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显示装置

文献发布时间:2024-04-18 20:02:18


显示装置

技术领域

一些实施例的各方面涉及一种显示装置。

背景技术

显示装置是显示图像以向用户提供视觉信息的装置。在显示装置当中,有机发光显示装置近期受到关注。

有机发光显示装置具有其自身发光的特性,并且与液晶显示装置不同,有机发光显示装置不需要单独的光源,因此可以相对地减小厚度和重量。此外,有机发光显示装置大体上展现出了诸如相对低功耗、高亮度和高响应速度的相对高质量特性。

在本背景部分中公开的上述信息仅用于增强对背景的理解,并且因此,在本背景部分中讨论的信息并不一定构成现有技术。

发明内容

一些实施例的各方面涉及一种显示装置。例如,一些实施例的各方面涉及能够提供视觉信息的显示装置。

一些实施例的各方面包括具有相对改进的显示质量的显示装置。

根据一些实施例的显示装置可以包括:基板,包括显示区域和焊盘区域,焊盘区域包括输入焊盘区域、在第一方向上与输入焊盘区域间隔开的输出焊盘区域以及位于输入焊盘区域与输出焊盘区域之间的中间区域;以及无机绝缘层,在中间区域中限定切口部分。

根据一些实施例,切口部分可以包括:第一切口部分,位于输入焊盘区域附近;以及第二切口部分,位于输出焊盘区域附近。

根据一些实施例,无机绝缘层可以包括:栅绝缘层,位于基板上;第一层间绝缘层,位于栅绝缘层上;第一触摸绝缘层,位于第一层间绝缘层上;以及第二触摸绝缘层,位于第一触摸绝缘层上。

根据一些实施例,切口部分可以通过去除从第二触摸绝缘层到基板的上部而获得。

根据一些实施例,显示装置可以进一步包括:第二层间绝缘层,位于第一层间绝缘层与第一触摸绝缘层之间。

根据一些实施例,显示装置可以进一步包括:钝化层,位于第一层间绝缘层与第一触摸绝缘层之间。

根据一些实施例,切口部分可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

根据一些实施例,切口部分在横截面图中可以具有梯形形状。

根据一些实施例,显示装置可以进一步包括:弯曲区域,位于显示区域与输出焊盘区域之间,并且围绕弯曲轴弯曲。

根据一些实施例,显示区域可以包括:发光元件,位于基板上;封装层,位于发光元件上;第一触摸绝缘层,位于封装层上;触摸层,位于第一触摸绝缘层上;以及第二触摸绝缘层,位于触摸层上。

根据一些实施例,触摸层可以包括多个触摸电极。

根据一些实施例,显示装置可以进一步包括:栅绝缘层,位于基板上;第一层间绝缘层,位于栅绝缘层上;钝化层,位于第一层间绝缘层上;以及过孔绝缘层,位于钝化层与发光元件之间。

根据一些实施例,显示装置可以进一步包括:第二层间绝缘层,位于第一层间绝缘层与钝化层之间。

根据一些实施例的显示装置可以包括:基板,包括显示区域和焊盘区域,焊盘区域包括输入焊盘区域、在第一方向上与输入焊盘区域间隔开的输出焊盘区域以及位于输入焊盘区域与输出焊盘区域之间的中间区域;栅绝缘层,位于输入焊盘区域、输出焊盘区域和中间区域中、基板上;第一焊盘电极,位于输入焊盘区域和输出焊盘区域中、栅绝缘层上;第一层间绝缘层,在输入焊盘区域和输出焊盘区域中、栅绝缘层上覆盖第一焊盘电极的两侧并且暴露第一焊盘电极的中心部分,并且位于中间区域中、栅绝缘层上;第二焊盘电极,连接到第一焊盘电极的中心部分,并且位于输入焊盘区域和输出焊盘区域中、第一层间绝缘层上;第一触摸绝缘层,在输入焊盘区域和输出焊盘区域中、第一层间绝缘层上覆盖第二焊盘电极的两侧并且暴露第二焊盘电极的中心部分,并且位于中间区域中、第一层间绝缘层上;以及第二触摸绝缘层,在输入焊盘区域和输出焊盘区域中、第一触摸绝缘层上覆盖第二焊盘电极的两侧并且暴露第二焊盘电极的中心部分,并且位于中间区域中、第一触摸绝缘层上,并且在中间区域中,切口部分通过去除从第二触摸绝缘层到基板的上部而被限定。

