光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构。DRAM由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。

随着半导体技术的发展，存储单元的尺寸逐渐缩小，套刻误差(overlay，简称OVL)窗口(window)也变得越来越小，DRAM变得越来越难做，尤其是晶圆边缘(wafer edge)的OVL更难控制。

然而，蚀刻(etch，简称EH)设备(tool)的边缘环形区域(edge ring)的等离子体(plasma)的喷射方向会受到耗材寿命的影响，很容易造成晶圆边缘(wafer edge)出现图形倾斜(pattern slant)。而且随着蚀刻时间越久，晶圆边缘的图形倾斜越严重，影响到晶圆的良率。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够改善图形倾斜造成影响的光刻补偿方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。

第一方面，本申请提供了一种光刻补偿方法。所述方法包括：

获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个所述曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，所述刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；

分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

在其中一个实施例中，所述获取至少一个曝光区域的图形偏移量，包括：

获取每个所述曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量；

分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定所述曝光区域的图形偏移量。

在其中一个实施例中，所述分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定所述曝光区域的图形偏移量，包括：

分别将各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，得到各个所述曝光区域的图形偏移量。

在其中一个实施例中，所述设定比例为50％～80％。

在其中一个实施例中，所述分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定所述曝光区域的图形偏移量，还包括：

获取所述目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，所述目标晶圆中依次层叠两层中的上层为刻蚀层；

若目标曝光区域的图形偏移量大于所述套刻误差，则采用所述套刻误差更新所述目标曝光区域的图形偏移量，所述目标曝光区域为各个所述曝光区域中的任意一个。

在其中一个实施例中，所述获取每个所述曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，包括：

测量各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内多个刻蚀孔的倾斜量；

分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量。

在其中一个实施例中，所述分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量，包括：

计算各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的平均值，得到各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，

获取各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的中位值，得到各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，

将与各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的均方差之和最小的倾斜量，确定为各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量。

在其中一个实施例中，所述获取至少一个曝光区域的图形偏移量，还包括：

保存确定的所述曝光区域的图形偏移量并进行锁定；

每个所述待刻蚀晶圆进行光刻时，获取锁定的所述曝光区域的图形偏移量。

在其中一个实施例中，所述获取至少一个曝光区域的图形偏移量，还包括：

当蚀刻机的运行时间达到设定时长时，重新获取每个所述曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，并分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定所述曝光区域的图形偏移量；

每个所述待刻蚀晶圆进行刻蚀时，获取最新确定的所述曝光区域的图形偏移量。

在其中一个实施例中，所述分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿，包括：

确定所述待刻蚀晶圆中的待调整区域；

根据所述待调整区域对应的曝光区域的图形偏移量，调整所述待调整区域的图形位置。

在其中一个实施例中，所述确定所述待刻蚀晶圆中的待调整区域，包括：

若目标曝光区域的图形偏移量大于或等于设定值，则所述目标曝光区域在所述待刻蚀晶圆的中的对应区域为所述待调整区域，所述目标曝光区域为各个所述曝光区域中的任意一个。

第二方面，本申请还提供了一种光刻补偿装置。所述装置包括：

获取模块，用于获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个所述曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，所述刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；

调整模块，用于分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个所述曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，所述刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；

分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个所述曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，所述刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；

分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个所述曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，所述刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；

分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

上述光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，预先根据目标晶圆中各个曝光区域的刻蚀倾斜量确定各自的图形偏移量，刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离，通过获取至少一个曝光区域的图形偏移量，并根据各个曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿，从而在光刻时预补对应的图形偏移量，使得刻蚀孔底部从原来因图形倾斜而无法与下层连接的位置转移到可以连接的位置，实现刻蚀孔与下层的连接，解决晶圆边缘的图形倾斜造成刻蚀孔无法与下层连接的问题。而且上述补偿是以曝光区域为单位进行的，对于晶圆中心没有图形倾斜的情况，不会将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走。因此，整个晶圆的刻蚀孔都能与下层较好地连接，改善图形倾斜造成无法连接的情况，提高晶圆的良率。

