一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构

技术领域

本发明涉及半导体制备领域，特别涉及一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构。

背景技术

霍尔效应被广泛应用于电流检测等无接触传感领域，但由于引线框架焊盘的大块金属内存在的涡流回路，会产生反向磁场抵消被测磁场强度，进而减弱传感器的检测灵敏度和检测精度。为解决上述问题，现有技术通过在对应霍尔器件的焊盘处形成U型沟槽，部分打断框架焊盘的连接，进而阻止金属框架内闭合涡流回路的形成，但通过这种方法削弱反向磁场的效果有限。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构，解决了现有技术中对反向磁场的削弱效果有限的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种减弱涡流效应的焊盘，所述焊盘包括第一焊盘部件和第二焊盘部件，所述第一焊盘部件和所述第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧，且所述第一焊盘部件和所述第二焊盘部件导连，以使所述第一焊盘部件和所述第二焊盘部件，对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围。

可选的，所述第一焊盘部件背向与所述第二焊盘部件导连的一端，沿预设方向延伸预设长度；

所述预设方向为所述第一焊盘部件靠向所述芯片放置区域的一侧；

所述预设长度小于所述第二焊盘部件沿所述预设方向形成的长度。

可选的，所述第一焊盘部件背向与所述第二焊盘部件导连的一端，沿所述预设方向延伸的端部未超过所述芯片放置区域位于所述预设方向的一侧。

可选的，所述第一焊盘部件和所述第二焊盘部件为一体成型结构。

可选的，所述焊盘的拐角处为弧形拐角界面。

可选的，所述焊盘中设置有至少一个第一应力释放通孔。

本发明还提供了一种减弱涡流效应的引线框架，包括：

多个引脚部件和如上述的减弱涡流效应的焊盘；

所述减弱涡流效应的焊盘中的第二焊盘部件，背向与所述第一焊盘部件导连的一端与一个引脚连接。

可选的，多个所述引脚部件中设置有第二应力释放通孔。

可选的，多个所述引脚部件中对应设置所述第二应力释放通孔的外侧，设置有与所述第二应力释放通孔内的应力抵消的弧形凸起结构。

本发明还提供了一种减弱涡流效应的传感器封装结构，包括：

芯片、封装体，以及如上述的减弱涡流效应的引线框架；

所述芯片设置在所述引线框架结构中的芯片放置区域；

所述封装体用于封装所述芯片和所述引线框架结构。

可见，本发明提供的减弱涡流效应的焊盘，包括第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性。

此外，本发明还提供了一种减弱涡流效应的引线框架及减弱涡流效应的传感器封装结构，同样具有上述有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种减弱涡流效应的焊盘的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种减弱涡流效应的焊盘的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种减弱涡流效应的引线框架的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种减弱涡流效应的传感器封装结构的结构示意图；

图1至图4中，附图标记说明如下：

10-焊盘，11-一端向外延伸预设距离的焊盘，12-焊盘向外延伸部分；

20-芯片放置区域；

30-引脚部件，31-第二应力释放通孔；

40-芯片；

50-引线框架部件；

60-封装体。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

请参考图1，图1为本发明实施例提供的一种减弱涡流效应的焊盘的结构示意图。该焊盘10可以包括：

第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域20的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域20在相邻的两侧形成包围。

需要进行说明的是，本实施例中芯片放置区域20用于承载芯片，上述芯片可以为矩形形状，或者也可以是其他形状。本实施例中沿芯片放置区域20所在的平面选取互相垂直的两条直线，形成四个方向，且上述四个方向中相邻方向间互相垂直。本实施例中通过将第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在该芯片放置区域20相邻的两侧，以使上述第一焊盘部件和第二焊盘部件在相邻的两侧对芯片放置区域20形成包围，能够避免焊盘中涡流产生的磁场对芯片产生干扰。且将焊盘设置为由上述第一焊盘部件和第二焊盘部件形成包围芯片放置区域20的相邻两侧的结构，能够保证结构的支撑轻度，保证结构的稳固性。本实施例中焊盘相较现有焊盘面积减小，在对芯片和焊盘等结构进行封装时，能够减少焊盘与封装材料的接触面积，进而降低出现分层现象的风险，提高封装的稳固性。

