显示面板及其制备方法、显示装置

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

随着显示技术的发展，全面屏或窄边框等产品以其较大的屏占比和超窄边框，已逐步成为显示产品的发展趋势。对于智能终端等产品，通常需要设置前置摄像头、指纹传感器或光线传感器等硬件，为提高屏占比，全面屏或窄边框产品通常采用屏下摄像头技术(Full display with camera，简称FDC)或者屏下指纹技术，将摄像头等传感器放置于显示基板的屏下摄像区域(Under Display Camera，简称UDC)，屏下摄像区域不仅具有一定的透过率，而且具有显示功能。相关技术中，FDC区存在白画面低灰阶偏色问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：基板，所述基板包括第一显示区和至少部分围绕所述第一显示区的第二显示区，所述第一显示区用于进行图像显示和透过光线，所述第二显示区用于图像显示；发光功能层，位于所述基板的一侧，所述发光功能层包括有机电致发光层；其中，所述第一显示区和所述第二显示区均包括出射不同颜色光线的多个子像素，位于所述第一显示区的各子像素的有机电致发光层出射的光线颜色相同。

在本公开的示例性实施例中，所述第一显示区中的多个子像素至少 包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素出射的光线颜色与所述第二子像素出射的光线颜色不同；所述第一子像素的有机电致发光层、所述第二子像素的有机电致发光层均由第一发光材料形成，所述第一发光材料的发光颜色与所述第一子像素出射的光线颜色相同，且所述第一发光材料的发光效率大于第二发光材料的发光效率，所述第二发光材料的发光颜色与所述第二子像素出射的光线颜色相同。

在本公开的示例性实施例中，所述第一显示区中的多个子像素包括出射红光的R子像素、出射绿光的G子像素和出射蓝光的B子像素；位于所述第一显示区的各子像素的有机电致发光层均出射绿光。

在本公开的示例性实施例中，在所述第一显示区中，所述R子像素的有机电致发光层厚度、所述G子像素的有机电致发光层厚度、所述B子像素的有机电致发光层厚度依次减小。

在本公开的示例性实施例中，位于所述第一显示区中的各子像素的有机电致发光层的厚度相同。

在本公开的示例性实施例中，所述发光功能层还包括：第一有机层，位于所述有机电致发光层与所述基板之间；发光调节层，位于所述有机电致发光层与所述第一有机层之间；其中，在所述第一显示区中，各子像素的有机电致发光层的厚度为d1，所述B子像素的发光调节层的厚度为d2，d1/d2大于等于3且小于等于9。

在本公开的示例性实施例中，所述第一显示区的像素分辨率与所述第二显示区的像素分辨率相同。

在本公开的示例性实施例中，在所述第一显示区中，所述R子像素的开口率为k1、所述G子像素的开口率为k2、所述B子像素的开口率为k3，k1/k2大于等于1/2且小于等于1，k1/k2大于等于1/4且小于等于3/4。

在本公开的示例性实施例中，所述发光功能层还包括：第一有机层，位于所述有机电致发光层与所述基板之间；发光调节层，位于所述有机电致发光层与所述第一有机层之间；第二有机层，位于所述有机电致发光层背离所述基板的一侧且覆盖所述有机电致发光层；所述显示面板还包括：第一电极层，位于所述基板和所述第一有机层之间；第二电极层， 位于所述第二有机层背离所述基板的一侧且覆盖所述第二有机层；其中，层叠设置的所述第一电极层、所述第一有机层、所述发光调节层、所述有机电致发光层、所述第二有机层和所述第二电极层构成所述子像素的微腔，在所述第一显示区中，所述R子像素的微腔长度、所述G子像素的微腔长度、所述B子像素的微腔长度依次减小。

在本公开的示例性实施例中，所述第一显示区中的所述R子像素的微腔长度大于所述第二显示区中的所述R子像素的微腔长度，所述第一显示区中的所述G子像素的微腔长度与所述第二显示区中的所述B子像素的微腔长度相同，所述第一显示区中的所述B子像素的微腔长度大于所述第二显示区中的所述B子像素的微腔长度。

在本公开的示例性实施例中，所述第一显示区中，所述R子像素的微腔长度大于等于2700nm且小于等于2900nm，所述B子像素的微腔长度大于等于1900nm且小于等于2100nm。