附图说明

图1为一个实施例中光刻补偿方法的应用环境图；

图2为一个实施例中设计刻蚀孔的俯视图；

图3为一个实施例中实际刻蚀孔的俯视图；

图4为一个实施例中实际刻蚀孔与设计刻蚀孔的叠置图；

图5为一个实施例中蚀刻设备的局部示意图；

图6为一个实施例中不同区域的对比图；

图7为一个实施例中光刻补偿方法的流程示意图；

图8为一个实施例中晶圆划分的示意图；

图9为一个实施例中刻蚀孔底部与顶部的相对移动距离的示意图；

图10为一个实施例中步骤702的流程示意图；

图11为一个实施例中步骤1002的流程示意图；

图12为另一个实施例中步骤702的流程示意图；

图13为又一个实施例中步骤702的流程示意图；

图14为一个实施例中步骤704的流程示意图；

图15为另一个实施例中光刻补偿方法的流程示意图；

图16为一个实施例中光刻补偿装置的结构框图；

图17为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

附图标记说明：10、衬底，20、薄膜叠层，21、刻蚀孔，211’、设计的刻蚀孔顶部，212’、设计的刻蚀孔底部，211、实际的刻蚀孔顶部，212、实际的刻蚀孔底部，30、旋涂硬掩膜，40、介质层，50、底部抗反射涂层，60、光阻，61、开口，70、接触结构，80、金属层，110、中心圆形区域，120、边缘环形区域。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请实施例提供的光刻补偿方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，半导体结构包括依次层叠的衬底(substrate)10、薄膜叠层(film stack)20、旋涂硬掩膜(spin on hard mask，简称SOH)30、介质层(如SiON层)40、底部抗反射涂层(bottom anti-reflective coating，简称BARC)50和光阻(photoresist，简称PR)60，光阻60内具有延伸至BARC 50的开口61。通过蚀刻设备(EH tool)对半导体结构进行刻蚀，可以将开口61依次转移至BARC50、介质层40、SOH 30、薄膜叠层20，最终得到的半导体结构仅包括依次层叠的衬底10和薄膜叠层20，并且薄膜叠层20内具有延伸至衬底10的刻蚀孔21。正常(normal)情况下，刻蚀孔21的轴线垂直于衬底10表面，此时刻蚀孔21顶部在衬底10上的正投影与刻蚀孔21底部在衬底10上的正投影完全重合。异常(abnormal)情况下，刻蚀孔21的轴线发生倾斜，不再垂直于衬底10表面，此时刻蚀孔21顶部在衬底10上的正投影与刻蚀孔21底部在衬底10上的正投影部分重合或者不重合。

在实际应用中，刻蚀孔顶部受到的等离子体轰击会大于刻蚀孔底部，因此无论是设计的刻蚀孔，还是实际的刻蚀孔，刻蚀孔顶部的开孔面积都会大于刻蚀孔底部。设计的刻蚀孔如图2所示，刻蚀孔顶部211’和刻蚀孔底部212’为大小不同的同心圆。但是由于刻蚀孔的轴线方向发生倾斜，因此实际的刻蚀孔如图3所示，刻蚀孔顶部211的圆心和刻蚀孔底部212的圆心发生了相对移动。将实际的刻蚀孔顶部211与设计的刻蚀孔顶部211’完全重合，如图4所示，实际的刻蚀孔底部212与设计的刻蚀孔底部212’部分重合或者不重合。由此可见，实际的刻蚀孔顶部211和设计的刻蚀孔顶部211’之间的相对距离，不同于实际的刻蚀孔底部212和设计的刻蚀孔底部212’之间的相对距离，两者之差的绝对值即为刻蚀孔的倾斜量。

