一种OPC修正方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种OPC修正方法。

背景技术

在集成电路制造工艺中，后段金属层与通孔层的连接对器件性能有至关重要的作用，若金属层与通孔层覆盖率不达标则会导致不同金属层之间的导通性能差甚至失效，最终降低了产品的良率。

随着光刻工艺节点的推进，图案尺寸越来越小，光的衍射对曝光成像的影响越来越大，图形的转角圆化效应（corner rounding）也愈加明显，尤其是在集成电路制造工艺中的后段金属层版图与通孔层版图的应用中。

目前，金属层版图设计线端的转角位置处由于转角圆化效应的影响会使其与通孔层的覆盖率降低，严重时还会造成通孔层直接外露的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OPC修正方法，通过对掩膜版上金属层上的线条图形的凸角转角进行形状修正，从而将凸角转角的形状从容易发生转角圆化效应的直角调整成其他发生转角圆化效应概率低的形状，有效减少具有凸角转角的线条图形失真，解决由于凸角转角严重圆化所导致的金属层和通孔层叠层误差和覆盖面积不足等工艺热点问题。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供了一种OPC修正方法，可以包括如下步骤：

获取掩膜版上的多个原始图形，其中，所述原始图形为用于在晶圆上形成金属层的具有凸角转角的线条图形。

对掩膜版上的所述多个原始图形进行第一次OPC修正和光刻仿真，以得到每个所述原始图形的第一仿真图形。

确定每个所述原始图形以及其对应的第一仿真图形所包含的凸角转角之间的距离差R，并对所述距离差R大于预设阈值的原始图形进行转角处理，以将该原始图形的凸角转角的形状修改成目标形状。

进一步的，所述凸角转角具体可以为位于所述线条图形中的两条相邻线边之间等于第一角度的角，所述第一角度可以为90°。

进一步的，在对掩膜版上的所述多个原始图形进行第一次OPC修正之前，还可以先按照预设的辅助图形添加规则，在所述线条图形的外围区域内添加至少一辅助图形。

进一步的，确定每个所述原始图形以及其对应的第一仿真图形所包含的凸角转角之间的距离差R的步骤，具体可以包括：

将所述原始图形及其对应的第一仿真图形重叠。

以重叠后的所述原始图形及其对应的第一仿真图形的中心为起点，向所述原始图形或第一仿真图形的凸角转角方向做一线段，并使所述线段与所述原始图形及其对应的第一仿真图形上的构成其各自的凸角转角的线边分别形成一交点。

将两个所述交点之间的距离作为所述距离差R。

进一步的，所述线段与所述原始图形或其对应的第一仿真图形的凸角转角的一条线边的垂直线之间的夹角为第二角度，所述第二角度的范围具体可以为30°~60°。

进一步的，对所述距离差R大于预设阈值的原始图形进行转角处理的步骤，具体可以包括：

对所述原始图形的凸角转角进行切角处理，得到一切角开口。

在所述切角开口处添加一矩形修正图形，以使所述凸角转角的形状从直角调整为“凸”字形。

其中，所述矩形修正图形或“凸”字形的外侧边的中点与该原始图形的凸角转角的顶点重合，且所述矩形修正图形或“凸”字形的外侧边与该原始图形的切角开口侧边平行。

进一步的，对所述距离差R大于预设阈值的原始图形进行转角处理的步骤，具体可以包括：

将所述原始图形的凸角转角的顶点进行向外扩边处理，以使所述凸角转角的形状从直角调整为“凸”字形。

其中，所述“凸”字形的外侧边的中点与该原始图形的凸角转角的顶点重合，且所述“凸”字形的外侧边与穿过调整前该原始图形的中心和其凸角转角的顶点的线段相垂直。

进一步的，所述“凸”字形的外侧边或所述矩形修正图形的外侧边的取值范围具体可以为：1/2R~5R。

进一步的，对掩膜版上的所述多个原始图形进行第一次OPC修正的步骤，具体可以包括：针对所述原始图形的每条线边，将其沿与该条线边垂直的方向进行向外扩边处理或向内缩边处理。

