半导体封装件及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0135300的优先权，其公开内容通过引用的方式整体并入本文。

技术领域

实施例涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种包括再分布基板的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

提供半导体封装件以实现用在电子产品中的集成电路芯片。半导体封装件可以被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板上，并且接合线或凸块用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，为了提高半导体封装件的可靠性和耐久性，已经进行了各种研究。

发明内容

根据实施例，一种半导体封装件可以包括：再分布基板，所述再分布基板包括有机电介质层和位于所述有机电介质层中的金属图案；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上。所述有机电介质层可以在第一波长范围下具有等于或大于大约0.04的最大吸光度，并且在所述第一波长范围下具有等于或大于大约4×10

根据实施例，一种半导体封装件可以包括：再分布基板，所述再分布基板包括电介质层和位于所述电介质层中的金属图案；多个焊料球，所述多个焊料球位于所述再分布基板的底表面上；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板的顶表面上。所述电介质层在第一波长范围下的吸光度函数的定积分值可以等于或大于大约13，并且在所述第一波长范围下的荧光强度等于或大于大约4×10

根据实施例，一种半导体封装件可以包括：再分布基板，所述再分布基板包括电介质层和位于所述电介质层中的再分布图案；多个焊料球，所述多个焊料球位于所述再分布基板的底表面上；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板的顶表面上；以及模制层，所述模制层位于所述再分布基板的所述顶表面上，所述模制层覆盖所述半导体芯片。所述再分布图案可以包括种子图案和位于所述种子图案上的金属图案。所述电介质层可以包括基体树脂、交联剂、弹性体、光活性化合物和光敏剂。所述电介质层在第一波长范围下的最大吸光度可以等于或大于大约0.04，在所述第一波长范围下的积分强度可以等于或大于大约13，并且在所述第一波长范围下的荧光强度可以等于或大于大约4×10

根据实施例，一种制造半导体封装件的方法可以包括：形成第一电介质层；在所述第一电介质层上形成第一再分布图案；以及检查所述第一再分布图案。检查所述第一再分布图案的步骤可以包括：用具有第一波长范围的可见光照射所述第一电介质层和所述第一再分布图案，以分析由于所述第一电介质层和所述第一再分布图案之间的吸光度差异而产生的图像；以及用具有第二波长的光照射所述第一电介质层和所述第一再分布图案，以分析由于所述第一电介质层和所述第一再分布图案之间的荧光性质差异而产生的图像。所述第一波长范围可以为大约450nm至大约650nm。

附图说明

通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：

图1A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

图1B图示了示出图1A的部分I的放大图。

图2图示了示出根据一些示例实施例的再分布基板检查的流程图。

图3A至图3L图示了示出根据一些示例实施例的制造半导体封装件的方法的截面图。

图4图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

图5A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

图5B是图示了示出图5A的部分I的放大图。

图6A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

图6B图示了示出图6A的部分II的放大截面图。

图6C图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

图7图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

图8A图示了示出实验示例1至5的吸光度的评估结果的曲线图。

图8B图示了示出当照射波长为大约405nm的光时实验示例1至5的荧光强度的评估结果的曲线图。

图8C图示了示出当照射波长为大约480nm的光时实验示例1至5的荧光强度的评估结果的曲线图。

具体实施方式

现在，下面将描述根据示例实施例的半导体封装件及其制造方法。

图1A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。图1B图示了示出图1A的部分I的放大图。

参考图1A和图1B，半导体封装件10可以包括第一再分布基板100、焊料球500、半导体芯片200和模制层400。

第一再分布基板100可以包括电介质层、凸块下图案120、第一再分布图案131、第二再分布图案132和第一再分布焊盘150。

电介质层可以包括堆叠的第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103。第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以是有机电介质层。第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以包括例如光可成像电介质(PID)。

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者可以吸收具有第一波长范围的光。例如，第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者对于具有第一波长范围的光可以具有等于或大于大约0.04的吸光度。该吸光度可以是最大吸光度。第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者在第一波长范围的吸光度处可以具有等于或大于大约13的积分强度。积分强度可以是吸光度函数在第一波长范围的定积分值。积分强度可以是吸光度函数在第一波长范围的面积。第一波长范围的光可以是具有可见波长的光。例如，第一波长范围可以为大约450nm至大约650nm。在本说明书中，吸光度可以是在厚度为大约3μm至大约15μm的条件下测得的。

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者可以进一步满足第一吸光度条件。第一吸光度条件可以包括对于具有第一波长范围的光具有等于或大于大约0.5的吸光度。第一吸光度条件可以包括在第一波长范围的吸光度处具有等于或大于大约40的积分强度。

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以对于具有第二波长的入射光具有荧光性质。例如，当照射具有第二波长的光时，可以从第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103发射具有第一波长范围的光。第二波长可以是激发波长。第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者在第一波长范围的发射波长处可以具有等于或大于大约4×10

第二波长可以小于第一波长范围。第二波长可以是例如大约400nm至大约410nm。

或者，第一波长范围可以包括第二波长。例如，第二波长可以是例如大约475nm至大约480nm。在这种情况下，第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103的荧光发射波长可以大于第二波长。第一波长范围可以包括第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103的荧光发射波长。第二波长的范围可以不同地改变。

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者可以进一步满足第一荧光条件。第一荧光条件可以包括在第一波长范围的发射波长处具有等于或大于大约1.0×10

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以满足选自第一吸光度条件和第一荧光条件中的至少一者。

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者可以包括光可成像电介质(PID)组合物。光可成像电介质组合物可以包括基体树脂(base resin)、交联剂、弹性体和光活性化合物(PAC)。

基体树脂可以包括聚羟基苯乙烯(PHS)、聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺(PI)、酚醛清漆类材料(novolac-based material)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰胺树脂、酚醛树脂、其衍生物等中的一种或更多种。

交联剂可以包括羟甲基三聚氰胺化合物、具有环氧官能团的化合物、具有烷氧基官能团的化合物、它们的组合等中的一种或更多种。羟甲基三聚氰胺化合物可以包括例如六羟甲基三聚氰胺和六丁醇三聚氰胺中的一种或更多种。具有环氧官能团的化合物可以包括1,4-双(甲氧基甲基)苯、1,3-双(甲氧基甲基)苯、4,4'-双(甲氧基甲基)联苯、3,4'-双(甲氧基甲基)联苯、3,3'-双(甲氧基甲基)联苯、2,6-萘二羧酸甲酯和4,4'-亚甲基双(2,6-甲氧基甲基苯酚)中的一种或更多种。具有环氧官能团的化合物可以包括乙二醇二缩水甘油醚、双酚A二缩水甘油醚、异氰脲酸三缩水甘油酯、双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、萘环氧树脂、联苯环氧树脂和酚醛环氧树脂(phenol novolac epoxy resin)中的一种或更多种。