这是因为蚀刻设备部分区域的等离子体的喷射方向不稳定，导致晶圆对应区域出现图形倾斜，即刻蚀孔的轴线与衬底表面不垂直。如图5所示，蚀刻设备包括中心圆形区域110和套在中心圆形区域110外的边缘环形区域(edge ring)120。中心圆形区域110和边缘环形区域120都会喷射等离子体(plasma)，但是中心圆形区域110的等离子体的喷射方向一直都是稳定的，边缘环形区域120的等离子体的喷射方向却会受到耗材寿命的影响，随着蚀刻设备的射频(Radio Frequency，简称RF)时间的增加而出现不稳定的情况，造成晶圆边缘(wafer edge)出现图形倾斜(pattern slant)，即刻蚀孔的轴线方向发生倾斜。

RF时间越久，出现图形倾斜的区域越广，并且从晶圆中心(wafer center)到晶圆边缘，图形倾斜越来越严重。如图6所示，沿从晶圆中心到晶圆边缘的方向依次设有三个刻蚀孔。对于第一个刻蚀孔，刻蚀孔顶部211和刻蚀孔底部212为大小不同的同心圆，此时刻蚀孔内的接触结构70垂直设置在下方的金属层80上，接触结构70与金属层80的中心区域接触而形成电连接。对于第二个刻蚀孔，刻蚀孔底部212的圆心相对于刻蚀孔顶部211的圆心发生了较小的偏移，虽然刻蚀孔底部212在金属层80上的正投影还在刻蚀孔顶部211在金属层80上的正投影内，但是刻蚀孔顶部212的圆心与刻蚀孔顶部211的圆心不重合，此时刻蚀孔内的接触结构70倾斜设置在下方的金属层80上，接触结构70与金属层80的边缘区域接触而形成电连接。对于第三个刻蚀孔，刻蚀孔底部212的圆心相对于刻蚀孔顶部211的圆心发生了较大的偏移，刻蚀孔底部212在金属层80上的正投影已在刻蚀孔顶部211在金属层80上的正投影外，此时刻蚀孔内的接触结构70没有设置在下方的金属层80上，接触结构70与金属层80之间没有形成电连接。这样就会造成刻蚀孔无法与下方金属层连接，降低晶圆的良率。

基于以上原因，本发明实施例提供了一种光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，将晶圆按照曝光区域进行划分，针对晶圆边缘的图形倾斜，获取晶圆边缘的曝光区域的图形偏移量，并根据图形偏移量对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿，从而在光刻时预补对应的图形偏移量，使得刻蚀孔底部从原来因图形倾斜而无法与下层连接的位置转移到可以连接的位置，实现刻蚀孔与下层的连接，解决晶圆边缘的图形倾斜造成刻蚀孔无法与下层连接的问题。而针对晶圆中心没有图形倾斜，晶圆中心的曝光区域不进行上述处理，这样不会将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走。综上，整个晶圆的刻蚀孔都能与下层较好地连接，从而改善图形倾斜造成无法连接的情况，提高晶圆的良率。

在一个实施例中，如图7所示，提供了一种光刻补偿方法，以该方法应用于光刻机为例进行说明，包括以下步骤：

步骤702，获取至少一个曝光区域的图形偏移量。

其中，每个曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离。

示例性地，如图8所示，将晶圆90划分为多个曝光区域(shot)91，多个曝光区域91沿第一方向排成多行，且沿垂直于第一方向的第二方向排成多列。蚀刻设备以曝光区域为单位对晶圆进行蚀刻，每次蚀刻喷射的等离子体限制在一个曝光区域内。

每个图形偏移量是综合对应的曝光区域内各个刻蚀孔的底部和顶部之间的相对移动距离得到的数值，相对移动距离是刻蚀孔顶部在设计和实际之间移动的距离与刻蚀孔底部在设计和实际之间移动的距离之差的绝对值。如图9所示，实际的刻蚀孔顶部211与设计的刻蚀孔顶部211’之间移动的距离为Y，实际的刻蚀孔底部212与设计的刻蚀孔底部212’之间移动的距离为X，则相对移动距离S＝|Y-X|。

