基板处理方法及基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理方法及基板处理装置。基板例如是半导体晶圆、液晶显示器用基板、有机EL(Electroluminescence，电致发光)用基板、FPD(FlatPanel Display，平板显示器)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、磁光盘用基板、光罩用基板、太阳电池用基板。

背景技术

专利文献1的基板处理方法除蚀刻液以外，还将添加剂供给至基板。添加剂是离子性界面活性剂。离子性界面活性剂可为阴离子界面活性剂及阳离子界面活性剂中的任一者。根据专利文献1的基板处理方法，凹部内的蚀刻速率得以提升。

专利文献1提出覆层比作为蚀刻速率的指标。覆层比是基板的凹部内的蚀刻速率相对于基板的覆层部分的蚀刻速率的比率。通常，凹部内的蚀刻速率低于覆层部分的蚀刻速率。因此，通常，覆层比未达1。根据专利文献1的基板处理方法，在不降低覆层的蚀刻速率的情况下提高凹部内的蚀刻速率。其结果，根据专利文献1的基板处理方法，覆层比被提高至接近1的值。根据专利文献1的基板处理方法，覆层比在未达1的范围内被提高至接近1的值。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2021-48369号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年，基板表面上形成的图案趋于复杂化。因此，对基板进行蚀刻的处理也趋于复杂化。

本发明鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够对基板适当地蚀刻的基板处理方法及基板处理装置。

用于解决问题的手段

本发明为了实现上述目的而采用以下构成。即，本发明是一种基板处理方法，其对基板进行处理，具备：切换工序，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换添加剂；及处理工序，将由所述切换工序选择的所述添加剂与蚀刻液供给至基板。

基板处理方法具备切换工序与处理工序。切换工序中，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换添加剂。处理工序中，将蚀刻液供给至基板。处理工序中，将由切换工序选择的添加剂供给至基板。如此，处理工序中供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间适当地切换。因此，处理工序中适当地对基板进行蚀刻。

所述基板处理方法中，在所述切换工序中，优选为根据规定所述处理工序的条件的处理条件信息，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的任一者作为所述添加剂。处理工序中添加至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当地切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。

所述基板处理方法中，所述处理条件信息包含指定所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的任一者作为添加剂的添加剂信息，所述切换工序中，优选为根据所述添加剂信息，来在所述阴离子界面活性剂与所述阳离子界面活性剂之间切换所述添加剂。处理工序中供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当地切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。

所述基板处理方法中，基板具有覆层部分，当将所述蚀刻液供给至基板时，优选为所述覆层部分带正电。在将蚀刻液与阴离子界面活性剂供给至基板的情况时，阴离子界面活性剂具有与覆层部分相反的极性。因此，覆层部分与阴离子界面活性剂相互吸引。阴离子界面活性剂集中于覆层部分的附近。因此，阴离子界面活性剂阻止蚀刻液对覆层部分进行蚀刻。即，阴离子界面活性剂适当地阻碍覆层部分的蚀刻。在将蚀刻液与阳离子界面活性剂供给至基板的情况时，阳离子界面活性剂具有与覆层部分相同的极性。因此，覆层部分与阳离子界面活性剂相互排斥。阳离子界面活性剂不集中于覆层部分的附近。因此，阳离子界面活性剂不阻止蚀刻液对覆层部分进行蚀刻。即，阳离子界面活性剂适当地容许覆层部分的蚀刻。如上所述，通过在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换添加剂，而适当地控制覆层部分的蚀刻速率。

所述基板处理方法中，基板具有划分凹部的壁部分，当将所述蚀刻液供给至基板时，优选为所述壁部分带负电。在将蚀刻液与阴离子界面活性剂供给至基板的情况时，阴离子界面活性剂将具有与壁部分相同的极性。因此，壁部分与阴离子界面活性剂相互排斥。阴离子界面活性剂难以进入凹部内。因此，阴离子界面活性剂不阻止蚀刻液对凹部内进行蚀刻。即，阴离子界面活性剂适当地容许凹部内的蚀刻。在将蚀刻液与阳离子界面活性剂供给至基板的情况时，阳离子界面活性剂具有与壁部分相反的极性。因此，壁部分与阳离子界面活性剂相互吸引。阳离子界面活性剂容易进入凹部内。因此，阳离子界面活性剂阻止蚀刻液对凹部内进行蚀刻。即，阳离子界面活性剂适当地阻碍凹部内的蚀刻。如上所述，通过在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换添加剂，而适当地控制凹部内的蚀刻速率。

所述基板处理方法中，蚀刻液优选为酸性。当将蚀刻液供给至基板时，覆层部分优选为带正电。当将蚀刻液供给至基板时，划分凹部的基板的壁部分优选为带负电。

所述基板处理方法中，优选为在所述切换工序中，当所述处理条件信息规定第1蚀刻条件时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的一者作为所述添加剂，当所述处理条件信息规定第2蚀刻条件时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的另一者作为所述添加剂，所述第1蚀刻条件是保护基板的覆层部分不受蚀刻的影响并对基板的凹部内进行蚀刻，所述第2蚀刻条件是保护基板的所述凹部不受蚀刻的影响并对基板的所述覆层部分进行蚀刻。处理工序中供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。例如，适当地控制对覆层部分进行蚀刻，或保护覆层部分不受蚀刻的影响。例如，适当地控制对凹部内进行蚀刻，或保护凹部不受蚀刻的影响。

所述基板处理方法中，优选为当将所述蚀刻液供给至基板时，所述覆层部分带正电，且划分所述凹部的基板的壁部分带负电，所述切换工序中，当所述处理条件信息规定所述第1蚀刻条件时，选择所述阴离子界面活性剂作为所述添加剂，当所述处理条件信息规定所述第2蚀刻条件时，选择所述阳离子界面活性剂作为所述添加剂。

在处理条件信息规定第1蚀刻条件的情况时，在处理工序中，将阴离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。当将蚀刻液供给至基板时，覆层部分带正电。阴离子界面活性剂与覆层部分相互吸引。因此，阴离子界面活性剂阻碍覆层部分的蚀刻。即，阴离子界面活性剂保护覆层部分不受蚀刻的影响。当将蚀刻液供给至基板时，壁部分带负电。阴离子界面活性剂与壁部分相互排斥。因此，阴离子界面活性剂容许凹部内的蚀刻。其结果，处理工序中容易以第1蚀刻条件对基板进行蚀刻。

在处理条件信息规定第2蚀刻条件的情况时，处理工序中，将阳离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。阳离子界面活性剂与覆层部分相互排斥。因此，阳离子界面活性剂容许覆层部分的蚀刻。阳离子界面活性剂与壁部分相互吸引。因此，阳离子界面活性剂阻碍凹部内的蚀刻。即，阳离子界面活性剂保护凹部不受蚀刻的影响。其结果，处理工序中容易以第2蚀刻条件对基板进行蚀刻。

所述基板处理方法中，在所述切换工序中，优选为根据与基板的覆层部分的蚀刻速率及基板的凹部内的蚀刻速率中的至少任一者相关的目标，而选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的任一者作为所述添加剂。处理工序中供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当地切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。

所述基板处理方法中，优选为在所述切换工序中，在所述目标是使所述覆层部分的所述蚀刻速率接近零的情况时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的一者作为所述添加剂，在所述目标是使所述凹部内的所述蚀刻速率接近零的情况时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的另一者作为所述添加剂。处理工序中供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当地切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。例如，适当地控制覆层部分的蚀刻速率。例如，适当地控制凹部内的蚀刻速率。

所述基板处理方法中，优选为当将所述蚀刻液供给至基板时，所述覆层部分带正电，且划分所述凹部的基板的壁部分带负电，所述切换工序中，在所述目标是使所述覆层部分的所述蚀刻速率接近零的情况时，选择所述阴离子界面活性剂作为所述添加剂，在所述目标是使所述凹部内的所述蚀刻速率接近零的情况时，选择所述阳离子界面活性剂作为所述添加剂。

在目标是使覆层部分的蚀刻速率接近零的情况时，处理工序中，将阴离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。当将蚀刻液供给至基板时，覆层部分带正电。阴离子界面活性剂与覆层部分相互吸引。因此，阴离子界面活性剂阻碍覆层部分的蚀刻。即，阴离子界面活性剂使覆层部分的蚀刻速率降低。其结果，使覆层部分的蚀刻速率接近零的目标容易于处理工序中实现。

在目标是使凹部内的所述蚀刻速率接近零的情况时，处理工序中，将阳离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。当将蚀刻液供给至基板时，壁部分带负电。阳离子界面活性剂与壁部分相互吸引。因此，阳离子界面活性剂阻碍凹部内的蚀刻。即，阳离子界面活性剂使凹部内的蚀刻速率降低。其结果，使凹部内的蚀刻速率接近零的目标容易于处理工序中实现。

