一种涂布装置及涂布方法

技术领域

本发明涉及涂布技术领域，尤其涉及一种涂布装置及涂布方法。

背景技术

随着对钙钛矿研究的不断深入，钙钛矿与晶硅的叠层技术逐渐受到了人们的关注。现有的钙钛矿与晶硅的叠层技术包括四端子叠层技术和二端子钙钛矿晶硅叠层技术。相比与四端子叠层技术，二端子钙钛矿晶硅叠层技术可以减少寄生吸收导致的光学损失，具备更高的光电效率，因而受到更广泛的关注。

二端子钙钛矿晶硅叠层技术需要在晶硅上制备钙钛矿吸收层。钙钛矿吸收层的制备一般是采用涂布头通过狭缝涂布的方式将浆料涂布在晶硅上形成薄膜，之后通过干燥结晶等步骤成型。最终制备的钙钛矿电池的性能与浆料在晶硅上的涂布均匀性有关。

公开号为CN115780173A的中国专利公开了一种适用于太阳能硅片的涂膜设备，该涂膜设备包括至少一个硅片载台、至少一个掩膜载台、基础平台以及至少一个调平定位组件，该涂膜设备能够针对晶硅实现狭缝涂布，存在的不足是每个待涂膜硅片和周围掩膜之间存在间隙，虽然该间隙非常细小（≤5mm），涂布过程中，覆盖空隙处的液膜，会留存在缝隙中，不会滴落，但是随着钙钛矿晶硅叠层技术的不断发展，对涂膜的均一性要求越来越高，采用上述涂膜设备进行涂布，覆盖空隙处的液膜在重力作用下在空隙处向下凹陷，导致硅片边缘的液膜的厚度与硅片中间的液膜的厚度不一致，进而导致液膜均一性受到影响。

发明内容

基于发现的上述不足，本发明的目的在于提供一种涂布装置及涂布方法，用于提高涂布头在晶硅上涂布浆料的均匀度。

本发明的目的采用以下技术方案实现：

一种涂布装置，包括：

晶硅承载件，用于固定晶硅；

掩膜板承载件，用于固定掩膜板，所述掩膜板承载件靠近所述晶硅承载件以使所述掩膜板间隔设置在所述晶硅的外周；

涂布头，用于涂布浆料，所述浆料覆盖所述晶硅和至少部分所述掩膜板，且所述涂布头在所述掩膜板与所述晶硅的衔接处单位面积的涂布量大于所述涂布头在晶硅中部单位面积的涂布量。

优选地，所述掩膜板与所述晶硅之间的间隙包括与所述涂布头的涂布方向平行的Y向缝隙，和与所述涂布头的涂布方向垂直的X向缝隙；

所述涂布头途经所述X向缝隙时单位面积的涂布量大于所述涂布头途经晶硅中部时单位面积的涂布量，和/或，所述涂布头对应Y向缝隙处单位面积的涂布量大于所述涂布头对应晶硅中部单位面积的涂布量。

优选地，还包括控制组件；

所述控制组件包括原料供给件以及调节件，所述原料供给件用于向所述涂布头供给涂布浆料，所述调节件与所述原料供给件连接，并能够调整所述原料供给件的供给量；

和/或，所述控制组件用于调整所述涂布头的运动速度。

优选地，所述涂布头包括第一模体、第二模体以及设置在所述第一模体与第二模体之间的复合垫片，所述复合垫片一侧边缘与所述第一模体、第二模体形成出液口；

所述出液口划分有对应所述Y向缝隙的第一出液区和对应所述晶硅中部的第二出液区，所述第一出液区的宽度大于所述第二出液区的宽度；所述第一出液区用于向所述Y向缝隙涂布浆料，所述第二出液区用于向所述晶硅中部和X向缝隙涂布浆料。

优选地，所述复合垫片包括沿复合垫片厚度方向堆叠的第一垫片和第二垫片，所述第一垫片开设有第一镂空区，所述第二垫片开设有第二镂空区，所述第二镂空区与部分所述第一镂空区重合连通且延伸至所述复合垫片边缘并对应形成第一出液区，所述第一镂空区未与所述第二镂空区重合的部分延伸至所复合述垫片边缘并对应形成第二出液区。