光刻机设有存储器，可以在存储器中保存一个晶圆全部曝光区域的图形偏移量，也可以在存储器中保存一个晶圆部分曝光区域的图形偏移量，未保存的各个曝光区域的图形偏移量为0。光刻机可以从存储器中获取所有保存的曝光区域的图形偏移量，也可以根据实际需要从存储器中获取对应的至少一个曝光区域的图形偏移量。

步骤704，分别根据各个曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

其中，待刻蚀晶圆是未进行刻蚀的晶圆，可以通过预先在光刻过程中进行补偿改善刻蚀结果。

示例性地，光刻机在待刻蚀晶圆中每个区域的曝光位置的基础上，加上各自对应的曝光区域的图形偏移量，以在新的曝光位置进行光刻。

例如，在待刻蚀晶圆中位于第一行第一列的区域的曝光位置的基础上，加上位于第一行第一列的曝光区域的图形偏移量。又如，在待刻蚀晶圆中位于第一行第二列的区域的曝光位置的基础上，加上位于第一行第二列的曝光区域的图形偏移量。再如，在待刻蚀晶圆中位于第二行第一列的区域的曝光位置的基础上，加上位于第二行第一列的曝光区域的图形偏移量。

上述光刻补偿方法中，预先根据目标晶圆中各个曝光区域的刻蚀倾斜量确定各自的图形偏移量，刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离，通过获取至少一个曝光区域的图形偏移量，并根据各个曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿，从而在光刻时预补对应的图形偏移量，使得刻蚀孔底部从原来因图形倾斜而无法与下层连接的位置转移到可以连接的位置，实现刻蚀孔与下层的连接，解决晶圆边缘的图形倾斜造成刻蚀孔无法与下层连接的问题。而且上述补偿是以曝光区域为单位进行的，对于晶圆中心没有图形倾斜的情况，不会将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走。因此，整个晶圆的刻蚀孔都能与下层较好地连接，改善图形倾斜造成无法连接的情况，提高晶圆的良率。

在一个实施例中，至少两个曝光区域的图形偏移量不同。

不同曝光区域内刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离存在不同，各个曝光区域的图形偏移量不同，可以针对各个曝光区域内刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离的不同，采用对应的图形偏移量进行补偿，有利于各个曝光区域内都能实现刻蚀孔与下层的连接，最大程度解决晶圆边缘的图形倾斜造成刻蚀孔无法与下层连接的问题。另外，针对刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离为0的曝光南区域，也不会将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走。

可选地，目标晶圆包括中心区域和环绕在中心区域外的边缘区域，边缘区域对应的曝光区域的图形偏移量大于中心区域对应的曝光区域的图形偏移量。

沿从中心区域到边缘区域的方向，刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离逐渐增大，边缘区域对应的曝光区域的图形偏移量大于中心区域对应的曝光区域的图形偏移量，可以针对各个曝光区域内刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离的不同，采用对应的图形偏移量进行补偿，有利于各个曝光区域内都能实现刻蚀孔与下层的连接，最大程度解决晶圆边缘的图形倾斜造成刻蚀孔无法与下层连接的问题。

示例性地，中心区域对应的曝光区域的图形偏移量为0。

中心区域的刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离为0，中心区域对应的曝光区域的图形偏移量为0，不会将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走，从而实现刻蚀孔与下层的连接。

示例性地，边缘区域对应的曝光区域的图形偏移量大于0。

边缘区域的刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离大于0，边缘区域对应的曝光区域的图形偏移量大于0，可以在光刻时预补对应的图形偏移量，使得刻蚀孔底部从原来因图形倾斜而无法与下层连接的位置转移到可以连接的位置，实现刻蚀孔与下层的连接，解决晶圆边缘的图形倾斜造成刻蚀孔无法与下层连接的问题。

在一个实施例中，如图10所示，步骤702包括：

步骤1002，获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量。

其中，目标晶圆是已进行刻蚀的晶圆，可以用于量测刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离，以得到在光刻过程中进行补偿的图形偏移量。

示例性地，将目标晶圆以曝光区域为单位进行划分，得到多个区域。分别获取目标晶圆中各个区域的刻蚀倾斜量，作为各自对应的曝光区域的刻蚀倾斜量。其中，目标晶圆中的各个区域，分别与各自位置相同的曝光区域对应。