本实施例并不限定第一焊盘部件和第二焊盘部件设置的具体位置，只要是设置在芯片放置区域20的相邻两侧的外部即可。例如，第一焊盘部件和第二焊盘部件可以分别设置在芯片放置区域20的上侧和芯片放置区域20的右侧；或者第一焊盘部件和第二焊盘部件也可以分别设置在芯片放置区域20的左侧和芯片放置区域20的下侧；或者第一焊盘部件和第二焊盘部件还可以分别设置在芯片放置区域20的上侧和芯片放置区域20的左侧。本实施例并不限定第一焊盘部件和第二焊盘部件的具体尺寸，可以根据仿真结果进行调整设定。

进一步地，为了降低焊盘封装后出现应力积聚的现象，上述焊盘中可以设置有至少一个第一应力释放通孔。

需要进行说明的是，本实施例中通过在焊盘中设置应力释放通孔，能够减小应力积聚的现象发生，避免焊盘与封装材料接触面出现分层现象，进而提高焊盘封装后结构的稳固性。本实施例并不限定焊盘中设置第一应力释放通孔的具体数量。例如，焊盘中可以设置1个第一应力释放通孔，或者焊盘中也可以设置2个第一应力释放通孔。相应的，本实施例并不限定在焊盘中设置第一应力释放通孔的具体位置，可以根据焊盘的具体尺寸、形状以及控制区域进行设置。为了保证第一应力释放通孔减小应力积聚的效果，上述应力释放通孔可以对称设置在焊盘中。

应用本发明实施例提供的减弱涡流效应的焊盘10，包括第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域20的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域20在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性。此外，本发明实施例通过在焊盘中设置至少一个第一应力释放通孔，能够进一步避免焊盘封装后出现应力积聚的现象，进而提高焊盘封装后结构的稳固性。

实施例2

请参考图2，图2为本发明实施例提供的另一种减弱涡流效应的焊盘的结构示意图。该焊盘可以包括：

第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域20的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域20在相邻的两侧形成包围；

第一焊盘部件背向与第二焊盘部件导连的一端，沿预设方向延伸预设长度；

预设方向为第一焊盘部件靠向芯片放置区域20的一侧；

预设长度小于第二焊盘部件沿预设方向形成的长度。

需要进行说明的是，本实施例中第一焊盘部件背向与第二焊盘部件导连的一端，即第一焊盘部件延伸方向中远离与第二焊盘部件导连的一端，在第一焊盘部件靠向芯片放置区域20的一侧，向外延伸预设长度，且该预设长度小于第二焊盘部件沿预设方向形成的长度，能够在提高焊盘支撑强度，提高结构稳固性的同时，避免焊盘面积过大由涡流产生的磁场影响芯片检测外部磁场的精确度。本实施例并不限定预设长度的具体值，可以根据仿真结果进行调整设置。进一步需要说明的是，本实施例中一端向外延伸预设距离的焊盘11即为第一焊盘部件延伸方向中远离与第二焊盘部件导连的一端，在第一焊盘部件靠向芯片放置区域20的一侧，向外延伸预设长度，且该预设长度小于第二焊盘部件沿预设方向形成的长度后，得到的焊盘。其中，焊盘延伸出的结构可以参考图2中焊盘向外延伸部分12。

进一步地，为了减小上述第一焊盘部件延伸方向中远离与第二焊盘部件导连的一端，在第一焊盘部件靠向芯片放置区域20的一侧，向外延伸的结构对芯片磁场检测的影响，可以设置上述第一焊盘部件背向与第二焊盘部件导连的一端，沿预设方向延伸的端部未超过芯片放置区域20位于预设方向的一侧。