进一步的，在将所述原始图形的凸角转角的形状从直角调整为“凸”字形之后，本发明所提供的所述OPC修正方法还可以包括如下步骤：

对所述原始图形进行第二次OPC修正，以得到该所述原始图形的第二仿真图形；

确定该所述原始图形以及其对应的第二仿真图形所包含的形状调整为所述“凸”字形的凸角转角之间的距离差R’；

若所述距离差R’大于所述预设阈值，则调整“凸”字形的外侧边或所述矩形修正图形的外侧边，并返回执行对所述原始图形进行第二次OPC修正，以得到该原始图形的第二仿真图形的步骤，直至所述距离差R’小于所述预设阈值为止。

第二方面，基于与如上所述的OPC修正方法相同的发明构思，本发明实施例中还提供了一种掩膜版，其中，所述掩膜版具体可以是采用如上所述的OPC修正方法得到的掩膜版制版图形制成。

第三方面，基于如上所述的OPC修正方法，本发明还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信。

存储器，用于存放计算机程序。

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的OPC修正方法的步骤。

与现有技术相比，本发明提供的技术方案至少具有如下有益效果之一：

在本发明所提供的一种OPC修正方法中，其在获取到掩膜版上的多个用于在晶圆上形成金属层的具有凸角转角的线条图形后，先对所述线条图形进行一次常规的OPC修正和光刻仿真，之后再确定每个所述原始图形以及其对应的第一仿真图形所包含的凸角转角之间的距离差R，并对所述距离差R大于预设阈值的原始图形进行转角处理，以将该原始图形的凸角转角的形状修改成目标形状，得到意想不到的效果是：提出了一种在OPC修正方法中改善掩膜版上金属层的线条图形修正结果的新型转角结构，并基于该新型转角结构提出了一种在金属层上的具有凸角转角的线条图形的OPC修正过程中，直接将掩膜版上的线条图形的凸角转角的形状从容易发生转角圆化效应的直角调整成不易发生转角圆化效应的其他形状（新型转角结构）的OPC修正方法，从而实现了有效降低位于金属层上的具有凸角转角的线条图形发生转角圆化效应的概率，即保证了利用该修正后的掩膜版在实际硅片上所形成的金属线结构符合设计要求，同时增大了该形成的位于上下层的金属层结构和通孔层结构的叠对面积，并最终实现提高半导体器件的产品良率的目的。

附图说明

图1为利用现有技术中常规的OPC修正方法对金属线层上的具有凸角转角的线条图形进行OPC修正、光刻仿真后所得到的凸角转角发生转角圆化效应的结构示意图。

图2为本发明一实施例中所提供的一种OPC修正方法的流程示意图。

图3为本发明一实施例中所提供的具有凸角转角的线条图形的结构示意图。

图4为利用本实施例中所提供的OPC修正方法在所述原始图形以及其对应的第一仿真图形上形成一线段，以求解其所包含的凸角转角之间的距离差R的局部放大结构示意图。

图5为本发明一实施例中所提供的利用图2所示的OPC修正方法对图3所示的线条图形的凸角转角进行切角处理前后的局部版图对比图。

图6为本发明一实施例中所提供的利用图2所示的OPC修正方法对图3所示的线条图形的凸角转角进行切角处理后的得到的线条图形的局部版图示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图和实施例对本发明的技术方案进一步详细阐述。虽然附图中显示了本发明的示例性实施方法，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻的理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体的描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。 可以理解的是，本发明中的“在……上”、“在……之上”和“在……上方”的含义应当以最宽方式被解读，以使得“在……上”不仅表示其“在”某物“上”且其间没有居间特征或层(即直接在某物上)的含义，而且还包括在某物“上”且其间有居间特征或层的含义。

此外，为了便于描述，可以在本文中使用诸如“在……上”、“在……之上”、“在……上方”、“上”“上部”等的空间相对术语来描述如图所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。除了在附图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同取向。装置可以以其它方式定向(旋转90度或处于其它取向)并且同样可以相应地解释本文使用的空间相对描述词。

在本发明实施例中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。 需要说明的是，本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

