探测基板、其制作方法及平板探测器

本公开涉及光电检测技术领域，特别涉及一种探测基板、其制作方法及平板探测器。

X射线检测技术广泛应用于工业无损检测、集装箱扫描、电路板检查、医疗、安防、工业等领域，具有广阔的应用前景。传统的X-Ray成像技术属于模拟信号成像，分辨率不高，图像质量较差。X射线数字化成像技术采用X射线平板探测器直接将X影像转换为数字图像，因其转换的数字图像清晰，分辨率高，且易于保存和传送，已得到了广泛的开发与应用。

X射线平板探测器通常包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)与光电二极管。在X射线照射下，间接转换型X射线平板探测器的闪烁体层或荧光体层将X射线光子转换为可见光，然后在光电二极管的作用下将可见光转换为电信号，最终通过TFT读取电信号并将电信号输出，该电信号经过A/D转换后形成数字信号，计算机再将数字信号进行图像处理从而形成X射线数字影像。

发明内容

本公开实施例提供了一种探测基板、其制作方法及平板探测器，具体方案如下：

本公开实施例提供了一种探测基板，包括：

柔性衬底；

闪烁体层，位于所述柔性衬底的一侧；所述闪烁体层包括中心部以及位于所述中心部至少一侧的周边部，所述中心部和所述周边部为一体结构；所述中心部在各个位置处的厚度大致相等；沿所述柔性衬底边缘指向中心的方 向上，所述周边部的厚度呈递增趋势；

补强结构，所述补强结构与所述闪烁体层位于所述柔性衬底的同一侧；所述补强结构至少覆盖部分所述周边部。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述补强结构的最大厚度小于或等于所述中心部的厚度，且大于或等于所述中心部厚度的50％。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述补强结构的最大厚度与所述中心部的厚度大致相等。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述周边部在所述柔性衬底上的正投影边缘与所述柔性衬底的边缘之间具有预设距离，所述补强结构还覆盖所述柔性衬底中未被所述周边部覆盖的至少部分区域。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述柔性衬底包括感光区和围绕所述感光区设置的周边区，所述中心部位于所述感光区，所述周边部位于所述周边区，且所述中心部的四周均设置有所述周边部。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述柔性衬底包括感光区和围绕所述感光区设置的周边区，所述中心部位于所述感光区，所述周边部至少部分位于所述感光区，且所述中心部的四周均设置有所述周边部。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述柔性衬底包括感光区和围绕所述感光区设置的周边区，所述周边区包括绑定区和非绑定区，仅所述绑定区的一侧设置有所述周边部。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述补强结构为一体结构。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，一体结构的所述补强结构的材料包括Tape胶或UV胶。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述补强结构包括：位于所述周边部远离所述中心部一侧的第一补强结构，以及位于所述第一补强结构和所述周边部之间的第二补强结构；所述第一补强结构和所述第二补强结构相互接触。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一补强结构的材料包括Tape胶，所述第二补强结构的材料包括UV胶。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括位于所述闪烁体层和所述补强结构之间的封装层，所述封装层完全覆盖所述闪烁体层，且所述封装层的周边区域与所述柔性衬底接触，且所述封装层随所述闪烁体层的形貌设置。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括位于所述柔性衬底背离所述闪烁体层一侧的支撑层。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括：位于所述柔性衬底和所述闪烁体层之间的晶体管，位于所述晶体管和所述闪烁体层之间的光电转换器件，以及位于所述光电转换器件和所述闪烁体层之间的偏置电压线；所述光电转换器件的底电极与所述晶体管电连接，所述偏置电压线与所述光电转换器件的顶电极电连接。

本公开实施例提供了一种探测基板，包括：

柔性衬底；

闪烁体层，位于所述柔性衬底的一侧，所述闪烁体层在各个位置处的厚度大致相等。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括在所述闪烁体层背离所述柔性衬底一侧设置的封装层，所述封装层完全覆盖所述闪烁体层，且所述封装层的周边区域与所述柔性衬底接触，且所述封装层随所述闪烁体层的形貌设置。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括位于所述柔性衬底背离所述闪烁体层一侧的支撑层。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括：位于所述柔性衬底和所述闪烁体层之间的晶体管，位于所述晶体管和所述闪烁体层之间的光电转换器件，以及位于所述光电转换器件和所述闪烁体层之间的偏置电压线；所述光电转换器件的底电极与所述晶体管电连接，所述偏置电压线与所述光电转换器件的顶电极电连接。

本公开实施例提供了一种探测基板，包括：

柔性衬底；

闪烁体层，位于所述柔性衬底的一侧；所述闪烁体层包括中心部以及位于所述中心部四周的周边部，所述中心部和所述周边部为一体结构；所述中心部在各个位置处的厚度大致相等；沿所述柔性衬底边缘指向中心的方向上，所述周边部的厚度呈递增趋势；

支撑层，位于所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧；其中，采用贴合设备的吸附基台在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧贴附所述支撑层时，所述闪烁体层被配置为内嵌于所述吸附基台随形设置的内凹结构中。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括在所述闪烁体层背离所述柔性衬底一侧设置的封装层，所述封装层完全覆盖所述闪烁体层，且所述封装层的周边区域与所述柔性衬底接触，且所述封装层随所述闪烁体层的形貌设置。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括：位于所述柔性衬底和所述闪烁体层之间的晶体管，位于所述晶体管和所述闪烁体层之间的光电转换器件，以及位于所述光电转换器件和所述闪烁体层之间的偏置电压线；所述光电转换器件的底电极与所述晶体管电连接，所述偏置电压线与所述光电转换器件的顶电极电连接。

