电容器阵列及其制作方法、半导体器件

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种电容器阵列及其制作方法、半导体器件。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元包含晶体管和电容器，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连。字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着DRAM器件的尺寸越来越小，电容器中电容轮廓孔的深宽比变得越来越大，并且由于制程中存在不能消除的应力，会导致电容器在制作过程中容易倒塌。而倒塌的电容器的电极会连接在一起，由此产生漏电，从而影响器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电容器阵列及其制作方法、半导体器件，解决了电容器容易倒塌的问题，从而提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种电容器阵列的制作方法，包括以下步骤：

提供一基底，在所述基底上形成多个电容器，所述电容器均包含电极与电容介质层，其中所述电极的材料至少包含铁磁材料；

产生垂直于所述基底且由所述基底指向所述电容器方向的磁场，以对所述电容器进行磁性处理，使所述电容器的轮廓垂直于所述基底。

可选的，在所述电容器的周围设置磁感应线圈，通过对所述磁感应线圈通电产生所述磁场。

可选的，所述磁感应线圈位于所述电容器的顶部或/和底部；或者，所述磁感应线圈位于所述电容器的四周；或者，所述磁感应线圈环绕所述电容器。

可选的，对所述电容器进行磁性处理之后，所述制作方法还包括：形成硅锗层，所述硅锗层覆盖所述电容器并填充所述电容器之间的间隙；并且在形成所述硅锗层的过程中，持续产生所述磁场，使所述电容器保持垂直于所述基底的轮廓。

可选的，形成所述硅锗层的机台内设置有数据库，所述数据库存储有所述电容器的弯曲度与所述磁感应线圈的电流之间的关系；

在形成所述电容器之后，在形成所述硅锗层之前，所述制作方法还包括：测量所述电容器的弯曲度，并将所述弯曲度传输至所述硅锗层的机台，所述硅锗层的机台根据所述弯曲度选择合适的电流通入所述磁感应线圈，以对所述电容器进行磁性处理。

可选的，所述铁磁材料包含铁、钴或镍。

可选的，在所述基底上形成多个电容器的方法包括：

在所述基底上形成交替层叠的牺牲层与支撑层；

形成多个电容轮廓孔在所述支撑层与所述牺牲层内，所述电容轮廓孔暴露出所述基底；

形成下电极在所述电容轮廓孔中，所述下电极填满所述电容轮廓孔，形成多个柱状结构；

去除所述牺牲层以及每两个所述下电极之间的所述支撑层；

形成电容介质层在所述下电极的表面以及在剩余的所述支撑层暴露出的表面；以及，

形成上电极在所述电容介质层的表面；

其中，在形成所述下电极及其之后的步骤中或形成所述上电极时，产生所述磁场。

可选的，在所述基底上形成多个电容器的方法包括：

在所述基底上形成交替层叠的牺牲层与支撑层；

形成多个电容轮廓孔在所述支撑层与所述牺牲层内，所述电容轮廓孔暴露出所述基底；

形成下电极在所述电容轮廓孔中，所述下电极覆盖所述电容轮廓孔的侧壁和底部，形成多个筒状结构；

形成电容介质层在所述下电极的内外表面以及在剩余的所述支撑层暴露出的表面；以及，

形成上电极在所述电容介质层的内外表面；

其中，在形成所述下电极及其之后的步骤中或形成所述上电极时，产生所述磁场。

可选的，交替层叠的牺牲层与支撑层依次包括第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层、第二支撑层、第三牺牲层与第三支撑层。

可选的，在所述基底与所述第一牺牲层之间还形成有绝缘层，所述绝缘层内形成有多个与所述基底相连接的接触节点，所述电容轮廓孔暴露出所述接触节点，且所述下电极在所述电容轮廓孔的底部与所述接触节点相连接。

相应的，本发明还提供一种电容器阵列，采用如上所述的电容器阵列的制作方法制作而成。

相应的，本发明还提供一种半导体器件，包括如上所述的电容器阵列。

本发明提供的电容器阵列及其制作方法、半导体器件中，在基底上形成多个电容器，所述电容器均包含电极与电容介质层，其中所述电极的材料至少包含铁磁材料；接着，产生垂直于所述基底且由所述基底指向所述电容器方向的磁场，以对所述电容器进行磁性处理，使所述电容器的轮廓垂直于所述基底，解决了电容器容易倒塌的问题，从而提高了半导体器件的性能。