需要进行说明的是，本实施例中通过将第一焊盘部件向外延伸的端部设置为未超过芯片放置区域20位于预设方向的一侧边缘位置，能够避免第一焊盘部件延伸出的结构包围芯片放置区域20，进而在提高焊盘结构强度的同时，降低了产生的磁场对芯片检测外部磁场的影响。

应用本发明实施例提供的减弱涡流效应的焊盘，包括第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域20的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域20在相邻的两侧形成包围，第一焊盘部件背向与第二焊盘部件导连的一端，沿预设方向延伸预设长度，预设方向为第一焊盘部件靠向芯片放置区域20的一侧，预设长度小于第二焊盘部件沿预设方向形成的长度。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性，通过将第一焊盘部件在第一焊盘部件靠向芯片放置区域20的一侧，向外延伸预设长度，能够在提高焊盘支撑强度，提高结构稳固性。此外，本发明实施例通过将第一焊盘部件向外延伸的端部设置为未超过芯片放置区域20位于预设方向的一侧边缘位置，能够避免第一焊盘部件延伸出的结构包围芯片放置区域20，进而在提高焊盘结构强度的同时，降低了产生的磁场对芯片检测外部磁场的影响。

实施例3

请参考图1，图1为本发明实施例提供的一种减弱涡流效应的焊盘的结构示意图。该焊盘可以包括：

第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域20的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域20在相邻的两侧形成包围；

第一焊盘部件和第二焊盘部件为一体成型结构。

需要进行说明的是，本实施例通过将第一焊盘部件和第二焊盘部件设置为一体成型结构，能够保证焊盘结构的稳固性，进一步提高焊盘的支撑强度。

进一步地，为了降低焊盘封装后与封装材料接触面的应力积聚，上述焊盘的拐角处可以为弧形拐角界面。

需要进行说明的是，本实施例中通过将焊盘设置为在拐角处为弧形拐角界面，能够进一步降低封装后产生的应力积聚，提高焊盘封装后结构的稳定性，避免出现分层现象。

应用本发明实施例提供的减弱涡流效应的焊盘，包括第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域20的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域20在相邻的两侧形成包围，第一焊盘部件和第二焊盘部件为一体成型结构。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性，通过将第一焊盘部件和第二焊盘部件设置为一体成型结构，能够保证焊盘结构的稳固性，进一步提高焊盘的支撑强度。此外，本发明实施例通过将焊盘设置为在拐角处为弧形拐角界面，能够进一步降低封装后产生的应力积聚，提高焊盘封装后结构的稳定性，避免出现分层现象。

为使本发明提供的减弱涡流效应的焊盘更便于理解，上述减弱涡流效应的焊盘可以包括：

第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围；

第一焊盘部件背向与第二焊盘部件导连的一端，沿预设方向延伸；预设方向为第一焊盘部件靠向芯片放置区域的一侧；第一焊盘部件背向与第二焊盘部件导连的一端，沿预设方向延伸的端部未超过芯片放置区域位于预设方向的一侧；

第一焊盘部件和第二焊盘部件为一体成型结构；焊盘的拐角处为弧形拐角界面；焊盘中设置有至少一个第一应力释放通孔。

下面对本发明实施例提供的减弱涡流效应的引线框架进行介绍，下文描述的减弱涡流效应的引线框架与上文描述的减弱涡流效应的焊盘可相互对应参照。

实施例4

具体请参考图3，图3为本发明实施例提供的一种减弱涡流效应的引线框架的结构示意图，可以包括：

多个引脚部件30和如上述的减弱涡流效应的焊盘10；

减弱涡流效应的焊盘10中的第二焊盘部件，背向与第一焊盘部件导连的一端与一个引脚连接。

需要进行说明的是，本实施例中引线框架包括上述减弱涡流效应的焊盘10和多个引脚，且其中一个引脚与焊盘10导连，以实现引线框架的功能性。本实施例并不限定多个引脚部件30的具体数量，可以根据引线框架的功能进行设定。本实施例同样不限定多个引脚部件30的具体结构。本实施例中通过将第二焊盘部件靠近底侧引脚部件的位置，设置为向引脚部件的方向倾斜的结构，可以根据具体的应用场景适应性调整，以便于焊盘11与引脚部件连接。