根据相关技术可知，目前在光学临近修正领域中，针对具有凸角转角的线条图形，其常用的OPC修正方法为例如基于模型的OPC修正，具体的，可以通过OPC软件首先把掩膜版设计图形的边缘识别出来，然后将掩膜版设计图形的边切分成许多小的校正线段，让每一线段边缘可以自由移动。然后OPC软件模拟光刻曝光后的图形，和掩膜版的设计目标图形对比，它们之间的差别称为边缘放置误差(EPE，Edge Placement Error)，是用来衡量修正质量的指标。OPC软件在运行时移动掩膜版设计图形的边缘位置，并计算出对应的边缘放置误差。这个过程不断反复，直到计算出的边缘放置误差达到可以接受的值。

然而，由于掩膜版上的金属层上的线条图形的转角（凸角转角）位置处由于转角圆化效应的影响会使其与通孔层的覆盖率降低，严重时还会造成通孔层直接外露的问题，如图1。

针对此问题，本发明研究人员发现，无论对掩膜版上的金属层上的线条图形的转角（凸角转角）进行多少次线条的拉伸或回缩等常规OPC修正，其转角圆化效应发生的概率依然很高，转角图形失真严重，为此，本发明研究人员提出了一种在OPC修正方法中改善掩膜版上金属层的线条图形修正结果的新型转角结构，并基于该新型转角结构提出了一种在金属层上的具有凸角转角的线条图形OPC修正过程中，直接将掩膜版上的线条图形的凸角转角的形状从容易发生转角圆化效应的直角调整成不易发生转角圆化效应的其他形状（新型转角结构）的OPC修正方法。

即，本发明所提供的OPC修正方法，其是通过对掩膜版上金属层上的线条图形的凸角转角进行形状修正，从而将凸角转角的形状从容易发生转角圆化效应的直角调整成发生转角圆化效应概率低或不易发生转角圆化效应的其他形状，即可有效减少具有凸角转角的线条图形失真，解决由于凸角转角严重圆化所导致的金属层和通孔层叠层误差和覆盖面积不足等工艺热点问题。

下面将通过图2~图6对本发明实施例中所提供的一种OPC修正方法进行具体介绍。

参考图2，图2为本发明一实施例中提供的一种OPC修正方法的流程示意图，该方法包括如下步骤：

步骤S201，获取掩膜版上的多个原始图形，其中，所述原始图形为用于在晶圆上形成金属层的具有凸角转角的线条图形。

作为一种示例，本发明实施例中所提供的所述具有凸角转角的线条图具体是用于在晶圆上形成金属层上对应的金属线结构，而所述凸角转角则具体可以为位于所述线条图形中的两条相邻线边之间等于第一设角度的角，其中，所述第一角度为90°，如图3所示的线条图形。其中，在所述图3所示的具有凸角转角的线条图形的版图示意图中，其圈出的直角区域即为该线条图形的凸角转角。

步骤S202，对掩膜版上的所述多个原始图形进行第一次OPC修正和光刻仿真，以得到每个所述原始图形的第一仿真图形。

在本实施例中，在得到所述掩膜版上的所述多个原始图形之后，通常是先按照预设的辅助图形添加规则，在所述线条图形的外围区域内添加至少一辅助图形，以调节所述掩膜版上的图形疏密不同对所述线条图形的修正结果的影响，之后，再对所述掩膜版上的所述多个原始图形进行第一次OPC修正和光刻仿真。

作为一种优选示例，对所述掩膜版上的所述多个原始图形进行第一次OPC修正的步骤，即为针对所述原始图形的每条线边，将其沿与该条线边垂直的方向进行向外扩边处理或向内缩边处理的过程。

步骤S203，确定每个所述原始图形以及其对应的第一仿真图形所包含的凸角转角之间的距离差R，并对所述距离差R大于预设阈值的原始图形进行转角处理，以将该原始图形的凸角转角的形状修改成目标形状。

作为一种优选示例，本发明实施例中确定每个所述原始图形及其对应的第一仿真图形的凸角转角之间的距离差R的步骤，具体可以包括：

步骤S203.1，将所述原始图形及其对应的第一仿真图形重叠。

步骤S203.2，以重叠后的所述原始图形（用于在晶圆上形成金属层的具有凸角转角的线条图形）及其对应的第一仿真图形（基于所述掩膜版，在测试晶圆上曝光所形成的实际图形）的中心为起点，向所述原始图形或第一仿真图形的凸角转角方向做一线段，并使所述线段与所述原始图形及其对应的第一仿真图形上的构成其各自的凸角转角的线边分别形成一交点。