所述基板处理方法中，优选为在所述切换工序中，在所述目标是使所述覆层部分的所述蚀刻速率小于所述凹部内的所述蚀刻速率的情况时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的一者作为所述添加剂，在所述目标是使所述凹部内的所述蚀刻速率小于所述覆层部分的蚀刻速率的情况时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的另一者作为所述添加剂。供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当地切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。例如，适当地切换处理工序中的覆层部分的蚀刻速率与凹部内的蚀刻速率之间的大小关系。

所述基板处理方法中，优选为当将所述蚀刻液供给至基板时，所述覆层部分带正电，且划分所述凹部的基板的壁部分带负电，所述切换工序中，在所述目标是使所述覆层部分的所述蚀刻速率小于所述凹部内的所述蚀刻速率的情况时，选择所述阴离子界面活性剂作为所述添加剂，在所述目标是使所述凹部内的所述蚀刻速率小于所述覆层部分的所述蚀刻速率的情况时，选择所述阳离子界面活性剂作为所述添加剂。

在目标是使覆层部分的蚀刻速率小于凹部内的蚀刻速率的情况时，处理工序中，将阴离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。当将蚀刻液供给至基板时，覆层部分带正电。阴离子界面活性剂与覆层部分相互吸引。因此，阴离子界面活性剂阻碍覆层部分的蚀刻。当将蚀刻液供给至基板时，壁部分带负电。阴离子界面活性剂与壁部分相互排斥。因此，阴离子界面活性剂容许凹部内的蚀刻。这些结果，使覆层部分的蚀刻速率小于凹部内的蚀刻速率的目标容易于处理工序中实现。

在目标是使凹部内的蚀刻速率小于覆层部分的蚀刻速率的情况时，处理工序中，将阳离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。阳离子界面活性剂与覆层部分相互排斥。因此，阳离子界面活性剂容许覆层部分的蚀刻。阳离子界面活性剂与壁部分相互吸引。因此，阳离子界面活性剂阻碍凹部内的蚀刻。这些结果，使凹部内的蚀刻速率小于覆层部分的蚀刻速率的目标容易于处理工序中实现。

所述基板处理方法中，优选为在所述切换工序中，根据与覆层比相关的目标，而选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的任一者作为所述添加剂，所述覆层比是基板的凹部内的蚀刻速率相对于基板的覆层部分的蚀刻速率的比率。供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当地切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。

所述基板处理方法中，优选为在所述切换工序中，在所述目标是使所述覆层比大于基准值的情况时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的一者作为所述添加剂，在所述目标是使所述覆层比小于所述基准值的情况时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的另一者作为所述添加剂，所述基准值是不将所述添加剂供给至基板而将所述蚀刻液供给至基板时所获得的覆层比。处理工序中供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当地切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。例如，适当地控制处理工序中的覆层比。

所述基板处理方法中，优选为当将所述蚀刻液供给至基板时，所述覆层部分带正电，且划分所述凹部的基板的壁部分带负电，所述切换工序中，在所述目标是使所述覆层比大于所述基准值的情况时，选择所述阴离子界面活性剂作为所述添加剂，在所述目标是使所述覆层比小于所述基准值的情况时，选择所述阳离子界面活性剂作为所述添加剂。

在目标是使覆层比大于基准值的情况时，处理工序中，将阴离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。当将蚀刻液供给至基板时，覆层部分带正电。阴离子界面活性剂与覆层部分相互吸引。因此，阴离子界面活性剂阻碍覆层部分的蚀刻。当将蚀刻液供给至基板时，壁部分带负电。阴离子界面活性剂与壁部分相互排斥。因此，阴离子界面活性剂容许凹部内的蚀刻。这些结果，使覆层比大于基准值的目标容易于处理工序中实现。

在目标是使覆层比小于基准值的情况时，处理工序中，将阳离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。阳离子界面活性剂与覆层部分相互排斥。因此，阳离子界面活性剂容许覆层部分的蚀刻。阳离子界面活性剂与壁部分相互吸引。因此，阳离子界面活性剂阻碍凹部内的蚀刻。这些结果，使覆层比小于基准值的目标容易于处理工序中实现。

所述基板处理方法中，优选为在所述切换工序中，在所述目标是使所述覆层比大于1的情况时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的一者作为所述添加剂，在所述目标是使所述覆层比接近零的情况时，选择所述阴离子界面活性剂及所述阳离子界面活性剂中的另一者作为所述添加剂。处理工序中供给至基板的添加剂，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间更适当地切换。因此，更适当地对基板进行蚀刻。例如，更灵活地控制处理工序中的覆层比。

所述基板处理方法中，优选为当将所述蚀刻液供给至基板时，所述覆层部分带正电，且划分所述凹部的基板的壁部分带负电，所述切换工序中，在所述目标是使所述覆层比大于1的情况时，选择所述阴离子界面活性剂作为所述添加剂，在所述目标是使所述覆层比接近零的情况时，选择所述阳离子界面活性剂作为所述添加剂。

在目标是使覆层比大于1的情况时，处理工序中，将阴离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。当将蚀刻液供给至基板时，覆层部分带正电。阴离子界面活性剂与覆层部分相互吸引。因此，阴离子界面活性剂阻碍覆层部分的蚀刻。当将蚀刻液供给至基板时，壁部分带负电。阴离子界面活性剂与壁部分相互排斥。因此，阴离子界面活性剂容许凹部内的蚀刻。这些结果，使覆层比大于1的目标容易于处理工序中实现。

在目标是使覆层比接近零的情况时，处理工序中，将阳离子界面活性剂与蚀刻液供给至基板。阳离子界面活性剂与覆层部分相互排斥。因此，阳离子界面活性剂容许覆层部分的蚀刻。阳离子界面活性剂与壁部分相互吸引。因此，阳离子界面活性剂阻碍凹部内的蚀刻。这些结果，使覆层比接近零的目标容易于处理工序中实现。

所述基板处理方法中，所述蚀刻液优选为双氧水。双氧水可适当地对基板进行蚀刻。

所述基板处理方法中，优选为在所述处理工序中处理的基板具有由氮化钛构成的覆层部分。在将阴离子界面活性剂与双氧水供给至基板的情况时，覆层部分与阴离子界面活性剂相互吸引。因此，阴离子界面活性剂适当地保护由氮化钛构成的覆层部分不受双氧水的影响。阴离子界面活性剂适当地防止双氧水对由氮化钛构成的覆层部分进行蚀刻。在将阳离子界面活性剂与双氧水供给至基板的情况时，覆层部分与阳离子界面活性剂相互排斥。因此，阳离子界面活性剂适当地容许双氧水对由氮化钛构成的覆层部分进行蚀刻。

所述基板处理方法中，在所述处理工序中处理的基板优选为具有所述壁部分，所述壁部分是划分凹部的壁部分，由硅、二氧化硅、多晶硅及氧化铪中的至少任一者构成。当将阴离子界面活性剂与双氧水供给至基板的情况时，阴离子界面活性剂适当地容许双氧水对凹部内进行蚀刻。在将阳离子界面活性剂与双氧水供给至基板的情况时，阳离子界面活性剂适当地保护凹部不受双氧水的影响。在壁部分由硅、二氧化硅、多晶硅及氧化铪中的至少任一者构成的情况时，阳离子界面活性剂适当地防止双氧水对凹部内进行蚀刻。

所述基板处理方法中，在处理工序中处理的基板，具有第1壁、第2壁、及位于所述第1壁与所述第2壁之间且由氮化钛构成的中间部分，所述处理工序中，优选为不对所述第1壁与所述第2壁进行蚀刻而对中间部分进行蚀刻，在所述第1壁与所述第2壁之间形成凹部。在将阴离子界面活性剂与双氧水供给至基板的情况时，阴离子界面活性剂适当地容许双氧水对由氮化钛构成的中间部分进行蚀刻。因此，阴离子界面活性剂适当地容许双氧水对凹部内进行蚀刻。

所述基板处理方法中，进而具备调整所述添加剂相对于所述蚀刻液的浓度的设定值的调整工序，所述处理工序中，优选为将通过所述切换工序选择的所述添加剂，以与通过所述调整工序决定的设定值相等的浓度供给至基板。处理工序中供给至基板的添加剂的浓度可适当地变化。因此，更适当地对基板进行蚀刻。

另外，本发明是一种基板处理装置，具备：基板保持部，保持基板；供给部，对由所述基板保持部保持的基板供给蚀刻液与添加剂；及控制部，控制所述供给部并在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换所述添加剂。

基板处理装置具备基板保持部、供给部及控制部。基板保持部保持基板。供给部对由基板保持部保持的基板供给蚀刻液。供给部对由基板保持部保持的基板供给添加剂。控制部控制供给部。控制部在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换上述添加剂。因此，供给至基板的添加剂在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间适当地切换。因此，适当地对基板进行蚀刻。