在本公开的示例性实施例中，所述第一显示区中，所述R子像素的发光光谱曲线的发光峰值波长位于585～605nm，所述B子像素的发光光谱曲线的发光峰值波长位于505～525nm。

在本公开的示例性实施例中，所述第一显示区中，所述B子像素的CIE色坐标的y坐标值小于等于0.075。

根据本公开的第二方面，还提供一种显示面板制备方法，用于制备本公开任意实施例所述的显示面板，所述方法包括：提供一基板，其中，所述基板具有第一显示区和第二显示区，所述第一显示区用于进行图像显示和透过光线，所述第二显示区用于图像显示，且所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区和所述第二显示区均包括出射不同颜色光线的多个子像素；利用蒸镀工艺在所述基板的一侧形成发光功能层，其中，所述发光功能层包括有机电致发光层，位于所述第一显示区的各子像素的有机电致发光层出射的光线颜色相同。

在本公开的示例性实施例中，所述利用蒸镀工艺在所述基板的一侧形成发光功能层，包括：在所述基板上的第一显示区和第二显示区蒸镀形成第一有机层；在所述第一有机层上蒸镀形成阵列分布的R发光调节层、G发光调节层以及B发光调节层；分别在所述第二显示区的R发光 调节层上蒸镀第二发光材料、G发光调节层上蒸镀第一发光材料、B发光调节层上蒸镀第三发光材料形成第二显示区的有机电致发光层，以及在所述第一显示区的R发光调节层、G发光调节层、B发光调节层上均蒸镀第一发光材料形成第一显示区的有机电致发光层，其中，所述第一发光材料的发光效率大于所述第二发光材料的发光效率和所述第三发光材料的发光效率；在所述有机电致发光层上蒸镀形成第二有机层。

在本公开的示例性实施例中，在所述利用蒸镀工艺在所述基板的一侧形成发光功能层之前，所述方法还包括：在所述基板上的第一显示区和第二显示区形成第一电极层和像素定义层；利用构图工艺对像素定义层进行图案化处理，形成像素界定结构，其中，相邻的像素界定结构限定出所述子像素。

在本公开的示例性实施例中，所述利用蒸镀工艺在所述基板的一侧形成发光功能层之后，所述方法还包括：在所述发光功能层上蒸镀形成第二电极层；利用封装工艺在所述第二电极层上形成彩膜层，其中，所述彩膜层包括与所述子像素一一对应的滤光部，所述滤光部用于透过对应颜色的光线。

根据本公开的第三方面，还提供一种显示装置，包括本公开任意实施例所述的显示面板。

本公开提供的显示面板，第一显示区和第二显示区均包括出射不同颜色光线的子像素，第一显示区中的各个子像素的有机电致发光层出射的光线颜色相同，即第一显示区中的各子像素的有机电致发光层由同种材料形成，从而使得第一显示区中的各个子像素具有相同的启亮电压，解决低灰阶白画面偏色问题。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为根据本公开一种实施方式的显示面板的结构示意图；

图2为图1中沿AA方向的剖视图中第一显示区和第二显示区像素单元的结构示意图；

图3为根据本公开一种实施方式的R子像素的发光光谱曲线；

图4为根据本公开一种实施方式的G子像素的发光光谱曲线；

图5为根据本公开一种实施方式的B子像素的发光光谱曲线；

图6为根据本公开一种实施方式制备工艺中形成第一有机层的结构示意图；

图7为根据本公开一种实施方式制备工艺中形成发光调节层的结构示意图；图8为根据本公开一种实施方式制备工艺中形成发光层的结构示意图；

图9为根据本公开一种实施方式制备工艺中形成第二有机层的结构示意图；

图10为根据本公开一种实施方式制备工艺中形成的像素单元的结构示意图。

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

图1为根据本公开一种实施方式的显示面板的结构示意图，图2为图1中沿AA方向的剖视图中第一显示区和第二显示区像素单元的结构示意图，如图1、图2所示，本示例性实施例中，该显示面板可以包括基板10和发光功能层20，基板10可包括第一显示区100和至少部分围 绕第一显示区100的第二显示区200，第一显示区100用于进行图像显示和透过光线，第二显示区200用于图像显示；发光功能层20位于基板10的一侧，发光功能层20可包括有机电致发光层EML；其中，第一显示区100和第二显示区200均包括出射不同颜色光线的多个子像素，位于第一显示区100的各子像素的有机电致发光层EML出射的光线颜色相同。