弹性体可以包括第一芳环化合物。弹性体可以包括酚化合物、三聚氰胺化合物、酰亚胺化合物、其衍生物等中的一种或更多种。

光活性化合物可以包括一种或更多种重氮萘醌及其衍生物。光活性化合物还可以包括鎓化合物，例如三芳基锍盐或硼酸锍盐。在这种情况下，可以提高通过使用光可成像电介质组合物制造的层的灵敏度。因为光可成像电介质组合物包括光活性化合物，所以光可成像电介质组合物可以在曝光过程中对光具有反应。

光可成像电介质组合物还可以包括光敏剂。光敏剂可以包括第二芳环化合物。第二芳环化合物可以不同于第一芳环化合物。例如，光敏剂可以包括三聚氰胺类材料。当弹性体包括三聚氰胺化合物时，弹性体的三聚氰胺化合物可以包括与光敏剂的三聚氰胺类材料不同的材料。例如，弹性体的三聚氰胺化合物的化学结构和/或官能团可以与光敏剂的三聚氰胺类材料的化学结构和/或官能团不同。光敏剂可以包括荧光材料。三聚氰胺可以与诸如甲醇的溶剂反应，从而形成三聚氰胺甲基结构。三聚氰胺甲醇结构可以具有分子内电荷转移性质。分子内电荷转移可以使光敏剂表现出荧光性质。

或者，光可成像电介质组合物可以不包括光敏剂。在这种情况下，交联剂和弹性体中的一种或两种可以用作荧光材料。例如，交联剂和弹性体中的一种或两种可以具有表现出荧光性质的主链。

光敏剂可以用作电子供体。光敏剂可以是添加剂。

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以表现出荧光性质。第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以通过固化光成像电介质组合物来制造。因此，第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以处于固化状态。

光可成像电介质组合物还可以包括硅烷偶联剂。硅烷偶联剂可以具有粘合性质。

光可成像电介质组合物还可以包括抗氧化剂。抗氧化剂可以包括选自酚类抗氧化剂、含磷抗氧化剂和含硫醚基抗氧化剂中的至少一种。

光可成像电介质组合物可以具有大约20cP至大约8,000cP的粘度。

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103可以包括相同的光可成像电介质组合物。在第一电介质层101与第二电介质层102之间可以提供不明显的界面。在第二电介质层102与第三电介质层103之间可以提供不明显的界面。

第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者可以具有大约3μm至大约15μm的厚度。例如，第一电介质层101、第二电介质层102和第三电介质层103中的每一者可以具有大约3μm至大约8μm的厚度。

凸块下图案120可以设置在第一电介质层101中。凸块下图案120的底表面可以不被第一电介质层101覆盖。凸块下图案120可以用作焊料球500的焊盘。凸块下图案120可以彼此横向地间隔开并且彼此电绝缘。短语“两个组件彼此横向地间隔开”可以指“两个组件彼此水平地间隔开”。术语“水平地”可以表示“平行于第一再分布基板100的底表面”。第一再分布基板100的底表面可以包括第一电介质层101的底表面101b和凸块下图案120的底表面。凸块下图案120可以包括金属材料，例如铜。

第一再分布图案131可以设置在第一电介质层101中和第一电介质层101上。第一再分布图案131可以设置在凸块下图案120上并且电连接到凸块下图案120。表述“两个组件彼此电连接”可以包括“两个组件彼此直接电连接或通过其他组件间接连接”的含义。第二电介质层102可以设置在第一电介质层101和第一再分布图案131上，由此覆盖第一再分布图案131的顶表面。

第二再分布图案132可以设置在第一再分布图案131上并且电连接到第一再分布图案131。第二再分布图案132可以设置在第二电介质层102中和第二电介质层102上。第三电介质层103可以设置在第二电介质层102上以及第二再分布图案132的顶表面上，由此覆盖第二再分布图案132的顶表面。

第一再分布焊盘150可以设置在第二再分布图案132上并且耦接到第二再分布图案132。第一再分布焊盘150可以彼此横向地间隔开。第一再分布焊盘150可以通过第二再分布图案132和第一再分布图案131耦接到对应的凸块下图案120。由于提供了第一再分布图案131和第二再分布图案132，所以至少一个第一再分布焊盘150可以不与电连接到该至少一个第一再分布焊盘150的凸块下图案120垂直对齐。因此，可以自由设计第一再分布焊盘150的布置。

下面将详细描述第一再分布图案131、第二再分布图案132和第一再分布焊盘150。

参考图1B，每个第一再分布图案131可以包括第一种子图案131S和第一金属图案131M。第一金属图案131M可以包括第一通路部分和第一布线部分。第一通路部分可以设置在第一电介质层101中。第一布线部分可以设置在第一通路部分上，并且第一布线部分和第一通路部分可以彼此连接而在它们之间没有界面。第一布线部分可以延伸到第一电介质层101的顶表面上。在本说明书中，组件“通路”可以是用于垂直连接的元件，组件“布线”可以是用于水平连接的元件。术语“垂直/正交”可以表示“与第一再分布基板100的底表面垂直/正交”。第一金属图案131M可以包括金属，例如铜。第一种子图案131S可以介于凸块下图案120与第一金属图案131M之间以及第一电介质层101与第一金属图案131M之间。第一种子图案131S可以包括导电种子材料。导电种子材料可以包括例如铜、钛、其合金等中的一种或更多种。第一种子图案131S可以用作阻挡层以防止包括在第一金属图案131M中的材料扩散。

每个第二再分布图案132可以包括第二种子图案132S和第二金属图案132M。第二金属图案132M可以包括第二通路部分和第二布线部分。第二通路部分可以设置在第二电介质层102中。第二布线部分可以设置在第二通路部分上，并且第二布线部分和第二通路部分可以彼此连接而在它们之间没有界面。第二布线部分可以延伸到第二电介质层102的顶表面上。第二金属图案132M可以包括金属，例如铜。第二种子图案132S可以介于对应的第一再分布图案131与第二金属图案132M之间以及第二电介质层102和第二金属图案132M之间。第二种子图案132S可以包括与第二金属图案132M的材料不同的材料。第二种子图案132S可以包括导电种子材料。第二种子图案132S可以用作阻挡层。短语“电连接到第一再分布基板100”可以包括“耦接到选自第一再分布图案131和第二再分布图案132中的至少一者”的含义。

每个第一再分布焊盘150可以包括种子焊盘150S和金属焊盘150M。金属焊盘150M可以具有设置在第二电介质层102中的下部。金属焊盘150M的下部可以延伸到第二电介质层102的顶表面上。金属焊盘150M可以包括金属，例如铜。种子焊盘150S可以介于对应的第二再分布图案132与金属焊盘150M之间以及第三电介质层103与金属焊盘150M之间。种子焊盘150S可以包括与金属焊盘150M的材料不同的材料。种子焊盘150S可以包括导电种子材料。种子焊盘150S可以用作阻挡层。

