Micro LED的转移方法

技术领域

本发明涉及微发光二极管技术领域，尤其涉及一种Micro LED的转移方法。

背景技术

相较于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，微发光二极管(Micro LightEmitting Diode Display，Micro LED)是一种新型自发光显示技术，Micro LED显示具有自发光、高效率、低功耗、高稳定等特性，是新一代主流显示技术的重要选择，在众多领域均有替代现有技术的潜力。当前，Micro LED主要市场及潜在市场之一是高分辨率的家用消费电子市场。微发光二极管转移是指在芯片制造完成后需要将Micro LED晶粒转移到驱动电路基底上，但现有技术中，微发光二极管转移至驱动基板过程中的转移精准度较低，导致出现显示效果较差的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种Micro LED的转移方法，能够有利于提高目标微发光二极管转移至驱动基板过程中的转移精准度，提高显示效果。

本发明实施例提供一种Micro LED的转移方法。Micro LED的转移方法包括：提供具有多个微发光二极管的芯片载板；提供临时基板，临时基板包括依次设置的衬底、转移层以及承接层；将芯片载板上的多个微发光二极管转移至临时基板，其中，多个微发光二极管位于承接层远离衬底的一侧，相邻微发光二极管之间间隔设置，承接层包括由微发光二极管覆盖的第一部分、位于相邻微发光二极管之间的第二部分；图案化承接层，去除承接层的第二部分；对临时基板上的目标微发光二极管对应区域的转移层进行处理，使得临时基板释放目标微发光二极管；以及将目标微发光二极管转移至驱动基板。

本发明技术方案通过在临时基板上依次设置衬底、转移层以及承接层，承接层有利于承接微发光二极管，提高微发光二极管在临时基板上的排列整齐度；转移层有利于转移微发光二极管，有利于节约成本，提升转移良率。本发明技术方案通过图案化承接层，有利于减少对微发光二极管的损伤，提高转移精度。

根据本发明的前述实施方式，承接层还包括围绕于全部微发光二极管外侧的第三部分，图案化承接层的步骤还包括去除承接层的第三部分的至少部分。

根据本发明的前述实施方式，提供临时基板包括：在衬底上形成转移层；以及在转移层背离衬底的一侧形成承接层。

根据本发明的前述实施方式，承接层包括聚二甲基硅氧烷层。

根据本发明的前述实施方式，转移层包括紫外光光敏材料层。

根据本发明的前述实施方式，对临时基板上的目标微发光二极管对应区域的转移层进行处理，使得临时基板释放目标微发光二极管包括：通过激光对临时基板上的目标微发光二极管对应区域的转移层照射处理，使得转移层光解和/或鼓泡，使得临时基板释放目标微发光二极管。

根据本发明的前述实施方式，将目标微发光二极管转移至驱动基板包括：提供驱动基板，驱动基板具有焊接膜材；以及将临时基板与驱动基板对位，通过焊接膜材粘接目标微发光二极管，使得目标微发光二极管转移至驱动基板。

根据本发明的前述实施方式，焊接膜材的粘结力大于承接层的粘结力。

根据本发明的前述实施方式，将目标微发光二极管转移至驱动基板还包括：将目标微发光二极管焊接于驱动基板。

根据本发明的前述实施方式，提供具有多个微发光二极管的芯片载板包括：提供生长衬底；以及在生长衬底上形成多个微发光二极管，得到芯片载板。

附图说明

图1为本发明Micro LED的转移方法一实施例的步骤示意图；

图2为本发明Micro LED的转移方法一实施例中临时基板的剖面结构示意图；

图3为本发明Micro LED的转移方法一实施例中将芯片载板上的多个微发光二极管转移至临时基板的结构示意图；

图4为本发明Micro LED的转移方法一实施例中将芯片载板上的多个微发光二极管转移至临时基板的剖面结构示意图；

图5为本发明Micro LED的转移方法一实施例中图案化承接层后临时基板的结构示意图；

图6为本发明Micro LED的转移方法一实施例中图案化承接层后临时基板的剖面结构示意图；

图7为本发明Micro LED的转移方法一实施例中将目标微发光二极管转移至驱动基板的步骤示意图。

附图标记说明：

临时基板-100，微发光二极管-200；

衬底-110，转移层-120，承接层-130；

第一部分-131，第二部分-132，第三部分-133。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种Micro LED的转移方法，能够有利于提高目标微发光二极管转移至驱动基板过程中的转移精准度，提高显示效果。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”或“具有”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

为便于理解，下面对本发明实施例的具体流程进行描述，请参阅图1，图1为本发明Micro LED的转移方法一实施例的步骤示意图，Micro LED的转移方法包括步骤S110至步骤S160。