本公开提供的显示面板，第一显示区100和第二显示区200均包括出射不同颜色光线的子像素，第一显示区100中的各个子像素的有机电致发光层EML出射的光线颜色相同，即第一显示区100中的各子像素的有机电致发光层EML由同种材料形成，从而使得第一显示区100中的各个子像素具有相同的启亮电压，解决低灰阶白画面偏色问题。

如图1所示，在示例性实施方式中，第一显示区100可以为FDC区，第二显示区200可以为正常显示区，第一显示区100在第二显示区200中的位置可以不限，可以位于第二显示区200的上部或者下部，或者可以位于第二显示区200的边缘位置。本示例性实施例中，在平行于显示基板的平面内，第一显示区100的形状可以是如下任意一种或多种：正方形、矩形、多边形、圆形和椭圆形等，第一显示区100内可放置指纹识别装置、摄像装置或3D成像等光学传感器等光学装置。第一显示区100的形状为圆形时，圆形的直径可以约为3mm至4mm，第一显示区100的形状为矩形时，矩形的边长可以约为3mm至4mm，本公开在此不做限定。

第一显示区100中各子像素的有机电致发光层EML出射的光线颜色相同，可以理解为第一显示区100中的各子像素的有机电致发光层EML由同种发光材料形成。示例性的，第一显示区100可以包括出射红光的R子像素、出射绿光的G子像素和出射蓝光的B子像素，则第一显示区100中的R子像素、G子像素和B子像素的有机电致发光层EML可由发绿光的发光材料或由发红光的发光材料或由发蓝光的发光材料形成。第一显示区100的各子像素的有机电致发光层EML由同一种发光材料形成，从而使得第一显示区100的各子像素具有相同的启亮电压，解决低灰阶下白画面色片问题，提高第一显示区100的显示画质。

如图2所示，本示例性实施例中，第一显示区100中的各子像素的有机电致发光层EML为同一种材料形成，由此可以减小第一显示区100的布线数量以及线距，即减少走线所占用的空间，因此可整体减小第一显示区100尺寸。例如，当第一显示区在基板的正投影为圆形时，第一显示区的孔径可以为3mm至4mm。

应该理解的是，本示例性实施例中，显示面板还可以包括第一电极层30、像素定义层PDL、第二电极层40和彩膜层(图2中未示出)，第一电极层30可包括多个间隔分布的第一电极，各第一电极在基板上的正投影位于像素区，且与像素电路连接，一个第一电极连接一个像素电路。像素定义层PDL与第一电极层30设于基板的同一侧，且露出各第一电极；像素定义层PDL包括多个像素界定结构，多个像素界定结构沿像素的排列方向间隔分布，相邻的两个像素界定结构限定出一个子像素。应该理解的是，图2中相邻的两个子像素之间具有一个像素界定结构，图中未示出。发光功能层20覆盖像素定义层PDL和第一电极层30。第二电极层覆盖发光功能层20。第二电极层40可以包括第二电极，第二电极可以为阴极，相应地，第一电极可以为阳极。当然，在其他实施例中，第二电极也可以为阳极，第一电极为阴极，本公开不以此为限。

彩膜层具有多个滤光部，一个子像素包括一滤光部，多个子像素构成一像素单元，不同的滤光部可透过的光线的颜色可以不同，使得不同的子像素的发光颜色可以不同。彩膜层的具体结构在此不再详述。同一像素单元包括多个颜色不同的子像素，例如，一像素单元可包括发光颜色分别为红、绿、蓝的三种子像素。由此，可通过多个像素单元实现彩色显示。

例如，第一显示区100中的有机电致发光层EML发绿光，R子像素的有机电致发光层EML发射的绿光经微腔调节后，可以实现绿光红移，再通过位于出射光线路径上的彩膜层的滤光作用，R子像素最终出射红光。类似地，B子像素同样可以通过微腔调节以及滤光作用而出射蓝光。