发明的效果

根据本发明的基板处理方法及基板处理装置，能适当地对基板进行蚀刻。

附图说明

图1是表示基板处理装置的内部的俯视图。

图2是基板处理装置的控制方框图。

图3是表示处理单元的构成的图。

图4的(a)、图4的(b)是示意性表示覆层部分的图。

图5的(a)、图5的(b)是示意性表示凹部的图。

图6是表示基板处理方法的步骤的流程图。

图7是表示比较例与实验例1～6的表。

图8是示意性表示被供给阴离子界面活性剂与蚀刻液的覆层部分的图。

图9是示意性表示被供给阴离子界面活性剂与蚀刻液的凹部图。

图10是示意性表示被供给阳离子界面活性剂与蚀刻液的覆层部分的图。

图11是示意性表示被供给阳离子界面活性剂与蚀刻液的凹部的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的基板处理方法及基板处理装置进行说明。

＜1.基板处理装置的概要＞

图1是表示基板处理装置1的内部的俯视图。基板处理装置1对基板W进行处理。基板处理装置1中的处理包含湿式蚀刻处理。

基板W例如是半导体晶圆、液晶显示器用基板、有机EL(Electrolumin escence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、磁光盘用基板、光罩用基板、太阳电池用基板。基板W具有较薄的平板形状。基板W俯视下具有大致圆形状。

基板处理装置1具备分度器部3与处理块7。处理块7与分度器部3连接。分度器部3对处理块7供给基板W。处理块7对基板W进行处理。分度器部3自处理块7回收基板W。

本说明书中，方便起见，将分度器部3与处理块7排列的方向称为“前后方向X”。前后方向X是水平方向。将前后方向X中自处理块7朝向分度器部3的方向称为“前方”。将与前方相反的方向称为“后方”。将与前后方向X正交的水平方向称为“宽度方向Y”。将“宽度方向Y”的一侧适当地称为“右方”。将与右方相反的方向称为“左方”。将与水平方向垂直的方向称为“铅垂方向Z”。各图中，作为参考而适当地示出前、后、右、左、上、下。

分度器部3具备复数个(例如4个)载具载置部4。各载具载置部4分别载置1个载具C。载具C收容复数片基板W。载具C例如是FOUP(Fron t Opening Unified Pod，前开式晶圆盒)、SMIF(Standard Mechanical Inte rface，标准机械接口)、或OC(Open Cassette，开放式晶圆匣)。

分度器部3具备搬送机构5。搬送机构5配置于载具载置部4的后方。搬送机构5搬送基板W。搬送机构5能够对载具载置部4上载置的载具C进行存取。搬送机构5具备手部5a与手部驱动部5b。手部5a支撑基板W。手部驱动部5b与手部5a连结。手部驱动部5b使手部5a移动。手部驱动部5b例如使手部5a于前后方向X、宽度方向Y及铅垂方向Z移动。手部驱动部5b例如使手部5a在水平面内旋转。

处理块7具备搬送机构8。搬送机构8搬送基板W。搬送机构8与搬送机构5能够相互交接基板W。搬送机构8具备手部8a与手部驱动部8b。手部8a支撑基板W。手部驱动部8b与手部8a连结。手部驱动部8b使手部8a移动。手部驱动部8b例如使手部8a于前后方向X、宽度方向Y及铅垂方向Z移动。手部驱动部8b例如使手部8a于水平面内旋转。

处理块7具备复数个处理单元11。处理单元11配置于搬送机构8的侧方。各处理单元11对基板W进行处理。

处理单元11具备基板保持部13。基板保持部13保持基板W。

搬送机构8能够相对于各处理单元11进行存取。搬送机构8可将基板W交递至基板保持部13。搬送机构8可自基板保持部13取得基板W。

图2是基板处理装置1的控制方框图。基板处理装置1具备存储部9。存储部9存储各种信息。存储部9通过固定磁盘等存储介质等实现。

存储部9中存储的信息例如是用以控制搬送机构5、8的搬送条件信息U1。存储部9中存储的信息例如是用以控制处理单元11的处理条件信息U2。搬送条件信息U1及处理条件信息U2经预先设定。搬送条件信息U1及处理条件信息U2是于基板处理装置1对基板W进行处理之前设定。处理条件信息U2规定对基板W的处理的条件。处理条件信息U2也称为处理配方。处理条件信息U2例如是针对每一基板W来设定。处理条件信息U2例如是针对基板W的每一批次来设定。

基板处理装置1具备控制部10。控制部10能够与存储部9通信。控制部10参照搬送条件信息U1及处理条件信息U2。控制部10进而能够与搬送机构5、8及处理单元11通信。控制部10控制搬送机构5、8与处理单元11。控制部10利用执行各种处理的中央运算处理装置(CPU)等而实现。

对基板处理装置1的动作例简单地进行说明。

分度器部3对处理块7供给基板W。具体而言，搬送机构5将基板W自载具C交递至处理块7的搬送机构8。

搬送机构8对处理单元11分配基板W。具体而言，搬送机构8将基板W自搬送机构5搬送至各处理单元11的基板保持部13。

处理单元11对保持于基板保持部13的基板W进行处理。处理单元11例如对基板W进行蚀刻处理。处理单元11例如对基板W进行湿式蚀刻处理。

处理单元11对基板W进行处理之后，搬送机构8自各处理单元11回收基板W。具体而言，搬送机构8自各基板保持部13接收基板W。然后，搬送机构8将基板W交递至搬送机构5。

分度器部3自处理块7回收基板W。具体而言，搬送机构5将基板W自搬送机构8搬送至载具C。

＜2.处理单元11的构成＞

图3是表示处理单元11的构成的图。各处理单元11具有相同的结构。处理单元11被分类为单片式。即，各处理单元11一次仅处理1片基板W。

基板保持部13保持1片基板W。基板保持部13将基板W以水平姿势保持。基板保持部13位于基板保持部13保持的基板W的下方。基板保持部13与基板W的下表面及基板W的周缘部中的至少任一者接触。基板W的下表面也称为基板W的背侧。基板保持部13不与基板W的上表面接触。

处理单元11具备旋转驱动部14。旋转驱动部14与基板保持部13连结。旋转驱动部14使基板保持部13旋转。保持于基板保持部13的基板W与基板保持部13一体旋转。保持于基板保持部13的基板W绕旋转轴线B旋转。旋转轴线B例如穿过基板W的中心并沿铅垂方向Z延伸。

处理单元11具备供给部15。供给部15对保持于基板保持部13的基板W供给蚀刻液与添加剂。供给部15进而对保持于基板保持部13的基板W供给冲洗液与气体。例如，供给部15对基板W的上表面供给蚀刻液、添加剂、冲洗液及气体。

利用供给部15供给的蚀刻液例如是双氧水。或者，蚀刻液例如是氢氟酸(HF)、或缓冲氢氟酸(BHF)。

利用供给部15供给的添加剂是离子性界面活性剂。离子性界面活性剂包含阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂。阴离子界面活性剂例如是十二烷基硫酸钠(sodiumdodecyl sulfate，SDS)。阳离子界面活性剂例如是十六烷基三甲基氯化铵(Hexadecyltrimethylammonium Chloride，CTAC)。

利用供给部15供给的冲洗液例如是纯水(DIW)。

利用供给部15供给的气体例如是干燥空气或非活性气体。非活性气体例如是氮气。

供给部15具备喷嘴16。喷嘴16与供给源28a、28b、28c连接。喷嘴16与供给源28a、28b、28c连通。供给源28a将蚀刻液送至喷嘴16。供给源28b将阴离子界面活性剂送至喷嘴16。供给源28c将阳离子界面活性剂送至喷嘴16。

对喷嘴16与供给源28a～28c之间的流路的一例进行说明。供给部15具备配管21a、21b、21c、21d、四向连接器22、及阀23a、23b、23c。配管21a连结供给源28a与四向连接器22。配管21b连结供给源28b与四向连接器22。配管21c连结供给源28c与四向连接器22。配管21d连结四向连接器22与喷嘴16。阀23a设置于配管21a。阀23b设置于配管21b。阀23c设置于配管21c。阀23a控制由喷嘴16进行的蚀刻液的喷出。具体而言，当阀23a打开时，蚀刻液自供给源28a流向喷嘴16。当阀23a打开时，喷嘴16喷出蚀刻液。当阀23a关闭时，蚀刻液不自供给源28a流向喷嘴16。当阀23a关闭时，喷嘴16不喷出蚀刻液。同样，阀23b控制由喷嘴16进行的阴离子界面活性剂的喷出。阀23c控制由喷嘴16进行的阳离子界面活性剂的喷出。当阀23a、23b同时打开时，蚀刻液与阳离子界面活性剂于四向连接器22处混合。当阀23a、23b同时打开时，喷嘴16喷出蚀刻液与阴离子界面活性剂的混合液。同样，当阀23a、23c同时打开时，喷嘴16喷出蚀刻液与阳离子界面活性剂的混合液。

供给部15具备喷嘴17。喷嘴17与供给源29a连通连接。供给源29a将冲洗液送至喷嘴17。供给部15具备配管24a与阀25a。配管24a连结供给源29a与喷嘴17。阀25a设置于配管24a。阀25a控制由喷嘴17进行的冲洗液的喷出。