附图说明

本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。

图1是本发明一实施例提供的电容器阵列的制作方法的流程图。

图2是本发明一实施例提供的形成交替层叠的牺牲层与支撑层的局部结构示意图。

图3是本发明一实施例提供的形成电容轮廓孔的局部结构示意图。

图4是本发明一实施例提供的形成下电极的局部结构示意图。

图5是本发明一实施例提供的形成电容器的理想的局部结构示意图。

图6是本发明一实施例提供的形成电容器的实际的局部结构示意图。

图7是本发明一实施例提供的对电容器进行磁性处理的局部结构示意图。

图8是本发明一实施例提供的形成硅锗层的局部结构示意图。

附图标记：

100-基底；101-绝缘层；102-接触节点；103-第一牺牲层；104-第一支撑层；105-第二牺牲层；106-第二支撑层；107-第三牺牲层；108-第三支撑层；109-电容轮廓孔；110-电容器；111-下电极；112-电容介质层；113-上电极；114-硅锗层。

具体实施方式

为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。

如在本发明中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，除非内容另外明确指出外。

图1是本发明一实施例提供的电容器阵列的制作方法的流程图。如图1所示，所述电容器阵列的制作方法包括以下步骤：

S1：提供一基底，在所述基底上形成多个电容器，所述电容器均包含电极与电容介质层，其中所述电极的材料至少包含铁磁材料；

S2：产生垂直于所述基底且由所述基底指向所述电容器方向的磁场，以对所述电容器进行磁性处理，使所述电容器的轮廓垂直于所述基底。

本发明通过将电极的材料设置为至少包含铁磁材料，并产生垂直于所述基底且由所述基底指向所述电容器方向的磁场，以对所述电容器进行磁性处理，使所述电容器的轮廓垂直于所述基底，解决了电容器容易倒塌的问题，从而提高了半导体器件的性能。

接下来，将结合图1与图2至图8对本发明所提供的电容器阵列的制作方法进行详细说明。

在步骤S1中，请参照图5所示，提供一基底100，在所述基底100上形成多个电容器110，所述电容器110均包含电极和电容介质层，其中所述电极的材料至少包含铁磁材料。

本实施例中，所述电容器110包含下电极111、电容介质层112和上电极113，其中所述下电极111或所述上电极113的材料至少包含铁磁材料，或者，所述下电极111与所述上电极113的材料均至少包含铁磁材料。

图2是本发明一实施例提供的形成交替层叠的牺牲层与支撑层的局部结构示意图，请参考图2所示，首先，提供一基底100，在所述基底100上形成交替层叠的牺牲层与支撑层。

所述基底100的材质可以为单晶硅、多晶硅、无定型硅、硅锗化合物或绝缘体上硅(SOI)等，或者本领域技术人员已知的其他材料，在所述基底100上还形成有绝缘层101，所述绝缘层101内形成多个与所述基底100相连接的接触节点102，所述接触节点102与后续形成的电容器的下电极电性连接。当然，所述基底100中还可以形成有隔离结构、晶体管等其他的器件结构，本发明对此不作限定。

本实施例中，交替层叠的牺牲层与支撑层依次包括第一牺牲层103、第一支撑层104、第二牺牲层105、第二支撑层106、第三牺牲层107与第三支撑层108。即依次在所述基底100上形成所述第一牺牲层103、所述第一支撑层104、所述第二牺牲层105、所述第二支撑层106、所述第三牺牲层107与所述第三支撑层108。所述第一支撑层104、所述第二支撑层106与第三支撑层108的材质均可以包含但不限于氮化硅，所述第一牺牲层103、所述第二牺牲层105与所述第三牺牲层107的材质均可以包含但不限于氧化硅。所述支撑层与所述牺牲层均可采用沉积工艺形成，例如采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺形成，当然也可以采用本领域技术人员已知的其他方法形成。可以理解的是，所述牺牲层中的各层与所述支撑层中的各层可以采用相同的方法形成，也可以采用不相同的方法形成，本发明对此不作限定。