例如，将目标晶圆中位于第一行第一列的区域的刻蚀倾斜量，作为位于第一行第一列的曝光区域的刻蚀倾斜量。又如，将目标晶圆中位于第一行第二列的区域的刻蚀倾斜量，作为位于第一行第二列的曝光区域的刻蚀倾斜量。再如，将目标晶圆中位于第二行第一列的区域的刻蚀倾斜量，作为位于第二行第一列的曝光区域的刻蚀倾斜量。

步骤1004，分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。

例如，根据位于第一行第一列的曝光区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。又如，根据位于第一行第二列的曝光区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。再如，根据位于第二行第一列的曝光区域的刻蚀倾斜量，，确定曝光区域的图形偏移量。

上述实施例中，以曝光区域为单位，分别获取目标晶圆中各个区域的刻蚀倾斜量，并根据目标晶圆中各个区域的刻蚀倾斜量，确定对应的曝光区域的图形偏移量，以方便后续在刻蚀晶圆之前，先获取各个曝光区域的图形偏移量并在光刻过程中进行补偿，改善晶圆的蚀刻效果。

在一个实施例中，如图11所示，步骤1002包括：

步骤1102，测量各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内多个刻蚀孔的倾斜量。

其中，刻蚀孔的倾斜量为，刻蚀孔顶部和底部的相对移动距离。如果实际的刻蚀孔顶部与设计的刻蚀孔顶部之间移动的距离为Y，实际的刻蚀孔底部与设计的刻蚀孔底部之间移动的距离为X，则相对移动距离S＝|Y-X|。

示例性地，在目标晶圆中每个区域内所有的刻蚀孔中选择多个刻蚀孔测量倾斜量，既可以了解到一个区域内各个刻蚀孔在倾斜量上的不同，可以保证结果的准确性，又可以避免测量所有刻蚀孔而造成测量的数量太大，可以控制实现成本。例如，一个区域内形成有100个刻蚀孔，选择其中的10个刻蚀孔测量倾斜量。

可选地，步骤1102包括：采用PV2E测量各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内每个刻蚀孔的倾斜量。其中，PV2E是一种可以测量刻蚀孔倾斜量的量测设备。

步骤1104，分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

上述实施例中，以曝光区域为单位，分别测量各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内每个刻蚀孔的倾斜量，并根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各自的刻蚀倾斜量，即通过一个曝光区域内多个刻蚀孔的倾斜量，预估这个曝光区域整体的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，步骤1104包括：计算各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的平均值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

示例性地，将一个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量相加，并将相加的结果除以刻蚀孔的数量，得到这个曝光区域的刻蚀倾斜量。

例如，目标晶圆中一个区域内10个刻蚀孔的倾斜量分别为A、B、C、D、E、F、G、H、I、J，则对应的曝光区域的刻蚀倾斜量为(A+B+C+D+E+F+G+H+I+J)/10。

在另一个实施例中，步骤1104包括：获取各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的中位值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

示例性地，将一个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量按照从小到大或者从大到小的顺序进行排序。如果刻蚀孔的数量为奇数，则将排在序列最中间的一个倾斜量，作为这个曝光区域的刻蚀倾斜量。如果刻蚀孔的数量为偶数，则将排在序列最中间的两个倾斜量求平均值，得到这个曝光区域的刻蚀倾斜量。

例如，目标晶圆中一个区域内10个刻蚀孔的倾斜量按照从小到大的顺序依次为A、B、C、D、E、F、G、H、I、J，则对应的曝光区域的刻蚀倾斜量为(E+F)/2。

在又一个实施例中，步骤1104包括：将与各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的均方差之和最小的倾斜量，确定为各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

示例性地，分别计算每个刻蚀孔的倾斜量与其它刻蚀孔的倾斜量的均方差，并选择均方差最小的倾斜量，作为各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