供给部15具备喷嘴18。喷嘴18与供给源29b连通连接。供给源29b将气体送至喷嘴18。例如，供给源29b将非活性气体送至喷嘴18。供给部15具备配管24b与阀25b。配管24b连结供给源29b与喷嘴18。阀25b设置于配管24b。阀25b控制由喷嘴18进行的气体的喷出。

处理单元11也可进而具备未图示的壳体。壳体例如收容基板保持部13与喷嘴16～18。在壳体的内部对基板W进行处理。

处理单元11进而具备罩体。罩体配置于基板保持部13的周围。罩体挡住自保持于基板保持部13的基板W飞散的液体。

参照图2。控制部10控制旋转驱动部14。控制部10控制供给部15。具体而言，控制部10控制阀23a～23c、25a～25b。

控制部10所具有的处理条件信息U2包含添加剂信息U2a。添加剂信息U2a指定阴离子界面活性剂及阳离子界面活性剂中的任一者作为添加剂。

＜3.基板W＞

接下来，对基板W进行说明。基板W例如具有覆层部分及凹部中的至少任一者。基板保持部13保持基板W时，覆层部分及凹部中的至少任一者位于基板W的上表面。

图4的(a)、图4的(b)是示意性表示覆层部分的图。覆层部分P1是基板W的一部分。

图4的(a)表示蚀刻前的覆层(blanket)部分P1。图4的(b)表示蚀刻后的覆层部分P1。覆层部分P1于深度方向d1被蚀刻。覆层部分P1的蚀刻量例如是图4的(b)所示的距离D1。覆层部分P1具有面Q1。面Q1暴露于蚀刻液中。面Q1例如与深度方向d1正交。面Q1例如平坦。面Q1充分宽以使覆层部分P1的蚀刻速率不产生损耗。蚀刻速率相当于每单位时间的蚀刻量。图4的(a)、图4的(b)示出面Q1的长度M1、N1。长度M1、N1分别例如大于500nm。

图5的(a)、图5的(b)是示意性表示凹部的图。凹部A是空间。基板W具有壁部分R。壁部分R划分凹部A。例如，壁部分R包含第1壁R1与第2壁R2。第2壁R2与第1壁R1对向。基板W具有中间部分P2。中间部分P2位于第1壁R1与第2壁R2之间。第1壁R1、中间部分P2、及第2壁R2相互层积。壁部分R及中间部分P2分别是基板W的一部分。

图5的(a)表示蚀刻前的凹部A。图5的(b)表示蚀刻后的凹部A。中间部分P2于深度方向d2被蚀刻。中间部分P2的蚀刻量例如是图5的(b)所示的距离D2。壁部分R不被蚀刻。通过不对第1壁R1及第2壁R2进行蚀刻而对中间部分P2进行蚀刻，而在第1壁R1与第2壁R2之间形成凹部A。

中间部分P2具有面Q2。面Q2暴露于蚀刻液中。面Q2例如与深度方向d2正交。面Q2充分小。因此，凹部A也充分小。面Q2充分狭窄。面Q2充分狭窄以使中间部分P2的蚀刻速率产生损耗。因此，凹部A也充分狭窄。面Q2充分小于面Q1。因此，中间部分P2的蚀刻速率容易低于覆层部分P1的蚀刻速率。

图5的(a)、图5的(b)示出面Q2的长度M2、N2。长度M2相当于第1壁R1与第2壁R2的隔离距离。长度M2是100nm以下。长度N2也可为100nm以下，也可大于100nm。

本说明书中，适当地将中间部分P2的蚀刻称为凹部A内的蚀刻。适当地将中间部分P2的蚀刻速率称为凹部A内的蚀刻速率。适当地将长度M2称为凹部A的宽度M2。

＜4.处理单元11的动作例＞

图6是表示基板处理方法的步骤的流程图。基板处理方法具备切换工序与处理工序。处理工序在切换工序之后执行。处理工序包含第1清洗工序、蚀刻工序、第2清洗工序、及干燥工序。处理工序中，处理单元11的各要素根据控制部10的控制来动作。

步骤S1：切换工序

添加剂在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换。

具体而言，控制部10在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换添加剂。控制部10根据处理条件信息U2，而选择阴离子界面活性剂及阳离子界面活性剂中的任一者作为添加剂。控制部10根据添加剂信息U2a，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换添加剂。控制部10选择由添加剂信息U2a指定的阴离子界面活性剂及阳离子界面活性剂中的任一者作为添加剂。

步骤S2：处理工序

第1清洗工序、蚀刻工序、第2清洗工序、及干燥工序按序执行。

步骤S2a：第1清洗工序

将冲洗液供给至基板W。由此，对基板W进行清洗。

具体而言，阀25a打开。喷嘴17对保持于基板保持部13的基板W喷出冲洗液。冲洗液对基板W进行清洗。其后，阀25a关闭。喷嘴17停止冲洗液的喷出。

步骤S2b：蚀刻工序

将通过切换工序选择的添加剂与蚀刻液供给至基板W。将添加剂与蚀刻液同时供给至基板W。由此，对基板W进行蚀刻。

切换工序中选择阴离子界面活性剂作为添加剂的情况时，阀23a打开，阀23b打开，阀23c关闭。选择阴离子界面活性剂作为添加剂的情况时，喷嘴16将蚀刻液与阴离子界面活性剂喷出至基板W。具体而言，喷嘴16将蚀刻液与阴离子界面活性剂的混合液喷出至基板W。喷嘴16不将阳离子界面活性剂喷出至基板W。其后，阀23a、23b关闭。喷嘴16停止混合液的喷出。

切换工序中选择阳离子界面活性剂作为添加剂的情况时，阀23a打开，阀23b关闭，阀23c打开。选择阳离子界面活性剂作为添加剂的情况时，喷嘴16将蚀刻液与阳离子界面活性剂喷出至基板W。具体而言，喷嘴16将蚀刻液与阳离子界面活性剂的混合液喷出至基板W。喷嘴16不将阴离子界面活性剂喷出至基板W。其后，阀23a、23c关闭。喷嘴16停止混合液的喷出。

步骤S2c：第2清洗工序

将冲洗液供给至基板W。由此，对基板W进行清洗。步骤2c中的动作例如与步骤S2a中的动作相同。

步骤S2d：干燥工序

将气体供给至基板W。由此，对基板W进行干燥。

具体而言，阀25b打开。喷嘴18对保持于基板保持部13的基板W喷出气体。气体使基板W干燥。其后，阀25b关闭。喷嘴18停止气体的喷出。

也可在上述处理工序的至少一部分，旋转驱动部14使基板W旋转。例如，也可在整个上述处理工序中，旋转驱动部14使基板W旋转。

＜5.切换工序的技术上的意义＞

通过比较例与实验例1～6对切换工序的技术上的意义进行说明。图7是表示比较例与实验例1～6的表。图7的表表示通过比较例与实验例1～6对基板W进行处理时的基板W的蚀刻速率及覆层比。

比较例及实验例1～6分别在以下条件下执行。比较例及实验例1～6中，通过上述处理工序对基板W进行处理。第1清洗工序、第2清洗工序及干燥工序的条件在比较例及实验例1～6之间相同。蚀刻工序的条件在比较例及实验例1～6之间不同。

具体而言，在蚀刻工序供给至基板W的蚀刻液在比较例及实验例1～6之间相同。在蚀刻工序中供给至基板W的蚀刻液的组成在比较例及实验例1～6之间共通。蚀刻液是双氧水。换言之，双氧水是将过氧化氢利用纯水(DIW)稀释所得的水溶液。蚀刻液是酸性。

蚀刻工序中供给至基板W的添加剂在比较例及实验例1～6之间不同。比较例的蚀刻工序中，不将添加剂供给至基板W。实验例1～6的蚀刻工序中，将添加剂供给至基板W。

实验例1～3的添加剂是十二烷基硫酸钠(sodium dodecyl sulfate)。以下，将十二烷基硫酸钠简称为SDS。SDS属于阴离子界面活性剂。实验例1中，SDS相对于蚀刻液的浓度为1mM。此处，M是指mol/L。即，实验例1中，每1L蚀刻液中的SDS的量是0.001mol。实验例2中，SDS相对于蚀刻液的浓度为10mM。实验例3中，SDS相对于蚀刻液的浓度为100mM。

实验例4～6的添加剂是十六烷基三甲基氯化铵(Hexadecyltrimethylamm oniumChloride)。以下，将十六烷基三甲基氯化铵简称为CTAC。CTAC属于阳离子界面活性剂。实验例4中，CTAC相对于蚀刻液的浓度为1mM。实验例5中，CTAC相对于蚀刻液的浓度为10mM。实验例6中，CTAC相对于蚀刻液的浓度为100mM。

比较例及实验例1～6中，对覆层部分P1进行蚀刻。覆层部分P1由氮化钛构成。执行比较例及实验例1～6之后，对覆层部分P1的蚀刻速率EB进行测定。参照图4的(b)，蚀刻速率EB是每1分钟的距离D1。