优选地，所述第一垫片的非镂空区的厚度为50-80μm，所述第二垫片的非镂空区的厚度为10-80μm；

所述第一出液区的宽度为所述第二出液区的宽度的1.2-2.6倍，所述第一出液区的宽度为60-160μm，所述第二出液区的宽度为50-80μm；其中，所述第一出液区的宽度方向与所述涂布头的涂布方向平行，所述Y向缝隙的宽度方向与所述涂布头的涂布方向垂直；

所述第二垫片开设有间隔设置的两个所述第二镂空区，每个所述第二镂空区与部分所述第一镂空区连通并对应形成一个第一出液区；所述晶硅为方形，所述掩膜板具有与所述晶硅形状相匹配的镂空结构。

优选地，所述第一出液区的长度为所述Y向缝隙的宽度的0.1-3倍，所述第一出液区的长度为0.01-1.8mm，所述Y向缝隙的宽度为0.1-0.6mm；其中，所述第一出液区的长度方向与所述涂布头的涂布方向垂直。

一种涂布方法，所述涂布方法应用于上述任意一项所述的涂布装置，所述涂布方法包括：

将晶硅安装于晶硅承载件上，将掩膜板安装于掩膜板承载件上；

控制所述涂布头向所述晶硅涂布浆料，控制所述涂布头在所述掩膜板与所述晶硅的衔接处单位面积的涂布量大于所述涂布头在晶硅中部单位面积的涂布量。

优选地，所述掩膜板与所述晶硅之间的间隙包括与所述涂布头的涂布方向平行的Y向缝隙，和与所述涂布头涂布方向垂直的X向缝隙；

控制所述涂布头在所述掩膜板与所述晶硅的衔接处单位面积的涂布量大于所述涂布头在晶硅中部单位面积的涂布量，具体包括：

调整所述涂布头的出液量，使所述涂布头途径所述X向缝隙和/或Y向缝隙时单位面积的涂布量大于所述涂布头涂布晶硅中部时单位面积的涂布量；

和/或，还包括：使所述晶硅的待涂布表面与所述掩膜板的表面平齐。

优选地，所述涂布头在沿涂布方向上邻近所述X向缝隙的前方和后方，以及所述涂布头位于所述X向缝隙上方时单位面积的涂布量大于所述涂布头涂布晶硅中部时单位面积的涂布量。

优选地，所述涂布头在沿涂布方向上依次经过所述X向缝隙的后方和前方，所述涂布头在距所述X向缝隙后方第一间距处开始增大涂布量，在距所述X向缝隙前方第二间距处恢复原始涂布量；所述第一间距为1-10mm，所述第二间距为1-5mm。

优选地，所述涂布头通过增加浆料挤出量至原始涂布量的110%-200%的方式增大涂布头单位面积的涂布量；

或，所述涂布头通过降低涂布头运动速度至初始运动速度的50%-90%的方式增大涂布头单位面积的涂布量。

优选地，通过调整所述涂布头的出液口对应Y向缝隙处的宽度，和/或调整出液口对应晶硅中部处的宽度，调整所述涂布头在Y向缝隙和/或晶硅中部处的出液量。

与现有技术相比，本发明的有益效果至少包括：

通过设置掩膜板承载件，以避免涂布头边缘处的不均匀区域对晶硅表面的液膜延伸影响。通过改变涂布头在不同位置的涂布量，以使得涂布头在晶硅与掩膜板衔接处，即涂布头与掩膜板形成的间隙处单位面积的涂布量增加，以补偿流入间隙的浆料，避免在晶硅表面形成的液膜因浆料的流失，导致液膜在晶硅边缘处形成弯月面而影响晶硅表面液膜的均匀性；通过对流入间隙处的浆料进行补偿，可以保持晶硅边缘处的液膜即使部分流入间隙，仍可与晶硅中部的液膜保持均衡，使晶硅表面形成连接均匀的液膜。

