激光装置及电子器件的制造方法

技术领域

本公开涉及激光装置及电子器件的制造方法。

背景技术

近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化及高集成化，要求提高分辨率。因此，从曝光用光源放出的光的短波长化得以进展。例如，使用了输出波长约248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长约193nm的激光的ArF准分子激光装置，来作为曝光用的气体激光装置。

KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，为350～400pm。因此，当利用使KrF和ArF激光这样的紫外线透过的材料构成投影透镜，有时会产生色差。其结果是，分辨率可能会下降。于是，需要对从气体激光装置输出的激光的谱线宽度进行窄带化，直到达到能够忽略色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了对谱线宽度进行窄带化，有时会设置包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrow Module：LNM)。以下，将对谱线宽度进行窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2016/0299441号

发明内容

本公开的一个观点的激光装置具备：振荡器，其输出突发状的脉冲激光；波长监视器，其对从振荡器输出的脉冲激光的中心波长进行计测；以及处理器，振荡器具备：腔室，其具有对内部的激光气体施加电压的放电电极；光学元件，其配置在脉冲激光的光路上；旋转台，其供光学元件载置；驱动机构，其驱动旋转台来使光学元件旋转；以及光栅，其供透过光学元件或被光学元件反射的脉冲激光入射，输出耦合镜，其射出脉冲激光，处理器将脉冲激光的中心波长的目标值周期性地变更为第1目标值和与第1目标值不同的第2目标值，基于目标值和由波长监视器计测出的中心波长的计测值，向驱动机构输出驱动指令来变更脉冲激光向光栅入射的入射角度，由此控制中心波长，处理器基于中心波长的计测值与目标值之间的偏差，对输出后续周期的目标值相同的脉冲激光时的驱动机构的驱动指令值进行校正。

本公开的另一个观点的电子器件的制造方法包括：通过激光装置产生激光；将激光输出到曝光装置；以及在曝光装置内将激光曝光在感光基板上，以制造出电子器件，激光装置具备：振荡器，其输出突发状的脉冲激光；波长监视器，其对从振荡器输出的所述脉冲激光的中心波长进行计测；以及处理器，振荡器具备：腔室，其具有对内部的激光气体施加电压的放电电极；光学元件，其配置在脉冲激光的光路上；旋转台，其供光学元件载置；驱动机构，其驱动旋转台来使光学元件旋转；光栅，其供透过光学元件或被光学元件反射的脉冲激光入射；以及输出耦合镜，其射出脉冲激光，处理器将脉冲激光的中心波长的目标值周期性地变更为第1目标值和与第1目标值不同的第2目标值，基于目标值和由波长监视器计测出的中心波长的计测值，向驱动机构输出驱动指令来变更脉冲激光向光栅入射的入射角度，由此控制中心波长，处理器基于中心波长的计测值与目标值之间的偏差，对输出后续周期的目标值相同的脉冲激光时的驱动机构的驱动指令值进行校正。

附图说明

以下，将本公开的若干实施方式仅作为例子，参照附图来进行说明。

图1示意性地示出例示性的激光装置的结构。

图2是示出周期性变更的波长指令和通过比较例的波长控制输出的脉冲激光的实际波长的例子的图表。

图3是示出作为输出目标的光谱和实际输出的光谱的例子的图表。

图4是示出实施方式1的激光装置的动作的例子的时序图。

图5是示出实施方式1的激光装置中的控制例的流程图。

图6是实施方式1的激光装置中的控制框图。

图7是示出实施方式2的激光装置的动作的例子的时序图。

图8是示出实施方式2的激光装置中的控制例的流程图。

图9示意性地示出曝光装置的结构。

具体实施方式

-目录-

1.激光装置的概要

1.1 结构

1.2 动作

2.课题

3.实施方式1

3.1 结构

3.2 动作

3.3示出控制例的流程图的说明

3.4控制框图的说明

3.5作用·效果

4.实施方式2

4.1 结构

4.2 动作

4.3示出控制例的流程图的说明

4.4作用·效果

5.关于电子器件的制造方法

6.其他

以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本公开的若干例子，并不限定本公开的内容。此外，在各实施方式中说明的结构和动作并非都是本公开的结构和动作所必须的。另外，针对相同的结构要素标注相同的参照标号，省略重复的说明。