相应地，本公开实施例还提供了一种平板探测器，包括本公开实施例提供的上述任一项所述的探测基板。

相应地，本公开实施例还提供了一种探测基板的制作方法，用于制作本公开实施例提供的上述任一项所述的探测基板，包括：

在柔性衬底的一侧形成闪烁体层；所述闪烁体层包括中心部以及位于所述中心部至少一侧的周边部；其中，所述中心部和所述周边部为一体结构，所述中心部在各个位置处的厚度大致相等；沿所述柔性衬底边缘指向中心的方向上，所述周边部的厚度呈递增趋势；

在所述柔性衬底的一侧形成补强结构；所述补强结构与所述闪烁体层位于所述柔性衬底的同一侧，所述补强结构至少覆盖部分所述周边部。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，所述柔性衬底包括绑定区和非绑定区；所述在柔性衬底的一侧形成闪烁体层，还包括：去除所述柔性衬底的非绑定区一侧的周边部，形成包括所述中心部和位于所述柔性衬底的绑定区一侧的周边部的所述闪烁体层。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在形成所述补强结构之后，还包括：

将所述闪烁体层的一侧置于贴合设备的吸附基台上，使所述闪烁体层的一侧与所述吸附基台完全贴合；

将支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，所述将支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧，具体为：

将所述支撑层置于贴合设备内的支撑基台上，采用滚压的方式将所述支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在形成所述闪烁体层之后，且在形成所述补强结构之前，还包括：

在所述闪烁体层背离所述柔性衬底的一侧形成封装层；其中，所述封装层完全覆盖所述闪烁体层，且所述封装层的周边区域与所述柔性衬底接触，且所述封装层随所述闪烁体层的形貌设置。

相应地，本公开实施例还提供了一种探测基板的制作方法，用于制作本公开实施例提供的上述任一项所述的探测基板，包括：

在柔性衬底的一侧形成闪烁体薄膜；所述闪烁体薄膜包括中心部以及位 于所述中心部四周的周边部；其中，所述中心部和所述周边部为一体结构，所述中心部在各个位置处的厚度大致相等；沿所述柔性衬底边缘指向中心的方向上，所述周边部的厚度呈递增趋势；

去除所有所述周边部，形成在各个位置处的厚度大致相等的所述闪烁体层。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在形成所述闪烁体层之后，还包括：

将所述闪烁体层的一侧置于贴合设备的吸附基台上，使所述闪烁体层的一侧与所述吸附基台完全贴合；

将支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，所述将支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧，具体为：

将所述支撑层置于贴合设备内的支撑基台上，采用滚压的方式将所述支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在形成所述闪烁体层之后，且在将所述闪烁体层的一侧置于贴合设备的吸附基台上之前，还包括：

在所述闪烁体层背离所述柔性衬底的一侧形成封装层；其中，所述封装层完全覆盖所述闪烁体层，且所述封装层的周边区域与所述柔性衬底接触，且所述封装层随所述闪烁体层的形貌设置。

相应地，本公开实施例还提供了一种探测基板的制作方法，用于制作本公开实施例提供的上述任一项所述的探测基板，包括：

在柔性衬底的一侧形成闪烁体层；所述闪烁体层包括中心部以及位于所述中心部四周的周边部；其中，所述中心部和所述周边部为一体结构，所述中心部在各个位置处的厚度大致相等；沿所述柔性衬底边缘指向中心的方向上，所述周边部的厚度呈递增趋势；

将所述闪烁体层背离所述柔性衬底一侧的表面内嵌于所述吸附基台随形 设置的内凹结构中；

将支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，所述将支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧，具体为：

将所述支撑层置于贴合设备内的支撑基台上，采用滚压的方式将所述支撑层贴合在所述柔性衬底背离所述闪烁体层的一侧。

在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在形成所述闪烁体层之后，且在将所述闪烁体层背离所述柔性衬底一侧的表面内嵌于所述吸附基台随形设置的内凹结构中艺之前，还包括：

在所述闪烁体层背离所述柔性衬底的一侧形成封装层；其中，所述封装层完全覆盖所述闪烁体层中未与所述柔性衬底接触的表面，且所述封装层的周边区域与所述柔性衬底接触，且所述封装层随所述闪烁体层的形貌设置。

图1为相关技术中提供的一种探测基板的理想结构示意图；

图2为相关技术中提供的一种探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图3为相关技术中提供的一种探测基板的实际结构示意图；

图4-图10、图11A为本公开实施例提供的一种探测基板的几种结构示意图；

图11B为图11A所示的探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图12-图17为本公开实施例提供的一种探测基板的又几种结构示意图；

图18为本公开实施例提供的一种探测基板的具体结构示意图；

图19为本公开实施例提供的一种探测基板的制作方法流程示意图；

图20为图4所示的探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图21为图5所示的探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图22为图6所示的探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图23为图7所示的探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图24为图8所示的探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图25为图9所示的探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图26为本公开实施例提供的又一种探测基板的制作方法流程示意图；