根据一些实施例,切口部分可以包括:第一切口部分,位于输入焊盘区域附近;以及第二切口部分,位于输出焊盘区域附近。

根据一些实施例,显示装置可以进一步包括:第二层间绝缘层,在输入焊盘区域和输出焊盘区中位于第一层间绝缘层与第一触摸绝缘层之间、覆盖第一焊盘电极的两侧并且暴露第一焊盘电极的中心部分,并且在中间区域中位于第一层间绝缘层与第一触摸绝缘层之间。

根据一些实施例,显示装置可以进一步包括:钝化层,在输入焊盘区域和输出焊盘区域中位于第二层间绝缘层与第一触摸绝缘层之间、覆盖第二焊盘电极的两侧并且暴露第二焊盘电极的中心部分,并且在中间区域中位于第二层间绝缘层与第一触摸绝缘层之间。

根据一些实施例,显示装置可以进一步包括:第三焊盘电极,连接到第二焊盘电极的中心部分,并且位于输入焊盘区域和输出焊盘区域中、第一触摸绝缘层上。

根据一些实施例,切口部分可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

根据一些实施例,切口部分在截面图中可以具有梯形形状。

根据一些实施例的显示装置可以包括:基板,包括显示区域和焊盘区域,焊盘区域包括输入焊盘区域、在第一方向上与输入焊盘区域间隔开的输出焊盘区域以及位于输入焊盘区域与输出焊盘区域之间的中间区域;以及无机绝缘层,在中间区域中限定切口部分。相应地,即使在输入焊盘区域与输出焊盘区域之间存在有机层,也可以阻止(例如,防止形成)或减少裂纹的传播。相应地,可以防止焊盘区域中的短路和腐蚀现象。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解说明性、非限制性的实施例。

图1是图示根据一些实施例的显示装置的透视图。

图2是沿图1中的线I-I’截取的截面图。

图3是图1中的区域A的放大平面图。

图4是沿图3中的线X-X’截取的截面图。

图5和图6是用于描述根据一些实施例的切口部分的图。

图7是图示根据一些实施例的显示装置的弯曲形状的图。

具体实施方式

在下文中,将参考附图更详细地描述根据一些实施例的显示装置。在附图中,相同的附图标记被用于相同的部件,并且将省略对相同部件的冗余描述。

图1是图示根据一些实施例的显示装置的透视图。图2是沿图1中的线I-I’截取的截面图。

参考图1,显示装置DD可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以被定义为被配置为发光的区域,并且非显示区域NDA可以被定义为用于向显示区域DA传输信号的部件被设置在其处并且被配置为不发光的区域。

多个像素可以位于基板(例如,图2的基板SUB)上的显示区域DA中。多个像素可以基于从非显示区域NDA传输的信号来发光。多个像素可以大体上位于显示区域DA中。相应地,显示区域DA可以被配置为从整个区域发光以显示图像。

基板上的非显示区域NDA可以位于显示区域DA周围(例如,在显示区域DA的外围中或者在显示区域DA的覆盖区之外)。非显示区域NDA可以包括焊盘区域PA、驱动芯片IC、电路板CB和多个驱动单元。多个驱动单元可以产生并传输用于驱动多个像素的诸如栅信号、发光信号、数据信号、电源电压和初始化电压的信号。

参考图1和图2,根据一些实施例的显示装置DD的显示区域DA可以包括基板SUB、缓冲层BUF、栅绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、钝化层PVX、过孔绝缘层VIA、像素限定层PDL、封装层TFE、第一触摸绝缘层YILD、第二触摸绝缘层YCNT、有源层ACT、栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、第一电容器电极CPE1、第二电容器电极CPE2、像素电极PE、公共电极CE、发光层EML以及包含多个触摸电极TE的触摸层。尽管关于图1和图2示出并描述了各种层和部件,但是根据本公开的实施例不限于此。例如,根据一些实施例,显示装置DD可以包括附加的层或部件或者更少的层或部件,而不背离根据本公开的实施例的精神和范围。