应该理解的是，本示例性实施例中，第二显示区200可具有与现有显示面板的AA区相同的结构，此处不再赘述。

相关技术中，为了提高FDC区的显示画质，FDC区与正常显示区可具有相同的分辨率，在此基础上，为了兼顾光线透过率，FDC区的发光面积会很小，而因为OLED靠电流驱动，发光面积减小，为了达到与正常显示区相同的亮度，需要的电流变高，由此造成FDC区寿命较正常显示区变差，进而影响FDC区画质。本公开可通过对显示面板的FDC区的有机电致发光层EML进行改进，以解决上述问题，下面结合附图对本公开方案作进一步说明，且在不作特殊说明的情况下，本公开所述的第一发光材料发绿光，第二发光材料发红光，第三发光材料发蓝光。

本示例性实施例中，第一显示区100中的有机电致发光层EML可以采用发光效率较高的发光材料形成，以提高第一显示区100各子像素的寿命。示例性的，第一显示区100的像素单元包括出射红光的R子像素、出射绿光的G子像素和出射蓝光的B子像素，第一显示区100中的有机电致发光层EML可采用第一发光材料形成。应该理解的是，在其他示例性实施例中，第一显示区100中各子像素的有机电致发光层也可以出射不同颜色的光线，例如，第一显示区100中，R子像素的有机电致发光层和B子像素的有机电致发光层均为第二发光材料形成，G子像素的有机电致发光层由第一发光材料形成；或者，R子像素和G子像素的有机电致发光层由第一发光材料形成，B子像素的有机电致发光层由第二发光材料形成。上述方案均可以在一定程度上提高至少部分子像素的发光效率，进而有助于提高至少部分子像素的寿命，这些都属于本公开的保护范围。

本公开仅以第一显示区100包括R、G、B三种子像素且第一显示区100的有机电致发光层EML由发绿光的第一发光材料形成为例对第一显示区100的结构和工作原理进行示例性说明。

本示例性实施例中，发光材料的发光效率可以理解为使用单位强度的驱动电流时，发光材料的发光强度。第一发光材料的发光效率大于第二发光材料的发光效率，可以理解为，在驱动电流相同时，第一有机电致材料的发光强度大于第二有机电致材料的发光强度。通过使用发光效率高的发光材料形成第一显示区100中的有机电致发光层EML，可提高第一显示区100的各子像素的整体发光效率，从而在减小第一显示区100 的开口率提高第一显示区100的光线透过率时，无需增加对于有机电致发光层EML的驱动电流，由此可以提高第一显示区100中各子像素的寿命，实现第一显示区100的寿命与发光效率的兼顾。

如图2所示，本示例性实施例中，发光功能层20除包括有机电致发光层EML外，还可以包括第一有机层210和第二有机层220，第一有机层210位于有机电致发光层EML与基板之间，第二有机层220位于有机电致发光层EML背离基板的一侧，第一有机层210可以包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，第二有机层220可以包括电子传输层ETL和电子注入层EIL。空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL的具体结构在此不再详述。相邻的发光功能层可共用空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的一个或多个。

如图2所示，本示例性实施例中，发光功能层20还可以包括空穴阻挡层HBL和发光调节层230，空穴阻挡层HBL位于第二有机层220与对应子像素的有机电致发光层EML之间，空穴阻挡层HBL的具体结构在此不再详述，相邻的发光功能层20可共用空穴阻挡层HBL。发光调节层230位于空穴传输层HTL与对应子像素的有机电致发光层EML之间，发光调节层230与各子像素一一对应，可用于调节各子像素的微腔长度，进而调节各子像素出射的光线的光谱的峰值波长。R子像素的发光调节层230可以由发红光的第二发光材料形成，G子像素的发光调节层230可以由发绿光的第一发光材料形成，B子像素的发光调节层230可以由发蓝光的第三发光材料形成。R子像素的发光调节层230的厚度可以大于G子像素的发光调节层230的厚度，且G子像素的发光调节层230的厚度大于B子像素的发光调节层230的厚度，即B子像素的发光调节层230厚度最小，R子像素的发光调节层230的厚度最大，进而可控制B子像素的微腔长度最小而使得有机电致发光层EML的发光光谱蓝移，以及R子像素的微腔长度最大而使得有机电致发光层EML的发光光谱红移。