所述第一牺牲层103的厚度界定出后续所形成的所述第一支撑层104的高度，因此，所述第一牺牲层103的厚度可根据所需形成的所述第一支撑层104的高度位置进行调整。在所述第一牺牲层103与所述第一支撑层104的厚度确定的情况下，所述第二牺牲层105的厚度界定出后续所形成的所述第二支撑层106的高度，因此，所述第二牺牲层105的厚度可根据所需形成的所述第二支撑层106的高度位置进行调整。同样的，在所述第一牺牲层103、所述第一支撑层104、所述第二牺牲层105与所述第二支撑层106的厚度确定的情况下，所述第三牺牲层107的厚度可以根据所需形成的所述第三支撑层108的高度位置进行调整。当然，所述牺牲层与所述支撑层也可以是其他本领域技术人员已知的其他位置关系或层数，本发明对此不作限定。

图3是本发明一实施例提供的形成电容轮廓孔的局部结构示意图。请参考图3所示，形成多个电容轮廓孔109在所述支撑层与所述牺牲层内，所述电容轮廓孔109暴露出所述基底100。

具体的，在所述第三支撑层108上形成一掩膜层(未图示)，并在所述掩膜层上形成一光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光与显影，形成图案化的光刻胶层，再以图案化的所述光刻胶层为掩膜，对所述掩膜层进行刻蚀，形成图形化的掩膜层，暴露出预定形成电容轮廓孔的区域，之后去除图形化的所述光刻胶层；然后以图形化的所述掩膜层为掩膜依次对所述第三支撑层108、所述第三牺牲层107、所述第二支撑层106、所述第二牺牲层105、所述第一支撑层104与所述第一牺牲层103进行刻蚀，至暴露出所述绝缘层101内的所述接触节点102，以形成多个电容轮廓孔109；最后，去除图形化的所述掩膜层。对所述第三支撑层108、所述第三牺牲层107、所述第二支撑层106、所述第二牺牲层105、所述第一支撑层104与所述第一牺牲层103均可以采用等离子体干法刻蚀，或者也可以采用本领域技术人员已知的其它刻蚀方法。

所述电容轮廓孔109暴露出所述接触节点102，使得后续在所述电容轮廓孔109中形成的所述下电极111与所述接触节点102电性连接。

图4是本发明一实施例提供的形成下电极的局部结构示意图。请参考图4所示，形成下电极111在所述电容轮廓孔109中，所述下电极111填满所述电容轮廓孔109。

所述下电极111呈柱状填满所述电容轮廓孔109，与所述电容轮廓孔109底部的所述接触节点102相接触。所述下电极111的材料包含铁磁材料，后续通过磁场的作用能够使得所述下电极111垂直于所述基底100，或者，在形成所述下电极111的过程中产生磁层使得所述下电极111垂直于所述基底100(后续会进行详细说明)。进一步的，所述下电极111的材料包含铁、钴或镍，但不限于此。

具体的，所述下电极111可在沉积工艺的基础上结合平坦化工艺形成，例如，首先，形成一电极材料层在所述基底100上，所述电极材料层填满所述电容轮廓孔109并覆盖所述第三支撑层108；接着，执行平坦化工艺(例如，化学机械研磨工艺)，去除电极材料层位于所述第三支撑层108上方的部分，从而使得剩余的所述电极材料层仅形成在所述电容轮廓孔109中，以构成下电极111。

所述下电极111位于所述电容轮廓孔109内，其形貌与所述电容轮廓孔109的形貌一致，从而使得所述下电极111构成一柱状结构。

图5是本发明一实施例提供的形成电容器的理想的局部结构示意图。请参考图5所示，首先，去除所述牺牲层以及每相邻两个所述下电极111之间的所述支撑层；接着，形成电容介质层112在所述下电极111的表面以及在剩余的所述支撑层暴露出的表面，最后，形成上电极113在所述电容介质层112的表面，以形成电容器110。