基板SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA(例如,如图1中所示)。基板SUB可以包括透明材料或不透明材料。基板SUB可以由透明树脂基板形成。透明树脂基板的示例可以包括聚酰亚胺基板。在这种情况下,聚酰亚胺基板可以包括第一有机层、第一阻挡层和第二有机层等。

缓冲层BUF可以位于基板SUB上。缓冲层BUF可以防止或减少金属原子、污染物或杂质从基板SUB扩散到有源层ACT中的情况。此外,当基板SUB的表面不均匀时,缓冲层BUF可以提高基板SUB的表面的平坦性。例如,缓冲层BUF可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。

有源层ACT可以位于缓冲层BUF上。有源层ACT可以包括无机半导体(例如,金属氧化物半导体、非晶硅、多晶硅)或有机半导体。有源层ACT可以包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区。

金属氧化物半导体可以包括包含例如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)的二元化合物(AB

栅绝缘层GI可以位于缓冲层BUF上。栅绝缘层GI可以充分地覆盖有源层ACT,并且可以具有基本上平坦的上表面,而不在有源层ACT周围产生台阶。可替代地,栅绝缘层GI可以覆盖有源层ACT,并且可以沿着有源层ACT的轮廓来布置。例如,栅绝缘层GI可以包括诸如氧化硅(SiO

第一电容器电极CPE1和栅电极GE可以位于栅绝缘层GI上。栅电极GE可以至少与有源层ACT的沟道区重叠。有源层ACT可以基于施加到栅电极GE的信号或电压而被激活。第一电容器电极CPE1可以与将在稍后描述的第二电容器电极CPE2一起构成或形成电容器。

栅电极GE和第一电容器电极CPE1可以包括诸如以金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等为例的导电材料。金属的示例可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)和钪(Sc),但根据本公开的实施例不限于此,并且可以使用任何适当的金属或导电材料。导电金属氧化物的示例可以包括氧化铟锡和氧化铟锌等。此外,金属氮化物的示例可以包括氮化铝(AlN

第一层间绝缘层ILD1可以位于栅绝缘层GI上。第一层间绝缘层ILD1可以充分地覆盖栅电极GE,并且可以具有基本上平坦的上表面,而不在栅电极GE周围产生台阶。可替代地,第一层间绝缘层ILD1可以覆盖栅电极GE,并且可以沿着栅电极GE的轮廓来布置。

例如,第一层间绝缘层ILD1可以包括诸如氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅和碳氧化硅等的无机材料。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。

第二电容器电极CPE2可以位于第一层间绝缘层ILD1上。第二电容器电极CPE2可以被布置为与第一电容器电极CPE1重叠。第一电容器电极CPE1和第二电容器电极CPE2可以共同地构成电容器。

第二电容器电极CPE2可以包括诸如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等的导电材料。金属的示例可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)和钪(Sc)等,但根据本公开的实施例不限于此,并且可以使用任何适当的金属。导电金属氧化物的示例可以包括氧化铟锡和氧化铟锌等。此外,金属氮化物的示例可以包括氮化铝(AlN

第二层间绝缘层ILD2可以位于第一层间绝缘层ILD1上。第二层间绝缘层ILD2可以充分地覆盖第二电容器电极CPE2,并且可以具有基本上平坦的上表面,而不在第二电容器电极CPE2周围产生台阶。可替代地,第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第二电容器电极CPE2,并且可以沿着第二电容器电极CPE2的轮廓来布置。

例如,第二层间绝缘层ILD2可以包括诸如氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅和碳氧化硅等的无机材料。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。

源电极SE可以位于第二层间绝缘层ILD2上。源电极SE可以通过穿透栅绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的接触孔连接到有源层ACT的源区。

漏电极DE可以位于第二层间绝缘层ILD2上。漏电极DE可以通过穿透栅绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的接触孔连接到有源层ACT的漏区。

例如,源电极SE可以包括诸如以金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等为例的导电材料。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。漏电极DE和源电极SE可以通过同一工艺形成,并且可以包括相同的材料。

钝化层PVX可以位于第二层间绝缘层ILD2上。钝化层PVX可以充分地覆盖源电极SE和漏电极DE。钝化层PVX可以保护包括源电极SE和漏电极DE的下层。钝化层PVX可以包括无机绝缘材料。可以被用作钝化层PVX的材料的示例可以包括氧化硅(SiO