与所示出的不同，第三再分布图案可以进一步介于第二再分布图案132与第一再分布焊盘150之间。或者，可以省略第二再分布图案132，并且第一再分布焊盘150可以直接耦接到第一再分布图案131。

返回参考图1A，焊料球500可以设置在第一再分布基板100的底表面上。例如，焊料球500可以对应地设置在凸块下图案120的底表面上，由此耦接到对应的凸块下图案120。焊料球500可以通过凸块下图案120电连接到第一再分布图案131和第二再分布图案132。焊料球500可以包括焊接材料。焊接材料可以包括例如锡、铋、铅、银、其合金等。

半导体芯片200可以安装在第一再分布基板100的顶表面上。当在俯视图中观察时，半导体芯片200可以设置在第一再分布基板100的中心区域上。半导体芯片200可以是逻辑芯片、缓冲器芯片和存储器芯片之一。

半导体芯片200可以具有彼此相对的顶表面和底表面。半导体芯片200的底表面可以是指向第一再分布基板100的有源表面。半导体芯片200的顶表面可以是无源表面。例如，半导体芯片200可以包括半导体衬底、集成电路(未示出)和芯片焊盘230。半导体衬底可以包括硅、锗和硅-锗中的一种或更多种。集成电路可以与半导体芯片200的底表面相邻。芯片焊盘230可以耦接到集成电路。短语“某个组件电连接到半导体芯片200”可以指“某个组件通过芯片焊盘230电连接到半导体芯片200的集成电路”。

半导体封装件10还可以包括凸块250。凸块250可以介于第一再分布基板100与半导体芯片200之间。例如，凸块250可以设置在第一再分布焊盘150与芯片焊盘230之间并耦接到第一再分布焊盘150和芯片焊盘230。因此，半导体芯片200可以通过凸块250耦接到第一再分布基板100。凸块250可以包括焊料球。凸块250可以包括焊接材料。凸块250还可以包括柱状图案，并且柱状图案可以包括金属，例如铜。

半导体封装件10还可以包括底部填充层410。底部填充层410可以设置在第一再分布基板100与半导体芯片200之间的间隙中，由此覆盖凸块250的侧壁。底部填充层410可以包括电介质聚合物，例如环氧聚合物。

模制层400可以设置在第一再分布基板100的顶表面上以覆盖半导体芯片200。模制层400可以包括电介质聚合物，例如环氧聚合物。模制层400可以包括与底部填充层410的材料不同的材料。

现在，下面将讨论根据一些示例实施例的制造半导体封装件的方法。

图2图示了示出根据一些示例实施例的再分布基板检查的流程图。图3A至图3L图示了示出根据一些示例实施例的制造半导体封装件的方法的截面图。

参考图2，再分布基板检查可以包括吸光度检查和荧光检查。吸光度检查可以包括照射具有第一波长范围的光以及分析由于在第一波长范围下的吸光度差异而产生的图像(S10)。荧光检查可以包括照射具有第二波长的光以分析由于在第一波长范围下的荧光性质的差异而产生的图像(S20)。

第一波长范围可以是大约450nm至大约650nm。第二波长可以小于第一波长范围。例如，第二波长可以是大约400nm至大约410nm。

根据一些示例实施例，可以在相同的第一波长范围执行荧光图像分析步骤S20和吸光度图像分析步骤S10。因此，可以使用同一光谱测量装置执行吸光度图像分析步骤S10和荧光图像分析步骤S20。因此，可以有效且简单地对第一再分布图案131执行检查工艺。

根据一些示例实施例，吸光度图像分析步骤S10可以在荧光图像分析步骤S20之前或之后执行。例如，吸光度检查可以在荧光检查之前或之后进行。为了方便起见，下面将首先讨论吸光度检查。

参考图3A，可以在载体基板900上形成凸块下图案120、第一电介质层101和第一再分布图案131。根据一些示例实施例，可以执行电镀工艺以在载体基板900上形成凸块下图案120。可以进一步对凸块下图案120执行检查工艺。例如，可以用具有第一波长范围的光照射凸块下图案120。第一电介质层101和凸块下图案120在对具有第一波长范围的光的吸光度方面可以不同。例如，第一电介质层101对具有第一波长范围的光的吸光度可以大于凸块下图案120对具有第一波长范围的光的吸光度。凸块下图案120可以反射具有第一波长范围的光。第一电介质层101可以吸收具有第一波长范围的光。可以通过分析由于第一电介质层101对具有第一波长范围的光的吸光度与凸块下图案120对具有第一波长范围的光的吸光度之间的差异而产生的图像，以获得关于凸块下图案120的布置和形状的信息。对由于吸光度差异而产生的图像的分析可以包括分析由于第一电介质层101与凸块下图案120之间的吸光度差异引起的对比度。

第一电介质层101可以形成在载体基板900上以覆盖凸块下图案120的侧壁和顶表面。根据一些示例实施例，可以通过执行使用可光成像电介质组合物的涂覆工艺来形成第一电介质层101。在涂覆工艺之后，可以进一步对第一电介质层101执行预烘烤工艺。预烘烤工艺可以包括在大约90℃至大约130℃的温度下执行大约30秒至大约30分钟的退火工艺。光可成像电介质组合物可以包括基体树脂、交联剂、弹性体、光活性化合物和光敏剂，在图1A至图1B的实施例中对此进行了讨论。第一电介质层101可以经历曝光和显影工艺以形成第一开口109。由于光可成像电介质组合物包括光活性化合物，因此可以通过曝光和显影工艺使第一电介质层101图案化。第一开口109可以暴露凸块下图案120。之后，可以固化第一电介质层101。固化工艺可以在图案化工艺之后进行。固化工艺可以是后烘烤工艺。固化工艺可以包括在大约150℃至大约350℃的温度下执行大约30分钟至大约10小时的退火工艺。

可以在第一开口109中和第一电介质层101的顶表面上形成第一再分布图案131。第一再分布图案131的形成可以包括执行沉积工艺和电镀工艺。第一再分布图案131可以暴露第一电介质层101的顶表面的至少一部分。

下面的描述将集中在另外参考图3B至图3J的再分布基板检查的示例上。

参考图2、图3B、图3C和图3D，可以对第一再分布图案131执行检查工艺。第一再分布图案131的检查工艺可以包括吸光度检查和荧光检查。

参考图2和图3B，可以对第一再分布图案131和第一电介质层101执行吸光度检查。吸光度检查可以包括照射具有第一波长范围的光λ1，并且分析由于在第一波长范围下的吸光度差异而产生的图像(S10)。第一电介质层101和第一再分布图案131对具有第一波长范围的光λ1的吸光度可以不同。例如，第一电介质层101对具有第一波长范围的光λ1的吸光度可以大于第一再分布图案131对具有第一波长范围的光λ1的吸光度。第一再分布图案131可以包括金属并且可以反射具有第一波长范围的光λ1。第一电介质层101可以吸收具有第一波长范围的光λ1。可以通过分析由于第一电介质层101对具有第一波长范围的光λ1的吸光度与第一再分布图案131对具有第一波长范围的光λ1的吸光度之间的差异而产生的图像，来获得关于第一再分布图案131的布置和形状的信息。对由于吸光度差异而产生的图像的分析可以包括分析由于第一电介质层101与第一再分布图案131之间的吸光度差异引起的对比度。因此，可以根据分析结果来评估第一再分布图案131的缺陷。例如，分析结果可以用于评估第一再分布图案131是否形成在期望的位置上。此外，分析结果可以用于确定第一再分布图案131的电连接的合格或不合格。电连接不合格可以包括大概率发生短路。