1.激光装置的概要

1.1结构

图1示意性地示出例示性的激光装置11的结构。激光装置11是具备激光腔室12的准分子激光装置，在激光腔室12中封入有作为激光介质的激光气体。使脉冲激光21透过的前窗口17及后窗口19分别经由未图示的保持架配置在激光腔室12的两端部。

在激光腔室12的内部，一对放电电极14、15在与图1中的纸面垂直的方向上对置地配置。从高压电源23向放电电极14、15间施加高电压，产生脉冲放电来对激光气体进行激励，由此例如以几kHz至十几kHz的频率产生脉冲激光21。

产生的脉冲激光21例如向激光腔室12的后方(图1中的左方)行进，入射到对脉冲激光21进行窄带化的窄带化单元30。窄带化单元30被窄带化箱31包围，在窄带化箱31的内部具备棱镜(32、32)、波长选择反射镜34以及光栅33等作为光学元件。

在窄带化箱31的壁上设置有吹扫气体供给口35。从吹扫气体供给口35向窄带化箱31内部导入高纯度氮气、干燥的稀有气体等反应性低的吹扫气体45。

入射到窄带化单元30的脉冲激光21被棱镜32、32放大，并被波长选择反射镜34反射，从而入射到作为窄带化光学元件的光栅33。在光栅33，通过衍射，仅反射由入射角度φ决定的中心波长λc的脉冲激光21。即，光栅33采用利特罗配置，使得入射的脉冲激光21中的与入射角度φ对应的中心波长λc的衍射光返回到激光腔室12。

波长选择反射镜34载置于在水平面内(与图1中的纸面平行的平面内)转动自如的可动保持架36。波长选择反射镜34配置在棱镜32与光栅33之间的光路上，通过使可动保持架36旋转来使波长选择反射镜34旋转，入射到光栅33的脉冲激光21的入射角度φ发生变化。由此，被光栅33衍射的脉冲激光21的中心波长λc发生变化。另外，在图1中，标号20表示脉冲激光21的激光轴。

被进行了窄带化的脉冲激光21在窄带化单元30内的光栅33与对脉冲激光21进行部分反射的输出耦合镜16之间往返数次的过程中，通过放电电极14、15之间的放电而被放大。然后，部分透过输出耦合镜16，作为脉冲激光21向前方(图1中的右方)射出，入射到曝光装置25。射出的脉冲激光21的一部分被分束器22朝向图1中的下方取出，并由波长监视器37监视其中心波长λc。

可动保持架36具备固定有波长选择反射镜34的四边形的反射镜保持架38。反射镜保持架38借助于未图示的拉簧及板簧的作用力被拉向窄带化箱31。

另外，反射镜保持架38的四角中的第1角部和第2角部分别被未图示的手动测微计和支承部件从窄带化箱31按压。在反射镜保持架38的第3角部安装有压电元件单元41。压电元件单元41的前端部借助于未图示的拉簧和板簧的作用力与未图示的滚珠丝杠单元接触，按压步进马达单元40。压电元件单元41是包含压电元件的微动驱动机构。步进马达单元40是包含步进马达的粗动驱动机构。以下，有时将压电元件简称为“压电”或“PZT”。

步进马达单元40和压电元件单元41均与处理器29电连接。处理器29作为控制激光装置11整体的激光控制器发挥功能。本公开的处理器29是包含存储有控制程序的存储装置和执行控制程序的CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)的处理装置。处理器29被特别地构成或编程，以便执行本公开所包含的各种处理。