图27为图10所示的探测基板中支撑层贴合过程的示意图；

图28为本公开实施例提供的又一种探测基板的制作方法流程示意图；

图29为本公开实施例提供的一种探测基板的平面示意图；

图30为图29中沿CC’方向的截面示意图；

图31为图29中沿EE’方向的截面示意图；

图32为本公开实施例提供的一种平板探测器平面示意图。

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

随着人们对移动式平板探测器的需求的提高(例如更轻薄、质轻、省电、耐用、不易碎、方便携带等)，使得柔性平板探测器已经被视为取代现有玻璃基板平板探测器的下一代装置。相关技术中，如图1所示，柔性平板探测器通常主要包括层叠设置的支撑层1、柔性衬底2、薄膜晶体管(未示出)、光电二极管(未示出)、闪烁体层3和封装层4。柔性平板探测器的制作过程大致为：在一刚性衬底上形成层叠设置的柔性衬底2、薄膜晶体管(未示出)、光电二极管(未示出)、闪烁体层3和封装层4，然后将刚性衬底剥离，接着在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧采用滚压的方式将支撑层1贴合在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧。其中，闪烁体层3通常采用蒸镀的方式制作，该方式制作得的闪烁体层的特性优于贴附式，具体优势表现为荧光路程更短，散射更小。针对平面结构的探测基板而言，闪烁体层3的理想结构是仅在平板探测器的感光区(AA区)形成厚度一致的闪烁体层3，但由于制作工艺影响，闪烁体层3在AA区的外侧边缘存在Slope(斜坡)区域(如图1所示的闪烁体层3的斜坡部分)，因此闪烁体层3在封装时，存在边缘Dummy区域等，使得闪烁体层3在AA区与边缘区域存在高度差。图1所示的结构是理想的平面结构的平板探测器，但是在支撑层1贴合工艺时，如图2所示，图2为将刚性衬底剥离之后的结构置于贴合设备中采用滚压的方式将支撑层1贴合在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧的示意图，封装层4被贴合设备内的吸附基台5吸附，支撑层1置于支撑基台6上，可以看出，由于闪烁体层3在AA区与边缘区域存在高度差，在滚棒7(roller)滚压过程中，柔性衬底2和支撑层1的边缘均发生翘曲，并且滚棒7将边缘区域的闪烁体层3顶起至吸附基台5一侧，造成边缘区域的闪烁体层3形变，如图3所示，图3为实际形成的柔性平板探测器的结构，柔性衬底2和支撑层1在边缘发生翘曲导致不平整，且闪烁体层3由于形变，造成闪烁体层3损伤，导致在亮态画面下出现亮态缺陷(Defect)问题。

有鉴于此，本公开实施例提供了一种探测基板，如图4-图9所示，包括：

柔性衬底2；

闪烁体层3，位于柔性衬底2的一侧；闪烁体层3包括中心部31以及位于中心部31至少一侧的周边部32，中心部31和周边部32为一体结构；中心部31在各个位置处的厚度H1大致相等；沿柔性衬底2边缘指向中心的方向上(箭头L所示)，周边部32的厚度呈递增趋势；

补强结构8，补强结构8与闪烁体层3位于柔性衬底2的同一侧；补强结构8至少覆盖部分周边部32，且补强结构8的最大厚度H2与中心部32的厚度H1大致相等。

本公开实施例提供的上述探测基板，由于在柔性衬底2上设置与闪烁体层3位于同一侧的补强结构8，由于补强结构8的最大厚度H2与中心部31的厚度H1大致相等，这样补强结构8可以弥补闪烁体层3在中心区(AA区)与边缘区域存在的高度差，因此后续在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧贴合支撑层1(后续介绍)时，在滚棒7(roller)滚压的过程中，闪烁体层3各位置处受力大致均匀，因此闪烁体层3的边缘不会被滚棒7顶起，闪烁体层3不会发生形变，从而不会导致在亮态画面下出现亮态缺陷(Defect)问题，可以提高探测基板的性能。

需要说明的是，本公开实施例以探测基板为平面结构为例进行说明，当然，在具体实施时，本公开实施例提供的探测基板也可以为曲面结构。

在具体实施时，本公开实施例提供的探测基板为平面结构时，闪烁体层3的周边部32即为斜坡部(Slope区域)，中心部31即为厚度大概一致的平整部。

可选地，柔性衬底的材料可以包括但不限于聚酰亚胺、聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亚胺或聚醚砜等具有优良的耐热性和耐久性的塑料基板。

具体地，闪烁体层的材料为能够将X光转换为可见光的材料，其主要由闪烁体构成，闪烁体自身是一类吸收高能粒子或射线后能够发光的材料，通常在应用中将其加工成晶体，称为闪烁晶体；本公开实施例对于闪烁体层的闪烁晶体的具体材料不做限定，其可以为碘化铯(CsI)、钨酸镉、氟化钡、硫 氧化钆(GOS)等。

优选地，如图4-图9所示，补强结构8完全覆盖周边部32，这样在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧贴合支撑层1(后续介绍)时，在滚棒7(roller)滚压的过程中，闪烁体层3各位置处均受力均匀。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图4-图9所示，补强结构8的最大厚度H2小于或等于中心部31的厚度H1，且大于或等于中心部31厚度H1的50％。这样可以保证补强结构8起到弥补闪烁体层3在AA区与边缘区域存在的高度差的作用。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图4-图9所示，补强结构8的最大厚度H2与中心部31的厚度大致相等。这样补强结构8几乎可以完全弥补闪烁体层3在AA区与边缘区域存在的高度差，从而可以进一步避免闪烁体层3发生形变的问题。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图4-图9所示，周边部在柔性衬底2上的正投影边缘与柔性衬底2的边缘之间具有预设距离D，补强结构8还覆盖柔性衬底2中未被周边部32覆盖的至少部分区域。优选地，补强结构8覆盖柔性衬底2中未被周边部32覆盖的全部区域。这样本公开实施例在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧贴合支撑层1时，在滚棒7(roller)滚压的过程中，柔性衬底2各位置处受力均匀，柔性衬底2和支撑层1的边缘均不会发生翘曲，并且可以进一步保证闪烁体层3的边缘不会被滚棒7顶起，使得支撑层1和柔性衬底2相互接触的表面位于平整的平面内，保证闪烁体层3不发生形变。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图4-图6所示，柔性衬底2包括感光区AA和围绕感光区AA设置的周边区BB，中心部31位于感光区AA，周边部32位于周边区BB，且中心部31的四周均设置有周边部32。这样在周边部32上设置围绕中心部31的补强结构8，弥补中心部31与四周周边部32之间的段差，这样在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧贴合支撑层1时，在滚棒7(roller)滚压的过程中，柔性衬底2各位置处 受力均匀，避免柔性衬底2和支撑层1在边缘区域发生翘曲以及闪烁体层3发生变形的问题。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图7-图9所示，柔性衬底2包括感光区AA和围绕感光区AA设置的周边区，周边区包括绑定区B1和非绑定区，闪烁体层3仅在绑定区B1的一侧设置有周边部32。具体地，在采用蒸镀法形成闪烁体层3时，由于制作工艺影响，最初形成的闪烁体层3为图4-图6所示的在中心部31四周均形成有周边部32的结构，本公开实施例图7-图9所示的闪烁体层3仅在绑定区B1的一侧设置有周边部32，即本公开实施例可以对最初形成的闪烁体层3的结构进行调整，例如将非绑定区侧的周边部32去除，仅保留位于绑定区B1一侧的周边部32。由于绑定区B1一般设置有绑定Pad，用于将感光区AA的信号线(例如扫描信号线SL和读取信号线RL)与外部芯片电连接，为了防止在去除周边部32时损坏绑定区B1的信号线和外部芯片，本公开实施例可以仅去除非绑定区的周边部32。这样保留有周边部32的区域由于设置补强结构8，可以解决闪烁体层3的中心部31和周边部32之间的段差；去除周边部32的区域不存在段差区域，因此可以避免柔性衬底2和支撑层1翘曲以及闪烁体层3形变的问题。