首先，去除所述第一牺牲层103、所述第二牺牲层105与所述第三牺牲层107，例如可以采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层。接着，去除每两个所述下电极111之间的部分所述支撑层，同样的也可以采用湿法刻蚀去除所述支撑层。当然，去除具体的所述牺牲层与具体的所述支撑层的顺序可以根据实际的工艺条件进行调整，本发明对此不作限定。

接着，形成电容介质层112在所述下电极111的表面以及在剩余的所述支撑层暴露出的表面。所述电容介质层112可以为High-K介质层，所述High-K介质层的材质可以包括氧化钽(Ta

之后，形成上电极113在所述电容介质层112的表面，以形成电容器110。所述上电极113的材料包含铁磁材料，后续通过磁场的作用能够使得所述上电极113垂直于所述基底100，或者在形成所述上电极113的过程中产生磁层使得所述上电极113垂直于所述基底100(后续会进行详细说明)。进一步的，所述上电极113的材料包含铁、钴或镍，但不限于此。可以采用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等方法形成所述上电极113。

本实施例中，所述下电极111与所述上电极113均包含铁磁材料。在本发明另一实施例中，可以是所述下电极111包含铁磁材料，而所述上电极113可以是普通的电极，例如所述上电极113的材料可以为多晶硅或氮化钛等。在本发明另一实施例中，可以是所述下电极111为普通电极，例如所述下电极111的材料可以为多晶硅或氮化钛等，而所述上电极113包含铁磁材料。

根据上述的制作步骤制作而成的所述电容器110的下电极111呈柱状，在本发明另一实施例中，所述下电极111可以呈筒状。请参考图3所示，在形成所述电容轮廓孔109之后，形成下电极在所述电容轮廓孔109中，所述下电极覆盖所述电容轮廓孔109的侧壁和底部，形成多个筒状结构。接着，去除所述第一牺牲层103、所述第二牺牲层105与所述第三牺牲层107。之后，形成电容介质层在所述下电极的内外表面以及所述支撑层暴露出的表面。最后，形成上电极在所述电容介质层的内外表面。

可以理解的是，所述电容器110并不局限于柱状与筒状，还可以是其他本领域技术人员已知的形状。只要是理论上制作的所述电容器的轮廓是垂直于所述基底的，都可以采用本发明提供的方法对所述电容器进行磁性处理，获得实际垂直于所述基底的电容器轮廓。

图5是本发明一实施例提供的形成电容器的理想的局部结构示意图。即理论上或理想情况下，按照上述方法可以形成如图5所示的电容器，然而实际上由于电容轮廓孔深宽比变得越来越大，并且由于制程中不能消除的应力的存在，会导致电容器在制作过程中倒塌，形成如图6所示的结构。图6是本发明一实施例提供的形成电容器的实际的局部结构示意图，如图6所示，由于所述电容器110的倒塌，造成相邻两个电容器的电极连接在一起，造成漏电。在后续步骤中，本实施例通过磁场对倒塌的所述电容器110进行调整。

图7是本发明一实施例提供的对电容器进行磁性处理的局部结构示意图。请参考图7所示，在步骤S2中，产生垂直于所述基底100且由所述基底100指向所述电容器110方向的磁场，以对所述电容器110进行磁性处理，使所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100。

由于所述电容器110中的所述下电极111或/和所述上电极113的材料至少包含铁磁材料，所述铁磁材料在垂直于所述基底100的磁场的作用下被调整为垂直于所述基底100的结构，从而使得所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100，由此解决了所述电容器110容易倒塌的问题，从而提高了半导体器件的质量与性能。

产生所述磁场的方法可以有多种，本实施例中，可以在所述电容器110的周围设置磁感应线圈，通过对所述磁感应线圈通电来产生所述磁场。在其他实施例中，也可以采用其他的方法产生所述磁场，本发明对此不作限定。所述磁感应线圈可以位于所述电容器110的顶部或/和底部；或者，所述磁感应线圈位于所述电容器110的四周；或者，所述磁感应线圈环绕所述电容器110。在图7中，所述磁感应线圈位于所述电容器110的顶部。本发明并不限定所述磁感应线圈的位置，只需要产生垂直于所述基底100且由所述基底100指向所述电容器110方向的磁场(如图7中箭头所示)即可。