进而，比较例及实验例1～6中，对凹部A1、A2、A3进行蚀刻。此处，参照图5的(b)，凹部A1的宽度M2是2nm。凹部A2的宽度M2是5nm。凹部A3的宽度M2是10nm。凹部A1由第1壁R1、第2壁R2及中间部分P2构成。第1壁R1包含二氧化硅(SiO

进而，根据蚀刻速率EB、EA1、EA2、EA3来算出覆层比F1、F2、F3。覆层比F1是蚀刻速率EA1相对于蚀刻速率EB的比率。覆层比F2是蚀刻速率EA2相对于蚀刻速率EB的比率。覆层比F3是蚀刻速率EA3相对于蚀刻速率EB的比率。换言之，覆层比F1、F2、F3用以下式定义。

F1＝EA1/EB

F2＝EA2/EB

F3＝EA3/EB

以下，在不区分蚀刻速率EA1、EA2、EA3的情况时，将蚀刻速率EA1、EA2、EA3称为蚀刻速率EA。在不区分覆层比F1、F2、F3的情况时，将覆层比F1、F2、F3称为覆层比F。

参照图7的比较例。比较例中，蚀刻速率EB是7.7nm/min。比较例中，蚀刻速率EA1、EA2、EA3分别为2.20nm/min、5.56nm/min、6.73nm/mi n。比较例中，蚀刻速率EB大于蚀刻速率EA1、EA2、EA3。比较例中，随着凹部A的宽度M2减少，凹部A的蚀刻速率EA降低。

比较例中，覆层比F1、F2、F3的任一者均未达1。比较例中，随着凹部A的宽度M2减少，覆层比F降低。

为了将比较例的覆层比F1与实验例1～6的覆层比F1区分开，而将比较例的覆层比F1称为基准值F1T。同样，将比较例的覆层比F2、F3分别称为基准值F2T、F3T。在不区分基准值F1T、F2T、F3T的情况时，将基准值F1T、F2T、F3T称为基准值FT。

参照实验例1～3。实验例1～3中，蚀刻速率EB处于0.9nm/min至1.6nm/min的范围内。如此，实验例1～3的蚀刻速率EB分别与比较例的蚀刻速率EB相比明显较低。实验例1～3的蚀刻速率EB分别接近零。实验例1～3中，保护覆层部分P1不受蚀刻的影响。实验例1～3中，阻止覆层部分P1的蚀刻。

实验例1～3的蚀刻速率EA1处于1.40nm/min至2.40nm/min的范围内。如此，实验例1～3的蚀刻速率EA1分别与比较例的蚀刻速率EA1相同或较其稍低。实验例1～3的蚀刻速率EA2分别较比较例的蚀刻速率EA2稍低。实验例1～3的蚀刻速率EA3分别较比较例的蚀刻速率EA3稍低。实验例1～3中，对凹部A适当地进行蚀刻。实验例1～3中，容许凹部A的蚀刻。

实验例1的蚀刻速率EB小于实验例1的蚀刻速率EA1、EA2、EA3。同样，实验例2中，蚀刻速率EB小于蚀刻速率EA1、EA2、EA3。实验例3中，蚀刻速率EB小于蚀刻速率EA1、EA2、EA3。总而言之，实验例1～3中，蚀刻速率EB小于蚀刻速率EA。

实验例1～3的覆层比F1分别大于基准值F1T。同样，实验例1～3的覆层比F2分别大于基准值F2T。实验例1～3的覆层比F3分别大于基准值F3T。总而言之，实验例1～3的覆层比F大于基准值FT。

实验例1～3的覆层比F1分别大于1。同样，实验例1～3的覆层比F2分别大于1。实验例1～3的覆层比F3分别大于1。总而言之，实验例1～3中，覆层比F大于1。

参照实验例4～6。实验例4～6的蚀刻速率EB处于2.8nm/min至4.5nm/min的范围内。如此，实验例4～6的蚀刻速率EB分别较比较例的蚀刻速率EB稍低。实验例4～6的蚀刻速率EB分别较实验例1～3的蚀刻速率EB高。实验例4～6中，对覆层部分P1适当地进行蚀刻。实验例4～6中，容许覆层部分P1的蚀刻。

实验例4～6的蚀刻速率EA1处于0.63nm/min至0.89nm/min的范围内。如此，实验例4～6的蚀刻速率EA1分别较比较例的蚀刻速率EA1明显低。同样，实验例4～6的蚀刻速率EA2分别较比较例的蚀刻速率EA2明显低。实验例4～6的蚀刻速率EA3分别较比较例的蚀刻速率EA3明显低。进而，实验例4～6的蚀刻速率EA1分别较实验例1～3的蚀刻速率EA1低。实验例4～6的蚀刻速率EA2分别较实验例1～3的蚀刻速率EA2低。实验例4～6的蚀刻速率EA3分别较实验例1～3的蚀刻速率EA3低。实验例4～6的蚀刻速率EA分别接近零。实验例4～6中，保护凹部A不受蚀刻的影响。实验例4～6中，阻止凹部A的蚀刻。

实验例4的蚀刻速率EB大于实验例4的蚀刻速率EA1、EA2、EA3。同样，实验例5中，蚀刻速率EB大于蚀刻速率EA1、EA2、EA3。实验例6中，蚀刻速率EB大于蚀刻速率EA1、EA2、EA3。总而言之，实验例4～6中，蚀刻速率EB大于蚀刻速率EA。

实验例4～6的覆层比F1分别小于基准值F1T。同样，实验例4～6的覆层比F2分别小于基准值F2T。实验例4～6的覆层比F3分别小于基准值F3T。总而言之，实验例4～6的覆层比F小于基准值FT。

实验例4～6的覆层比F1、F2、F3分别小于1。实验例4～6的覆层比F1、F2、F3分别接近零。总而言之，实验例4～6的覆层比F小于1。实验例4～6的覆层比F接近零。

＜6.蚀刻中的添加剂的作用＞

本发明人对蚀刻工序中添加剂发挥的作用推测如下。

图8是示意性表示被供给阴离子界面活性剂与蚀刻液的覆层部分P1的图。

混合液G包含蚀刻液。蚀刻液包含蚀刻种J。蚀刻种J对覆层部分P1进行蚀刻。蚀刻种J例如带负电。蚀刻种J例如是阴离子。在蚀刻液是双氧水的情况时，蚀刻种J是HO

混合液G包含阴离子界面活性剂K。混合液G中，阴离子界面活性剂K带负电。混合液G中，阴离子界面活性剂K电离为阴离子。具体而言，阴离子界面活性剂K具有亲水基K1与疏水基K2。混合液G中，亲水基K1带负电。

覆层部分P1暴露于混合液G中。当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1例如带正电。在混合液G是酸性的情况时，覆层部分P1容易带正电容。

阴离子界面活性剂K具有与覆层部分P1相反的极性。因此，阴离子界面活性剂K被吸引至覆层部分P1。阴离子界面活性剂K容易接近覆层部分P1。阴离子界面活性剂K容易集中于覆层部分P1的附近。阴离子界面活性剂K容易紧紧地附于覆层部分P1。阴离子界面活性剂K容易覆盖覆层部分P1。因此，阴离子界面活性剂K阻碍蚀刻种J接近覆层部分P1。阴离子界面活性剂K阻碍蚀刻种J集中于覆层部分P1的附近。阴离子界面活性剂K阻碍蚀刻种J与覆层部分P1接触。阴离子界面活性剂K阻碍蚀刻种J对覆层部分P1进行蚀刻。如此，阴离子界面活性剂K保护覆层部分P1不受蚀刻种J的影响。阴离子界面活性剂K保护覆层部分P1不受蚀刻的影响。阴离子界面活性剂K阻碍覆层部分P1的蚀刻。其结果，覆层部分P1的蚀刻速率EB明显降低。

再者，蚀刻种J也具有与覆层部分P1相反的极性。因此，蚀刻种J也被吸引至覆层部分P1。其中，阴离子界面活性剂K具有亲水基K1与疏水基K2。在覆层部分P1具有疏水性的情况时，疏水基K2与覆层部分P1之间的亲和性，高于蚀刻种J与覆层部分P1之间的亲和性。在覆层部分P1具有亲水性的情况时，亲水基K1与覆层部分P1之间的亲和性，高于蚀刻种J与覆层部分P1之间的亲和性。如此，在覆层部分P1具有疏水性的情况时、及覆层部分P1具有亲水性的情况时，阴离子界面活性剂K与覆层部分P1之间的亲和性，均高于蚀刻种J与覆层部分P1之间的亲和性。由此，相比于蚀刻种J对覆层部分P1的接近，阴离子界面活性剂K更容易接近覆层部分P1。

进而，阴离子界面活性剂K大于蚀刻种J。因此，位于覆层部分P1的附近的阴离子界面活性剂K有效地阻碍蚀刻种J接近覆层部分P1。

图9是示意性表示被供给阴离子界面活性剂与蚀刻液的凹部A的图。

凹部A暴露于混合液G中。当将蚀刻液供给至基板W时，中间部分P2例如带正电。当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R例如带负电。当将蚀刻液供给至基板W时，第1壁R1例如带负电。当将蚀刻液供给至基板W时，第2壁R2例如带负电。