具体地，图4-图9均是以中心部31位于感光区AA，周边部32位于周边区BB为例，当然，在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图12-图17所示，中心部31位于感光区AA，周边部32可以至少部分位于感光区AA；例如，周边部32的一部分位于感光区AA，另一部分位于周边区BB；又例如，周边部32完全位于感光区AA；但是由于制作工艺的影响，很难做到周边部32完全位于感光区AA，或周边部32完全位于周边区BB(图4-图9)。本公开实施例的图12-图17是以周边部32的一部分位于感光区AA，另一部分位于周边区BB为例。但是无论周边部32的位置如何，只要具有厚度不一致的周边部，均可以采用本公开实施例提供的补强结构8进行弥补高度差。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图4、图5、 图7、图8、图12、图13、图15和图16所示，补强结构8可以为一体结构。具体地，如图4、图5、图12和图13所示，补强结构8为围绕中心部31四周设置的封闭的一体结构；如图7、图8、图15和图16所示，补强结构8为仅设置在绑定区B1的非封闭的一体结构。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图4、图5、图7、图8、图12、图13、图15和图16所示，一体结构的补强结构8的材料可以包括但不限于Tape胶或UV胶。具体地，如图4、图7、图12和图15所示，补强结构8的材料为Tape胶，Tape胶是一种比较厚的胶带，目前Tape胶大都通过手动贴附，需要反复校正提高对位效果以及使得表面齐平；如图5、图8、图13和图16所示，补强结构8的材料为UV胶，UV胶在涂覆时为液体，具有一定的流动性、润湿角，因此采用UV胶形成的补强结构在固化后，表面不会完全平整，UV胶的好处在于外形可塑，在照UV光固化前，可以对UV胶的位置、多少进行微调，使得形成的补强结构8背离柔性衬底2的表面与中心部31背离柔性衬底2的表面大致齐平。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图6、图9、图14和图17所示，补强结构8可以包括：位于周边部32远离中心部31一侧的第一补强结构81，以及位于第一补强结构81和周边部32之间的第二补强结构82；第一补强结构81和第二补强结构82相互接触。具体地，如图6和图14所示，第一补强结构81和第二补强结构82均为围绕中心部31四周设置的封闭的一体结构；如图9和图17所示，第一补强结构81和第二补强结构82均为仅设置在绑定区B1的非封闭的一体结构。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图6、图9、图14和图17所示，第一补强结构81的材料可以包括Tape胶，第二补强结构82的材料可以包括UV胶。这样可以先在柔性衬底2的边缘采用Tape胶形成第一补强结构81，第一补强结构81和中心部32之间形成沟槽，然后采用流动性较好的UV胶填充在沟槽出，固化UV胶即可形成第二补强结构82。

因此，本公开实施例提供的图4-图9、图12-图17所示的探测基板的结 构，通过在闪烁体层3的周边部32上设置补强结构8，可以弥补闪烁体层3的中心部31与周边部32的高度差，从而在支撑层1贴附过程中，可以使得柔性衬底2各位置处受力均匀，从而避免柔性衬底2和支撑层1在边缘发生翘曲以及避免闪烁体层3发生形变的问题。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图4-图11A、图12-图17所示，还包括位于闪烁体层3和补强结构8之间的封装层4，封装层4完全覆盖闪烁体层3，且封装层4的周边区域与柔性衬底2接触，且封装层4随闪烁体层3的形貌设置。具体地，封装层4的材料可以为铝，但不限于此；封装层4可以起到一定的水氧阻隔作用，并且封装层4避免了闪烁体层因碰撞等发生的损害等。

需要说明的是，如图4-图9、图12-图17所示，补强结构8的最大厚度H2要小于或等于中心部31的厚度H1和封装层4的厚度H3之和；优选地，H1＝H2+H3。

具体地，如图7-图9、图15-图17所示，去除周边部32的一侧实现封装层4侧向垂直封装，就可以免去涂覆UV胶或贴附Tape胶的工艺。

在具体实施时，如图4-图9、图12-图17所示，柔性衬底2的周边区具有绑定区，绑定区一般设置有绑定Pad，绑定pad与FPC(柔性电路板)绑定形成Data COF 100(即将柔性衬底2上的pad与FPC上的pad绑定，用于与感光区AA的读取信号线RL连接)和Gate COF 200(即将柔性衬底2上的pad与FPC上的pad绑定，用于与感光区AA的扫描信号线SL连接)，图4-图9、图12-图17仅示意Data COF 100。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图18所示，还包括：位于柔性衬底2和闪烁体层3之间的晶体管10，位于晶体管10和闪烁体层3之间的光电转换器件11，以及位于光电转换器件11和闪烁体层3之间的偏置电压线12；光电转换器件11的底电极111与晶体管10电连接，偏置电压线12与光电转换器件11的顶电极112电连接。