当第一电介质层101具有小于大约0.04的吸光度和小于大约13的积分强度时，具有第一波长范围的光λ1可以穿过第一电介质层101。已经穿过的光λ1可以从凸块下图案120反射。在这种情况下，关于第一再分布图案131的布置和电连接的信息可能出现噪声。根据一些示例实施例，第一电介质层101对具有第一波长范围的光λ1的吸光度可以等于或大于大约0.04，并且在第一波长范围的积分强度等于或大于大约13。因此，可以减少或防止噪声的发生。

第一电介质层101可以进一步满足图1A中讨论的第一吸光度条件。例如，第一电介质层101对具有第一波长范围的光λ1的吸光度可以等于或大于大约0.5，并且在第一波长范围的积分强度等于或大于大约40。在这种情况下，可以提高对由于吸光度差异而产生的图像进行分析的结果的可靠性和准确性。

参考图2、图3C和图3D，可以对第一再分布图案131和第一电介质层101执行荧光检查。荧光检查可以包括照射具有第二波长的光λ2，然后分析由于在第一波长范围下的荧光性质差异而产生的图像(S20)。

如图3C所示，可以将具有第二波长的光λ2照射到第一再分布图案131和第一电介质层101。第二波长可以对应于第一电介质层101的激发波长。例如，第二波长可以小于第一波长范围。例如，第二波长的范围可以为大约400nm至大约410nm。再例如，第二波长的范围可以为大约475nm至大约485nm。

如图3D所示，第一电介质层101可以吸收具有第二波长的光λ2，并且可以发射具有第一波长范围的光λ1'。具有第一波长范围的光λ1'可以是荧光发射光。第一波长范围可以与图1A和图3B的示例中讨论的第一波长基本上相同。因为第一再分布图案131不具有荧光性质，所以不会从第一再分布图案131发射光。可以分析由于第一电介质层101的荧光性质与第一再分布图案131的荧光性质的差异而产生的图像。对由于荧光差异而产生的图像的分析可以包括分析由于第一电介质层101与第一再分布图案131之间的荧光性质差异引起的对比度。可以从分析结果获得关于第一再分布图案131的形状的数据。例如，可以获得关于形成了第一再分布图案131的不期望的突起或凹陷的数据。此外，可以获得关于第一再分布图案131的残留物是否残留在第一电介质层101上的数据。可以分析数据以评估第一再分布图案131的耐久性和可靠性。

当第一电介质层101在第一波长范围具有小于大约4×10

第一电介质层101可以进一步满足图1A中讨论的第一荧光条件。例如，第一电介质层101在第一波长范围的吸光度处可以具有等于或大于大约40的积分强度。在这种情况下，可以提高荧光检查的可靠性。

参考图3E，可以在第一电介质层101和第一再分布图案131上形成第二电介质层102，并且第二电介质层102可以覆盖第一电介质层101和第一再分布图案131。第二电介质层102可以通过与用于形成图3A的第一电介质层101的方法基本上相同的方法形成。可以固化第二电介质层102。

可以在第二电介质层102中和第二电介质层102的顶表面上形成第二再分布图案132。第二再分布图案132可以耦接到第一再分布图案131。第二再分布图案132的形成可以包括执行沉积工艺和电镀工艺。第二再分布图案132可以暴露第二电介质层102的顶表面的至少一部分。

可以对第二再分布图案132执行检查工艺。第二再分布图案132的检查工艺可以包括吸光度检查和荧光检查。吸光度检查可以包括照射具有第一波长范围的光λ1以及分析由于在第一波长范围下的吸光度差异而产生的图像(S10)。吸光度检查可以通过与图3B的吸光度检查的示例中讨论的方法相同的方法来执行。第二电介质层102和第二再分布图案132对具有第一波长范围的光λ1的吸光度可以不同。第二再分布图案132可以反射具有第一波长范围的光λ1。第二电介质层102可以吸收具有第一波长范围的光λ1。可以通过分析由于第二电介质层102对具有第一波长范围的光λ1的吸光度与第二再分布图案132对具有第一波长范围的光λ1的吸光度之间的差异，来获得关于第二再分布图案132的布置和形状的信息。对由于吸光度差异而产生的图像的分析可以包括分析由于第二电介质层102与第二再分布图案132之间的吸光度差异引起的对比度。可以从分析结果获得关于第二再分布图案132的布置和电连接的信息。该信息可以用于评估第二再分布图案132是否有缺陷。

当第二电介质层102的吸光度小于大约0.04且积分强度小于大约13时，具有第一波长范围的光λl可以穿过第二电介质层102，并且已经穿过的光λl可能从第一再分布图案131反射以产生噪声。根据一些示例实施例，第二电介质层102对具有第一波长范围的光λ1的吸光度可以等于或大于大约0.04，并且在第一波长范围处的积分强度可以等于或大于大约13。因此，可以减少或防止噪声的发生。

第二电介质层102可以进一步满足图1A中讨论的第一吸光度条件。例如，第二电介质层102对具有第一波长范围的光λ1的吸光度可以等于或大于大约0.5，并且在第一波长范围处的积分强度可以等于或大于大约40。在这种情况下，可以提高对由于吸光度差异而产生的图像进行分析的结果的可靠性和准确性。

参考图2、图3F和图3G，可以对第二再分布图案132执行荧光检查。第二再分布图案132的荧光检查可以包括照射具有第二波长的光λ2，然后分析由于第二电介质层102在第一波长范围的荧光性质与第二再分布图案132在第一波长范围的荧光性质之间的差异而产生的图像(S20)。

如图3F所示，可以将具有第二波长的光λ2照射到第二再分布图案132和第二电介质层102。第二波长可以对应于第二电介质层102的激发波长。

如图3G所示，第二电介质层102可以吸收具有第二波长的光λ2，并且可以发射具有第一波长范围的光λ1'。具有第一波长范围的光λ1'可以是荧光发射光。第二再分布图案132可以不具有荧光性质。可以基于对由于荧光性质差异而产生的图像的分析结果来评估第二再分布图案132的耐久性和可靠性。因为第二电介质层102在第一波长范围的荧光强度等于或大于大约4×10