举例而言，R子像素的发光调节层230的厚度可以为

此外，如图2所示，本示例性实施例中，第一显示区100中的R子像素的微腔长度可以大于第二显示区200中的R子像素的微腔长度，第一显示区100中的G子像素的微腔长度可以与第二显示区200中的B子像素的微腔长度相同，第一显示区100中的B子像素的微腔长度可以大于第二显示区200中的B子像素的微腔长度。示例性的，第一显示区100中的R子像素的微腔长度可以大于等于2700nm且小于等于2900nm(例如可以为2700nm，2800nm，2900nm等)，G子像素的微腔长度可以大于等于2150nm且小于等于2350nm(例如可以为2150nm，2250nm，2350nm等)，B子像素的微腔长度可以大于等于1900nm且小于等于2100nm(例如可以为1900nm，2000nm，2100nm等)。

如图2所示，本示例性实施例中，第一显示区100中各子像素的有机电致发光层EML的厚度可以相同或不同。当各子像素的有机电致发光层EML的厚度相同时，可以简化制备工艺，提高制备效率。例如，各子像素的有机电致发光层EML的厚度可以均为

如图2所示，本示例性实施例中，在第一显示区100中，有机电致发光层EML的厚度可与发光调节层230的厚度具有一定的比例关系。示例性的，第一显示区100中各子像素的有机电致发光层EML的厚度相同且为d1，第一显示区100中的B子像素的发光调节层230的厚度为d2，d1/d2可以大于等于3且小于等于9，例如d/d2可以为3，0.35，4，0.45，5，0.55，6，0.65，7，0.75，8，0.85，9等。举例而言，第一显示区100中B子像素的有机电致发光层EML的厚度可以为

如图2所示，本示例性实施例中，第一显示区100中R、G、B子像 素的微腔长度可大于等于第二显示区200中对应子像素的微腔长度，并可基于第一显示区100中各子像素的微腔长度确定各子像素的发光光谱曲线的发光峰值波长。发光峰值波长是指该材料发光强度最大处所对应的波长，也就是发光光谱曲线中最高点处对应的波长。示例性的，图3为根据本公开一种实施方式的R子像素的发光光谱曲线，图4为根据本公开一种实施方式的G子像素的发光光谱曲线，图5为根据本公开一种实施方式的B子像素的发光光谱曲线，图3-图5中，横坐标表示光的波长，纵坐标表示发光强度，曲线k1表示R子像素在滤光前的发光光谱曲线，k2表示红光的吸光光谱曲线，k3表示R子像素出射的光谱曲线，曲线k4表示G子像素在滤光前的发光光谱曲线，k5表示绿光的吸光光谱曲线，k6表示G子像素出射的光谱曲线，曲线k7表示B子像素在滤光前的发光光谱曲线，k8表示蓝光的吸光光谱曲线，k9表示B子像素出射的光谱曲线，从图3-图5可以看出，R子像素的发光光谱曲线的发光峰值波长位于585～605nm，G子像素的发光光谱曲线的发光峰值波长为530nm，B子像素的发光光谱曲线的发光峰值波长位于505～525nm，R子像素的发光光谱的发光峰值波长相较于G子像素的发光光谱的发光峰值波长变长，由此使得R子像素中的有机电致发光层EML发出的光线的光谱红移，再经彩膜层的滤光作用而使得R子像素出射红光。类似地，B子像素的发光光谱的发光峰值波长相较于G子像素的发光光谱的发光峰值波长变小，从而B子像素中的有机电致发光层EML的光谱蓝移，再配合彩膜层的滤光作用而使得B子像素出射蓝光。

此外，本示例性实施例中，可将第一显示区100中B子像素的CIE色坐标的y坐标值减小，以进一步减小第一显示区100和第二显示区200的画质差异。示例性的，可通过调节彩膜层将第一显示区100中B子像素的CIE色坐标的y坐标值减小至小于等于0.075，例如可以为0.075，0.070，0.065，0.060，0.055，0.050等。

本示例性实施例中，在第一显示区100中，各子像素的有机电致发光层EML均为发绿光的第一发光材料形成，因为第一发光材料的发光效率高，因此，第一显示区100中的R子像素和B子像素的发光效率均得以提升。表1为根据本公开一种实施方式的各子像素的效率对比情况， 表1列出的相关技术为R、G、B子像素的有机电致发光层的发光颜色各不相同，R子像素的有机电致发光层由第二发光材料形成，G子像素的有机电致发光层由第一发光材料形成，B子像素的有机电致发光层由第三发光材料形成。