过孔绝缘层VIA可以位于钝化层PVX上。过孔绝缘层VIA可以包括有机材料。例如,过孔绝缘层VIA可以包括诸如酚醛树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂和环氧树脂等的有机材料。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。

像素电极PE可以位于过孔绝缘层VIA上。像素电极PE可以通过穿透过孔绝缘层VIA和钝化层PVX的接触孔连接到漏电极DE。像素电极PE可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。根据一些实施例,像素电极PE可以具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。像素电极PE可以作为阳极操作。

像素限定层PDL可以位于过孔绝缘层VIA上。像素限定层PDL可以覆盖像素电极PE的两个侧部。此外,使像素电极PE的上表面的一部分暴露的开口可以被限定在像素限定层PDL中。

例如,像素限定层PDL可以包括无机材料或有机材料。根据一些实施例,像素限定层PDL可以包括诸如环氧树脂和硅氧烷树脂等的有机材料。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。根据一些实施例,像素限定层PDL可以进一步包括含有黑色颜料或黑色染料等的遮光材料。

发光层EML可以位于像素电极PE上。发光层EML可以包括发射颜色光(例如,设定或预定的颜色的光)的有机材料。

公共电极CE可以位于发光层EML和像素限定层PDL上。公共电极CE可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。公共电极CE可以作为阴极操作。

像素电极PE、发光层EML和公共电极CE可以构成发光元件。

封装层TFE可以位于公共电极CE上。封装层TFE可以防止杂质和水分从外部渗透到像素电极PE、发光层EML和公共电极CE中。封装层TFE可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如,无机层可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。有机层可以包括诸如聚丙烯酸酯的聚合物固化产品。

第一触摸绝缘层YILD可以位于封装层TFE上。第一触摸绝缘层YILD可以包括无机绝缘材料。可以被用作第一触摸绝缘层YILD的材料的示例可以包括氧化硅(SiO

触摸层可以位于第一触摸绝缘层YILD上。触摸层可以包括多个触摸电极TE。多个触摸电极TE可以用于感测外部触摸并将信号传输到触摸驱动器(未示出)。

触摸层可以包括诸如金属、合金、金属氧化物和透明导电材料等的导电材料。可以被用作触摸层的材料的示例可以包括银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝(Al)合金、氮化铝(AlN

第二触摸绝缘层YCNT可以位于第一触摸绝缘层YILD上以覆盖触摸层。第二触摸绝缘层YCNT可以包括无机绝缘材料。可以被用作第二触摸绝缘层YCNT的材料的示例可以包括氧化硅(SiO

图3是图1中的区域A的放大平面图。

参考图1和图3,根据一些实施例的显示装置DD的非显示区域NDA可以包括输入焊盘区域IP、输出焊盘区域OP、中间区域BT、第一切口部分IOP、第二切口部分OOP、驱动芯片IC和电路板CB。

包括在输入焊盘区域IP中的多个输入焊盘可以将从电路板CB提供的电压和控制信号等传输到驱动芯片IC。也就是说,可以通过多个输入焊盘将来自电路板CB的电压和控制信号等提供给驱动芯片IC。

包括在输出焊盘区域OP中的多个输出焊盘可以接收从驱动芯片IC提供的电压和控制信号等。也就是说,可以通过多个输出焊盘将来自驱动芯片IC的电压和控制信号等提供给多个像素、扫描驱动器和发光驱动器。

输入焊盘区域IP和输出焊盘区域OP可以在第一方向DR1上彼此间隔开。多个输出焊盘在输出焊盘区域OP中可以布置成沿与第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸的两行。然而,本发明不限于此,并且多个输出焊盘在输出焊盘区域OP中可以布置成三行或更多行。第三方向DR3垂直于第一方向DR1和第二方向DR2。

此外,多个输入焊盘在输入焊盘区域IP中可以布置成沿第二方向DR2延伸的一行。然而,本发明不限于此,并且多个输入焊盘在输入焊盘区域IP中可以布置成两行或更多行。

中间区域BT可以限定在输入焊盘区域IP与输出焊盘区域OP之间。中间区域BT可以在第二方向DR2上延伸。中间区域BT可以包括多个检查焊盘(未示出)、第一切口部分IOP和第二切口部分OOP。