例如，第二电介质层102在第一波长范围的吸光度处可以具有等于或大于大约40的积分强度。在这种情况下，可以提高荧光检查的可靠性。

参考图3H，可以在第二电介质层102和第二再分布图案132上形成第三电介质层103，并且第三电介质层103可以覆盖第二电介质层102和第二再分布图案132。第三电介质层103可以通过与用于形成图3A的第一电介质层101的方法基本上相同的方法形成。可以固化第三电介质层103。

可以在第三电介质层103中和第三电介质层103的顶表面上形成第一再分布焊盘150。第一再分布焊盘150可以耦接到第二再分布图案132。第一再分布焊盘150可以通过沉积工艺和电镀工艺形成。第一再分布焊盘150可以暴露第三电介质层103的顶表面的至少一部分。

可以对第一再分布焊盘150执行检查工艺。第一再分布焊盘150的检查工艺可以包括吸光度检查。根据一些示例实施例，可以将具有第一波长范围的光λ1照射到第一再分布焊盘150和第三电介质层103。第一再分布焊盘150可以反射具有第一波长范围的光λ1。第三电介质层103可以吸收具有第一波长范围的光λ1。可以分析由于在第一波长范围的吸光度差异而产生的图像(S10)。可以基于分析结果来评估第一再分布焊盘150是否有缺陷。

第三电介质层103对具有第一波长范围的光λl的吸光度可以等于或大于大约0.04，并且在第一波长范围的积分强度可以等于或大于大约13，因此可以减少或防止噪声的发生。例如，第三电介质层103对具有第一波长范围的光λ1的吸光度可以等于或大于大约0.5，并且在第一波长范围的积分强度可以等于或大于大约40。在这种情况下，可以提高对由于吸光度差异而产生的图像的分析结果的可靠性和准确性。

参考图3I，第一再分布焊盘150的检查工艺可以包括荧光检查。可以对第三电介质层103进行荧光检查。可以将具有第二波长的光λ2照射到第一再分布焊盘150和第三电介质层103。第一再分布焊盘150可以不具有荧光性质。

参考图3J，第三电介质层103可以吸收具有第二波长的光λ2，并且可以发射具有第一波长范围的光λ1'。具有第一波长范围的光λ1'可以是荧光发射光。因为第一再分布焊盘150不具有荧光性质，所以不会从第一再分布焊盘150发射光。可以分析由于荧光性质差异而产生的图像。对由于荧光差异而产生的图像的分析可以包括分析由于第三电介质层103与第一再分布焊盘150之间的荧光性质差异引起的对比度。可以基于分析结果评估第一再分布焊盘150的耐久性和可靠性。因为第三电介质层103在第一波长范围的荧光强度等于或大于大约4×10

例如，第三电介质层103可以在第一波长范围的吸光度处具有等于或大于大约40的积分强度。在这种情况下，可以提高荧光检查的可靠性。

第三电介质层103的荧光检查可以通过与用于执行在图2、图3C或图3F的示例中讨论的荧光检查的方法基本上相同的方法来执行。

参考图3K，可以在第一再分布基板100的顶表面上安装半导体芯片200。半导体芯片200的安装可以包括在第一再分布基板100与半导体芯片200之间形成凸块250。凸块250可以耦接到第一再分布焊盘150并且耦接到半导体芯片200的芯片焊盘230。可以进一步在第一再分布基板100与半导体芯片200之间形成底部填充层410。可以在第一再分布基板100的顶表面上形成模制层400以覆盖半导体芯片200。

参考图3L，可以去除载体基板900以暴露第一再分布基板100的底表面。例如，可以暴露第一电介质层101的底表面101b和凸块下图案120的底表面。

返回参考图1A，可以在凸块下图案120的底表面上对应地形成焊料球500，由此耦接到凸块下图案120。通过上述工艺，最终可以制造出半导体封装件10。

图4图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

参考图4，半导体封装件10A可以包括第一再分布基板100、半导体芯片200、焊料球500、凸块250和底部填充层410。半导体封装件10A可以不包括图1A中讨论的模制层400。半导体芯片200的宽度可以与第一再分布基板100的宽度和底部填充层410的宽度基本上相同。半导体芯片200的侧壁可以与第一再分布基板100的侧壁垂直对齐。半导体封装件10A可以是扇入式半导体封装件。

图5A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。图5B图示了示出图5A的部分I的放大图。

参考图5A和图5B，半导体封装件10B可以包括第一再分布基板100'、焊料球500、半导体芯片200和模制层400。半导体封装件10B可以不包括图1A中讨论的凸块250和底部填充层410中的任何一者。

第一再分布基板100'可以包括第一电介质层101、第二电介质层102、第三电介质层103、第一再分布图案131、第二再分布图案132和第一再分布焊盘150。第一再分布基板100'可以不包括在图1A和图1B中讨论的凸块下图案120。第一再分布基板100'可以与半导体芯片200和模制层400直接接触。例如，第一电介质层101可以与半导体芯片200的底表面直接接触并且与模制层400的底表面直接接触。第一再分布图案131可以设置在第一电介质层101中和第一电介质层101的底表面上。每个第一再分布图案131的第一通路部分可以与对应的芯片焊盘230垂直交叠。如图5B所示，每个第一再分布图案131可以包括第一种子图案131S和第一金属图案131M。第一种子图案131S可以设置在第一金属图案131M的顶表面上。第一种子图案131S可以直接耦接到芯片焊盘230。在形成第一再分布图案131之后，可以执行图2的检查工艺。例如，可以对由于第一再分布图案131与第一电介质层101之间的在第一波长范围下的吸光度差异而产生的图像进行分析(参见图2的S10)，并且也可以照射具有第二波长的光，以分析由于第一再分布图案131与第一电介质层101之间的在第一波长范围下的荧光性质差异而产生的图像(参见图2的S20)。可以通过与在图3B至图3D所示的第一再分布图案131的检查工艺中讨论的方法相同的方法来执行检查工艺。

第二电介质层102可以设置在第一电介质层101的底表面上。第二再分布图案132可以设置在第二电介质层102中和第二电介质层102的底表面上。如图5B所示，每个第二再分布图案132可以包括第二种子图案132S和第二金属图案132M。第二种子图案132S可以设置在第二金属图案132M的顶表面上。第二再分布图案132可以对应地耦接到第一再分布图案131。在形成第二电介质层102和第二再分布图案132之后，可以执行图2的检查工艺。

第三电介质层103可以设置在第二电介质层102的底表面上。第一再分布焊盘150可以设置在第三电介质层103中和第三电介质层103的底表面上。如图5B所示，每个第一再分布焊盘150可以包括种子焊盘150S和金属焊盘150M。种子焊盘150S可以设置在金属焊盘150M的顶表面上。第一再分布焊盘150可以对应地耦接到第二再分布图案132。在形成第三电介质层103和第一再分布焊盘150之后，可以执行图2的检查工艺。

第一再分布焊盘150可以是焊料焊盘。例如，焊料球500可以对应地设置在第一再分布焊盘150的底表面上。虽然未示出，但是保护电介质层可以进一步设置在第三电介质层103的底表面上以覆盖第一再分布焊盘150的侧壁。保护电介质层可以不覆盖焊料球500。