步进马达单元40根据从处理器29接收到的脉冲信号的脉冲数来使马达轴旋转规定量。被精密加工有螺纹牙的滚珠丝杠单元的后端部经由联轴器安装在马达轴的前端部。滚珠丝杠单元通过引导件一边旋转一边沿前后方向顺畅地进行直线运动。

滚珠丝杠单元的前端部被精密加工成与其长度方向垂直的平面，被精密加工成球面的压电元件单元41的前端部与该平面抵接。因此，在滚珠丝杠单元一边旋转一边前后移动时，压电元件单元41不旋转而前后移动。压电元件单元41的后端部固定于未图示的紫外线罩，该紫外线罩固定于反射镜保持架38。

压电元件单元41的配线通过紫外线罩的内侧，经由未图示的导入孔到达窄带化箱31的外部而与处理器29连接。压电元件单元41在前后方向上伸缩与经由配线施加的电压V的大小相应的长度。

将压电元件单元41的全行程的约1/2的位置称为中立位置。将使压电元件单元41伸长至中立位置的电压V称为中立电压V0。处理器29始终对压电元件单元41施加中立电压V0。由此，压电元件单元41被保持在作为初始位置的中立位置。

处理器29通过向可动保持架36输出指令来使步进马达单元40或压电元件单元41伸缩，从而经由紫外线罩推拉反射镜保持架38的第3角部。由此，波长选择反射镜34转动，入射角度φ变更，脉冲激光21的中心波长λc发生变化。

此时，处理器29基于由波长监视器37监视到的中心波长λc进行波长控制，使得中心波长λc与目标波长之差即波长偏差小于规定的容许范围。

此外，处理器29还通过向高压电源23输出指令来进行脉冲激光21的脉冲能量的控制。进而，处理器29与曝光装置25相互进行通信，基于来自曝光装置25的振荡指令信号进行激光振荡。另外，处理器29有时也基于自身的判断来输出振荡指令信号，进行激光振荡。

通过包含具有放电电极(14、15)的激光腔室12、窄带化单元30、压电元件单元41以及输出耦合镜16的结构，来构成输出脉冲激光21的振荡器。

1.2动作

已知在利用曝光装置25对抗蚀剂膜照射脉冲激光21时，为了增大焦点深度而以多个波长进行曝光。若增大焦点深度，则即便在对膜厚大的抗蚀剂膜进行曝光的情况下，也能够维持抗蚀剂膜的厚度方向上的成像性能。

作为以多个波长进行曝光的方式，已知将由激光装置11生成的脉冲激光21的中心波长例如周期性地切换为长波长和短波长这两个波长(参照图2)。设定波长λ1和波长λ2作为目标波长(中心波长的目标值)，周期性地切换这两个波长的情况下的动作的例子如下。

[步骤1]处理器29从曝光装置25接收两个目标波长λ1、λ2和控制波长的周期T。周期T由一个周期的脉冲数N表示。表示该周期T的脉冲数N可以是对晶片上的抗蚀剂膜的同一部位照射的脉冲数、即N狭缝脉冲数。

[步骤2]处理器29驱动压电元件单元41或步进马达单元40使波长选择反射镜34旋转，使入射到光栅33的脉冲激光21的入射角度φ发生变化，以成为接收到的目标波长λ1。

[步骤3]被进行了窄带化的脉冲激光21的一部分被分束器22取出，由波长监视器37计测波长。

[步骤4]在计测出的波长(中心波长λc)相对于目标波长λ1有偏差的情况下，处理器29驱动高速响应性优异的压电元件单元41，调整波长选择反射镜34的姿势，使得中心波长λc接近目标波长λ1。步骤4的反馈控制按每个脉冲来进行。

[步骤5]当成为切换波长的时机时，处理器29驱动压电元件单元41来使波长选择反射镜34旋转，使入射到光栅33的脉冲激光21的入射角度φ发生变化，使得脉冲激光21的中心波长λc成为目标波长λ2。

