一种显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

近年来，超窄边框显示器越来越受到关注。虽然市场对超窄边框显示器的品质逐渐提高，但是超窄边框显示器的拉力偏小问题持续得不到很好的解决，经常出现显示器上下基板分离或水汽侵入造成各种不良的情况。

因为边框越来越窄，随之框胶的胶宽也逐渐由大于1000um缩小到500um，再到现在产品使用宽度为250um的框胶，种种希望显示器边框变小的设计变更，都同时使得显示器拉力与防止水汽侵入的能力越来越小，其已经成为超窄边框显示器的最薄弱环节之一。

因此，提升显示器的拉力与阻水能力是目前市场亟待解决的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种显示面板及显示装置，旨在提升显示面板的拉力和预防水汽侵入的能力。

一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板至少包括：

配向层；

封装层，在所述配向层的厚度方向与所述配向层相邻；

其中，所述配向层与所述封装层接触的一侧具有凹槽，相邻的两个所述凹槽之间具有凸部，部分所述封装层填充在所述凹槽内，所述凸部嵌在所述封装层内。

在一些实施例中，所述配向层包括相对设置的第一配向层和第二配向层，所述封装层位于所述第一配向层和第二配向层之间。

在一些实施例中，所述显示面板还包括：

第一基板，位于所述第一配向层远离所述第二配向层的一侧；

第二基板，位于所述第二配向层远离所述第一配向层的一侧。

在一些实施例中，所述显示面板还包括：

遮光层，位于所述第一基板和第一配向层之间；

金属层，位于所述第二基板和第二配向层之间；

其中，所述遮光层的边缘与所述封装层重叠，所述金属层的边缘与所述封装层重叠。

在一些实施例中，所述配向层上的凹槽通过纳米压印工艺或光刻工艺形成。

在一些实施例中，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区周围的非显示区，所述非显示区包括围绕所述显示区的第一边缘区域和位于所述第一边缘区域周围的第二边缘区域；所述配向层位于所述显示区、第一边缘区域和第二边缘区域内，所述封装层位于所述第二边缘区域内。

在一些实施例中，所述配向层在所述第二边缘区域与所述封装层重叠。

在一些实施例中，所述凹槽形成在位于第二边缘区域内的所述配向层上。

在一些实施例中，所述配向层的厚度为80～100nm，所述凹槽的深度小于或等于50nm。

另一方面，本申请提供一种显示装置，所述显示装置至少包括上述任一项所述的显示面板。

本申请的有益效果是：提供一种显示面板及显示装置，该显示面板至少包括配向层和封装层，该封装层在所述配向层的厚度方向与所述配向层相邻。其中，配向层与封装层接触的一侧具有凹槽，相邻的两个凹槽之间具有凸部，部分封装层填充在凹槽内，凸部嵌在封装层内。因此增大了封装层与配向层的接触面积从而提高了显示面板拉力，而且水汽倾入的路径大幅度变长，提升了显示面板预防水汽侵入的能力。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的图1中A-A1处的截面结构示意图；

图3是本申请实施例提供的凹槽形成的工艺流程结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。该显示面板100可以应用于各种显示器，例如液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和微型发光二极管显示器(Micro-Light-Emitting Diode,Micro-LED)等。本申请实施例以液晶显示面板为例对该显示面板100的结构进行说明。

该显示面板100包括显示区10和位于所述显示区10周围的非显示区11，显示区10提供显示功能，非显示区11用于各种电路布置和边框设置。所述非显示区11包括围绕所述显示区10的第一边缘区域110和位于所述第一边缘区域110周围的第二边缘区域111，第一边缘区域110可以用于各种电路布置，第二边缘区域111可以用于封装。