例如，可以通过先芯片工艺来制造半导体封装件10B。

图6A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。图6B图示了示出图6A的部分II的放大截面图。

参考图6A和图6B，半导体封装件10C可以包括第一再分布基板100、焊料球500、半导体芯片200、导电结构350和模制层400。半导体封装件10还可以包括选自凸块250、底部填充层410和第二再分布基板600中的至少一者。半导体封装件10C可以是下封装件。第一再分布基板100可以与图1A中讨论的第一再分布基板100基本上相同。

导电结构350可以设置在第一再分布基板100的顶表面上。例如，导电结构350可以设置在第一再分布基板100的边缘区域的顶表面上。导电结构350可以与半导体芯片200横向地间隔开。导电结构350可以彼此间隔开。导电结构350可以通过第一再分布基板100电连接到半导体芯片200或焊料球500。导电结构350可以是金属柱。例如，导电结构350可以包括金属，例如铜。

模制层400可以设置在第一再分布基板100的顶表面上以覆盖半导体芯片200以及导电结构350的侧表面。模制层400可以不覆盖导电结构350的顶表面。模制层400的侧表面可以与第一再分布基板100的侧表面对齐。模制层400可以包括电介质聚合物，例如环氧类聚合物。

第二再分布基板600可以设置在模制层400的顶表面和导电结构350的顶表面上。第二再分布基板600可以包括上电介质层、第一上再分布图案631、第二上再分布图案632和第二再分布焊盘650。上电介质层可以包括顺序堆叠在模制层400上的第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603。第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603可以为有机电介质层。

第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603均可以吸收具有第一波长范围的光。例如，第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603中的每一者对具有第一波长范围的光的吸光度可以等于或大于大约0.04。吸光度可以是最大吸光度。第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603中的每一者在第一波长范围的吸光度处的积分强度可以等于或大于大约13。积分强度可以是第一波长范围的吸光度函数的定积分。积分强度可以是吸光度函数在第一波长范围下的面积。第一波长可以与上面在图1A中讨论的第一波长相同。

第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603可以对具有第二波长的入射光具有荧光性质。例如，当照射具有第二波长的光时，可以从第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603发射具有第一波长范围的光。例如，第二波长可以小于第一个波长范围。第二波长可以为例如大约400nm至大约410nm。又例如，第二波长可以为大约475nm至大约485nm。第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603中的每一者在第一波长范围的发射波长处的荧光强度可以等于或大于大约4×10

第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603可以满足选自上面讨论的第一吸光度条件和第一荧光条件中的至少一者。第一吸光度条件可以包括对具有第一波长范围的光的吸光度等于或大于大约0.5。第一吸光度条件可以包括在第一波长范围的吸光度处等于或大于大约40的积分强度。第一荧光条件可以包括在第一波长范围的发射波长处等于或大于大约1.0×10

第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603均可以包括光可成像电介质组合物。光可成像电介质组合物可以包括在图1A的第一电介质层101第二电介质层102和第三电介质层103的示例中讨论的基体树脂、交联剂、弹性体、光活性化合物和光敏剂。

第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603可以包括相同的光可成像电介质组合物。在第一上电介质层601与第二上电介质层602之间可以提供不明显的界面。在第二上电介质层602与第三上电介质层603之间可以提供不明显的界面。第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603可以处于固化状态。或者，第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603可以包括粘性电介质膜，例如味之素积层膜。第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603的数量可以不同地改变。

第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603中的每一者的厚度可以为大约3μm至大约15μm。例如，第一上电介质层601、第二上电介质层602和第三上电介质层603中的每一者的厚度可以为大约3μm至大约8μm。

第一上再分布图案631可以设置在第一上电介质层601中和第一上电介质层601上。第一上再分布图案631可以设置在导电结构350上并且电连接到导电结构350。第一上再分布图案631可以彼此横向地间隔开并且电隔离。在形成第一上电介质层601和第一上再分布图案631之后，可以执行图2的检查工艺。

第二上电介质层602可以设置在第一上电介质层601和第一上再分布图案631上，由此覆盖第一上再分布图案631。第二上再分布图案632可以设置在第一上再分布图案631上并且电连接到第一上再分布图案631。第二上再分布图案632可以设置在第二上电介质层602中和第二上电介质层602上。在形成第二上电介质层602和第二上再分布图案632之后，可以执行图2的检查工艺。

第三上电介质层603可以设置在第二上电介质层602以及第二上再分布图案632的顶表面上，由此覆盖第二上再分布图案632的顶表面。第二再分布焊盘650可以设置在第三上电介质层603中和第三上电介质层603上。在形成第三上电介质层603和第二再分布焊盘650之后，可以对第三上电介质层603执行图2的检查工艺。

第二再分布焊盘650可以设置在第二上再分布图案632上并且耦接到第二上再分布图案632。第二再分布焊盘650可以通过第二上再分布图案632耦接到导电结构350。至少一个第二再分布焊盘650可以不与电连接到其的导电结构350垂直对齐。因此，可以自由地设计第二再分布焊盘650的布置。

下面将详细描述第一上再分布图案631、第二上再分布图案632和第二再分布焊盘650。

参考图6B，每个第一上再分布图案631可以包括第一上种子图案631S和第一上金属图案631M。第一上金属图案631M可以包括第一通路和第一布线。第一通路可以设置在第一上电介质层601中。第一布线可以设置在第一通路上，并且第一布线和第一通路可以彼此连接，而在它们之间没有界面。第一布线可以延伸到第一上电介质层601的顶表面上。第一上金属图案631M可以包括金属，例如铜。第一上种子图案631S可以介于对应的导电结构350与第一上金属图案631M之间以及第一上电介质层601与第一上金属图案631M之间。第一上种子图案631S可以包括导电种子材料。第一上种子图案631S可以是阻挡层。

每个第二上再分布图案632可以包括第二上种子图案632S和第二上金属图案632M。第二上金属图案632M可以包括第二通路和第二布线。第二通路可以设置在第二上电介质层602中。第二布线可以设置在第二通路上，并且第二布线和第二通路可以彼此连接，而在它们之间没有界面。第二布线可以延伸到第二上电介质层602的顶表面上。第二上金属图案632M可以包括金属，例如铜。第二上种子图案632S可以介于对应的第一上再分布图案631与第二上金属图案632M之间以及第二上电介质层602与第二上金属图案632M之间。第二上种子图案632S可以包括与第二上金属图案632M的材料不同的材料。第二上种子图案632S可以包括导电种子材料。第二上种子图案632S可以用作阻挡层。短语“电连接到第二再分布基板600”可以包括“耦接到选自第一上再分布图案631和第二上再分布图案632中的至少一者”的含义。