表1

由表1可以看出，相比于相关技术中的对比例，本示例性实施例中R、G、B子像素的有机电致发光层均由第一发光材料形成，相当于是将R、B子像素的有机电致发光层的发光材料替换为发光效率最高的第一发光材料，从而使得R、B子像素的寿命和效率均得以提升，显然R、G、B子像素构成的像素单元的综合发光效率和寿命均得以提升。

举例而言，当第一显示区100为低PPI(PixelsPerInch，分辨率)时，光线透过率不再是影响第一显示区100的主要问题，并且因为像素单元的寿命得以提升，第一显示区100无画质问题，因此可以减小子像素的阳极开口率来进一步提升透光率，根据本公开的一仿真结果，在第一显示区100为低PPI时，像素单元的综合寿命可提升220％，发光效率可提升3％。

当第一显示区100为高PPI时，如表2所示，表2列出的相关技术中，R子像素的有机电致发光层由第二发光材料形成、G子像素的有机电致发光层由第一发光材料形成、B子像素的有机电致发光层由第三发光材料形成，PDL GAP表示相邻的子像素的间隔距离，PDL GAP越大则像素开口率越小，透光率越高。相比于相关技术中的像素单元寿命，本示例性实施例中第一显示区100的寿命得以明显提升，并且第一显示区100的寿命与第二显示区200的寿命的差距得以明显减小，从而第一显示区100和第二显示区200较小的寿命差异可以通过寿命补偿算法进行调整，最终能够使得第一显示区100的寿命与第二显示区200的寿命相同，解决相关技术中因为第一显示区100的寿命低而出现的第一显示区100与第二显示区200的画质相差较大导致的显示问题。

表2

可以知道的是，一个像素单元中，B子像素的寿命最短，因此，通常需要保证B子像素的开口率最大，G子像素的开口率次之，R子像素的开口率最小，以平衡三个子像素的使用寿命。如表1所示，因为R子像素和B子像素的寿命和效率均得以提升，因此B子像素寿命短不再是影响第一显示区100寿命和透光率的主要因素，可以减小第一显示区100中B子像素的开口率，以相应提升第一显示区100的光线透过率，使得第一显示区100能够兼顾光线透过率和使用寿命。

示例性的，第一显示区100中R子像素的开口率为k1，G子像素的开口率为k2，B子像素的开口率为k3，k1/k2可以为大于等于1/2且小于等于1，k1/k3可以为大于等于1/4且小于等于3/4，例如，k1/k2可以为1/2，3/4，1，k1/k3可以为1/4，3/8，1/2，3/4等。

可以看出，在使用发光效率高的第一发光材料形成第一显示区100的有机电致发光层EML的情况下，可以提高第一显示区100中R子像素和B子像素的寿命和效率，从而在保证第一显示区100的光线透过率的前提下，可以减小B子像素的开口率，和/或可以适当增加R子像素和G子像素的开口率，实现在提高第一显示区100的光线透过率的同时还能够保证第一显示区100的寿命。

综上，本公开提供的显示面板可以提高FDC区的使用寿命和透光效率，再配合寿命补偿算法可保证FDC区的使用寿命与正常显示区的使用寿命相同或相接近，从而解决FDC区的显示不良问题。

本公开还提供一种显示面板的制备方法，用于制备上述任意实施例所述的显示面板，该制备方法可以包括如下步骤：

S110、提供一基板10，其中，基板10具有第一显示区100和第二显示区200，第一显示区100用于进行图像显示和透过光线，第二显示区200用于图像显示，且第二显示区200至少部分围绕第一显示区100， 第一显示区100和第二显示区200均包括出射不同颜色光线的多个子像素；

S120、利用蒸镀工艺在基板10的一侧形成发光功能层20，其中，发光功能层20包括形成有机电致发光层EML，位于第一显示区100的各子像素的有机电致发光层EML出射的光线颜色相同。

