一种用于MLCC的不良分析方法

技术领域

本发明涉及MLCC分析技术领域，具体为一种用于MLCC的不良分析方法。

背景技术

MLCC是片式多层陶瓷电容器英文缩写。是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石

随着MLCC尺寸越来越小，容量越来越高，介质层越来越薄达到1微米以下，介质层越来越多，最多已经达到1000多层。但对于产品的短路不良分析显得非常困难，需要在1000倍显微镜下寻找不良点。且需要边DPA边观察，耗时耗力，通常解析一个产品需要一周时间。

为了解决该问题，现使用一种方法，将短路不良位置先找出，然后进行DPA分析，DPA时直接研磨到该位置附近，然后在显微镜下进行观测，大大降低了分析时间。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于MLCC的不良分析方法，解决了现今存在的对于产品的短路不良分析显得非常困难，需要在1000倍显微镜下寻找不良点。且需要边DPA边观察，耗时耗力，通常解析一个产品需要一周时间的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于MLCC的不良分析方法，包括以下步骤：

步骤一：将待分析的MLCC两端通过导线与电源进行连接，缓慢增加电流使得MLCC短路点发热。

步骤二：将短路后的MLCC放置在红外显微镜下方，使用红外热成像显微镜观察MLCC进行拍照，从而明确MLCC的发热点。

步骤三：通过金相切片操作将待分析MLCC制成样品，随后对待分析的MLCC的发热点进行DPA，定位观察待分析的MLCC的发热点部位。

作为本发明的一种优选技术方案，所述电源为直流电源，所述MLCC短路点会存在低阻抗，所述低阻抗控制在1-几十Ω，所述电流通过电阻时会发热，其发热功率P＝I^2*R。

作为本发明的一种优选技术方案，所述明确MLCC的发热点的具体方法为通过红外显微镜可以捕捉红外线，通过红外显微镜可对发热体进行成像，成像后确定短路位置。

作为本发明的一种优选技术方案，所述DPA具体为研磨，所述研磨方式具体为机械研磨。

作为本发明的一种优选技术方案，所述研磨具体为先用300-800目金刚砂纸研磨至所述待分析的MLCC的内部电极，随后用800目及以上的金刚砂纸进行细磨。

作为本发明的一种优选技术方案，所述将待分析MLCC制成金相切片样品包括：对所述待分析的陶瓷电容的外部进行浇注后再制成金相切片样品。

作为本发明的一种优选技术方案，所述定位观察具体为通过电子显微镜进行观察。

与现有技术相比，本发明提供了一种用于MLCC的不良分析方法，具备以下有益效果：

该一种用于MLCC的不良分析方法，将待分析的MLCC两端通过导线与电源进行连接，缓慢增加电流使得MLCC短路点发热,将短路后的MLCC放置在红外显微镜下方，使用红外热成像显微镜观察MLCC进行拍照，从而快速明确明确MLCC的发热短路点,,将待分析MLCC制成金相切片样品，然后直接研磨到该位置附近，然后在显微镜下进行观测，大大降低了分析时间。

附图说明

图1为本发明MLCC电路连接结构示意图；

图2为本发明MLCC短路后红外热成像示意图；

图3为本发明MLCC研磨后结构显微镜观察示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本实施例中：一种用于MLCC的不良分析方法，包括以下步骤：

步骤一：将待分析的MLCC两端通过导线与电源进行连接，缓慢增加电流使得MLCC短路点发热。

步骤二：将短路后的MLCC放置在红外显微镜下方，使用红外热成像显微镜观察MLCC进行拍照，从而明确MLCC的发热点。

步骤三：将待分析MLCC制成金相切片样品，对待分析的MLCC的发热点进行DPA，定位观察所述待分析的MLCC的发热点部位。

需要注意的是：电源为直流电源，MLCC短路点会存在低阻抗，低阻抗控制在1-几十Ω，电流通过电阻时会发热，其发热功率P＝I^2*R；明确MLCC的发热点的具体方法为通过红外显微镜可以捕捉红外线，通过红外显微镜可对发热体进行成像，成像后确定短路位置；DPA具体为研磨，研磨方式具体为机械研磨；研磨具体为先用300-800目金刚砂纸研磨至待分析的MLCC的内部电极，随后用800目及以上的金刚砂纸进行细磨；将待分析MLCC制成金相切片样品包括：对待分析的陶瓷电容的外部进行浇注后再制成金相切片样品。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。