每个第二再分布焊盘650可以包括种子焊盘图案650S和金属焊盘图案650M。金属焊盘图案650M可以具有设置在第二上电介质层602中的下部。金属焊盘图案650M的下部可以延伸到第二上电介质层602的顶表面上。金属焊盘图案650M可以包括金属，例如铜。种子焊盘图案650S可以介于对应的第二上再分布图案632与金属焊盘图案650M之间以及第三上电介质层603与金属焊盘图案650M之间。种子焊盘图案650S可以包括与金属焊盘图案650M的材料不同的材料。种子焊盘图案650S可以包括导电种子材料。种子焊盘图案650S可以用作阻挡层。

与所示出的不同，第三再分布图案可以进一步介于第二上再分布图案632与第二再分布焊盘650之间。尽管未示出，但是可以省略第二上再分布图案632，并且第二再分布焊盘650可以直接耦接到第一上再分布图案631。

或者，半导体封装件10C可以不包括第二再分布基板600。

图6C图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

参考图6C，半导体封装件10D可以包括第一再分布基板100、焊料球500、半导体芯片200、连接基板300和模制层400。半导体封装件10D还可以包括选自第二再分布基板600、凸块250、底部填充层410、连接凸块252和底部填充图案420中的至少一者。半导体封装件10D可以是下封装件。

连接基板300可以设置在第一再分布基板100上。连接基板300可以具有贯穿其的基板孔390。例如，可以通过形成贯穿印刷电路板的顶表面和底表面的基板孔390来制造连接基板300。当在俯视图中观察时，基板孔390可以形成在连接基板300的中心部分上。半导体芯片200可以设置在连接基板300的基板孔390中。半导体芯片200可以设置为与连接基板300的连接基板300的内侧表面间隔开。

连接基板300可以包括基体层310、第一焊盘351、导电结构350和第二焊盘352。基体层310可以包括电介质材料。例如，基体层310可以包括碳基材料、陶瓷或聚合物。基板孔390可以穿透基体层310。导电结构350可以设置在基体层310中。第一焊盘351可以设置在导电结构350的底表面上。第一焊盘351可以暴露在连接基板300的底表面上。第二焊盘352可以设置在导电结构350的顶表面上。第二焊盘352可以暴露在连接基板300的顶表面上。第二焊盘352可以通过导电结构350电连接到第一焊盘351。导电结构350、第一焊盘351和第二焊盘352可以包括金属，例如铜、铝、钨、钛、钽或其合金。

连接凸块252可以设置在第一再分布基板100与连接基板300之间，由此耦接到第一再分布焊盘150和第一焊盘351。连接凸块252可以包括焊料材料。

底部填充图案420可以设置在第一再分布基板100与连接基板300之间，由此包封连接凸块252。底部填充图案420可以包括在底部填充层410的示例中讨论的电介质聚合物。

模制层400可以设置在第一再分布基板100上并且可以介于半导体芯片200和连接基板300之间。模制层400可以覆盖半导体芯片200的顶表面和连接基板300的顶表面。根据一些示例实施例，粘合电介质膜可以附着到连接基板300的顶表面、半导体芯片200的顶表面和半导体芯片200的侧表面，由此形成模制层400。例如，味之素积层膜(ABF)可以用作粘合电介质膜。或者，模制层400可以包括电介质聚合物，例如环氧类聚合物。

第二再分布基板600可以设置在模制层400和连接基板300上。第二再分布基板600可以与图5A和图5B的示例中讨论的第二再分布基板600基本上相同。相比之下，第一上再分布图案631可以进一步延伸到模制层400中以耦接到第二焊盘352。第一上电介质层601可以设置在第一上再分布图案631和模制层400上。

第二上再分布图案632可以设置在第一上再分布图案631和第一上电介质层601上。在形成第一上电介质层601和第二上再分布图案632之后，可以执行图2的检查工艺。

第二上电介质层602可以形成在第二上再分布图案632和第一上电介质层601上，并且可以覆盖第二上再分布图案632。第二再分布焊盘650可以形成在第二上电介质层602中和第二上电介质层602上，并且可以耦接到第二上再分布图案632。在形成第二上电介质层602和第二再分布焊盘650之后，可以执行图2的检查工艺。

或者，半导体封装件10D可以不包括第二再分布基板600。

图7图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

参考图7，半导体封装件11可以包括下封装件10D'、上封装件20和连接焊料800。下封装件10D'可以与在图5C的示例中讨论的半导体封装件10D基本上相同。下封装件10D'可以包括第一再分布基板100、焊料球500、半导体芯片200、模制层400、连接基板300和第二再分布基板600。或者，图5A和图5B的半导体封装件10C可以用作下封装件10D'。

上封装件20可以包括上基板700、上半导体芯片720和上模制层740。上基板700可以设置在第二再分布基板600的上表面上并且与第二再分布基板600的上表面间隔开。上基板700可以是印刷电路板(PCB)或再分布层。上基板700可以包括设置在其底表面上的第一金属焊盘701，并且还可以包括设置在其顶表面上的第二金属焊盘702。上基板700中可以设置有耦接到第一金属焊盘701和第二金属焊盘702的金属线705。

连接焊料800可以介于第二再分布基板600与上基板700之间，并且可以耦接到第二再分布焊盘650和第一金属焊盘701。连接焊料800可以包括焊料材料。尽管未示出，但是连接焊料800还可以包括金属柱图案。

上半导体芯片720可以安装在上基板700上。上半导体芯片720可以是与半导体芯片200不同的类型。例如，上半导体芯片720可以是存储器芯片，并且半导体芯片200可以是逻辑芯片。上凸块725可以设置在上基板700与上半导体芯片720之间。上凸块725可以对应地耦接到第二金属焊盘702并且还耦接到上半导体芯片720的芯片焊盘723。上凸块725可以包括焊料球。尽管未示出，但是上凸块725还可以包括柱图案。上半导体芯片720可以通过连接焊料800、第二再分布基板600和导电结构350耦接到半导体芯片200或焊料球500。

上基板700上可以设置有覆盖上半导体芯片720的上模制层740。上模制层740可以暴露上半导体芯片720的顶表面。与所示不同的是，上模制层740可以进一步覆盖上半导体芯片720的顶表面。上模制层740可以包括电介质聚合物，例如环氧类模制化合物。

上封装件20还可以包括散热结构790。散热结构790可以设置在上半导体芯片720的顶表面上以及上模制层740的顶表面上。散热结构790可以进一步延伸到上模制层740的侧表面上。散热结构790可以包括散热器、散热块或热界面材料(TIM)层。散热结构790可以包括例如金属。

示例实施例可以彼此组合。例如，图5的第一再分布基板100'可以被包括在图4的半导体封装件10A、图6A和图6B的半导体封装件10C、图6C的半导体封装件10D和图7的半导体封装件11中。在这种情况下，可以省略凸块250和底部填充层410，并且第一再分布基板100'可以与半导体芯片200和模制层400接触。

提供以下示例以阐述一个或更多个示例实施例的特定细节。然而，应当理解，本文描述的实施例不限于实施例中描述的特定细节。

下面将结合实验示例描述电介质层的制造和性质评估结果。

[实验示例的制作]