上述实施例中，以区域为单位，分别根据目标晶圆中一个区域内多个刻蚀孔的倾斜量，预测这个区域整体的刻蚀倾斜量并作为对应的曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，步骤1004包括：分别将各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，得到各个曝光区域的图形偏移量。

例如，4个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量依次为K、L、M、N，设定比例为80％，则4个曝光区域的图形偏移量依次为80％*K、80％*L、80％*M、80％*N。

由于每个曝光区域的图形偏移量只是根据目标晶圆中对应区域内部分刻蚀孔的倾斜量确定的，加上目标晶圆中同一区域内各个刻蚀孔的倾斜量存在差异，因此一个曝光区域的图形偏移量并不能准确表示目标晶圆中对应区域内所有刻蚀孔的倾斜量。通过将每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，可以对补偿量进行弱化，限定补偿的程度，避免将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走。

示例性地，设定比例为50％～80％，如50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％等。

上述实施例中，将设定比例限定为50％～80％，既能对刻蚀孔位置起到补偿效果，使得刻蚀孔底部从原来因图形倾斜而无法与下层连接的位置转移到可以连接的位置，又能避免对部分刻蚀孔过度补偿而将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走。

示例性地，步骤1004还包括：获取目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，目标晶圆中依次层叠两层中的上层为刻蚀层；若目标曝光区域的图形偏移量大于套刻误差，则采用套刻误差更新目标曝光区域的图形偏移量，目标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

相应地，若目标曝光区域的图形偏移量小于或等于套刻误差，则目标曝光区域的图形偏移量保持不变。

其中，套刻误差为上下两层的对准偏差。如果超过套刻误差，则上下两层完全没有对准。通常当前层(current layer)为上层，下层是当前层的前层(pre-layer)。

上述实施例中，通过获取目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，将这个套刻误差作为补偿上限，如果一个曝光区域的图形偏移量大于套刻误差，则采用套刻误差对这个曝光区域的图形偏移量进行更新，使得补偿量不会超过套刻误差，避免对部分刻蚀孔过度补偿而将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走。

在一个实施例中，如图12所示，步骤702还包括：

步骤1202，保存确定的曝光区域的图形偏移量并进行锁定。

步骤1204，每个待刻蚀晶圆进行光刻时，获取锁定的曝光区域的图形偏移量。

上述实施例中，将确定的曝光区域的图形偏移量进行保存并进行锁定，后续在每个待刻蚀晶圆的光刻过程中，都获取这个图形偏移量进行补偿，方法简单，容易实现，安全性较高。

在另一个实施例中，如图13所示，步骤702还包括：

步骤1302，当蚀刻机的运行时间达到设定时长时，重新获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，并分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。

步骤1304，每个待刻蚀晶圆进行刻蚀时，获取最新确定的曝光区域的图形偏移量。

随着蚀刻机运行时间的增加，耗材寿命降低，图形倾斜的情况越来越严重，相应的图形偏移量会随之增大。根据蚀刻机的运行时间，每间隔一定时间则重新确定曝光区域的图形偏移量，并根据最新确定的曝光区域的图形偏移量进行补偿，可以最大程度适应当前蚀刻机的状态，达到最佳的补偿效果。

示例性地，每处理设定批次的晶圆，如5，则重新获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，并分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定后续批次曝光区域的图形偏移量。

可选地，可以将图形偏移量保存在光刻机中扫描设备(scanner)的子参数表(subrecipe)内，设备自动化系统(Equipment Automation Program，简称EAP)从子参数表内获取图形偏移量并传递给自动反馈系统(R2R)，自动反馈系统根据图形偏移量进行补偿。

示例性地，将运行系统中的晶圆坐标与扫描设备中的晶圆坐标一一对应，并在主运行系

统(main R2R)下方建议子运行系统(sub R2R)，由子运行系统专门根据图形偏移量进行补5偿，不会影响到主运行系统的正常运行。

在一个实施例中，如图14所示，步骤704包括：

步骤1402，确定待刻蚀晶圆中的待调整区域。

步骤1404，根据待调整区域对应的曝光区域的图形偏移量，调整待调整区域的图形位置。

上述实施例中，通过评估晶圆中需要补偿的区域，并仅对确定区域进行补偿，可以减少0工作量，降低实现成本。

在一个实施例中，步骤1402包括：若目标曝光区域的图形偏移量大于或等于设定值，则目标曝光区域在待刻蚀晶圆的中的对应区域为待调整区域，目标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