阴离子界面活性剂K具有与壁部分R相同的极性。因此，阴离子界面活性剂K与壁部分R相斥。阴离子界面活性剂K难以接近凹部A。阴离子界面活性剂K难以进入凹部A。阴离子界面活性剂K难以集中于凹部A内。因此，阴离子界面活性剂K不阻碍蚀刻种J进入凹部A。换言之，阴离子界面活性剂K容许蚀刻种J进入凹部A。阴离子界面活性剂K容许蚀刻种J集中于凹部A内。阴离子界面活性剂K容许蚀刻种J与中间部分P2接触。阴离子界面活性剂K容许蚀刻种J对中间部分P2进行蚀刻。如此，阴离子界面活性剂K不阻碍凹部A2内的蚀刻。阴离子界面活性剂K容许凹部A内的蚀刻。其结果，对凹部A适当地进行蚀刻。促进凹部A的蚀刻。

再者，蚀刻种J具有与壁部分R相同的极性。然而，蚀刻种J小于阴离子界面活性剂K。因此，相比于阴离子界面活性剂K进入凹部A，蚀刻种J更容易进入凹部A。

进而，阴离子界面活性剂K于混合液G中释出未图示的相对离子。阴离子界面活性剂K的相对离子是阳离子。例如，在阴离子界面活性剂K为SD S时，相对离子为Na+。阴离子界面活性剂K的相对离子被吸引至壁部分R。而且，阴离子界面活性剂K的相对离子在壁部分R附近电性中和。因此，位于壁部分R附近的相对离子降低蚀刻种J与壁部分R之间的斥力。其结果，蚀刻种J更容易进入凹部A。

图10是示意性表示被供给阳离子界面活性剂与蚀刻液的覆层部分P1的图。

如上所述，混合液G包含蚀刻液。蚀刻液包含蚀刻种J。蚀刻种J例如是阴离子。蚀刻液例如具有酸性。混合液G例如具有酸性。

混合液G包含阳离子界面活性剂L。混合液G中，阳离子界面活性剂L带正电。混合液G中，阳离子界面活性剂L电离为阳离子。具体而言，阳离子界面活性剂L具有亲水基L1与疏水基L2。混合液G中，亲水基L1带正电。

覆层部分P1暴露于混合液G中。当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1例如带正电。

阳离子界面活性剂L具有与覆层部分P1相同的极性。因此，阳离子界面活性剂L与覆层部分P1相斥。阳离子界面活性剂L难以接近覆层部分P1。阳离子界面活性剂L难以集中于覆层部分P1的附近。阳离子界面活性剂L难以紧紧地附于覆层部分P1。阳离子界面活性剂L难以覆盖覆层部分P1。因此，阳离子界面活性剂L不阻碍蚀刻种J接近覆层部分P1。即，阳离子界面活性剂L容许蚀刻种J接近覆层部分P1。阳离子界面活性剂L容许蚀刻种J集中于覆层部分P1的附近。阳离子界面活性剂L容许蚀刻种J与覆层部分P1接触。阳离子界面活性剂L容许蚀刻种J对覆层部分P1进行蚀刻。如此，阳离子界面活性剂L容许覆层部分P1的蚀刻。阳离子界面活性剂L不阻碍覆层部分P1的蚀刻。其结果，对覆层部分P1适当地进行蚀刻。促进覆层部分P1的蚀刻。

再者，蚀刻种J具有与覆层部分P1相反的极性。因此，蚀刻种J更容易接近覆层部分P1。蚀刻种J更容易接近覆层部分P1。

阳离子界面活性剂L具有亲水基L1与疏水基L2。在覆层部分P1具有疏水性的情况时，疏水基L2与覆层部分P1之间的亲和性较高。在覆层部分P1具有亲水性的情况时，亲水基L1与覆层部分P1之间的亲和性较高。如此，在覆层部分P1具有疏水性的情况时、及覆层部分P1具有亲水性的情况时，阳离子界面活性剂L与覆层部分P1之间的亲和性均较高。因此，阳离子界面活性剂L的一部分有时接近覆层部分P1。因此，阳离子界面活性剂L的一部分有时使覆层部分P1的蚀刻速率EB稍降低。

图11是示意性表示被供给阳离子界面活性剂与蚀刻液的凹部A的图。

如上所述，凹部A暴露于混合液G中。当将蚀刻液供给至基板W时，中间部分P2例如带正电。当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R例如带负电。

阳离子界面活性剂L具有与壁部分R相反的极性。因此，阳离子界面活性剂L被吸引至壁部分R。阳离子界面活性剂L容易接近凹部A。阳离子界面活性剂L容易进入凹部A。阳离子界面活性剂L容易集中于凹部A内。因此，阳离子界面活性剂L阻碍蚀刻种J进入凹部A。阳离子界面活性剂L阻碍蚀刻种J集中于凹部A内。阳离子界面活性剂L阻碍蚀刻种J与中间部分P2接触。阳离子界面活性剂L阻碍蚀刻种J对中间部分P2进行蚀刻。如此，阳离子界面活性剂L保护凹部A不受蚀刻种J的影响。阳离子界面活性剂L保护凹部A不受蚀刻的影响。阳离子界面活性剂L阻碍凹部A内的蚀刻。其结果，凹部A内的蚀刻速率EA明显降低。

再者，蚀刻种J具有与壁部分R相同的极性。因此，蚀刻种J与壁部分R相互排斥。因此，蚀刻种J更难以进入凹部A。

进而，阳离子界面活性剂L大于蚀刻种J。因此，位于凹部A的阳离子界面活性剂L有效地阻碍蚀刻种J进入凹部A。

尤其是，凹部A极其狭窄。因此，凹部A的大部分是位于凹部A内的阳离子界面活性剂L所专有。因此，当阳离子界面活性剂L位于凹部A时，凹部A几乎无供蚀刻种J位于凹部A内的空间。假设于阳离子界面活性剂L与蚀刻种J位于凹部A的情况时，蚀刻种J与阳离子界面活性剂L容易相互碰撞。假设在阳离子界面活性剂L与蚀刻种J位于凹部A的情况时，蚀刻种J与阳离子界面活性剂L容易产生位阻。因此，位于凹部A的阳离子界面活性剂L更有效地阻碍蚀刻种J进入凹部A。

＜7.实施方式的效果＞

实施方式的基板处理方法具备切换工序与处理工序。切换工序中，添加剂在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换。切换工序中，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的一者作为添加剂。切换工序中，不选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的另一者作为添加剂。处理工序中，将蚀刻液供给至基板W。处理工序中，将阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的一者供给至基板W。处理工序中，不将阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的另一者供给至基板W。处理工序中供给至基板W的添加剂限于通过切换工序选择的添加剂。即，处理工序中，将通过切换工序选择的添加剂供给至基板W。如上所述，处理工序中供给至基板W的添加剂在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间适当地切换。因此，在处理工序中，适当地对基板W进行蚀刻。

切换工序中，根据处理条件信息U2，而选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的任一者作为添加剂。因此，处理工序中，供给至基板W的添加剂在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，更适当地对基板W进行蚀刻。

处理条件信息U2包含添加剂信息U2a。添加剂信息U2a选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的任一者作为添加剂。切换工序中，根据添加剂信息U2a，而在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂。因此，处理工序中，供给至基板W的添加剂在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。

当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1带正电。因此，在将蚀刻液与阴离子界面活性剂K供给至基板W的情况时，阴离子界面活性剂K具有与覆层部分P1相反的极性。因此，覆层部分P1与阴离子界面活性剂K相互吸引。阴离子界面活性剂K集中于覆层部分P1的附近。因此，阴离子界面活性剂K阻止蚀刻液对覆层部分P1进行蚀刻。即，阴离子界面活性剂K适当地阻碍覆层部分P1的蚀刻。在将蚀刻液与阳离子界面活性剂L供给至基板W的情况时，阳离子界面活性剂L具有与覆层部分P1相同的极性。因此，覆层部分P1与阳离子界面活性剂L相互排斥。阳离子界面活性剂L不集中于覆层部分P1的附近。因此，阳离子界面活性剂L不阻止蚀刻液对覆层部分P1进行蚀刻。即，阳离子界面活性剂L适当地容许覆层部分P1的蚀刻。如上所述，通过在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂，而适当地控制覆层部分P1的蚀刻速率EB。

