱动用TFT)。而且，在各像素PX的TFT中设有具有源极区域、沟道区域和漏极区域的半导体层。本实施方式的多晶硅膜适合于TFT的半导体层。即，通过将利用上述制造方法制造的多晶硅膜用于TFT阵列基板的半导体层，从而能够抑制TFT特性的面内偏差。因此，能够以高生产率制造显示特性优良的显示装置。

半导体器件的制造方法

使用本实施方式的ELA装置的半导体器件的制造方法适合于TFT阵列基板的制造。使用图6～图13说明具有TFT的半导体器件的制造方法。图6～图13是示出半导体器件的制造工序的工序剖视图。在以下的说明中，对具有逆交错(inverted staggered)型TFT的半导体器件的制造方法进行说明。

首先，如图6所示，在玻璃基板401上形成栅电极402。此外，玻璃基板401相当于上述的基板100。栅电极402例如可以使用包含铝等的金属薄膜。在玻璃基板401上，通过溅射法或蒸镀法形成金属薄膜。然后，通过光刻将金属薄膜图案化，从而形成栅电极402。在光刻法中，进行抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻、抗蚀剂剥离等处理。此外，也可以在与栅电极402的图案化相同的工序中形成各种布线等。

接着，如图7所示，在栅电极402之上形成栅极绝缘膜403。栅极绝缘膜403形成为覆盖栅电极402。然后，如图8所示，在栅极绝缘膜403之上形成非晶硅膜404。非晶硅膜404隔着栅极绝缘膜403与栅电极402重叠配置。

栅极绝缘膜403是氮化硅膜(SiNx)、氧化硅膜(SiO

然后，通过向非晶硅膜404照射激光L1，如图9所示，形成多晶硅膜405。即，通过图1等中示出的ELA装置1，从而使非晶硅膜404结晶化。由此，在栅极绝缘膜403上形成硅结晶化的多晶硅膜405。多晶硅膜405相当于上述多晶硅膜101b。

此时，通过本实施方式的检查方法检查多晶硅膜405。在多晶硅膜405不满足规定基准的情况下，再次向多晶硅膜405激光。因此，能够使多晶硅膜405的特性更加均匀。由于能够抑制面内的偏差，因此能够以高生产率制造显示特性优良的显示装置。

此外，虽省略图示，但利用光刻法将多晶硅膜405图案化。另外，也可以通过离子注入法等向多晶硅膜405导入杂质。

然后，如图10所示，在多晶硅膜405之上形成层间绝缘膜406。在层间绝缘膜406上设有用于使多晶硅膜405露出的接触孔406a。

层间绝缘膜406是氮化硅膜(SiNx)、氧化硅膜(SiO

接着，如图11所示，在层间绝缘膜406之上形成源电极407a和漏电极407b。源电极407a及漏电极407b以覆盖接触孔406a的方式形成。即，源电极407a及漏电极407b从接触孔406a内形成到层间绝缘膜406之上为止。因而，源电极407a及漏电极407b经由接触孔406a与多晶硅膜405电连接。

由此，形成TFT410。TFT410相当于上述的TFT311a。在多晶硅膜405中，与栅电极402重叠的区域成为沟道区域405c。在多晶硅膜405中，比沟道区域405c靠源极电极407a的一侧成为源极区域405a，靠漏极电极407b的一侧成为漏极区域405b。

源电极407a及漏电极407b由包含铝等的金属薄膜形成。在层间绝缘膜406上，通过溅射法或蒸镀法形成金属薄膜。然后，通过光刻将金属薄膜图案化，从而形成源电极407a和漏电极407b。此外，也可以在与源电极407a及漏电极407b的图案化相同的工序中形成各种布线。

然后，如图12所示，在源电极407a和漏电极407b之上形成平坦化膜408。平坦化膜408以覆盖源电极407a和漏电极407b的方式形成。此外，在平坦化膜408中设有用于使漏电极407b露出的接触孔408a。

平坦化膜408例如由感光性树脂膜形成。在源电极407a及漏电极407b之上涂覆感光性树脂膜并进行曝光、显影。由此，能够将具有接触孔408a的平坦化膜408图案化。

然后，如图13所示，在平坦化膜408之上形成像素电极409。像素电极409以覆盖接触孔408a的方式形成。即，像素电极409从接触孔408a内形成到平坦化膜408之上为止。因而，像素电极409经由接触孔408a与漏电极407b电连接。

像素电极409由透明导电膜或包含铝等的金属薄膜形成。在平坦化膜408之上，通过溅射法等形成导电膜(透明导电膜或金属薄膜)。然后，通过光刻法将导电膜图案化。由此，在平坦化膜408之上形成像素电极409。在有机EL显示器的驱动用TFT的情况下，在像素电极409之上形成图5所示的有机EL发光元件312a、滤色部(CF)313a等。此外，在顶部发射方式的有机EL显示器的情况下，像素电极409由包含反射率高的铝、银等的金属薄膜形成。另外，在底部发射方式的有机EL显示器的情况下，像素电极409由ITO等透明导电膜形成。

以上，对逆交错(inverted staggered)型TFT的制造工序进行了说明，但也可以将本实施方式的制造方法应用于逆交错(inverted staggered)型TFT的制造。当然，TFT的制造方法并不限于有机EL显示器用的TFT的制造，也可以适用于LCD(Liquid CrystalDisplay：液晶显示器)用的TFT的制造。

此外，在上述说明中，说明了本实施方式的激光退火装置向非晶硅膜照射激光而形成多晶硅膜的情况，但也可以向非晶硅膜照射激光而形成微晶硅膜。另外，进行退火的激光不限于准分子激光。另外，本实施方式的方法也可以应用于使硅膜以外的薄膜结晶化的激光退火装置。即，只要是向非晶质膜照射激光而形成结晶膜的激光退火装置，就能够应用本实施方式的方法。根据本实施方式的激光退火装置，能够适当地对带结晶膜的基板进行改质。

此外，本发明并不限于上述实施方式，能够在不脱离主旨的范围内适当变更。

本申请主张以2020年8月31日提出的日本申请特愿2020-146058为基础的优先权，并将其公开的全部内容引用在本说明书中。

附图标记说明

1ELA装置

10载置台

20光学系统

21激光光源

21a第1激光光源

21b第2激光光源

22检测部

30偏振控制部

31偏振射束分离器

32反射镜

33 1/2波长板

34 1/4波长板

35 1/4波长板

37 1/2波长板

41偏振射束分离器

42反射镜

43 1/2波长板

44 1/4波长板

45 1/4波长板

47 1/2波长板

50系统控制部

60合成部

61均化器

62聚光镜

100基板

101硅膜

101a非晶硅膜

101b多晶硅膜

120腔室

300有机EL显示器

310基板

311TFT层

311a TFT

312有机层

312a有机EL发光元件

312b隔壁

313滤色层

313a滤色部(CF)

314密封基板

401玻璃基板

402栅电极

403栅极绝缘膜

404非晶硅膜

405多晶硅膜

406层间绝缘膜

407a源电极

407b漏电极

408平坦化膜

409像素电极

410TFT

PX像素