上述实施例中，将晶圆中与图形偏移量大的曝光区域对应的区域确定为需要补偿的区域，5这样仅对图形偏移量大的区域进行补偿，可以使得刻蚀孔底部从原来因图形倾斜而无法与下

层连接的位置转移到可以连接的位置。而且不对图形偏移量小的区域进行补偿，不会将刻蚀孔底部从原本与下层连接的位置转移走。

在一个实施例中，如图15所示，提供了一种光刻补偿方法，以对图7所示的方法进行具

体说明，包括以下步骤：

0步骤1502，测量各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内多个刻蚀孔的倾斜量。

步骤1504，分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

步骤1506，分别将各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，得到各个曝光区域的图形偏移量。

5步骤1508，获取目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，目标晶圆中依次层叠两层中

的上层为刻蚀层。

步骤1510，采用套刻误差更新图形偏移量大于套刻误差的曝光区域的图形偏移量。

步骤1512，确定待刻蚀晶圆中的待调整区域，待调整区域对应的曝光区域的图形偏移量大于或等于设定值。

步骤1514，根据待调整区域对应的曝光区域的图形偏移量，调整待调整区域的图形位置。

应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的光刻补偿方法的光刻补偿装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个光刻补偿装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于光刻补偿方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，如图16所示，提供了一种光刻补偿装置1600，包括：获取模块1601和调整模块1602，其中：

获取模块1601，用于获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离。

调整模块1602，用于分别根据各个曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

在一个实施例中，获取模块1601包括：获取单元和偏移量确定单元，其中：

获取单元，用于获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量。

偏移量确定单元，用于分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，偏移量确定单元用于，分别将各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，得到各个曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，设定比例为50％～80％。

在一个实施例中，偏移量确定单元还用于，获取目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，目标晶圆中依次层叠两层中的上层为刻蚀层；若目标曝光区域的图形偏移量大于套刻误差，则采用套刻误差更新目标曝光区域的图形偏移量，目标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

在一个实施例中，获取单元包括：测量子单元和确定子单元，其中：

测量子单元，用于测量各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内多个刻蚀孔的倾斜量。

确定子单元，用于分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，确定子单元用于，计算各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的平均值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，获取各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的中位值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，将与各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的均方差之和最小的倾斜量，确定为各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，获取模块1601还包括：保存单元，其中：

保存单元，用于保存确定的曝光区域的图形偏移量并进行锁定。

获取单元还用于，在每个待刻蚀晶圆进行光刻时，获取锁定的曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，获取模块1601还包括：更新单元，其中：

更新单元，用于当蚀刻机的运行时间达到设定时长时，重新获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，并分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。

获取单元还用于，在每个待刻蚀晶圆进行刻蚀时，获取最新确定的曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，调整模块1602包括：区域确定单元和调整单元，其中：

区域确定单元，用于确定待刻蚀晶圆中的待调整区域。

调整单元，用于根据待调整区域对应的曝光区域的图形偏移量，调整待调整区域的图形位置。

在一个实施例中，区域确定单元用于，当目标曝光区域的图形偏移量大于或等于设定值时，将目标曝光区域在待刻蚀晶圆的中的对应区域确定为待调整区域，目标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

上述光刻补偿装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图17所示。该计算机设备包括处理器、存储器、输入/输出接口(Input/Output，简称I/O)和通信接口。其中，处理器、存储器和输入/输出接口通过系统总线连接，通信接口通过输入/输出接口连接到系统总线。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储图形偏移量。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外部设备之间交换信息。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种光刻补偿方法。