多个检查焊盘可以检查经过输入焊盘区域IP和输出焊盘区域OP的电压和控制信号等。多个检查焊盘可以位于第一切口部分IOP与第二切口部分OOP之间。有机层可以布置在多个检查焊盘周围。当图4中的多个导电颗粒CP被压在图4中的第三焊盘电极P3上时,可能会形成裂纹。裂纹可能通过下面将描述的无机绝缘层到达有机层和多个检查焊盘。

驱动芯片IC可以位于基板(例如,图4中的基板SUB)上的焊盘区域PA中。驱动芯片IC可以控制提供给像素的信号和电压等。根据一些实施例,当基板包括透明树脂基板时,驱动芯片IC可以具有直接位于基板上的塑料上芯片(COP)结构。

然而,根据本发明的实施例不限于此,并且当基板包括玻璃时,驱动芯片IC可以具有直接位于基板上的玻璃上芯片(COG)结构。此外,柔性膜可以位于基板上的焊盘区域PA中,并且驱动芯片IC可以具有直接位于柔性膜上的膜上芯片(COF)结构。

图4是沿图3中的线X-X’截取的截面图。

在描述图4中的输入焊盘区域IP时,与参考图2描述的部件基本上相同的部件由相同的附图标记指示,并且可以省略其详细描述。

参考图4,根据一些实施例的输入焊盘区域IP可以包括基板SUB、缓冲层BUF、栅绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、钝化层PVX、第一触摸绝缘层YILD、第二触摸绝缘层YCNT、粘合层AL、多个导电颗粒CP、驱动芯片IC、第一焊盘电极P1、第二焊盘电极P2和第三焊盘电极P3。

第一焊盘电极P1可以位于栅绝缘层GI上。第一焊盘电极P1、图2中的第一电容器电极CPE1和图2中的栅电极GE可以构成第一导电层。构成第一导电层的第一电容器电极CPE1、栅电极GE和第一焊盘电极P1可以通过同一工艺形成,并且可以包括相同的材料。

第一层间绝缘层ILD1可以位于栅绝缘层GI上。第一层间绝缘层ILD1可以覆盖第一焊盘电极P1的两侧,并且暴露第一焊盘电极P1的中心部分。

第二层间绝缘层ILD2可以位于第一层间绝缘层ILD1上。第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第一焊盘电极P1的两侧,并且暴露第一焊盘电极P1的中心部分。

第二焊盘电极P2可以位于第二层间绝缘层ILD2上。第二焊盘电极P2可以连接到第一焊盘电极P1的中心部分。根据一些实施例,可以省略第二层间绝缘层ILD2。也就是说,第二焊盘电极P2可以位于第一层间绝缘层ILD1上。

第二焊盘电极P2、图2中的源电极SE和图2中的漏电极DE可以形成第二导电层。构成第二导电层的源电极SE、漏电极DE和第二焊盘电极P2可以通过同一工艺形成,并且可以包括相同的材料。

钝化层PVX可以形成在第二层间绝缘层ILD2上。钝化层PVX可以覆盖第二焊盘电极P2的两侧,并且暴露第二焊盘电极P2的中心部分。

第一触摸绝缘层YILD可以位于钝化层PVX上。第一触摸绝缘层YILD可以覆盖第二焊盘电极P2的两侧,并且暴露第二焊盘电极P2的中心部分。

第三焊盘电极P3可以位于第一触摸绝缘层YILD上。第三焊盘电极P3可以连接到第二焊盘电极P2的中心部分。第三焊盘电极P3和图2中的多个触摸电极TE可以构成第三导电层。构成第三导电层的触摸电极TE和第三焊盘电极P3可以通过同一工艺形成,并且可以包括相同的材料。

第二触摸绝缘层YCNT可以位于第一触摸绝缘层YILD上。第二触摸绝缘层YCNT可以覆盖第三焊盘电极P3的两侧,并且暴露第三焊盘电极P3的中心部分。

粘合层AL和多个导电颗粒CP可以位于基板SUB与驱动芯片IC之间。粘合层AL和多个导电颗粒CP可以将基板SUB与驱动芯片IC电连接。

根据一些实施例,多个导电颗粒CP中的每一个可以包括包含绝缘聚合物材料的核和围绕核并包含导电金属材料的导电膜。

粘合层AL可以包括绝缘聚合物材料。例如,粘合层AL可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、尿素树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯乙烯树脂、聚氨酯树脂、聚乙烯树脂和聚乙酸乙烯酯树脂等的绝缘聚合物材料。这些材料可以单独使用或者彼此组合使用。