附图说明

图1是本发明实施例的涂布装置的部分结构的截面示意图；

图2是本发明实施例的涂布装置的部分结构的俯视图；

图3是图2中A部的放大图；

图4是本发明实施例的涂布装置涂布液膜时的部分结构的俯视图；

图5是本发明实施例的涂布装置涂布液膜时的结构示意图；

图6是本发明实施例的控制组件与涂布头的结构示意图；

图7是本发明实施例的涂布装置涂布液膜时又一状态的结构示意图；

图8是图7中C部的放大图；

图9是本发明实施例的垫片的分解结构示意图；

图10是本发明实施例的涂布头的剖视图；

图11是本发明实施例的涂布头沿又一剖切位置形成的剖视图；

图12是本发明实施例的涂布装置涂布液膜时再一状态的结构示意图。

图中：1、晶硅承载件；11、晶硅；12、掩膜板；2、掩膜板承载件；3、涂布头；31、第一模体；32、第二模体；33、复合垫片；331、第一垫片；332、第二垫片；334、第一镂空区；335、第二镂空区；341、第一出液区；342、第二出液区；4、X向缝隙；5、Y向缝隙；61、原料供给件；62、调节件；63、阀门；7、液膜； D1、第一间距；D2、第二间距。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。

如图1至图12所示，本发明提供了一种涂布装置，包括晶硅承载件1、掩膜板承载件2以及涂布头3。

晶硅承载件1用于固定晶硅11。晶硅承载件1的外轮廓可以与晶硅11的外轮廓重合或小于晶硅11的外轮廓。晶硅承载件1可以为金属卡盘、真空吸盘、具有吸附孔等固定结构的花岗岩平台，且晶硅承载件1可以通过卡接或吸附等固定方式固定晶硅11。其中，当晶硅11固定安装于晶硅承载件1时，晶硅11的中心轴线可以与晶硅承载件1的中心轴线重合，以使得晶硅11与晶硅承载件1的中心位置重合，便于晶硅承载件1对晶硅11的支撑以及固定。晶硅11为需要进行涂布浆料的部件。晶硅11可以为方形结构，例如长方形结构或正方形结构。

掩膜板承载件2用于固定掩膜板12。掩膜板承载件2靠近晶硅承载件1，例如掩膜板承载件2间隔设置在晶硅承载件1的外周，例如掩膜板承载件2内开设有空腔，晶硅承载件1的至少一部分设置在该空腔内，以使得掩膜板承载件2围绕设置在晶硅承载件1的外周。掩膜板承载件2可以为金属卡盘、真空吸盘、具有吸附孔等固定结构的花岗岩平台，且掩膜板承载件2可以通过卡接或吸附等固定方式固定掩膜板12。其中，掩膜板12可以开设有避让孔，避让孔的形状与晶硅11的形状相匹配，即当晶硅11为方形时，避让孔也为方形。避让孔的尺寸略大于晶硅11的尺寸，以便于晶硅11的安装。当掩膜板12固定安装于掩膜板承载件2后，晶硅11位于掩膜板12形成的避让孔内，掩膜板12间隔设置在晶硅11的外周，且晶硅11的待涂布表面可以与掩膜板12的表面平齐。

涂布头3用于向晶硅11涂布浆料，以在晶硅11表面形成液膜7。参照图4，在对晶硅11涂布浆料时，涂布头3的涂布区域大于晶硅11的表面区域，且形成的液膜7覆盖晶硅11的表面和掩膜板12的部分表面。例如液膜7覆盖晶硅11的全部表面，以及掩膜板12表面邻近晶硅11的部分。因此，涂布头3涂布形成的液膜7边缘区域位于掩膜板12上方，而涂布头3涂布形成的液膜7中心区域位于晶硅11上方。因此，涂布头3因采用狭缝涂布所形成的边缘不均匀区域涂布在掩膜板12上，而不会对晶硅11表面液膜7的均匀性产生影响，可以有效的提高涂布头3对晶硅11上涂布浆料的均匀度。其中，浆料可以为钙钛矿浆料，钙钛矿浆料能够在晶硅11表面形成钙钛矿液膜，钙钛矿液膜在经过后续干燥成核等工序后可以形成钙钛矿吸收层。