当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R带负电。在将蚀刻液与阴离子界面活性剂K供给至基板W的情况时，阴离子界面活性剂K具有与壁部分R相同的极性。因此，壁部分R与阴离子界面活性剂K相互排斥。阴离子界面活性剂K难以进入凹部A内。因此，阴离子界面活性剂K不阻止蚀刻液对凹部A内进行蚀刻。即，阴离子界面活性剂K适当地容许凹部A内的蚀刻。在将蚀刻液与阳离子界面活性剂L供给至基板W的情况时，阳离子界面活性剂L具有与壁部分R相反的极性。因此，壁部分R与阳离子界面活性剂L相互吸引。阳离子界面活性剂L容易进入凹部A内。因此，阳离子界面活性剂L阻止蚀刻液对凹部A内进行蚀刻。即，阳离子界面活性剂L适当地阻碍凹部A内的蚀刻。如上所述，通过在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂，而适当地控制凹部A内的蚀刻速率EA。

蚀刻液是酸性。当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1适当地带正电。当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R适当地带负电。

蚀刻液例如是双氧水。因此，双氧水对基板W适当地进行蚀刻。

覆层部分P1例如由氮化钛构成。例如在将阴离子界面活性剂K与双氧水供给至基板W的情况时，覆层部分P1与阴离子界面活性剂K相互吸引。因此，阴离子界面活性剂K适当地保护由氮化钛构成的覆层部分P1不受双氧水的影响。阴离子界面活性剂K适当地防止双氧水对由氮化钛构成的覆层部分P1进行蚀刻。例如，在将阳离子界面活性剂L与双氧水供给至基板W的情况时，覆层部分P1与阳离子界面活性剂L相互排斥。因此，阳离子界面活性剂L适当地容许双氧水对由氮化钛构成的覆层部分P1进行蚀刻。

壁部分R例如包含二氧化硅及多晶硅。第1壁R1例如包含二氧化硅。第2壁R2例如包含多晶硅。例如，在将阴离子界面活性剂K与双氧水供给至基板W的情况时，阴离子界面活性剂K适当地容许双氧水对包含二氧化硅及多晶硅的凹部A内进行蚀刻。例如，在将阳离子界面活性剂L与双氧水供给至基板W的情况时，阳离子界面活性剂L保护包含二氧化硅及多晶硅的凹部A不受双氧水的影响。在壁部分R包含二氧化硅及多晶硅的情况时，阳离子界面活性剂L适当地防止双氧水对凹部A内进行蚀刻。

中间部分P2例如由氮化钛构成。因此，在将阴离子界面活性剂K与双氧水供给至基板W的情况时，阴离子界面活性剂K适当地容许双氧水对由氮化钛构成的中间部分P2进行蚀刻。因此，阴离子界面活性剂K适当地容许双氧水对凹部A内进行蚀刻。

基板处理装置1具备基板保持部13、供给部15、控制部10。基板保持部13保持基板W。供给部15对保持于基板保持部13的基板W供给蚀刻液与添加剂。控制部10控制供给部15。控制部10在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂。因此，供给至基板W的添加剂在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间适当地切换。因此，对基板W适当地进行蚀刻。

本发明并不限于实施方式，可实施下述变化。

(1)实施方式中，在切换工序中，根据添加剂信息U2a，而在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂。但，并不限定于此。以下，对各种变形实施方式进行说明。

(1-1)处理条件信息U2规定蚀刻条件。蚀刻条件例如包含第1蚀刻条件与第2蚀刻条件。第1蚀刻条件是保护覆层部分P1不受蚀刻的影响，并对凹部A内进行蚀刻。第1蚀刻条件是阻碍覆层部分P1的蚀刻，并容许凹部A内的蚀刻。第2蚀刻条件是保护凹部A不受蚀刻的影响，并对覆层部分P1进行蚀刻。第2蚀刻条件是阻碍凹部A内的蚀刻，并容许覆层部分P1的蚀刻。当处理条件信息U2规定第1蚀刻条件时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的一者作为添加剂。当处理条件信息U2规定第2蚀刻条件时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的另一者作为添加剂。

根据本变形实施方式，在处理工序中供给至基板W的添加剂，在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。例如，适当地控制对覆层部分P1进行蚀刻，或保护覆层部分P1不受蚀刻的影响。例如，适当地控制容许覆层部分P1的蚀刻、或阻碍覆层部分P1的蚀刻。例如，适当地控制对凹部A内进行蚀刻、或保护凹部A不受蚀刻的影响。例如，适当地控制容许凹部A内的蚀刻、或阻碍凹部A内的蚀刻。

具体而言，当处理条件信息U2规定第1蚀刻条件时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K作为添加剂。在处理工序中，将阴离子界面活性剂K与蚀刻液供给至基板W。当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1带正电。阴离子界面活性剂K与覆层部分P1相互吸引。因此，阴离子界面活性剂K阻碍覆层部分P1的蚀刻。即，阴离子界面活性剂K保护覆层部分P1不受蚀刻的影响。当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R带负电。阴离子界面活性剂K与壁部分R相互排斥。因此，阴离子界面活性剂K容许凹部A内的蚀刻。其结果，处理工序中容易于第1蚀刻条件下对基板W进行蚀刻。

具体而言，当处理条件信息U2规定第2蚀刻条件时，在切换工序中，选择阳离子界面活性剂L作为添加剂。在处理工序中，将阳离子界面活性剂L与蚀刻液供给至基板W。阳离子界面活性剂L与覆层部分P1相互排斥。因此，阳离子界面活性剂L容许覆层部分P1的蚀刻。阳离子界面活性剂L与壁部分R相互吸引。因此，阳离子界面活性剂L阻碍凹部A内的蚀刻。即，阳离子界面活性剂L保护凹部A不受蚀刻的影响。其结果，处理工序中容易于第2蚀刻条件下对基板W进行蚀刻。

(1-2)切换工序中，根据与覆层部分P1的蚀刻速率EB及凹部A内的蚀刻速率EA中的至少任一者相关的目标，而选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的任一者作为添加剂。

根据本变形实施方式，处理工序中供给至基板W的添加剂，在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。

(1-2-1)例如，在目标是使覆层部分P1的蚀刻速率EB接近零的情况时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的一者作为添加剂。例如，在目标是使凹部A内的蚀刻速率EA接近零的情况时，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的另一者作为添加剂。

根据本变形实施方式，处理工序中供给至基板W的添加剂，在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。例如，适当地控制覆层部分P1的蚀刻速率EB。例如，适当地控制凹部A内的蚀刻速率EA。

具体而言，在目标是使覆层部分P1的蚀刻速率EB接近零的情况时，在切换工序中选择阴离子界面活性剂K作为添加剂。处理工序中，将阴离子界面活性剂K与蚀刻液供给至基板W。当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1带正电。阴离子界面活性剂K与覆层部分P1相互吸引。因此，阴离子界面活性剂K阻碍覆层部分P1的蚀刻。即，阴离子界面活性剂K使覆层部分P1的蚀刻速率EB降低。其结果，使覆层部分P1的蚀刻速率EB接近零的目标容易于处理工序中实现。

具体而言，在目标是使凹部A内的蚀刻速率EA接近零的情况时，在切换工序中选择阳离子界面活性剂L作为添加剂。处理工序中，将阳离子界面活性剂L与蚀刻液供给至基板W。当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R带负电。阳离子界面活性剂L与壁部分R相互吸引。因此，阳离子界面活性剂L阻碍凹部A内的蚀刻。即，阳离子界面活性剂L使凹部A内的蚀刻速率EA降低。其结果，使凹部A内的蚀刻速率EA接近零的目标容易于处理工序中实现。

(1-2-2)例如，在目标是使蚀刻速率EB小于蚀刻速率EA的情况时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的一者作为添加剂。例如，在目标是使蚀刻速率EA小于蚀刻速率EB的情况时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的另一者作为添加剂。

根据本变形实施方式，处理工序中供给至基板W的添加剂，在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。例如，适当地切换处理工序中的蚀刻速率EB与蚀刻速率EA之间的大小关系。

具体而言，在目标是使蚀刻速率EB小于蚀刻速率EA的情况时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K作为添加剂。处理工序中，将阴离子界面活性剂K与蚀刻液供给至基板W。当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1带正电。阴离子界面活性剂K与覆层部分P1相互吸引。因此，阴离子界面活性剂K阻碍覆层部分P1的蚀刻。当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R带负电。阴离子界面活性剂K与壁部分R相互排斥。因此，阴离子界面活性剂K容许凹部A内的蚀刻。这些结果，使蚀刻速率EB小于蚀刻速率EA的目标容易于处理工序中实现。

具体而言，在目标是使蚀刻速率EA小于蚀刻速率EB的情况时，在切换工序中，选择阳离子界面活性剂L作为添加剂。处理工序中，将阳离子界面活性剂L与蚀刻液供给至基板W。阳离子界面活性剂L与覆层部分P1相互排斥。因此，阳离子界面活性剂L容许覆层部分P1的蚀刻。阳离子界面活性剂L与壁部分R相互吸引。因此，阳离子界面活性剂L阻碍凹部A内的蚀刻。这些结果，使蚀刻速率EA小于蚀刻速率EB的目标容易于处理工序中实现。

(1-3)切换工序中，根据与覆层比F相关的目标，而选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的任一者作为添加剂。

根据本变形实施方式，处理工序中供给至基板W的添加剂，在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。