1.实验示例1

将基体树脂、交联剂、弹性体和光活性化合物混合以制造光可成像电介质组合物。基体树脂包括聚酰胺树脂、聚苯并恶唑树脂、酚醛树脂和羟基苯乙烯树脂中的一种。交联剂包括六羟甲基三聚氰胺、六丁醇三聚氰胺、1,4双(甲氧基甲基)苯、1,3-双(甲氧基甲基)苯、4,4'-双(甲氧基甲基)联苯、3,4'-双(甲氧基甲基)联苯、3,3'-双(甲氧基甲基)联苯、2,6-萘二羧酸甲酯、4,4'-亚甲基双(2,6-甲氧基甲基苯酚)、乙二醇二缩水甘油醚、双酚A二缩水甘油醚、异氰脲酸三缩水甘油酯、双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、萘环氧树脂、联苯环氧树脂和苯酚酚醛环氧树脂中的一种。弹性体包括酚类化合物、三聚氰胺化合物、酰亚胺化合物及其任何衍生物中的一种。光活性化合物包括重氮萘醌化合物。

将光可成像电介质组合物涂布至大约3μm至大约15μm的厚度以形成初步电介质层。将初步电介质层在大约90℃至130℃的温度下在大约30秒至大约30分钟期间退火。将初步电介质层在大约150℃至大约350℃的温度下固化大约30分钟至大约10小时。由此，制造了实验示例1的电介质层。

2.实验示例2

通过与实验示例1中使用的方法相同的方法制造电介质层。在这种情况下，在六羟甲基三聚氰胺、六丁醇三聚氰胺、1,4双(甲氧基甲基)苯、1,3-双(甲氧基甲基)苯、4,4'-双(甲氧基甲基)联苯、3,4'-双(甲氧基甲基)联苯、3,3'-双(甲氧基甲基)联苯、2,6-萘二羧酸甲酯、4,4'-亚甲基双(2,6-甲氧基甲基苯酚)、乙二醇二缩水甘油醚、双酚A二缩水甘油醚、异氰脲酸三缩水甘油酯、双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、萘环氧树脂、联苯环氧树脂和苯酚酚醛环氧树脂当中，交联剂包括与被选为实验示例1的交联剂的材料不同的材料。另外，在酚类化合物、三聚氰胺化合物、酰亚胺化合物及其任何衍生物当中，弹性体包括与被选为实验示例2的弹性体的材料不同的材料。由此，制造光可成像电介质组合物。

3.实验示例3

通过与实验示例2中使用的相同方法制造电介质层。相比之下，在酚类化合物、三聚氰胺化合物、酰亚胺化合物及其任何衍生物中，使用与实验示例1和2中选择的材料不同的材料来制造光可成像电介质组合物。

4.实验示例4

通过与实验示例2中使用的相同方法制造电介质层。将三聚氰胺衍生物进一步添加到光可成像化合物中。

5.实验示例5

通过与实验示例4中使用的相同方法制造电介质层。光可成像电介质组合物添加有与实验示例4中使用的三聚氰胺衍生物不同类型的三聚氰胺衍生物。

[实验示例的评价]

图8A图示了示出实验示例1至5的吸光度评价结果的曲线图。图8B图示了示出当照射波长为大约405nm的光时实验示例1至5的荧光强度的评价结果的曲线图。图8C图示了示出当照射波长为大约480nm的光时实验示例1至5的荧光强度的评价结果的曲线图。

在图8A、图8B和图8C中，使用以下标记：实验示例1(E1)、实验示例2(E2)、实验示例3(E3)、实验示例4(E4)和实验示例5(E5)。

参考图8A，通过用大约450nm至大约650nm范围的光照射实验示例1至5的电介质层来测量吸光度。其数据列于表1中。

参考图8B，用波长为大约405nm的光照射实验示例1至5的电介质层，然后在大约450nm至大约650nm的波长范围内测量荧光强度。其数据列于表1中。

参考图8C，用波长为大约480nm的光照射实验示例1至5的电介质层，然后在大约480nm至大约650nm的波长范围内测量荧光强度。

通过使用相同的装置测量荧光强度和吸光度。

下表1列出了在实验示例1至5中测得的吸光度和荧光强度的评价结果(在表1中，a.u.表示任意单位)。

表1

图8A图示了示出实验示例1至5的吸光度的评价结果的曲线图。

参考图8A和表1，实验示例1(E1)、实验示例2(E2)、实验示例3(E3)、实验示例4(E4)和实验示例5(E5)的电介质层可以均对大约450nm至大约650nm范围内的光表现出等于或大于大约0.04的最大吸光度。实验示例1至5(E1至E5)的电介质层可以均在大约450nm至大约650nm的波长范围下具有大于大约13的吸光度的积分面积。

此外，实验示例4(E4)的电介质层可以对大约450nm至大约650nm范围内的光表现出等于或大于大约0.5的最大吸光度。实验示例4(E4)的电介质层在大约450nm至大约650nm的波长处的吸光度的积分面积可以大于大约40。

图8B图示了示出当照射波长为大约405nm的光时的实验示例1至5的荧光强度的评价结果的曲线图。

参考图8B和表1，实验示例1(E1)、实验示例2(E2)、实验示例3(E3)、实验示例4(E4)和实验示例5(E5)的电介质层均可以在大约450nm至大约650nm的波长范围下具有等于或大于大约4×10

图8C图示了示出当照射波长为大约480nm的光时实验示例1至5的荧光强度的评价结果的曲线图。

参考图8C，当照射波长为大约480nm的光时，实验示例1(E1)、实验示例2(E2)、实验示例3(E3)、实验示例4(E4)和实验示例5(E5)的电介质层)均可以在大约450nm至大约650nm的波长范围下具有等于或大于大约4×10

根据实施例，再分布基板的检查可以包括吸光度检查和荧光检查。电介质层对具有第一波长范围的可见光可以具有相对高的吸光度。因此，可以防止由电介质层的底表面上的再分布图案引起的噪声的出现。吸光度检查可以评估电介质层的顶表面上的再分布图案中是否存在缺陷。

荧光检查可以评估电介质层的顶表面上的再分布图案的耐久性和可靠性。因为电介质层具有高荧光强度，所以荧光强度可以增加可靠性。荧光检查和吸光度检查可以在相同的第一波长范围内进行，并且可以简化检查工艺。

如上所述，实施例可以提供具有增强的可靠性和耐久性的半导体封装件。实施例可以提供制造半导体封装件的方法，该方法能够提高工艺良率。

本文已经公开了示例实施例，并且尽管使用了特定术语，但它们仅以一般和描述性的意义被使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如在提交本申请时本领域普通技术人员将显而易见的，除非另有特别说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元素可以单独使用，或可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元素组合使用。因此，本领域的技术人员将理解，在不背离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以对形式和细节进行各种改变。