在步骤S110中，提供具有多个微发光二极管200(Micro Light Emitting DiodeDisplay，Micro LED)的芯片载板。

本文中，“微”发光二极管及其它“微”器件指发光二极管及器件的尺寸，在一些实施例中，术语“微”指器件的尺寸在1微米至100微米的尺度。然而可以理解的是，本发明实施例可以不限于此，实施例的某些方面可以适用于更大或更小的尺寸中。

提供具有多个微发光二极管200的芯片载板包括步骤S111至步骤S112。

在步骤S111中，提供生长衬底。在本发明实施例中，生长衬底为氮化镓材质。

在步骤S112中，在生长衬底上形成多个微发光二极管200，得到芯片载板。

在步骤S120中，提供临时基板100，如图2所示，临时基板100包括依次设置的衬底110、转移层120以及承接层130。

提供临时基板100包括步骤S121至步骤S122。

在步骤S121中，在衬底110上形成转移层120。在本发明实施例中，转移层120为紫外光光敏材料层。紫外光光敏材料层对紫外激光敏感，在紫外激光作用下能够产生光解和/或鼓泡等形式，有利于释放微发光二极管200芯片并完成微发光二极管200芯片转移。

在步骤S122中，在转移层120背离衬底110的一侧形成承接层130。在本发明实施例中，承接层130为聚二甲基硅氧烷层，聚二甲基硅氧烷层具有良好的弹性，对于紫外激光不敏感，在紫外紫光照射的过程中没有明显的吸收峰，有利于承接微发光二极管200的芯片。

在本发明实施例中，衬底110为刚性和透光率较好的玻璃、蓝宝石材料中的一种。

在步骤S130中，如图3至图4所示，将芯片载板上的多个微发光二极管200转移至临时基板100，其中，多个微发光二极管200位于承接层130远离衬底110的一侧，相邻微发光二极管200之间间隔设置，承接层130包括由微发光二极管200覆盖的第一部分131、位于相邻微发光二极管200之间的第二部分132。

在步骤S140中，图案化承接层130，去除承接层130的第二部分132。

在一些实施例中，如图5至图6所示，承接层130还包括围绕于全部微发光二极管200外侧的第三部分133，图案化承接层130的步骤还包括去除承接层130的第三部分133的至少部分。在本发明实施例中，图案化承接层130的步骤去除承接层130的第三部分133的至少部分为环绕全部微发光二极管200外侧边缘的部分。

在一些实施例中，可以通过干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子刻蚀中的任意一种进行承接层130的图案化。

在本发明实施例中，通过刻蚀的方式把相邻微发光二极管200之间的第二部分132去除，打破微发光二极管200间的胶材连接，有利于减小转移所需激光能量密度，减少对芯片的损伤，提高转移精度。

在步骤S150中，对临时基板100上的目标微发光二极管200对应区域的转移层120进行处理，使得临时基板100释放目标微发光二极管200。

对临时基板100上的目标微发光二极管200对应区域的转移层120进行处理，使得临时基板100释放目标微发光二极管200包括步骤S151。

在步骤S151中，通过激光对临时基板100上的目标微发光二极管200对应区域的转移层120照射处理，使得转移层120光解和/或鼓泡，使得临时基板100释放目标微发光二极管200。

在本发明实施例中，通过二极管泵浦固体激光器(Diode-Pumped Solid-StateLaser，DPSS Laser)对临时基板100上的目标微发光二极管200对应区域的转移层120进行处理，激光选择性剥离微发光二极管200。在本发明实施例中，可按预设图形选择性转移目标微发光二极管200，根据预设图形改变相邻目标微发光二极管200之间的间距及排列位置，完成微发光二极管200排片。

在步骤S160中，将目标微发光二极管200转移至驱动基板。

如图7所示，将目标微发光二极管200转移至驱动基板包括步骤S161至步骤S163。

在步骤S161中，提供驱动基板，驱动基板具有焊接膜材。

在步骤S162中，将临时基板100与驱动基板对位，通过焊接膜材粘接目标微发光二极管200，使得目标微发光二极管200转移至驱动基板。在本发明实施例中，焊接膜材的单位面积的粘结力大于承接层130的单位面积的粘结力，焊接膜材能够将承接层130上的目标微发光二极管200粘接至驱动基板。

在步骤S163中，将目标微发光二极管200焊接于驱动基板。

本发明技术方案通过在临时基板100上依次设置衬底110、转移层120以及承接层130，承接层130有利于承接微发光二极管200，提高微发光二极管200在临时基板上的排列整齐度；转移层120有利于转移微发光二极管200，有利于节约成本，提升转移良率。本发明技术方案通过图案化所述承接层130，有利于减少对微发光二极管200的损伤，提高转移精度。

以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。