图4是图示输入焊盘区域IP的图,但输出焊盘区域OP也可以被配置为与输入焊盘区域IP基本上相同。

图5和图6是用于描述根据一些实施例的切口部分的图。具体地,图5和图6是沿图3中的线Y-Y’截取的截面图。

在描述图5和图6中的中间区域BT时,与参考图2描述的部件基本上相同的部件由相同的附图标记指示,并且可以省略其详细描述。

参考图3、图5和图6,根据一些实施例的中间区域BT可以包括基板SUB和无机绝缘层。在这种情况下,无机绝缘层可以包括缓冲层BUF、栅绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、钝化层PVX、第一触摸绝缘层YILD、第二触摸绝缘层YCNT、第一切口部分IOP和第二切口部分OOP。可以部分地省略基板SUB上的无机绝缘层。例如,可以省略第二层间绝缘层ILD2。也就是说,钝化层PVX可以位于第一层间绝缘层ILD1上。

可以通过去除中间区域BT中的无机绝缘层的位于输入焊盘区域IP附近的部分而形成第一切口部分IOP。根据一些实施例,可以通过去除从第二触摸绝缘层YCNT至基板SUB的上部来形成第一切口部分IOP。

根据本发明的实施例不限于此,并且可以通过去除从位于无机绝缘层的最上部的无机绝缘层至基板SUB的上部来形成第一切口部分IOP。

根据一些实施例,第一切口部分IOP可以在第二方向DR2上延伸。根据一些实施例,第一切口部分IOP在截面图中可以具有梯形形状。图6可以图示第一切口部分IOP在截面图中具有其中上侧长于下侧的梯形形状。然而,本发明不限于此,并且第一切口部分IOP在截面图中可以具有其中下侧长于上侧的梯形形状。

可以通过去除中间区域BT中的无机绝缘层的位于输出焊盘区域OP附近的部分而形成第二切口部分OOP。根据一些实施例,可以通过去除从第二触摸绝缘层YCNT到基板SUB的上部来形成第二切口部分OOP。

根据本发明的实施例不限于此,并且可以通过去除从位于无机绝缘层的最上部的无机绝缘层到基板SUB的上部来形成第二切口部分OOP。

根据一些实施例,第二切口部分OOP可以在第二方向DR2上延伸。根据一些实施例,第二切口部分OOP在截面图中可以具有梯形形状。

当多个导电颗粒CP被压在第三焊盘电极P3上时,可能会形成裂纹。裂纹可通过无机绝缘层传播以穿过包括有机层的中间区域BT。相应地,在输入焊盘区域IP和输出焊盘区域OP中可能会发生短路和腐蚀现象。根据本发明的一些实施例,当去除多个无机绝缘层中的一部分时,裂纹可以不传播。也就是说,通过将作为传播裂纹的介质的无机绝缘层去除,从而可以从根本上阻止在输入焊盘区域IP和输出焊盘区域OP中可能发生的短路和腐蚀现象。

图7是图示根据一些实施例的显示装置的弯曲形状的图。

参考图7,本发明也可以应用于包括围绕弯曲轴BX可弯曲的弯曲区域BA的显示装置。也就是说,除了以上描述的显示区域DA和焊盘区域PA之外,显示装置可以进一步包括弯曲区域BA。相应地,根据一些实施例的显示装置可以包括柔性显示装置。

根据本公开的实施例可以应用于各种显示装置。例如,根据本公开的实施例可应用于诸如用于车辆、船舶和飞机的显示装置、便携式通信装置、用于展览或信息传输的显示装置和医疗显示装置等的各种显示装置。

前述内容是对实施例的说明并且将不被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些实施例,但本领域技术人员将容易理解,在实施例中,许多修改是可能的,而实质上不背离本发明构思的新颖教导和优点。相应地,所有这样的修改都旨在包括在如权利要求中限定的本发明构思的范围内。因此,将理解,前述内容是对各种实施例的说明,并且将不被解释为限于所公开的具体实施例,并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改旨在包括在权利要求及其等同的范围内。

技术分类

06120116581563