请参阅图2，图2是本申请实施例提供的图1中A-A1处的截面结构示意图。

该显示面板100至少包括配向层20和封装层30，该封装层30在所述配向层20的厚度方向与所述配向层20相邻。其中，配向层20与封装层30接触的一侧具有凹槽21，相邻的两个凹槽21之间具有凸部22，部分所述封装层30填充在所述凹槽21内，所述凸部22嵌在所述封装层30内。因此增大了封装层30与配向层20的接触面积从而提高了显示面板100拉力，进而配向层20不容易与封装层30分离，显著提升了显示面板100的质量。而且水汽倾入的路径大幅度变长，提升了显示面板100预防水汽侵入的能力。

在一些实施例中，所述配向层20位于所述显示区10、第一边缘区域110和第二边缘区域111，所述封装层30位于所述第二边缘区域111，所述配向层20在所述第二边缘区域111与所述封装层30重叠。配向层20在显示区10、第一边缘区域110和第二边缘区域111都存在，可以使显示区10和非显示区11具有相同的配向作用。凹槽21可以形成在位于第二边缘区域111内的配向层20上，也就是配向层20与封装层30接触的表面。

在一些实施例中，配向层20包括相对设置的第一配向层201和第二配向层202，所述封装层30位于所述第一配向层201和第二配向层202之间。第一配向层201与封装层30接触的表面具有凹槽21，第二配向层202与封装层30接触的表面也具有凹槽21。水汽是从外界沿配向层20与封装层30接触的表面进入到显示区10的，由于封装层30与凹槽21接触，因此水汽沿着凹槽21的表面侵入显示区10的路径变长，提高了阻挡水汽侵入到显示区10的能力。并且，配向层20与封装层30的接触面积变大，进而第一配向层201和第二配向层202都不容易与封装层30分离，显著提升了显示面板100的质量。

该显示面板100还包括第一基板40和第二基板50，所述第一基板40位于所述第一配向层201远离所述第二配向层202的一侧，所述第二基板50位于所述第二配向层202远离所述第一配向层201的一侧。第一基板40和第二基板50可以包括玻璃基板和柔性基板其中之一或其组合。

在一些实施例中，所述显示面板100还包括遮光层41和金属层51，所述遮光层41位于所述第一基板40和第一配向层201之间，所述金属层51位于所述第二基板50和第二配向层202之间。其中，遮光层41位于显示区10、第一边缘区域110和第二边缘区域111，金属层51位于显示区10、第一边缘区域110和第二边缘区域111，因此所述遮光层41的边缘与所述封装层30重叠，所述金属层51的边缘与所述封装层30重叠。遮光层41在第一边缘区域110和第二边缘区域111有防止边缘漏光的作用。

在一些实施例中，所述配向层20的厚度为80～100nm，所述凹槽21的深度小于或等于50nm。对配向层20材料表面的修饰在纳米级别(约50nm)，其只会在配向层20表面上进行修饰不会损伤到遮光层41和金属层51，所以不会导致局部遮光层41或金属层51的缺失。这就使得配向层20表面微处理具有不会造成周边漏光、周边色差(mura)、电路异常的优点。

遮光层41可以为黑色矩阵层，例如黑色有机色阻层。金属层51可以包括源极、漏极和栅极，源极和漏极的材料可以为Mo或Al/Mo或Mo/Al/Mo或Mo/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb等。栅极可以为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金材料中的一种。

在一些实施例中，第一基板40、遮光层41和第一配向层201单独形成，即在第一基板40上依次形成遮光层41和第一配向层201，第二基板50、金属层51和第二配向层202单独形成，在第二基板50上依次形成金属层51和第二配向层202。然后将第一配向层201和第二配向层202相对放置，在第一配向层201和第二配向层202的第二边缘区域111涂布封装层30，封装层30围绕显示区10。显示区10中可以形成液晶，液晶还可能位于第一边缘区域110。通过将封装层30设置在配向层20的边缘，与配向层20重叠，即将封装层30内移，可以缩小边框的宽度，实现窄边框。

按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(Vertical Alignment，VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型、平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)型。