图8是本发明一实施例提供的形成硅锗层的局部结构示意图。请参考图8所示，对所述电容器110进行磁性处理之后，所述制作方法还包括：形成硅锗层114，所述硅锗层114覆盖所述电容器110并填充所述电容器110之间的间隙；并且在形成所述硅锗层114的过程中，持续产生所述磁场，使所述电容器110保持垂直于所述基底100的轮廓。

本实施例中，所述硅锗层114形成于所述上电极113上且填充所述上电极113之间的间隙。在沉积所述硅锗层114的过程中，持续产生所述磁场，使所述电容器110保持垂直于所述基底100的轮廓，从而使得所述硅锗层114均匀填充在所述电容器110的间隙中，均匀填充的所述硅锗层114可以进一步支撑所述电容器110，防止其倒塌。

在所述磁感应线圈中通入的电流I的大小可以根据所述电容器的弯曲度来确定。本实施例中，可以在形成所述硅锗层114的机台内设置数据库，所述数据库内存储所述电容器110的弯曲度与所述磁感应线圈的电流I之间的关系，该关系可以通过实验获得。在形成所述电容器110之后，在形成所述硅锗层114之前，所述制作方法还包括：测量所述电容器110的弯曲度，并将所述弯曲度传输至所述硅锗层114的机台，所述硅锗层114的机台根据所述弯曲度选择合适的电流I通入所述磁感应线圈，对所述电容器110进行磁性处理，使所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100。接着，形成所述硅锗层114，在此过程中继续向磁感应线圈中通入电路I，使所述电容器110保持垂直于所述基底100的轮廓。

即形成所述电容器110之后，可以将形成有所述电容器110的基底100传输至形成所述硅锗层114的机台，在该机台完成所述电容器110的磁性处理，之后直接在该机台沉积所述硅锗层114。在其他实施例中，也可以设置独立的机台完成所述电容器110的磁性处理，且数据库也可以存储在该机台中。

在上述实施例中，是在形成所述电容器110之后，产生垂直于所述基底100且由所述基底100指向所述电容器110方向的磁场，以对所述电容器110进行磁性处理，使所述电容器110的轮廓垂直于所述基底。并在后续形成所述硅锗层114的过程中，持续产生所述磁场，使所述电容器110一直保持垂直于所述基底100的轮廓，从而使得所述硅锗层114均匀填充在所述电容器110的间隙中，均匀填充的所述硅锗层114可以进一步支撑所述电容器110，防止其倒塌。

在本发明另一实施例中，可以在形成所述下电极111及其之后的步骤中就产生所述磁场，即在形成所述下电极111的过程中产生所述磁场，使得形成的所述下电极111垂直于所述基底100，在之后形成所述电容介质层112以及所述上电极113的过程中，也持续产生所述磁场，使得所述上电极113垂直于所述基底100，从而使得形成的所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100。当然，在形成所述电容介质层112的过程中，可以取消所述磁场。

在本发明另一实施例中，可以在形成所述上电极113的过程中产生所述磁场，使得形成的所述上电极113垂直于所述基底100。

在形成所述下电极111及其之后的步骤中，或在形成所述上电极113的过程中就产生所述磁场，则所述磁感应线圈中通入的电流I可以根据实验获得，即通入不同的电流来形成所述下电极111或/和所述上电极113，之后测量形成的所述下电极111或/和所述上电极113的弯曲度与通入的电流之间的关系，选择所述电极的弯曲度最小时或者所述电极垂直于所述基底时所对应的电流作为输入电流。

理想情况下，在形成所述下电极111及其之后的步骤中，或在形成所述上电极113的过程中就产生所述磁场，最终形成的所述电容器110具有垂直于所述基底100的轮廓，则在形成所述电容器110之后，无需进行弯曲度的测量与电磁处理，可以直接形成所述硅锗层114。当然，在形成所述硅锗层114的过程中，也需要持续产生磁场，使所述电容器110一直保持垂直于所述基底100的轮廓。