步骤S203.3，将两个所述交点之间的距离作为所述距离差R。

在本实施例中，为了量化掩膜版上金属层的具有凸角转角的线条图形的转角圆化效应这一现象，引入了距离差参数R（简称距离差R），其中，所述距离差R代表掩膜版上的所述多个线条图形和与其对应的第一仿真图形在凸角转角图形处的图形差异，因此，距离差R越大，代表所述掩膜版上金属层的具有凸角转角的线条图形发生转角圆化效应的情况越严重。

参阅图4，图4为利用本实施例中所提供的OPC修正方法在所述原始图形以及其对应的第一仿真图形上形成一线段，以求解其所包含的凸角转角之间的距离差R的局部放大结构示意图。

如图4所示，为了确定本实施例中所引入的所述距离差R，本实施例中则是通过将所述原始图形即具有凸角转角的线条图形S1以及其所对应的第一仿真图形S2进行重叠，之后再在重叠后的所述两个图形的凸角转角区域做一条过重叠图形中心点0的线段，并让该线段在凸角转角区域内与所述线条图形S1以及其所对应的第一仿真图形S2分别具有一交点，如交点a和交点b，而所述交点a和交点b之间的距离即为所述距离差R。

作为一种示例，所述线段与所述具有凸角转角的线条图形S1以及其所对应的第一仿真图形S2的构成其凸角转角的一条线边的垂直线Y之间的夹角具体可为第二角度，且所述第二角度的范围为30°~60°，而该第二角度的取值优选为45°，即如图4所示的所述线段与所述线条图形S1的直角凸角转角的角平分线重合，此时该线段与所述线条图形S1的交点a与其直角拐角的顶点重合。

之后，在利用如上所述的方法确定出每个所述具有凸角转角的线条图形以及其对应的第一仿真图形所包含的凸角转角之间的距离差R之后，可以将所有所述距离差R大于预设阈值的线条图形（原始图形）筛选出来，之后再从筛选出来的线条图形中找出其距离差R大于预设阈值的凸角转角（因为一个线条图形可包含多个凸角转角），并对其进行转角处理，以将该凸角转角的形状从直角修改成目标形状，其中，所述目标形状即为其他发生转角圆化效应概率低的甚至不易发生转角圆化效应的转角形状。

需要说明的是，在本发明实施例中，具体提出了对基于确定出的所述距离差R所筛选出的凸角转角进行转角处理的两种方式，下面将对其分别进行介绍。

方式一，本发明实施例中提供了一种对所述距离差R大于预设阈值的线条图形（原始图形）的凸角转角进行转角处理的具体实现方式，包括如下步骤：

步骤S203.4a，对所述原始图形的凸角转角进行切角处理，得到一切角开口。

步骤S203.5a，在所述切角开口处添加一矩形修正图形，以使所述凸角转角的形状从直角调整为“凸”字形，其中，所述矩形修正图形或“凸”字形的外侧边的中点与该原始图形的凸角转角的顶点重合，且所述矩形修正图形或“凸”字形的外侧边与该原始图形的切角开口侧边平行。

方式二，本发明实施例中提供了另一种对所述距离差R大于预设阈值的线条图形（原始图形）的凸角转角进行转角处理的具体实现方式，包括如下步骤：

步骤S203.4b，将所述原始图形的凸角转角的顶点进行向外扩边处理，以使所述凸角转角的形状从直角调整为“凸”字形，其中，所述“凸”字形的外侧边的中点与该原始图形的凸角转角的顶点重合，且所述“凸”字形的外侧边与穿过调整前该原始图形的中心和其凸角转角的顶点的线段相垂直。

其中，无论是利用如上哪种转角处理方式，所述调整后而得到的所述“凸”字形的外侧边或所述矩形修正图形的外侧边的取值范围均可为：1/2R~5R，即所述“凸”字形结构上半部分突出的矩形结构的长或宽的取值范围均可为1/2R~5R，且二者的取值范围既可以不同，也可以相同。

进一步的，在本发明实施例中，在利用如图2所示的OPC修正方法的步骤S203在将所述原始图形的凸角转角的形状从直角调整为“凸”字形之后，该OPC修正方法还可以包括：