[步骤6]通过步骤5的动作生成的脉冲激光21的一部分被分束器22取出，由波长监视器37计测波长。

[步骤7]在计测出的波长相对于目标波长λ2有偏差的情况下，处理器29驱动压电元件单元41，调整波长选择反射镜34的姿势，使得中心波长λc接近目标波长λ2。步骤7的反馈控制也按每个脉冲来进行。

[步骤8]当成为切换波长的时机时，处理器29驱动压电元件单元41来使波长选择反射镜34旋转，使入射到光栅33的脉冲激光21的入射角度φ发生变化，以成为目标波长λ1。

以下，重复上述的步骤3～步骤8。此外，在图1中，对使波长选择反射镜34旋转的例子进行了说明，但也可以不设置波长选择反射镜34，而使棱镜32、32中的至少一个旋转来使入射到光栅33的脉冲激光21的入射角度φ发生变化。

2.课题

图2是示出周期性变更的波长指令和通过比较例的波长控制输出的脉冲激光21的实际波长的例子的图表。横轴表示时间，纵轴表示波长。本公开的比较例是申请人认为仅由申请人知晓的方式，并非申请人自己认可的公知例。

图2的白圈表示与波长指令值对应的目标波长，黑圈表示实际的波长的计测值。图3是示出基于图2所示的波长λ1和波长λ2这两个波长各自的波长指令而生成的实际的脉冲激光21的光谱(实线)的例子的图表。横轴表示波长，纵轴表示光强度。虚线所示出的光谱波形表示输出与波长指令值对应的脉冲激光21时的光谱的例子。

如图2所示，在周期性地变更了波长指令的情况下，由于压电元件的滞后特性、固有振动以及热特性变动等而产生波长偏差，而在波长指令高速切换的情况下，在包含延迟的比较例的波长控制中无法追随而残留偏差。其结果是，难以按照波长指令控制两个波长的峰值间隔(参照图3)。

3.实施方式1

3.1结构

实施方式1的激光装置11的结构可以与图1相同。

3.2动作

实施方式1的激光装置11在包含由处理器29执行的控制的动作方面与比较例不同。以下，关于实施方式1的激光装置11的动作，对与比较例不同的点进行说明。

图4是示出实施方式1的激光装置11的动作的例子的时序图。横轴表示时间。在图4的最上段示出了基于突发运转的突发状的脉冲振荡的例子，在第2段示出了指示目标波长的波长指令的波形。在从上数第3段示出了作为对压电元件赋予的驱动指令的压电指令的波形，在最下段示出了波长指令与实际计测出的波长之差。将波长的计测值与波长指令值之间的偏差称为“波长偏差”。

波长指令的波形在突发期间中的周期T内切换为波长相对长的波长λ1的指令和波长相对短的波长λ2的指令。在图4中，示出了波长指令的波形为矩形波，但实际的波长指令是按每个脉冲指示目标波长的离散的图表。即，处理器29将目标波长为长波长的λ1的多个脉冲连续的波长指令和目标波长为短波长的λ2的多个脉冲连续的波长指令变更为矩形波状。在图4中例示出了长波长的波长指令和短波长的波长指令分别以两个脉冲为单位连续的矩形波状的波长指令的波形。

周期性地变更为波长λ1和波长λ2的目标波长是本公开中的“目标值”的一例。波长λ1是本公开中的“第1目标值”的一例，波长λ2是本公开中的“第2目标值”的一例。变更波长指令的周期T是本公开中的“波长变更周期”的一例。在本说明书中，有时将周期T称为“矩形周期”。

关于压电指令的波形，伴随波长λ1和波长λ2的指令的切换，压电指令值周期性地变化。

处理器29针对矩形周期，将各波长指令中的每一个脉冲的波长偏差或波长偏差的平均值(图4的情况下为连续的两个脉冲的平均值)分别累积在存储器中。然后，处理器29基于累积的波长偏差或波长偏差的平均值来调整下一个矩形周期的压电指令值。“调整”这一记载包含“校正”这一概念。“下一个矩形周期”是本公开中的“后续周期”的一例。