进一步需要说明的是，本实施例中还可以包括引线框架部件50，以保证引线框架的结构强度和稳定性。

应用本发明实施例提供的减弱涡流效应的引线框架，包括多个引脚部件30和如上述的减弱涡流效应的焊盘10，减弱涡流效应的焊盘10中的第二焊盘部件，背向与第一焊盘部件导连的一端与一个引脚连接。其中，减弱涡流效应的焊盘10包括第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域20的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域20在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性。

实施例5

具体请参考图3，图3为本发明实施例提供的一种减弱涡流效应的引线框架的结构示意图，可以包括：

多个引脚部件30和如上述的减弱涡流效应的焊盘10；

减弱涡流效应的焊盘10中的第二焊盘部件，背向与第一焊盘部件导连的一端与一个引脚连接；

多个引脚部件30中设置有第二应力释放通孔31。

需要进行说明的是，本实施例中通过在多个引脚部件30中设置第二应力释放通孔31，能够在引线框架封装后进一步降低内部应力的积聚，提高引线框架封装后的稳固性。

进一步地，为了降低引线框架封装后内部的应力积聚，上述多个引脚部件30中对应设置第二应力释放通孔31的外侧，设置有与第二应力释放通孔31内的应力抵消的弧形凸起结构。

需要进行说明的是，本实施例中通过在多个引脚部件30中，对应第二应力释放通孔31设置抵消应力的弧形凸起结构，能够进一步降低引线框架封装后产生的应力，同时避免引线框架封装后水汽沿封装界面侵入，提高了产品的优良率。本实施例并不限定弧形凸起结构的具体形状，可以根据仿真结果进行设置。

应用本发明实施例提供的减弱涡流效应的引线框架，包括多个引脚部件30和如上述的减弱涡流效应的焊盘10，减弱涡流效应的焊盘10中的第二焊盘部件，背向与第一焊盘部件导连的一端与一个引脚连接，多个引脚部件30中设置有第二应力释放通孔31。其中，减弱涡流效应的焊盘10包括第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域20的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域20在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性，通过在多个引脚部件30中设置第二应力释放通孔31，能够在引线框架封装后进一步降低内部应力的积聚，提高引线框架封装后的稳固性。此外，本发明实施例通过在多个引脚部件30中，对应第二应力释放通孔31设置抵消应力的弧形凸起结构，能够进一步降低引线框架封装后产生的应力，同时避免引线框架封装后水汽沿封装界面侵入，提高了产品的优良率。

下面对本发明实施例提供的减弱涡流效应的传感器封装结构进行介绍，下文描述的减弱涡流效应的传感器封装结构与上文描述的减弱涡流效应的引线框架可相互对应参照。

请参考图4，图4为本发明实施例提供的一种减弱涡流效应的传感器封装结构的结构示意图，可以包括：

芯片40、封装体60，以及如上述的减弱涡流效应的引线框架；

芯片40设置在引线框架结构中的芯片放置区域；

封装体60用于封装芯片40和引线框架结构。

需要进行说明的是，本实施例中利用封装体60对芯片40和引线框架结构进行封装，对引线框架和芯片40提供保护，保证了产品的稳定运行。本实施例并不限定封装体60的具体材质，可以根据应用场景进行选用。

应用本发明实施例提供的减弱涡流效应的传感器封装结构，包括芯片40、封装体60，以及如上述的减弱涡流效应的引线框架，芯片40设置在引线框架结构中的芯片放置区域，封装体60用于封装芯片40和引线框架结构。其中，减弱涡流效应的引线框架包括多个引脚部件30和减弱涡流效应的焊盘10，减弱涡流效应的焊盘10中的第二焊盘部件，背向与第一焊盘部件导连的一端与一个引脚连接，减弱涡流效应的焊盘10包括第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系属于仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其他任何变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

以上对本发明所提供的一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。