参照图5，在涂布过程中，由于掩膜板12和晶硅11之间间隔设置，涂布在晶硅11边缘位置的浆料可能会朝向晶硅11与掩膜板12之间的缝隙内流动，导致晶硅11边缘位置单位面积的浆料变少，进而使得晶硅11边缘位置会存在部分厚度不均匀区域，并使得晶硅11表面形成的液膜边缘位置出现削薄现象。此外，晶硅11的边缘可以会存在倒角，该倒角结构也可能会使得晶硅11表面形成的液膜边缘位置出现削薄现象。为去除晶硅11边缘位置的厚度不均匀区域，以克服液膜边缘位置的削薄现象，涂布头3在掩膜板12与晶硅11的衔接处单位面积的涂布量大于涂布头3在晶硅11中部单位面积的涂布量，涂布头3在掩膜板12和晶硅11衔接处单位面积所增加的涂布量可以补偿流动至晶硅11与掩膜板12之间缝隙处的浆料，使得浆料在晶硅11边缘位置与晶硅11中部浆料保持均衡，进而使得晶硅11表面能够形成连续均匀的液膜7，并克服液膜边缘位置的削薄现象。其中，掩膜板12与晶硅11的衔接处可以包括掩膜板12邻近晶硅11的位置、晶硅11邻近掩膜板12的位置、以及晶硅11与掩膜板12之间的缝隙。

参照图1、图2，掩膜板12与晶硅11之间的间隙包括与涂布头3的涂布方向平行的Y向缝隙5，和与涂布头3的涂布方向垂直的X向缝隙4。涂布头3途经X向缝隙4时单位面积的涂布量可以大于涂布头3途经晶硅11中部时单位面积的涂布量，以补偿流动至X向缝隙4内的浆料。如图2所示，涂布头3的涂布方向为X轴方向，与涂布头3的涂布方向垂直的方向为Y轴方向。

为实现对涂布头3途径X向缝隙4时涂布量的控制，涂布装置还可以包括控制组件。参照图6，控制组件可以包括原料供给件61以及调节件62，还可以包括阀门63。原料供给件61可以通过管路与涂布头3连接，原料供给件61用于向涂布头3供给涂布浆料。调节件62可以与原料供给件61连接，并能够调整原料供给件61的供给量。调节件62具体可以为连接在原料供给件61与涂布头3连接的管路上，以调整浆料在管路内的流量，进而调整涂布头3的涂布量。阀门63可以设置在原料供给件61和调节件62之间的管路上，以控制原料供给件61和调节件62之间的通断；阀门63也可以设置在调节件62和涂布头3之间的管路上，以控制涂布头3与调节件62和原料供给件61之间的通断。

其中，原料供给件61可以为材料罐，材料罐内存放有浆料。调节件62可以为高精度预计量泵，高精度预计量泵用于将原料供给件61内的浆料抽取至涂布头3处，且高精度预计量泵也可以根据需要调整浆料在管路内的流量。

当涂布头3途经X向缝隙4时，控制组件可以控制涂布头3单位面积的涂布量增加。具体地，涂布头3匀速沿X轴方向移动，涂布头3的出液口沿Y轴方向延伸，涂布头3先在掩膜板12进行涂布并逐渐靠近一个X向缝隙4，当涂布头3即将移动至该X向缝隙4、且在越过该X向缝隙4前，即涂布头3移动至靠近该X向缝隙4的E处（如图8所示）时，控制组件可以控制涂布头3单位面积的涂布量增加，当涂布头3越过该X向缝隙4，并经过该X向缝隙4后，即涂布头3移动至X向缝隙4另一侧的F处（如图8所示）时，控制组件可以控制涂布头3恢复初始涂布量。其中，涂布头3的初始涂布量为涂布头3在正常涂布过程中单位面积的涂布量，例如涂布头3涂布晶硅11中部时单位面积的涂布量。

此外，控制组件也可以通过控制涂布头3的移动速度调整涂布头3途经X向缝隙4时单位面积的涂布量。具体地，涂布头3沿X轴方向移动，涂布头3的出液口沿Y轴方向延伸，涂布头3先在掩膜板12进行涂布并逐渐靠近一个X向缝隙4，当涂布头3即将移动至该X向缝隙4、且在越过该X向缝隙4前，即涂布头3移动至靠近该X向缝隙4的E处（如图8所示）时，控制组件可以控制涂布头3的速度降低，此时涂布头3单位面积的涂布量可以保持不变或增加，当涂布头3越过该X向缝隙4，并经过该X向缝隙4后，即涂布头3移动至该X向缝隙4另一侧的F处（如图8所示）时，控制组件控制涂布头3恢复初始移动速度。在E处和F处之间，随着涂布头3速度的降低，涂布头3的涂布量不变或增加，因此涂布头3在单位面积上的涂布量增加。其中，涂布头3的初始移动速度为涂布头3在正常涂布作用时的移动速度，例如涂布头3涂布晶硅11中部时的移动速度。控制组件可以为能够调速的电机等驱动结构，控制组件用于驱动涂布头3移动，并能够调整涂布头3的移动速度。