为了保持波长控制的稳定性，基于波长偏差或波长偏差的平均值的压电指令值的调整量(校正量)优选为对波长偏差或波长偏差的平均值乘以小于1的系数而得到的值。该系数是学习控制系数，优选为0.01～0.5的范围，更优选为0.05～0.5的范围。将使用学习控制系数计算出的压电指令值的调整量称为“压电指令校正量”。

在图4的最下段示出的表示波长偏差的波形的图表中所示的黑点表示按每个脉冲计测出的波长偏差，与周期T内的长波长和短波长各自的波长指令对应的连续的两个脉冲的波长偏差的平均值被图表化。在波长指令的每个周期T，通过反复进行长波长和短波长各自的压电指令值的校正控制，波长偏差逐渐变小。

在此，示出了在周期T内以两个脉冲连续的方式输出基于长波长的波长指令的脉冲激光21、以两个脉冲连续的方式输出基于短波长的波长指令的脉冲激光21的例子，但也可以针对各个波长指令以两个以上的脉冲连续的方式输出脉冲激光21。在长波长的波长指令中连续的两个脉冲是本公开中的“第1脉冲数”的一例，在短波长的波长指令中连续的两个脉冲是本公开中的“第2脉冲数”的一例。

使用在矩形周期的先行的第1周期计算出的按目标波长的压电指令校正量，来校正后续的第2周期中的相同目标波长的压电指令值。在设n为1以上的整数的情况下，基于第1周期中的第n个脉冲的波长偏差，来校正第2周期中的第n个脉冲的压电指令值。

3.3示出控制例的流程图的说明

图5是示出实施方式1的激光装置11中的控制例的流程图。当图5的流程开始时，在步骤S101中，处理器29计算当前的波长位置的波长偏差或波长偏差的平均值。

在步骤S102中，处理器29根据计算出的波长偏差或波长偏差的平均值，计算下一次矩形波的波长位置的压电指令校正量。

在步骤S103中，处理器29根据波长指令来计算下一个压电指令值。

在步骤S104中，处理器29对在步骤S103中求出的压电指令值加上(进行加法运算)在上一次矩形波的波长位置计算出的压电指令校正量。

在步骤S105中，处理器29基于在步骤S104中决定出的压电指令值来驱动压电元件。

在步骤S105之后，处理器29结束图5的流程。处理器29在基于突发运转的突发期间中反复执行图5的流程。

3.4控制框图的说明

图6是处理器29执行的波长控制的控制框图。处理器29执行的波长控制的控制系统包括：反馈控制补偿器(C

处理器29根据由波长监视器37计测出的波长与波长指令值之间的差分来计算波长偏差，并通过反馈控制补偿器110进行反馈控制。反馈控制补偿器110例如可以使用进行PID(Proportional-Integral-Differential：比例积分微分)控制的补偿器。反馈控制补偿器110基于输入的波长偏差来计算压电指令值的控制值(以下称为“反馈控制指令值”)。另外，图6中的“MM”表示包含波长监视器37的监视器模块。

前馈控制补偿器120例如针对生成的波长指令使用增益系数，根据波长指令值来计算作为压电指令值的前馈控制指令值。处理器29将由前馈控制补偿器120计算出的前馈控制指令值与反馈控制指令值进行相加来进行前馈控制。

按波长平均值运算部130对矩形周期的长波长指令时和短波长指令时的各个波长指令期间中的波长偏差的平均值进行计算。学习控制器132的学习控制分为长波长指令时和短波长指令时来执行。

处理器29对通过反馈控制计算出的按波长的波长偏差的平均值进行计算，并且计算该按波长平均值的K倍的值。将该计算值与作为学习控制指令值在以前(在先行的周期)存储在存储器134中的值进行相加来更新学习控制指令值。