步骤S204，对所述原始图形进行第二次OPC修正，以得到该所述原始图形的第二仿真图形。

步骤S205，确定该所述原始图形以及其对应的第二仿真图形所包含的形状调整为所述“凸”字形的凸角转角之间的距离差R’，其中，所述距离差R’代表掩膜版上的所述多个线条图形和与其对应的第二仿真图形在凸角转角图形处的图形差异。

步骤S206，若所述距离差R’大于所述预设阈值，则调整“凸”字形的外侧边或所述矩形修正图形的外侧边，并返回执行所述步骤S204对所述原始图形进行第二次OPC修正，以得到该所述原始图形的第二仿真图形的步骤，直至所述距离差R’小于所述预设阈值为止。

在本实施例中，在利用如上步骤S201~步骤S203将线条图形上的凸角转角的形状形状从直角调整为“凸”字形后，便可再次对包含凸角转角形状以及调整后的线条图形的掩膜版进行OPC修正、距离差R’确定等步骤，然后通过多次调整形状改变后的凸角转角的“凸”字形的外侧边或所述矩形修正图形的外侧边的长或宽的方式，进一步让掩膜版上的每个凸角转角的所述距离差R均小于所述预设阈值，即均符合设计要求。

下文将通过以图3所示的具有凸角转角的线条图形为为例，并结合图4~图6，对其采用本发明所提出的转角处理的具体过程进行介绍。

示例性的，假设待进行转角处理的掩膜版上的线条图形为如图3所示的倒“L”形图形，该线条图形的凸角转角的转角为直角，对其进行转角处理的过程具体可以为：先沿着与所述直角的角平分线垂直的方向切掉所述直角的一部分，以得到一切角开口，然后再在所述切角开口处添加一W1*W2的矩形修正图形，其中，所述W1*W2的矩形修正图形的一条边（W2）与所述切角开口的宽度相同，从而使添加了所述矩形修正图形后的所述凸角转角的形状从直角变为“凸”字形，如图5所示。

其中，图5为本发明一实施例中所提供的利用图2所示的OPC修正方法对图3所示的线条图形的凸角转角进行切角处理前后的局部版图对比图，即图5中的图形S1为掩膜版上的线条图形的原始形状，而图5中的图形S3则为将S1的直角拐角转角处理后所得到的版图图形。为了便于直观的观察，本发明实施例中将图5中的图形S3用图6单独显示。

显然，“凸”字形的与所述切角开口的宽度相同的边W1的中点与所述掩膜版上的线条图形再修正之前的直角顶点重合时，转角处理后的线条图形的转角发生转角圆化效应的概率最低。

因此，利用本发明实施例所提供的OPC修正方法对金属线层或上的具有凸角转角的线条图形进行修正后，其线条图形的转角图形并不是直角，而是向外突出的“凸”字形，从而利用其他发生转角圆化效应概率低的“凸”字形的实现有效降低位于金属层上的具有凸角转角的线条图形发生转角圆化效应的概率，即保证了利用该修正后的掩膜版在实际硅片上所形成的金属线结构符合设计要求，同时增大了该形成的位于上下层的金属层结构和通孔层结构的叠对面积，并最终实现了提高半导体器件的产品良率的目的。

基于如上所述的OPC修正方法，本实施例中还提供了OPC修正系统，所述系统可以包括：

原始图形获取模块，用于获取掩膜版上的多个原始图形，其中，所述原始图形为用于在晶圆上形成金属层的具有凸角转角的线条图形。

OPC修正模块，用于对掩膜版上的所述多个原始图形进行第一次OPC修正和光刻仿真，以得到每个所述原始图形的第一仿真图形。

转角处理模块，用于确定每个所述原始图形以及其对应的第一仿真图形所包含的凸角转角之间的距离差R，并对所述距离差R大于预设阈值的原始图形进行转角处理，以将该原始图形的凸角转角的形状修改成目标形状。

其中，所述凸角转角为位于所述线条图形中的两条相邻线边之间等于第一角度的角，所述第一角度为90°。

进一步的，所述转角处理模块还包括：

重叠单元，用于将所述原始图形及其对应的第一仿真图形重叠。

距离差R确定单元，用于以重叠后的所述原始图形及其对应的第一仿真图形的中心为起点，向所述原始图形或第一仿真图形的凸角转角方向做一线段，并使所述线段与所述原始图形及其对应的第一仿真图形上的构成其各自的凸角转角的线边分别形成一交点，并将两个所述交点之间的距离作为所述距离差R。