具体地，如图18所示，该光电转换器件11可以包括相对设置的底电极 111和顶电极112，以及位于底电极111和顶电极112之间的光电转换层113，光电转换层113将光信号转化为电信号，光电转换器件11的底电极111和顶电极112之间存在正对面积，两者之间形成存储电容，经过光电转换层113转换后的电信号存储在上述存储电容中。

具体地，光电转换层可以为PN结构或PIN结构。具体的，PIN结构包括N型掺杂的N型半导体层、不掺杂的本征半导体层I和P型掺杂的P型半导体层。本征半导体层I的厚度可以大于P型半导体层和N型半导体层的厚度。

具体的，如图18所示，本公开实施例示意的光电转换层113包括沿柔性衬底2指向闪烁体层3的方向依次层叠设置的N型半导体层1131、本征半导体层1132和P型半导体层1133。

具体的，如图18所示，晶体管10可以包括位于柔性衬底2上的栅极101、栅绝缘层102、有源层103、源极104和漏极105，光电转换器件11的底电极111与源极104电连接。

具体的，如图18所示，探测基板还包括：位于光电转换器件11的底电极111与源极104之间的第一钝化层13，位于偏置电压线12和顶电极112之间的缓冲层14，位于缓冲层14和偏置电压线12之间的平坦层15，位于偏置电压线12和闪烁体层3之间的第二钝化层16。当然，还可以包括其它膜层，例如遮挡层等。

可选地，晶体管10可以采用非晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、LTPS薄膜晶体管等。

需要说明的是，图18是以在图4所示的结构的基础上的具体结构，当然图5-图9、图12-图17所示的结构均具有图18所示的晶体管10、光电转换器件11和偏置电压线12等膜层。

本公开实施例提供的图4-图9、图12-图17所示的探测基板的工作过程为：闪烁体层在X射线的高能粒子的撞击下，将高能粒子的动能转变为光能而发出闪光(可见光信号)，通过光电转换器件能够将该光信号转化为电信号，并通过晶体管读出，以通过后续对信号的处理(包括放大、转换等)得到X射线 影像。

综上所述，本公开实施例提供的图4-图9、图12-图17所示的探测基板可以解决柔性衬底和支撑层发生翘曲的问题以及解决闪烁体层发生形变的问题，从而可以解决在亮态画面下不会出现亮态Defect问题，可以提高探测基板的性能。

本公开实施例还提供了一种探测基板，如图10所示，包括：

柔性衬底2；

闪烁体层3，位于柔性衬底2的一侧，闪烁体层3在各个位置处的厚度大致相等。

本公开实施例提供的上述探测基板，闪烁体层3一般采用蒸镀法形成，在采用蒸镀法形成闪烁体层3时，由于制作工艺影响，最初形成的闪烁体层3为图4-图6所示的在中心部31四周均形成有周边部32的结构，本公开实施例图10所示的闪烁体层3在各个位置处的厚度大致相等，即本公开实施例可以对最初形成的闪烁体层3的结构进行调整，例如将闪烁体层3四周边缘的周边部32均去除，仅保留位于感光区AA的中心部(即闪烁体层3在各个位置处的厚度大致相等)。由于柔性衬底2的周边区具有绑定区，绑定区一般设置有Data COF 100和Gate COF 200，用于将感光区AA的信号线(例如扫描信号线SL和读取信号线RL)与外部芯片电连接，为了防止在去除周边部32时损坏绑定区B1的信号线和外部芯片，本公开实施例可以在绑定之后，采用保护层(例如氮化硅绝缘层等)将信号线和外部芯片保护起来，再去除闪烁体层3四周边缘的周边部32，之后保护层可以去除，也可以保留下来。这样闪烁体层3四周边缘由于不具有周边部32，因此闪烁体层3不存在段差区域，从而可以避免闪烁体层3形变的问题，从而不会导致在亮态画面下出现亮态缺陷(Defect)问题，可以提高探测基板的性能。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图10所示，还包括在闪烁体层3背离柔性衬底2一侧设置的封装层4，封装层4完全覆盖闪烁体层3，且封装层4的周边区域与柔性衬底2接触，且封装层4随闪烁体 层3的形貌设置。具体地，封装层4的材料可以为铝，但不限于此；封装层4可以起到一定的水氧阻隔作用，并且封装层4避免了闪烁体层因碰撞等发生的损害等。

具体地，如图10所示，所有的周边部32均去除，因此可以在闪烁体层3的四周实现封装层4侧向垂直封装，使得闪烁体层3整体膜层的厚度均匀，完全免去涂覆UV胶或贴附Tape胶的工艺。

在具体实施时，本公开实施例提供的图10所示的探测基板的柔性衬底2和闪烁体层3之间还包括如图18所示的晶体管10、光电转换器件11和偏置电压线12等膜层，具体可以参见图18中相关结构的描述，在此不做赘述。

本公开实施例还提供了一种探测基板，如图11A所示，包括：

柔性衬底2；

闪烁体层3，位于柔性衬底2的一侧，闪烁体层3包括中心部31以及位于中心部31四周的周边部32，中心部31和周边部32为一体结构；中心部31在各个位置处的厚度H1大致相等；沿柔性衬底2边缘指向中心的方向上(箭头L所示)，周边部32的厚度呈递增趋势；