可以理解的是，也可能在形成所述下电极111及其之后的步骤中，或在形成所述上电极113的过程中就产生所述磁场，最终形成的所述电容器110仍然存在倒塌，那么在形成所述电容器100之后，仍旧测量所述电容器110的弯曲度，并将所述弯曲度传输至所述硅锗层114的机台，所述硅锗层114的机台根据所述弯曲度选择合适的电流I通入所述磁感应线圈，对所述电容器110进行磁性处理，使所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100。之后，在形成所述硅锗层114的过程中，也需要持续产生磁场，使所述电容器110一直保持垂直于所述基底100的轮廓。

本实施例提供的电容器阵列的制作方法中，在基底100上形成多个电容器110，所述电容器110均包含下电极111、电容介质层112和上电极113，其中所述下电极111或/和所述上电极113的材料均至少包含铁磁材料；接着，产生垂直于所述基底100且由所述基底100指向所述电容器110方向的磁场，以对所述电容器110进行磁性处理，使所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100，解决了电容器110容易倒塌的问题，从而提高了半导体器件的质量。

相应的，本发明还提供一种电容器阵列，采用如上所述的电容器阵列的制作方法制作而成，请参考图8所示，所述电容器阵列包括：

基底100；

多个电容器110，位于所述基底100上，所述电容器110均包含电极与电容介质层，所述电极的材料至少包含铁磁材料，且所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100。

由于所述电极的材料至少包含铁磁材料，而在制作过程中产生垂直于所述基底100且由所述基底100指向所述电容器110方向的磁场，使得所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100，从而提高半导体器件的质量与性能。

进一步的，所述电容器110包含下电极111、电容介质层112与上电极113，其中所述下电极111呈柱状或筒状。

进一步的，所述电容器阵列还包括：

绝缘层101，位于基底100与所述电容器110之间，所述绝缘层101内形成有多个接触节点102，所述接触节点102用于连接所述基底100与所述电容器110；

第一支撑层104、第二支撑层106与第三支撑层108，位于所述电容器110两侧，用于支撑所述电容器110；所述第一支撑层104、所述第二支撑层106与第三支撑层108的材质均包含但不限于氮化硅；

硅锗层114，位于所述上电极113之上且填充所述上电极113之间的间隙。

相应的，本发明还提供一种半导体器件，包含如上所述的电容器阵列，请参考图8所示，所述半导体器件包含：

基底100；

多个电容器110，位于所述基底100上，所述电容器110均包含电极与电容介质层，所述电极的材料至少包含铁磁材料，且所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100。

由于所述电极的材料至少包含铁磁材料，而在制作过程中产生垂直于所述基底100且由所述基底100指向所述电容器110方向的磁场，使得所述电容器110的轮廓垂直于所述基底100，从而提高半导体器件的质量与性能。

所述基底100内可以形成有隔离结构、晶体管等其他的器件结构。在所述基底100与所述电容器110之间还形成有绝缘层101，所述绝缘层101内形成有多个接触节点102，所述接触节点102用于连接所述基底100与所述电容器110，例如连接所述基底100内的源漏极与所述电容器110。

进一步的，所述电容器110包含下电极111、电容介质层112与上电极113，其中所述下电极111呈柱状或筒状，且所述下电极111或/和所述上电极113的材料均至少包含铁磁材料。

进一步的，半导体器件还包括：第一支撑层104、第二支撑层106与第三支撑层108，位于所述电容器110两侧，用于支撑所述电容器110；所述第一支撑层104、所述第二支撑层106与第三支撑层108的材质均包含但不限于氮化硅；

硅锗层114，位于所述上电极113之上且填充所述上电极113之间的间隙。

综上所述，本发明提供的电容器阵列及其制作方法、半导体器件中，在基底上形成多个电容器，所述电容器均包含电极与电容介质层，其中所述电极的材料均包含铁磁材料；接着，产生垂直于所述基底且由所述基底指向所述电容器方向的磁场，以对所述电容器进行磁性处理，使所述电容器的轮廓垂直于所述基底，解决了电容器容易倒塌的问题，从而提高了半导体器件的性能。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。