(1-3-1)例如，在目标是使覆层比F大于基准值FT的情况时，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的一者作为添加剂。在目标是使覆层比F小于基准值FT的情况时，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的另一者作为添加剂。

根据本变形实施方式，处理工序中供给至基板W的添加剂，在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。例如，适当地控制处理工序中的覆层比F。

具体而言，在目标是使覆层比F大于基准值FT的情况时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K作为添加剂。处理工序中，将阴离子界面活性剂K与蚀刻液供给至基板W。当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1带正电。阴离子界面活性剂K与覆层部分P1相互吸引。因此，阴离子界面活性剂K阻碍覆层部分P1的蚀刻。当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R带负电。阴离子界面活性剂K与壁部分R相互排斥。因此，阴离子界面活性剂K容许凹部A内的蚀刻。这些结果，使覆层比F大于基准值FT的目标容易于处理工序中实现。

具体而言，在目标是使覆层比F小于基准值FT的情况时，在切换工序中，选择阳离子界面活性剂L作为添加剂。处理工序中，将阳离子界面活性剂L与蚀刻液供给至基板W。阳离子界面活性剂L与覆层部分P1相互排斥。因此，阳离子界面活性剂L容许覆层部分P1的蚀刻。阳离子界面活性剂L与壁部分R相互吸引。因此，阳离子界面活性剂L阻碍凹部A内的蚀刻。这些结果，使覆层比F小于基准值FT的目标容易于处理工序中实现。

(1-3-2)例如，在目标是使覆层比F大于1的情况时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的一者作为添加剂。在目标是使覆层比F接近零的情况时，选择阴离子界面活性剂K及阳离子界面活性剂L的另一者作为添加剂。

根据本变形实施方式，处理工序中供给至基板W的添加剂，在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间更适当地切换。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。例如，更灵活地控制处理工序中的覆层比F。

具体而言，在目标是使覆层比F大于1的情况时，在切换工序中，选择阴离子界面活性剂K作为添加剂。处理工序中，将阴离子界面活性剂K与蚀刻液供给至基板W。当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1带正电。阴离子界面活性剂K与覆层部分P1相互吸引。因此，阴离子界面活性剂K阻碍覆层部分P1的蚀刻。当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R带负电。阴离子界面活性剂K与壁部分R相互排斥。因此，阴离子界面活性剂K容许凹部A内的蚀刻。这些结果，使覆层比F大于1的目标容易于处理工序中实现。

具体而言，在目标是使覆层比F接近零的情况时，在切换工序中，选择阳离子界面活性剂L作为添加剂。处理工序中，将阳离子界面活性剂L与蚀刻液供给至基板W。阳离子界面活性剂L与覆层部分P1相互排斥。因此，阳离子界面活性剂L容许覆层部分P1的蚀刻。阳离子界面活性剂L与壁部分R相互吸引。因此，阳离子界面活性剂L阻碍凹部A内的蚀刻。这些结果，使覆层比F接近零的目标容易于处理工序中实现。

(2)实施方式中，在切换工序中，也可根据第1信息及第2信息，而在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂。此处，第1信息规定阴离子界面活性剂K与蚀刻速率的关系。第2信息规定阳离子界面活性剂L与蚀刻速率的关系。第1信息及第2信息分别通过实验等而得。第1信息及第2信息例如是图7所示的表。例如，存储部9也可存储第1信息及第2信息。控制部10也可自存储部9获取第1信息及第2信息。而且，控制部10也可根据第1信息及第2信息，而在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂。

(3)实施方式中，存储部9具有处理条件信息U2。存储部9中也可存储有添加剂信息U2a。但，并不限定于此。

例如，基板处理装置1也可具备未图示的输入部。用户也可对输入部输入处理条件信息U2或添加剂信息U2a。控制部10也可自输入部获取处理条件信息U2或添加剂信息U2a。

或者，控制部10也可自基板处理装置1的外部装置获取处理条件信息U2或添加剂信息U2a。外部装置例如是管理基板处理装置1的主计算机。

同样，上述(1-2)、(1-3)的变形实施方式中，控制部10也可利用各种方法获取目标。例如，控制部10也可自存储部9获取目标。例如，控制部10也可自输入部获取目标。例如，控制部10也可自基板处理装置1的外部装置获取目标。

(4)基板处理方法进而具备调整工序。调整工序中，变更添加剂相对于蚀刻液的浓度的设定值。例如，调整工序中，将添加剂相对于蚀刻液的浓度的设定值决定为1mM至100mM之间的值。处理工序中，将通过切换工序选择的添加剂以与由调整工序决定的设定值相等的浓度供给至基板W。根据本变形实施方式，将处理工序中供给至基板W的添加剂的浓度适当地变化。因此，对基板W更适当地进行蚀刻。

(5)上述实施方式中，壁部分R包含二氧化硅及多晶硅。但，并不限定于此。壁部分R也可由硅、二氧化硅、多晶硅及氧化铪中的至少任一者构成。即便在壁部分R由硅、二氧化硅、多晶硅及氧化铪中的至少任一者构成的情况时，阳离子界面活性剂L也可适当地防止双氧水对凹部A内进行蚀刻。

(6)上述实施方式中，当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1带正电。但，并不限定于此。例如当将蚀刻液供给至基板W时，覆层部分P1也可带负电。

上述实施方式中，当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R带负电。但，并不限定于此。例如当将蚀刻液供给至基板W时，壁部分R也可带正电。

(7)上述实施方式中，当将蚀刻液供给至基板W时，中间部分P2带正电。但，并不限定于此。例如当将蚀刻液供给至基板W时，中间部分P2也可带负电。

(8)如实施方式所说明，在处理工序中处理的基板W具有覆层部分P1与凹部A中的至少任一者。换言之，在处理工序中处理的基板W也可为第1基板W1、第2基板W2及第3基板W3的任一者。此处，第1基板W1具有覆层部分P1与凹部A这两者。第2基板W2具有覆层部分P1而不具有凹部A。第3基板W3不具有覆层部分P1而具有凹部A。

(8)上述实施方式中，喷嘴16与供给源28a～28c之间的流路由配管21a、21b、21c、21d、四向连接器22、阀23a、23b、23c构成。但，并不限定于此。也可适当地变更喷嘴16与供给源28a～28c之间的流路的构成。

例如，实施方式中，阀23b、23c在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂。但，并不限定于此。例如，供给部15也可具备在阴离子界面活性剂K与阳离子界面活性剂L之间切换添加剂的三向阀。三向阀例如连结于供给源28b、供给源28c、及四向连接器22。三向阀在第1状态与第2状态之间进行切换。当三向阀处于第1状态时，三向阀将添加剂切换为阴离子界面活性剂K。具体而言，当三向阀处于第1状态时，三向阀使四向连接器22与供给源28b连通，且使四向连接器22自供给源28c断开。当三向阀处于第2状态时，三向阀将添加剂切换为阳离子界面活性剂L。具体而言，当三向阀处于第2状态时，三向阀使四向连接器22自供给源28b断开，且使四向连接器22与供给源28c连通。

例如，实施方式中，蚀刻液与添加剂于四向连接器22处混合。但，并不限定于此。供给部15也可具备用以混合蚀刻液与添加剂的搅拌器、混合阀。

(9)上述实施方式中，供给部15将蚀刻液与添加剂的混合液供给至基板W。喷嘴16喷出蚀刻液与添加剂的混合液。但，并不限定于此。例如，供给部15也可将蚀刻液与添加剂分别地供给至基板W。虽省略图示，但供给部15也可具备专门喷出蚀刻液的第1喷嘴、及专门喷出添加剂的第2喷嘴。第1喷嘴喷出的蚀刻液与第2喷嘴喷出的添加剂也可于基板W上混合。

(10)实施方式中，处理单元11被分类为单片式。但，并不限定于此。例如，处理单元11也可被分类为批量式。即，处理单元11也可一次处理复数个基板W。处理单元11也可将蚀刻液与添加剂同时供给至复数个基板W。例如，处理单元11也可具备处理槽。供给部15也可对处理槽供给蚀刻液与添加剂。处理单元11也可进而具备一次保持复数个基板W的基板保持部。基板保持部也可使复数个基板W浸渍于处理槽中贮存的蚀刻液及添加剂的混合液中。

(11)对于实施方式及上述(1)至(10)中说明的各变形实施方式，也可将各构成置换为其它变形实施方式的构成或与之组合等而适当地变更。

附图标记说明

1：基板处理装置

9：存储部

10：控制部

11：处理单元

15：供给部

16：喷嘴

A：凹部

EB：覆层部分的蚀刻速率

EA,EA1,EA2,EA3：凹部内的蚀刻速率

F,F1,F2,F3：覆层比

FT,F1T,F2T,F3T：基准值

G：蚀刻液与添加剂的混合液

J：蚀刻种

K：阴离子界面活性剂

L：阳离子界面活性剂

P1：覆层部分

R：壁部分

R1：第1壁

R2：第2壁

M2：凹部的宽度

U2：处理条件信息

U2a：添加剂信息