在本实施例中，掩膜板12与晶硅11之间的间隙包括位于晶硅11周侧的两个平行的Y向缝隙5和两个平行的X向缝隙4，在沿涂布头3涂布方向，在每个X向缝隙4的两侧均形成有改变涂布量的变化位置E处、F处，涂布头3先在掩膜板12进行涂布并逐渐靠近一个X向缝隙4，当涂布头3移动至一个X向缝隙4对应的E处时，涂布头3开始增加涂布量，和/或涂布头3开始减慢移动速度，当涂布头3移动至该X向缝隙4对应的F处时，涂布头3恢复涂布量和/或移动速度；接着涂布头3对晶硅11中部进行涂布；当涂布头3移动至另一X向缝隙4对应的E处时，类似地，涂布头3开始增加涂布量，和/或涂布头3开始减慢移动速度，当涂布头3移动至该另一X向缝隙4对应的F处时，涂布头3恢复涂布量和/或移动速度。其中，在沿涂布头3涂布方向，E处与X向缝隙4间隔1-10mm，F处与X向缝隙4 间隔1-5mm。

需要指出的是，控制组件可以仅通过调整涂布头3的涂布量，以控制涂布头3单位面积的涂布量，或控制组件可以仅通过控制涂布头3的移动速度，以控制涂布头3单位面积的涂布量，或控制组件可以同时通过调整涂布头3的涂布量和涂布头3的移动速度，以控制涂布头3单位面积的涂布量。

当控制组件仅调整涂布头3的涂布量时，涂布头3即将移动至一个X向缝隙4时，即涂布头3移动至X向缝隙4对应的E处时，控制组件可以控制涂布头3的涂布量增加至初始涂布量的110%-200%，当涂布头3越过该X向缝隙4，并经过该X向缝隙4后，即涂布头3移动至该X向缝隙4对应的F处时，控制组件可以控制涂布头3恢复初始涂布量，以使涂布头3在途经X向缝隙4时增加的涂布量，可以刚好补偿流动至X向缝隙4内的浆料，以填平晶硅11上液膜边缘的削薄部分，进而使得浆料可以在晶硅11表面形成连续均匀的液膜7。

当控制组件仅调整涂布头3的移动速度时，涂布头3即将移动至一个X向缝隙4时，即涂布头3移动至X向缝隙4对应的E处时，控制组件可以控制涂布头3的涂布量增加至初始移动速度的50%-90%，当涂布头3越过该X向缝隙4，并经过该X向缝隙4后，即涂布头3移动至该X向缝隙4对应的F处时，控制组件可以控制涂布头3恢复初始移动速度，以使涂布头3在途经X向缝隙4时增加的涂布量，可以刚好补偿流动至X向缝隙4内的浆料，以填平晶硅11上液膜边缘的削薄部分，进而使得浆料可以在晶硅11表面形成连续均匀的液膜7。

当控制组件通过调整涂布头3的涂布量和涂布头3的移动速度时，涂布头3的涂布量和涂布头3的移动速度根据需要调整，使得涂布头3途经X向缝隙4时单位面积的涂布量增加10%-100%，以使涂布头3在途经X向缝隙4时增加的涂布量，可以刚好补偿流动至X向缝隙4内的浆料，以填平晶硅11上液膜边缘的削薄部分，进而使得浆料可以在晶硅11表面形成连续均匀的液膜7。