在存储器134中分别存储有长波长指令时的学习控制指令值和短波长指令时的学习控制指令值。存储在存储器134中的这些学习控制指令值相当于下一次周期的各目标波长的压电指令校正量。在学习控制的指令输出时，在指令从短波长转变为长波长、或者从长波长转变为短波长的时机下，将存储在存储器134中的学习控制指令值与前馈控制指令值进行相加来进行波长控制。

另外，在长波长指令时或短波长指令时的脉冲数为“1”的情况下，不执行按波长平均值运算，而直接使用各个脉冲的波长偏差。

这样，处理器29将反馈控制补偿器110的输出与前馈控制补偿器120以及学习控制器132各自的输出进行相加来决定压电指令值。处理器29将决定出的压电指令值输出至压电驱动器140，经由压电驱动器140驱动压电元件141。

通过驱动压电元件141，从激光装置11输出的脉冲激光21的波长发生变化。波长监视器37对脉冲激光21的波长进行计测，其计测值被反馈到处理器29。处理器29求出波长的计测值与波长指令值之差(波长偏差)，将波长偏差输入到反馈控制补偿器110和按波长平均值运算部130。

3.5作用·效果

根据实施方式1，通过按每个矩形周期反复进行控制，能够抑制由于压电元件141的滞后特性、固有振动以及热特性变动等而产生的波长偏差以及两个波长峰值的间隔误差。

在压电元件141的响应充分地追随于矩形周期的情况下，优选按每个脉冲对各波长指令下的波长偏差进行学习控制，但根据实施方式1，即使在压电元件141的响应无法追随于矩形周期的情况下，也能够通过使用按波长的波长偏差的平均值，来按照波长指令对平均成N狭缝后的两个波长的间隔进行控制。

激光腔室12为本公开中的“腔室”的一例。波长选择反射镜34是本公开中的“光学元件”和“反射镜”的一例。使反射镜保持架38旋转的可动保持架36是本公开中的“旋转台”的一例。包含压电元件141的压电元件单元41是本公开中的“驱动机构”的一例。压电指令是本公开中的“驱动指令”的一例，压电指令值是本公开中的“驱动指令值”的一例。

4.实施方式2

4.1结构

实施方式2的激光装置11的结构可以与图1相同。

4.2动作

实施方式2的激光装置11在包含由处理器29执行的控制的动作方面与实施方式1不同。以下，关于实施方式2的激光装置11的动作，对与实施方式1不同的点进行说明。在实施方式2中，除了进行实施方式1中说明的每个矩形周期的波长控制之外，还进行突发周期TBu的波长控制。

图7是示出实施方式2的激光装置11的动作的例子的时序图。

在突发振荡开始时，产生与矩形周期不同的波长偏差。因此，针对突发周期TBu，将各波长指令中的波长偏差或波长偏差的平均值分别累积在存储器134中。

处理器29基于累积的按波长的波长偏差或波长偏差的平均值来调整下一次突发期间的压电指令值。

为了按每个突发周期TBu反复进行学习控制，事先执行每个矩形周期的学习控制，在抑制了矩形周期的波长指令误差的状态下，仅检测每个突发周期TBu的波长偏差。

此时，每个突发周期TBu的波长偏差仅在驱动开始时(突发振荡开始时)变大，因此，期望将基于每个突发周期TBu的学习控制的波长控制仅应用于从突发开头起的规定的脉冲数Nf。规定的脉冲数Nf例如可以为1个脉冲以上且20个脉冲以下。

另外，为了不使每个突发周期TBu的学习控制与每个矩形周期的学习控制发生干扰，优选每个突发周期TBu的学习控制系数小于每个矩形周期的学习控制系数。每个矩形周期的学习控制系数是本公开中的“第1系数”的一例，每个突发周期TBu的学习控制系数是本公开中的“第2系数”的一例。将通过每个矩形周期的学习控制计算出的压电指令校正量称为矩形周期学习校正量，将通过每个突发周期TBu的学习控制计算出的压电指令校正量称为突发周期学习校正量。