其中，所述线段与所述原始图形或其对应的第一仿真图形的的凸角转角的一条线边的垂直线之间的夹角为第二角度，所述第二角度的范围为30°~60°。

进一步的，所述转角处理模块还包括：

切除单元，用于对所述原始图形的凸角转角进行切角处理，得到一切角开口。

第一形状调整单元，用于在所述切角开口处添加一矩形修正图形，以使所述凸角转角的形状从直角调整为“凸”字形，其中，所述矩形修正图形或“凸”字形的外侧边的中点与该原始图形的凸角转角的顶点重合，且所述矩形修正图形或“凸”字形的外侧边与该原始图形的切角开口侧边平行。

或者，所述转角处理模块还可以包括：

第二形状调整单元，用于将所述原始图形的凸角转角的顶点进行向外扩边处理，以使所述凸角转角的形状从直角调整为“凸”字形，其中，所述“凸”字形的外侧边的中点与该原始图形的凸角转角的顶点重合，且所述“凸”字形的外侧边与穿过调整前该原始图形的中心和其凸角转角的顶点的线段相垂直。

其中，所述“凸”字形的外侧边或所述矩形修正图形的外侧边的取值范围为：1/2R~5R。

此外基于如上所述的OPC修正方法，本发明实施例中还提供了一种掩膜版，其中，该掩膜版具体是采用如上所述的OPC修正方法得到的掩膜版制版图形制成，即本发明实施例中所提供的掩膜版上可以包括用于在晶圆上形成金属层的线条图形，而该线条图形的凸角转角并不是直角，而是如图5所示的“凸”字形。

综上所述，在本发明所提供的一种OPC修正方法中，其在获取到掩膜版上的多个用于在晶圆上形成金属层的具有凸角转角的线条图形后，先对所述线条图形进行一次常规的OPC修正和光刻仿真，之后再确定每个所述原始图形以及其对应的第一仿真图形所包含的凸角转角之间的距离差R，并对所述距离差R大于预设阈值的原始图形进行转角处理，以将该原始图形的凸角转角的形状修改成目标形状，得到意想不到的效果是：提出了一种在OPC修正方法中改善掩膜版上金属层的线条图形修正结果的新型转角结构，并基于该新型转角结构提出了一种在金属层或通孔层上的具有凸角转角的线条图形OPC修正过程中，直接将掩膜版上的线条图形的凸角转角的形状从容易发生转角圆化效应的直角调整成不易发生转角圆化效应的其他形状（新型转角结构），从而实现了有效降低位于金属层上的具有凸角转角的线条图形发生转角圆化效应的概率，即保证了利用该修正后的掩膜版在实际硅片上所形成的金属线结构符合设计要求，同时增大了该形成的位于上下层的金属层结构和通孔层结构的叠对面积，并最终实现提高半导体器件的产品良率的目的。

本发明实施例还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信，

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现本发明实施例提供的一种OPC修正方法。

另外，处理器执行存储器上所存放的程序而实现的OPC修正方法的其他实现方式，与前述方法实施例部分所提及的实现方式相同，这里也不再赘述。

上述控制终端提到的通信总线可以是外设部件互连标准（Peripheral ComponentInterconnect，PCI）总线或扩展工业标准结构（Extended Industry StandardArchitecture，EISA）总线等。该通信总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。

通信接口用于上述电子设备与其他设备之间的通信。

存储器可以包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM），也可以包括非易失性存储器（Non-Volatile Memory，NVM），例如至少一个磁盘存储器。可选的，存储器还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。

上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器（Central Processing Unit，CPU）、网络处理器（Network Processor，NP）等；还可以是数字信号处理器（Digital SignalProcessing，DSP）、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，ASIC）、现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array，FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

在本发明提供的又一实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述实施例中任一所述的OPC修正方法。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线（例如同轴电缆、光纤、数字用户线（DSL））或无线（例如红外、无线、微波等）方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质（例如固态硬盘Solid State Disk (SSD)）等。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置、电子设备以及计算机可读存储介质实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。