支撑层1，位于柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧；其中，如图11B所示，采用贴合设备的吸附基台5在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧贴附支撑层1时，闪烁体层3被配置为内嵌于吸附基台5随形设置的内凹结构中。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图11A所示，图11A所示的探测基板不设置如图4-图9、图12-图17所示的补强结构，也不像图10那样去除所有的周边部，图11A所示的探测基板在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧贴合支撑层1时，如图11B所示，可以采用贴合设备的吸附基台5在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧贴附支撑层1时，闪烁体层3被配置为内嵌于吸附基台5随形设置的内凹结构中。具体地，如图11B所示，采用具有内凹结构的吸附基台5，闪烁体层3背离柔性衬底2的一侧可以容纳于吸附基台5的内凹结构中，即吸附基台5具有的内凹结构与闪烁体层3背离柔性衬底2的一侧相互吻合，支撑层1位于支撑基台6上，这样在贴合支 撑层1时，柔性衬底2背离支撑层1的一侧各位置处膜层厚度一致，因此柔性衬底2各位置处受力均匀，从而可以避免柔性衬底2和支撑层1翘曲以及闪烁体层3形变的问题。因此，采用具有与闪烁体层3背离柔性衬底2一侧相互吻合的内凹结构的吸附基台5，可以得到柔性衬底2、支撑层1和闪烁体层3均未发生形变的探测基板。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图11A所示，还包括在闪烁体层3背离柔性衬底2一侧设置的封装层4，封装层4完全覆盖闪烁体层3，且封装层4的周边区域与柔性衬底2接触，且封装层4随闪烁体层3的形貌设置。具体地，封装层4的材料可以为铝，但不限于此；封装层4可以起到一定的水氧阻隔作用，并且封装层4避免了闪烁体层因碰撞等发生的损害等。

在具体实施时，本公开实施例提供的图11A所示的探测基板的柔性衬底2和闪烁体层3之间还包括如图18所示的晶体管10、光电转换器件11和偏置电压线12等膜层，具体可以参见图18中相关结构的描述，在此不做赘述。

综上所述，本公开实施例提供的图11A所示的探测基板可以解决柔性衬底2和支撑层1发生翘曲的问题以及解决闪烁体层3发生形变的问题，从而可以解决在亮态画面下不会出现亮态Defect问题，可以提高探测基板的性能。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种探测基板的制作方法，用于制作本公开实施例提供的图4-图9和图12-图17所示的探测基板，如图19所示，包括：

S1901、在柔性衬底的一侧形成闪烁体层；闪烁体层包括中心部以及位于中心部至少一侧的周边部；其中，中心部和周边部为一体结构，中心部在各个位置处的厚度大致相等；沿柔性衬底边缘指向中心的方向上，周边部的厚度呈递增趋势；

S1902、在柔性衬底的一侧形成补强结构；补强结构与闪烁体层位于柔性衬底的同一侧，补强结构至少覆盖部分周边部。

本公开实施例提供的上述探测基板的制作方法，本公开实施例提供的上 述探测基板，由于在柔性衬底上设置与闪烁体层位于同一侧的补强结构，由于补强结构的最大厚度与中心部的厚度大致相等，这样补强结构可以弥补闪烁体层在中心区与边缘区域存在的高度差，因此后续在柔性衬底背离闪烁体层的一侧贴合支撑层时，在滚棒滚压的过程中，闪烁体层各位置处受力大致均匀，因此闪烁体层的边缘不会被滚棒顶起，闪烁体层不会发生形变，从而不会导致在亮态画面下出现亮态缺陷(Defect)问题，可以提高探测基板的性能。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在柔性衬底的一侧形成闪烁体层，具体可以包括：采用蒸镀的方式在柔性衬底上形成包括中心部以及位于中心部至少一侧的周边部的闪烁体层。

具体地，如图4-图6、图12-图14所示，采用蒸镀的方式在柔性衬底2上形成包括中心部31以及位于中心部31四周的周边部32的闪烁体层3。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，柔性衬底包括绑定区和非绑定区；在柔性衬底的一侧形成闪烁体层，还可以包括：去除柔性衬底的非绑定区一侧的周边部，形成包括中心部和位于柔性衬底的绑定区一侧的周边部的闪烁体层。

具体地，首先采用蒸镀的方式在柔性衬底2上形成包括中心部31以及位于中心部31四周的周边部32的闪烁体层3，然后去除柔性衬底2的非绑定区一侧的周边部32，形成包括中心部31和位于柔性衬底2的绑定区B1一侧的周边部32的闪烁体层3，如图7-图9、图15-图17所示。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，如图4-图9、图12-图17所示，在形成补强结构8之后，还包括：

将闪烁体层3的一侧置于贴合设备的吸附基台5上，使闪烁体层3的一侧与吸附基台5完全贴合；

将支撑层1贴合在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，如图4-图9、图12-图17所示，将支撑层1贴合在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧，具体可 以为：

将支撑层置于贴合设备内的支撑基台上，采用滚压的方式将支撑层贴合在柔性衬底背离闪烁体层的一侧。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，如图4-图9、图12-图17所示，在形成闪烁体层之后，且在形成补强结构之前，还包括：

在闪烁体层背离柔性衬底的一侧形成封装层；其中，封装层完全覆盖闪烁体层，且封装层的周边区域与柔性衬底接触，且封装层随闪烁体层的形貌设置。

具体地，如图4-图9、图12-图17所示，在形成闪烁体层3之后，且在形成补强结构8之前，在闪烁体层3背离柔性衬底2的一侧形成封装层4；其中，封装层4完全接触覆盖闪烁体层3中未与柔性衬底2接触的表面，且封装层4的周边区域与柔性衬底2接触，且封装层4随闪烁体层3的形貌设置。