4.3示出控制例的流程图的说明

图8是示出实施方式2的激光装置11中的控制例的流程图。当图8的流程开始时，在步骤S201中，处理器29判定是否为从突发开头起Nf个脉冲以内。

在步骤S201的判定结果为“是”的情况下，处理器29进入步骤S202，计算当前的波长位置的波长偏差或波长偏差的平均值。

接着，在步骤S203中，处理器29根据计算出的波长偏差或波长偏差的平均值来计算下一次突发的波长位置的压电指令校正量。

在步骤S203之后，或者在步骤S201的判定结果为“否”的情况下，处理器29进入步骤S204。

在步骤S204中，处理器29根据计算出的波长偏差或波长偏差的平均值计算下一次矩形波的波长位置的压电指令校正量。

接着，在步骤S205中，处理器29根据波长指令计算下一个压电指令值。

在步骤S206中，处理器29判定是否为从突发开头起Nf个脉冲以内。在步骤S206的判定结果为“是”的情况下，处理器29进入步骤S207。在步骤S207中，处理器29对压电指令值加上在上一次突发的波长位置计算出的压电指令校正量(突发周期学习校正量)。在步骤S207之后，处理器29进入步骤S208。

另一方面，在步骤S206的判定结果为“否”的情况下，处理器29跳过步骤S207，进入步骤S208。

在步骤S208中，处理器29对压电指令值加上在上一次矩形波的波长位置计算出的压电指令校正量(矩形周期学习校正量)。

之后，在步骤S209中，处理器29基于决定出的压电指令值驱动压电元件141。

在步骤S209之后，处理器29结束图8的流程。处理器29在突发运转的期间中反复执行图8的流程。

这样，处理器29按每个矩形周期进行对后续周期的目标波长相同的压电指令值进行校正的波长控制，并且按每个突发周期TBu进行基于先行的第1突发周期中的波长偏差对后续的第2突发周期的压电指令值进行校正的波长控制。按每个矩形周期使用矩形周期学习校正量来校正压电指令值的波长控制是本公开中的“第1波长控制”的一例。按每个突发周期TBu使用突发周期学习校正量来校正压电指令值的波长控制是本公开中的“第2波长控制”的一例。

4.4作用·效果

根据实施方式2，除了按每个矩形周期进行控制之外，还按每个突发周期反复进行控制，由此能够抑制在脉冲激光21的突发振荡开始时产生的波长偏差以及两个波长的峰值的间隔误差。

5.关于电子器件的制造方法

图9示意性地示出曝光装置25的结构例。曝光装置25包括照明光学系统254和投影光学系统256。照明光学系统254通过从激光装置11入射的激光，对配置在掩模版台RT上的未图示的掩模版的掩模版图案进行照明。投影光学系统256将透过掩模版后的激光缩小投影后，使其在配置于工件台WT的未图示的工件上成像。工件是涂敷了光刻胶的半导体晶片等感光基板。

曝光装置25通过使掩模版台RT与工件台WT同步地进行平行移动，从而将反映出掩模版图案的激光曝光到工件。在通过上述那样的曝光工序将掩模版图案转印到半导体晶片之后，能够经过多个工序来制造半导体器件。半导体器件是本公开中的“电子器件”的一例。

6.其他

上述的说明并非限制，而仅是例示。因此，本领域技术人员显然能够在不脱离权利要求书的情况下对本公开的实施方式追加变更。此外，本领域技术人员显然也能够对本公开的实施方式进行组合并使用。

除非另有明确记载，否则在整个本说明书和权利要求书中使用的术语应解释为“非限定性”的术语。例如，“包含”、“具有”、“具备”、“包括”等术语应解释为“不排除存在所记载的结构要素以外的结构要素”。此外，修饰语“1个”应解释为表示“至少1个”或者“1个或1个以上”。此外，“A、B及C中的至少1个”这样的术语应解释为“A”、“B”、“C”、“A+B”、“A+C”、“B+C”或者“A+B+C”。此外，应解释为还包含它们与“A”、“B”、“C”以外的要素的组合。