其中，FFS型液晶显示面板具有高穿透、广视角等优点，已被广泛应用于中小尺寸显示器，尤其以手机面板为主。所谓的FFS型液晶显示面板是利用边界电场使液晶盒(Cell)内的液晶(LC)分子在平行于基板的平面内旋转，产生光程差，在上下偏光片的作用下，达到显示效果。因此，FFS型液晶显示面板中液晶分子要进行水平配向，现有配向技术主要包括：摩擦配向(Rubbing)和光配向两种，其中，摩擦配向的具体方法为：通过一布毛滚轮在配向层上刷磨出按一定方向排列的沟槽，使得液晶分子沿配向层上的沟槽方向进行配向，该方法工艺简单，且配向后表现出良好的光电效果和热稳定性，但配向后的液晶分子预倾角较大，有一定程度的漏光，影响对比度。而光配向的方法为：在液晶材料中添加感光小分子化合物(Reactive Monomer，RM)，面板组成后，对面板施加电场，使液晶随着电场驱动方向转动成一定角度，再利用紫外(UV)光使液晶材料中RM在配向层表面发生聚合反应，产生聚合物凸起(polymer bump)，达到配向效果，光配向工艺能有效降低液晶分子的预倾角，提升对比度。

在一些实施例中，该显示面板100还可以包括电极层(图中未示出)，所述电极层可以包括像素电极和公共电极，像素电极可以位于第一基板40和第一配向层201之间，公共电极可以位于第二基板50和第二配向层202之间。电极层可以为整面的，即电极层位于显示区10、第一边缘区域110和第二边缘区域111，因此电极层也与封装层30在第二边缘区域111重叠。电极层可以通过PVD(Physical VaporDeposition，物理气相沉积)工艺制作而成，其结构包括但不限于氧化ITO/Ag/ITO的叠层结构或者单层的ITO结构。

在一些实施例中，该显示面板100还可以包括色阻层(图中未示出)，色阻层可以与遮光层41同层设置，遮光层41设置在色阻层的开口区域。色阻层可以包括红色色阻层、蓝色色阻层和绿色色阻层。

在一些实施例中，该显示面板100还可以包括第一偏光片和第二偏光片(图中未示出)，第一偏光片可以位于第一基板40远离所述第二基板50的一侧，第二偏光片可以位于第二基板50远离第一基板40的一侧。

本实施例提供一种显示面板100，该显示面板100至少包括配向层20和封装层30，该封装层30在所述配向层20的厚度方向与所述配向层20相邻，且与配向层20的四周边缘重叠。其中，配向层20与封装层30接触的一侧具有凹槽21，相邻的两个凹槽21之间具有凸部22，部分所述封装层30填充在所述凹槽21内，所述凸部22嵌在所述封装层30内，因此增大了封装层30与配向层20的接触面积从而提高了显示面板100拉力，而且水汽倾入的路径大幅度变长，提升了显示面板100预防水汽侵入的能力。

请参阅图3，图3是本申请实施例提供的凹槽形成的工艺流程结构示意图。

在一些实施例中，所述配向层20上的凹槽21可以通过纳米压印工艺或光刻工艺形成。图3显示了通过纳米压印工艺在配向层20上形成凹槽21的工艺流程结构示意图。纳米压印工艺包括压印和转移两个过程，先提供一个模板60，在配向层20上形成一层很薄的聚合膜70，可以用光刻胶，然后将模板60压在聚合膜70上形成与模板60相匹配的图案，即形成凹槽的结构。最后采用刻蚀工艺将聚合膜70上的图案转移到配向层20上，可以通过热压或辐照等方式使配向层20的结构硬化从而保留下转移的图形。纳米压印具有分辨率高、成本低的特点。

我们在配向层20表面用NIL(纳米压印)技术，使得配向层20表面呈现出凹凸不平的地形。这一地形有助于增加配向层20与封装层30接触的面积，延长水汽侵入的路径，从而提高显示面板拉力与防止水汽侵入的能力。

另一方面，本申请实施例还提供一种显示装置，该显示装置至少包括上述任一种实施例提供的显示面板100。该显示装置具有与上述显示面板100相同的有益效果，在此不再赘述。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。