下面对本公开实施例提供的图4-图9所示的探测基板制作方法进行详细说明：

图4所示的探测基板的制作方法包括：在一刚性衬底(例如玻璃衬底)上依次形成层叠设置的柔性衬底2、晶体管10、第一钝化层13、光电转换器件11、缓冲层14、平坦层15、偏置电压线12、第二钝化层16；接着在第二钝化层16上采用蒸镀的方式形成包括中心部31以及位于中心部31四周的周边部32的闪烁体层3；接着在闪烁体层3上形成封装层4，封装层4与柔性衬底2接触；接着在封装层4上采用Tape胶形成补强结构8；接着采用激光剥离的方式将刚性衬底剥离；如图20所示，接着将剥离刚性衬底的结构置于贴合设备的吸附基台5上，吸附基台5吸附封装层4背离柔性衬底2的一侧，贴合设备还包括支撑基台6，将支撑层1置于支撑基台6上，采用滚棒7(roller)将支撑层1贴附于柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧。由于补强结构8可以弥补闪烁体层3的中心部31和周边部32之间的段差，因此在滚棒7(roller)滚压过程中，柔性衬底2和支撑层1不会发生翘曲，均为平整的结构，闪烁体层3也不会被滚棒7顶起，即闪烁体层3不会发生形变。

需要说明的是，图4仅示意支撑层1、柔性衬底2、闪烁体层3、封装层4和补强结构8。

图5所示的探测基板的制作方法与图4所示的探测基板的制作方法的区别在于采用UV胶制作补强结构8，其余膜层的制作方法相同，图5所示的支撑层1的贴附过程示意图如图21所示。

图6所示的探测基板的制作方法与图4所示的探测基板的制作方法的区别在于采用Tape胶先制作第一补强结构81，再采用UV胶制作第二补强结构82，其余膜层的制作方法相同，图6所示的支撑层1的贴附过程示意图如图22所示。

图7所示的探测基板的制作方法与图4所示的探测基板的制作方法的区别在于形成闪烁体层3的结构不同，图7在形成闪烁体层3时，需要去除非绑定区的周边部32，其余膜层的制作方法相同，图7所示的支撑层1的贴附过程示意图如图23所示。

图8所示的探测基板的制作方法与图4所示的探测基板的制作方法的区别在于形成闪烁体层3的结构不同以及补强结构8的材料不同，图8在形成闪烁体层3时，需要去除非绑定区的周边部32，以及采用UV胶制作补强结构8，其余膜层的制作方法相同，图8所示的支撑层1的贴附过程示意图如图24所示。

图9所示的探测基板的制作方法与图4所示的探测基板的制作方法的区别在于形成闪烁体层3的结构不同以及补强结构8的材料不同，图9在形成闪烁体层3时，需要去除非绑定区的周边部32，以及采用Tape胶先制作第一补强结构81，再采用UV胶制作第二补强结构82，其余膜层的制作方法相同，图9所示的支撑层1的贴附过程示意图如图25所示。

需要说明的是，图12-图17所示的探测基板制作方法与图4-图9所示的探测基板制作方法相同，在此不做赘述。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种探测基板的制作方法，用于制作本公开实施例提供的图10所示的探测基板，如图26所示，包括：

S2601、在柔性衬底的一侧形成闪烁体薄膜；闪烁体薄膜包括中心部以及位于中心部四周的周边部；其中，中心部和周边部为一体结构，中心部在各个位置处的厚度大致相等；沿柔性衬底边缘指向中心的方向上，周边部的厚度呈递增趋势；

S2602、去除所有周边部，形成在各个位置处的厚度大致相等的闪烁体层。

具体地，首先采用蒸镀的方式在柔性衬底2上形成包括中心部31以及位于中心部31四周的周边部32的闪烁体层3，然后去除所有周边部32，形成在各个位置处的厚度H1大致相等的闪烁体层3，如图10所示。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，如图10所示，在形成闪烁体层3之后，还包括：

将闪烁体层3的一侧置于贴合设备的吸附基台5上，使闪烁体层3的一侧与吸附基台5完全贴合；

将支撑层1贴合在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，如图10所示，将支撑层1贴合在柔性衬底2背离闪烁体层3的一侧，具体可以为：

将支撑层置于贴合设备内的支撑基台上，采用滚压的方式将支撑层贴合在柔性衬底背离闪烁体层的一侧。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，如图10所示，在形成闪烁体层之后，且在将闪烁体层的一侧置于贴合设备的吸附基台上之前，还包括：

在闪烁体层背离柔性衬底的一侧形成封装层；其中，封装层完全覆盖闪烁体层，且封装层的周边区域与柔性衬底接触，且封装层随闪烁体层的形貌设置。

具体地，如图10所示，在形成闪烁体层3之后，且在将闪烁体层3的一侧置于贴合设备的吸附基台5上之前，还包括：在闪烁体层3背离柔性衬底2的一侧形成封装层4；其中，封装层4完全覆盖闪烁体层3，且封装层4的周边区域与柔性衬底2接触，且封装层4随闪烁体层3的形貌设置。

下面对本公开实施例提供的图10所示的探测基板制作方法进行详细说明：

图10所示的探测基板的制作方法与图4所示的探测基板的制作方法的区别在于形成闪烁体层3的结构不同以及图10无需形成补强结构8，图10在形成闪烁体层3时，需要去除所有的周边部，其余膜层的制作方法相同，图10所示的支撑层1的贴附过程示意图如图27所示。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种探测基板的制作方法，用于制作本公开实施例提供的图11A所示的探测基板，如图28所示，包括：

S2801、在柔性衬底的一侧形成闪烁体层；闪烁体层包括中心部以及位于中心部四周的周边部；其中，中心部和周边部为一体结构，中心部在各个位置处的厚度大致相等；沿柔性衬底边缘指向中心的方向上，周边部的厚度呈递增趋势；