本领域技术人员可以理解，图17中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；分别根据各个曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量；分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：分别将各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，得到各个曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：设定比例为50％～80％。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：获取目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，目标晶圆中依次层叠两层中的上层为刻蚀层；若目标曝光区域的图形偏移量大于套刻误差，则采用套刻误差更新目标曝光区域的图形偏移量，目标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：测量各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内多个刻蚀孔的倾斜量；分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：计算各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的平均值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，获取各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的中位值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，将与各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的均方差之和最小的倾斜量，确定为各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：保存确定的曝光区域的图形偏移量并进行锁定；每个待刻蚀晶圆进行光刻时，获取锁定的曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：当蚀刻机的运行时间达到设定时长时，重新获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，并分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量；每个待刻蚀晶圆进行刻蚀时，获取最新确定的曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：确定待刻蚀晶圆中的待调整区域；根据待调整区域对应的曝光区域的图形偏移量，调整待调整区域的图形位置。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：若目标曝光区域的图形偏移量大于或等于设定值，则目标曝光区域在待刻蚀晶圆的中的对应区域为待调整区域，目标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；分别根据各个曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量；分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：分别将各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，得到各个曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：设定比例为50％～80％。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：获取目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，目标晶圆中依次层叠两层中的上层为刻蚀层；若目标曝光区域的图形偏移量大于套刻误差，则采用套刻误差更新目标曝光区域的图形偏移量，目标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：测量各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内多个刻蚀孔的倾斜量；分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：计算各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的平均值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，获取各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的中位值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，将与各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的均方差之和最小的倾斜量，确定为各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：保存确定的曝光区域的图形偏移量并进行锁定；每个待刻蚀晶圆进行光刻时，获取锁定的曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：当蚀刻机的运行时间达到设定时长时，重新获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，并分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量；每个待刻蚀晶圆进行刻蚀时，获取最新确定的曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：确定待刻蚀晶圆中的待调整区域；根据待调整区域对应的曝光区域的图形偏移量，调整待调整区域的图形位置。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：若目标曝光区域的图形偏移量大于或等于设定值，则目标曝光区域在待刻蚀晶圆的中的对应区域为待调整区域，目标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；分别根据各个曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置5进行补偿。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量；分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：分别将各个曝光区域在0目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，得到各个曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：设定比例为50％～80％。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：获取目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，目标晶圆中依次层叠两层中的上层为刻蚀层；若目标曝光区域的图

形偏移量大于套刻误差，则采用套刻误差更新目标曝光区域的图形偏移量，目标曝光区域为5各个曝光区域中的任意一个。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：测量各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内多个刻蚀孔的倾斜量；分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：计算各个曝光区域在目0标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的平均值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，

获取各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的中位值，得到各个曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，将与各个曝光区域在目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的均方差之和最小的倾斜量，确定为各个曝光区域的刻蚀倾斜量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：保存确定的曝光区域的5图形偏移量并进行锁定；每个待刻蚀晶圆进行光刻时，获取锁定的曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：当蚀刻机的运行时间达到设定时长时，重新获取每个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，并分别根据各个曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定曝光区域的图形偏移量；每个待刻蚀晶圆进行刻蚀时，获取最新确定的曝光区域的图形偏移量。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：确定待刻蚀晶圆中的待调整区域；根据待调整区域对应的曝光区域的图形偏移量，调整待调整区域的图形位置。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：若目标曝光区域的图形5偏移量大于或等于设定值，则目标曝光区域在待刻蚀晶圆的中的对应区域为待调整区域，目

标曝光区域为各个曝光区域中的任意一个。

需要说明的是，本申请所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等)，均为经用户授

权或者经过各方充分授权的信息和数据，且相关数据的收集、使用和处理需要遵守相关国家0和地区的相关法律法规和标准。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所

提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和5易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(ReRAM)、磁变存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)、铁电存储器(FerroelectricRandom Access Memory，FRAM)、相变存储器(Phase Change Memory，PCM)、石墨烯存

储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速0缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(StaticRandom Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random AccessMemory，DRAM)等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请

所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号5处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。