参照图9至图12，涂布头3对应Y向缝隙5处单位面积的涂布量可以大于涂布头3对应晶硅11中部单位面积的涂布量。涂布头3具体可以通过调整其内部垫片的结构实现对涂布头3单位面积涂布量的调整。涂布头3可以包括第一模体31、第二模体32以及设置在第一模体31与第二模体32之间的复合垫片33。复合垫片33一侧边缘与第一模体31、第二模体32形成出液口。通过调整复合垫片33的结构，以使得形成的出液口宽度不均，出液口宽度较大的部分出液量较多，出液口宽度较小的部分出液量较小。因此，通过调整复合垫片33的结构，即可调整出液口的结构，以使得出液口宽度较大的部分对应Y向缝隙5，而出液口宽度较小的部分对应晶硅11中部位置，出液口宽度较小的部分还可以对应掩膜板12，例如，在涂布时，出液口宽度较大的部分位于Y向缝隙5的正上方，而出液口宽度较小的部分位于晶硅11中部位置的上方，出液口宽度较小的另一部分还可以位于掩膜板12上方。

出液口可以根据宽度的不同划分为第一出液区341和第二出液区342。第一出液区341可以各部分出液均匀，第二出液区342可以各部分出液均匀。第一出液区341的宽度B1大于第二出液区342的宽度B2，第一出液区341可以与Y向缝隙5对应，并用于对Y向缝隙5进行涂布，第二出液区342可以与晶硅11中部位置对应，并用于对晶硅11中部位置进行涂布，第二出液区342还可以与掩膜板12应并对掩膜板12进行涂布；进而使得涂布头3在对应Y向缝隙5处单位面积的涂布量大于涂布头3对应晶硅11中部单位面积的涂布量。涂布头3在对应Y向缝隙5处相比于涂布头3对应晶硅11中部处增加的涂布量，可以刚好补偿流动至Y向缝隙5内的浆料，以填平晶硅11上液膜边缘的削薄部分，进而使得浆料可以在晶硅11表面形成连续均匀的液膜7。

第一出液区341的宽度B1可以为第二出液区342宽度B2的1.2-2.6倍。第一出液区341沿垂直涂布头3涂布方向上的长度L可以为Y向缝隙5宽度B3的0.1-3倍，第一出液区341与Y向缝隙5可以居中对齐设置。具体地，第一出液区341的宽度B1可以为60-160μm，第二出液区342的宽度B2可以为50-80μm，第一出液区341的长度L可以为0.01-1.8mm，Y向缝隙5的宽度B3可以为0.1-0.6mm。

为使得出液口形成宽度不同的第一出液区341和第二出液区342，复合垫片33可以包括沿其厚度方向堆叠的第一垫片331和第二垫片332。第一垫片331开设有第一镂空区334，第一镂空区334例如为矩形镂空结构，第一镂空区334的一端延伸至复合垫片33的边缘，使得第一垫片331大致呈U型结构；第一镂空区334邻近出液口一侧的长度可以与出液口的长度相同。第一垫片331的非镂空区的厚度可以为50-80μm。

第二垫片332开设有第二镂空区335，第二镂空区335可以大致呈矩形的狭缝状，从第二垫片332内部向一侧延伸，第二镂空区335邻近出液口一侧的长度可以与第一出液区341的长度L相同。第二垫片332的非镂空区的厚度可以为10-80μm。

第二镂空区335与第一镂空区334重合叠加的部分会形成厚度较厚的腔室，而第一镂空区334未与第二镂空区335重合的位置厚度较薄。第二镂空区335与第一镂空区334重合叠加的部分的厚度为第一镂空区334和第二镂空区335的厚度之和；而第一镂空区334未与第二镂空区335重合的位置厚度仅为第一镂空区334的厚度。因此，复合垫片33会形成厚度不同的区域，第二镂空区335与第一镂空区334重合连通的部分可以延伸至复合垫片33边缘并形成部分出液口，例如形成出液口中对应第一出液区341的部分，而第一镂空区334未与第二镂空区335重合的部分可以延伸至复合垫片33边缘并形成另一部分出液口，例如形成出液口中对应第二出液口342的部分。因此，第一出液区341的第一宽度B1大于第二出液区342的第二宽度B2，使得第一出液区341单位面积涂布的浆料大于第二出液区342单位面积涂布的浆料。

掩膜板12与晶硅11之间的间隙包括两个平行的Y向缝隙5时，第一出液区341也可以设置有两个，且第一出液区341与Y向缝隙5一一对应。为形成两个第一出液区341，第二镂空区335也可以设置有两个且间隔设置，每个第二镂空区335与第一镂空区334重合叠加的部分延伸至复合垫片33的边缘并形成一个第以出液口341，因此，两个第二镂空区335即与对应的部分第一镂空区334重合叠加，并能够形成两个第一出液区341。