S2802、将闪烁体层背离所柔性衬底一侧的表面内嵌于吸附基台随形设置的内凹结构中；

S2803、将支撑层贴合在柔性衬底背离闪烁体层的一侧。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，将支撑层贴合在柔性衬底背离闪烁体层的一侧，具体为：

将支撑层置于贴合设备内的支撑基台上，采用滚压的方式将支撑层贴合在柔性衬底背离闪烁体层的一侧。

在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在形成闪烁体层之后，且在将闪烁体层背离柔性衬底一侧的表面内嵌于吸附基台随形设置的内凹结构中艺之前，还包括：

在闪烁体层背离柔性衬底的一侧形成封装层；其中，封装层完全覆盖闪烁体层，且封装层的周边区域与柔性衬底接触，且封装层随闪烁体层的形貌设置。

具体地，如图11A所示，在形成闪烁体层3之后，且在将闪烁体层3背离柔性衬底2一侧的表面内嵌于吸附基台5随形设置的内凹结构中艺之前，还包括：在闪烁体层3背离柔性衬底2的一侧形成封装层4；其中，封装层4 完全覆盖闪烁体层3，且封装层4的周边区域与柔性衬底2接触，且封装层4随闪烁体层3的形貌设置。

下面对本公开实施例提供的图11A所示的探测基板制作方法进行详细说明：

图11A所示的探测基板的制作方法与图4所示的探测基板的制作方法的区别在于无需制作补强结构8，而是采用具有内凹结构的吸附基台5，内凹结构与封装层4一侧相互吻合，其余膜层的制作方法相同，图11A所示的支撑层1的贴附过程示意图如图11B所示。

综上所述，本公开实施例提供的探测基板的制作方法可以解决柔性衬底和支撑层发生翘曲的问题以及解决闪烁体层发生形变的问题，从而可以解决在亮态画面下不会出现亮态Defect问题，可以提高探测基板的性能。

如图29所示，图29为本公开实施例提供的图18所示的平板探测器的平面示意图，包括感光区AA和围绕感光区AA设置的周边区BB，中心部31位于感光区AA，周边部32一部分位于周边区BB，另一部分位于周边区BB，且中心部31的四周均设置有周边部32；周边区BB还设置Data COF 100(即将柔性衬底2上的pad与FPC上的pad绑定，用于与感光区AA的读取信号线RL连接)、Gate COF 200(即将柔性衬底2上的pad与FPC上的pad绑定，用于与感光区AA的扫描信号线SL连接)；补强结构8是在绑定之后设置的结构，补强结构8的材质为Tape胶，补强结构8在柔性衬底2上的正投影覆盖周边部32在柔性衬底2上的正投影以及覆盖周边部32外侧的柔性衬底2。

如图30和图31所示，图30为图29中沿CC’方向的截面示意图，图31为图29中沿EE’方向的截面示意图，本公开实施例所示的探测基板的尺寸(柔性衬底2的尺寸)以365mm×443mm为例，如图28所示，Data COF 100的宽度可以为1mm～4mm，Data COF 100与柔性衬底2边缘之间的距离w1可以小于0.8mm，Data COF 100与封装层4之间的距离w2可以为1mm～3mm，周边部32的边缘与封装层4的边缘之间的距离w3可以为1mm～3mm；在DataCOF 100的相对侧的周边部32的边缘与封装层4的边缘之间的距离w4可以为1mm～5mm，在Data COF 100的相对侧的封装层4的边缘与柔性衬底2的边缘之间的距离w5可以为1mm～3mm。

如图31所示，Gate COF 200的尺寸可以为1.5mm～2mm，Gate COF 200与柔性衬底2边缘之间的距离w6可以小于0.8mm，Gate COF 200与封装层4之间的距离w7可以为1mm～3mm，周边部32的边缘与封装层4的边缘之间的距离w8可以为1mm～3mm；在Gate COF 200的相对侧的周边部32的边缘与封装层4的边缘之间的距离w9可以为1mm～5mm，在Gate COF 200的相对侧的封装层4的边缘与柔性衬底2的边缘之间的距离w10可以为1mm～3mm。

需要说明的是，图29-图31的相关参数仅是本公开实施例提供的一种探测基板的尺寸进行设置的，当然各参数可以根据探测基板的实际尺寸进行设置。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种平板探测器，包括本公开实施例提供的上述探测基板。由于该平板探测器解决问题的原理与前述一种探测基板相似，因此该平板探测器的实施可以参见前述探测基板的实施，重复之处不再赘述。

具体地，如图32所示，图32为平板探测器的平面示意图，扫描信号线SL和读取信号线RL交叉限定出多个探测像素单元P，每一探测像素单元包括晶体管和光电转换器件，同一列晶体管的漏极与同一条读取信号线RL电连接，同一行晶体管的栅极与同一条扫描信号线SL电连接，偏置电压线可以与读取信号线RL延伸方向相同。该平板探测器还包括FPGA(Field-Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)芯片；扫描信号线SL通过COF(Chip On Flex、Chip On Film、常称覆晶薄膜)与FPGA芯片连接；其中，该COF包括栅极驱动芯片(Gate Driver IC)。读取信号线RL通过信号读取芯片(Readout IC)与FPGA芯片连接。

本公开实施例提供了一种探测基板、其制作方法及平板探测器，由于支撑层和柔性衬底相互接触的表面位于平整的平面内，因此支撑层和柔性衬底 在边缘未发生翘曲，从而闪烁体层在支撑层贴合的过程中不会被顶起，即闪烁体层的边缘区域不会发生形变。因此，本公开实施例提供的探测基板不会出现支撑层和柔性衬底在边缘未发生翘曲以及闪烁体层在边缘区域形变的问题，从而在亮态画面下不会出现亮态Defect问题，可以提高探测基板的性能。

尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。