如上述实施例所述，第一显示区100可以为FDC区，第二显示区可以为正常显示区。多个子像素例如可以包括出射红光的R子像素、出射绿光的G子像素和出射蓝光的B子像素。

步骤S110中，可在基板10上的第一显示区100和第二显示区200形成第一电极层和像素定义层PDL，再利用构图工艺对像素定义层PDL进行图案化处理，形成像素界定结构，相邻的像素界定结构限定出一个子像素。示例性的，第一电极层30可包括多个间隔分布的第一电极，各第一电极在基板上的正投影位于像素区，第一电极可以为阳极，可在形成有阳极层的基板10上进行有机光刻胶材料的涂布，涂布方法可包括狭缝式涂布、旋涂等，其中，有机光刻胶材料的厚度高于阳极层的高度，对有机光刻胶材料进行半刻蚀或者离子刻蚀，去除阳极层表面的有机材料层，从而形成像素定义层PDL。构图工艺可以包括曝光显示工艺(Exposure Developer)。利用构图工艺可形成多个像素界定结构，多个像素界定结构310在像素定义层PDL的延伸方向上间隔分布，相邻的两个像素界定结构限定出一个子像素。

步骤S120是要通过蒸镀工艺形成有机电致发光层EML。通过在第一显示区100蒸镀同一中发光材料形成各子像素的有机电致发光层EML，可以使得第一显示区100的各子像素具有相同的启亮电压，解决低灰阶下白画面色片问题，提高第一显示区100的显示画质。

进一步的，第一显示区100中各子像素的有机电致发光层EML可以由发光效率最高的第一发光材料形成，即第一显示区100的有机电致发光层EML发绿光，由此提高第一显示区100中各子像素寿命和透光率。下面以在第一显示区100蒸镀发绿光的第一发光材料为例对步骤S120的蒸镀工艺作进一步说明。步骤S120可具体包括如下步骤：

S121、在像素定义层PDL和第一电极层上蒸镀第一有机材料，形成 第一有机层210。第一有机层210可以包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL。得到的第一显示区100和第二显示区200一个像素单元的子像素结构如图6所示。

S122、在第一有机层210上蒸镀形成阵列分布的R发光调节层230、G发光调节层230以及B发光调节层230。R发光调节层230、G发光调节层230以及B发光调节层230的厚度互不相同，B子像素的发光调节层230厚度最小，R子像素的发光调节层230的厚度最大，可使用精细掩膜板FMM在第一有机层210上蒸镀形成厚度不同的发光调节层230，得到的像素单元结构如图7所示。

S123、分别在第二显示区200的R发光调节层230上蒸镀第二发光材料、G发光调节层230上蒸镀第一发光材料、B发光调节层230上蒸镀第三发光材料形成第二显示区200的有机电致发光层EML，且在第一显示区100的R、G、B发光调节层上均蒸镀第一发光材料形成第一显示区100的有机电致发光层EML。

在本步骤，可使用精细掩膜板分别在第二显示区200的R子像素蒸镀第二发光材料、在第二显示区200和第一显示区100的G子像素蒸镀第一发光材料、在第二显示区200的B子像素蒸镀第三发光材料，换言之，在第一显示区100不蒸镀第二发光材料和第三发光材料，而仅蒸镀第一发光材料，从而使得第一显示区100的R、G、B子像素的有机电致发光层EML出射同一颜色光线，并具有最高的发光效率，进而提高R子像素和B子像素的寿命。得到的像素单元结构如图8所示。

S124、在有机电致发光层EML上蒸镀第二有机材料形成第二有机层220。第二有机层220可以包括电子传输层ETL和电子注入层EIL。在一些实施例中，还可以在有机电致发光层EML上蒸镀空穴阻挡层HBL，再在空穴阻挡层HBL蒸镀形成第二有机层220。得到的像素单元结构如图9所示。

在蒸镀形成发光功能层20后，还可以进一步在发光功能层上蒸镀形成第二电极层220，得到如图10所示的像素单元结构。

进一步的，还可以利用封装工艺在第二电极层220上形成彩膜层，彩膜层包括与子像素一一对应的滤光部，滤光部用于透过对应颜色的光 线。此外，本公开还提供一种显示装置，该显示装置可以包括上述任意实施例所述的显示面板，因此该显示装置也具备上述任意实施例所描述的有益效果。

此外，本公开还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开上述任意实施例所述的显示面板，因此，该显示装置也包括上述任意实施例所述的有益效果。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。