第一出液区第一出液区本发明还提供了一种涂布方法，其应用于上述的涂布装置。涂布方法包括：步骤S01和步骤S02。

步骤S01：将晶硅11安装于晶硅承载件1上，将掩膜板12安装于掩膜板承载件2上。步骤S01还可以包括：使晶硅11的待涂布表面与掩膜板12的表面平齐。

步骤S02：控制涂布头3向晶硅11涂布浆料，控制涂布头3在掩膜板12与晶硅11的衔接处单位面积的涂布量大于涂布头3在晶硅11中部单位面积的涂布量。

其中，步骤S02具体可以包括：

步骤S21：调整涂布头3的出液量，使涂布头3途径X向缝隙4时单位面积的涂布量大于涂布头3涂布晶硅11中部时单位面积的涂布量。

步骤S22：调整涂布头3的出液量，使涂布头3用于涂布Y向缝隙5时单位面积的涂布量大于涂布头3涂布晶硅11中部时单位面积的涂布量。

参照图7和图8，步骤S21具体可以包括：调整涂布头3的出液量，使涂布头3在沿涂布方向上邻近X向缝隙4的前方和后方，以及涂布头3位于X向缝隙4上方时单位面积的涂布量大于涂布头3涂布晶硅11中部时单位面积的涂布量。具体地，在沿涂布头3的涂布方向上，涂布头3依次经过X向缝隙4的后方和前方，涂布头3在距X向缝隙4后方第一间距D1处开始增大涂布量，在距X向缝隙4前方第二间距D2处恢复原始涂布量。第一间距D1可以为1-10mm，第二间距D2可以为1-5mm，X向缝隙4的宽度B4可以为10-60μm。其中，X向缝隙4的宽度方向可以与涂布头3的涂布方向平行。

其中，调整涂布头3涂布量可以通过涂布装置中的控制组件实现。例如，当涂布头3途径X向缝隙4时，控制组件可以控制涂布头3中浆料的挤出量增加至原始挤出量的110%-200%；或者，当涂布头3途径X向缝隙4时，控制组件可以控制涂布头3的运动速度降低为初始运动速度的50%-90%，或者，当涂布头3途径X向缝隙4时，控制组件通过控制涂布头3的浆料挤出量和涂布头3的运动速度相结合的方式，以使得涂布头3在X向缝隙4处增加的涂布量可以补偿流动至X向缝隙4内的浆料，进而使得浆料可以在晶硅11表面形成连续均匀的液膜7。

步骤S22具体可以包括：通过调整涂布头3的出液口对应Y向缝隙5的宽度，和/或调整出液口对应晶硅11中部的宽度，以调整涂布头3在Y向缝隙5和/或晶硅11中部处的出液量。具体地，出液口的宽度可以通过调整复合垫片33的结构进行调整。例如，复合垫片33采用第一垫片331和第二垫片332堆叠形成，第一垫片331与第二垫片332分别形成镂空区，第一垫片331与第二垫片332中镂空区重合的部分宽度较大，而第一垫片331与第二垫片332中镂空区不重合的部分宽度较小，进而使得复合垫片33形成宽度不均的出液口；并且通过调整第一垫片331与第二垫片332的厚度，即可对出液口的宽度进行调节。通过调整出液口的宽度，使得涂布头3在Y向缝隙5处单位面积的涂布量大于涂布头3在晶硅11中部单位面积的涂布量，以使得涂布头3在Y向缝隙5处增加的涂布量可以补偿流动至Y向缝隙5内的浆料，进而使得浆料可以在晶硅11表面形成连续均匀的液膜7。

通过步骤S21和步骤S22的配合，可以去除液膜7在晶硅11所有边缘位置的不均匀区域，使液膜7在晶硅11表面形成连均衡的结构，提高最终制备的钙钛矿电池的性能。并且，步骤S21和步骤S22中用于调节涂布头3单位面积涂布量的方式不会相互影响，在对晶硅11表面涂布浆料时，步骤S21和步骤S22可以采用同一涂布头3同时进行，简便有效的提高涂布头3对晶硅11上涂布浆料的均匀度。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下，在发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，所有的这些改变都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。