电子装置及电子装置的制造方法

本申请是中国申请号为201910822995.2，发明名称为“电子装置及电子装置的制造方法”的专利申请的分案申请，原申请的申请日是2019年09月02日。

技术领域

本公开涉及一种电子装置及电子装置的制造方法，尤其涉及一种具有遮光条的电子装置。

背景技术

微影和/或蚀刻工艺是制作电子装置的重要工艺。随着市场对电子装置的要求不断提高，微影和/或蚀刻工艺的技术也不断在改进。不过，在制作高分辨率的产品时，微影和/或蚀刻工艺有时仍无法制作出理想的产品。因此，电子装置的质量仍需要改进。

发明内容

本公开是针对一种具有遮光条的电子装置。

根据本公开的实施例，电子装置包括一第一基板、一第二基板、第一遮光条以及第二遮光条。第二基板与第一基板相对设置。第一遮光条设置于第一基板上且第一遮光条沿一第一方向延伸。第二遮光条设置于第一基板与第二基板之间。第二遮光条沿一第二方向延伸，且第一方向与第二方向不同。第一遮光条与第二遮光条重叠的部分定义为一重叠区，第一遮光条在重叠区之外的部分定义为一第一非重叠区。第二遮光条在重叠区之外的部分定义为一第二非重叠区。重叠区具有一总和厚度，第二遮光条在第二非重叠区具有一厚度，且总和厚度不同于厚度。

根据本公开的实施例，电子装置的制造方法，包括以下步骤。在一第一基板上设置一第一遮光条。提供一第二基板，在第一基板与第二基板之间设置一第二遮光条。对组第一基板与第二基板，其中第一遮光条与第二遮光条重叠的部分定义为一重叠区。第一遮光条在重叠区之外的部分定义为一第一非重叠区。第二遮光条在重叠区之外的部分定义为一第二非重叠区。重叠区具有一总和厚度，第二遮光条在第二非重叠区具有一厚度，且总和厚度不同于厚度。

综上所述，本公开实施例的电子装置将第一遮光条与第二遮光条分别设置。如此一来，第一遮光条与第二遮光条所围绕出来的区域(可理解为像素区)可具有理想的轮廓。因此，本公开实施例的电子装置具备理想的质量。

附图说明

包含附图以便进一步理解本公开，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本公开的实施例，并与描述一起用于解释本公开的原理。

图1为本公开一实施例的电子装置的侧视示意图；

图2为本公开一实施例的电子装置的上视示意图；

图3为本公开一实施例的电子装置的剖面示意图；

图4为本公开另一实施例的电子装置的示意图；

图5为显示图4中各构件堆栈顺序的示意图；

图6为图4的构件的剖面示意图；

图7为本公开另一实施例的电子装置的剖面示意图；

图8为本公开再一实施例的电子装置的剖面示意图；

图9为本公开又一实施例的电子装置的剖面示意图；

图10为本公开又再一实施例的电子装置的剖面示意图；

图11为本公开又另一实施例的电子装置的剖面示意图；

图12为本公开一实施例的主动组件数组基板的剖面示意图；

图13A为本公开又另一实施例的电子装置的上视示意图；

图13B为图13A的结构沿剖线II-II的透视示意图；

图14为图13A的结构沿剖线II-II截切的剖面示意图；

图15为本公开另一实施例的电子装置的上视示意图；

图16为本公开一实施例的电子装置的制造方法的流程示意图。

具体实施方式

本公开中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本公开中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

本公开中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的组件或上述组件的组合，但不限于此。

在本公开中，长度、宽度与厚度的测量方式可以是采用光学显微镜、电子显微镜或其他适合的仪器，可以由任一剖面图像或是任一俯视图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，或第一值和第二值相同，其隐含着第一值与第二值之间可存在着10％以内的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

在本公开中，以下所述的各种实施例可在不背离本公开的精神与范围内做混合搭配使用，例如一实施例的部分特征可与另一实施例的部分特征组合而成为另一实施例。

现将详细地参考本公开的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1为本公开一实施例的电子装置的侧视示意图。请参照图1，电子装置100包括第一基板110、第二基板120与介质130，其中介质130设置于第一基板110与第二基板120之间。第一基板110与第二基板120相对设置，且是以面对面的方式设置。在至少部分实施例中，第一基板110与第二基板120可以是硬性基板或软性基板，例如塑料基板或是玻璃基板。举例而言，第一基板110与第二基板120的材料可分别包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、液晶高分子(liquid-crystal polymers，LCP)、橡胶、玻璃纤维、陶瓷、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不限于此。介质130的材料可包括液晶材料、电湿润材料、电泳材料、有机发光材料、无机发光材料等、有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)、量子点(quantum dot,QD)、量子点发光二极管(QLED、QD-LED)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、发光二极管(light-emitting diode,LED)，可包含次毫米发光二极管(mini LED)或微米发光二极管(microLED)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，电子装置100还可包括间隔层PS设置于第一基板110与第二基板120之间。间隔层PS可以隔开第一基板110与第二基板120，间隔层PS可以是多个柱状的结构，但不以此为限。

图2为本公开一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1与图2，电子装置100还包括多条第一遮光条140、多条第二遮光条150以及多个彩色滤光图案160，其中彩色滤光图案160在部分实施例中可被省略。在电子装置100中，多条第一遮光条140可设置于第一基板110上，而多条第二遮光条150则可设置于第一基板110与第二基板120之间。多条第一遮光条140可沿一第一方向D1延伸，多条第二遮光条150可沿一第二方向D2延伸，且第二方向D2相交于第一方向D1，换句话说，第一方向D1和第二方向D2不同。在一些实施例中，第一方向D1和第二方向D2可夹直角或锐角，但不限于此。在部分实施例中，第二基板120例如为主动组件数组基板，也就是说第二基板120上可设置有多条扫描线、多条数据线、多个主动组件等驱动电路相关构件。此时，第一方向D1例如和扫描线的延伸方向相同，而第二方向D2例如和数据线的延伸方向相同。此外，第一遮光条140和/或第二遮光条150可遮挡光线，且第一遮光条140和/或第二遮光条150的光穿透率例如为小于0.1％或是小于0.01％，甚至大致为0％，其中光穿透率定义为具有100％光源强度的光经过第一遮光条140和/或第二遮光条后的光源强度百分比。在第三方向D3(第一基板110的法线方向)上，第二遮光条150可选择性的重叠数据线以遮挡住数据线(图未示)，而第一遮光条140则可重叠扫描线以遮挡扫描线(图未示)。图2并不限定各构件的堆栈顺序，且为了附图清晰，彩色滤光图案160的轮廓边界并未示出。在部分的实施例中，彩色滤光图案160的边界可以部分重叠于其中一条第二遮光条150。并且，相邻两个彩色滤光图案160可以彼此邻接，且相邻两个彩色滤光图案160的交界重叠于其中一条第二遮光条150。

在图2中，第一遮光条140可为沿第一方向D1延伸的长条状结构，而第二遮光条150可为沿第二方向D2延伸的长条状结构。多条第一遮光条140可分别与多条第二遮光条150交错，而第一遮光条140与第二遮光条150于第三方向D3上重叠的部分定义出重叠区RX。第一遮光条140在重叠区RX之外的部分定义为第一非重叠区NRX1，而第二遮光条150在重叠区RX之外的部分定义为第二非重叠区NRX2。第一遮光条140和/或第二遮光条150的材料可选用不透光的材料，例如包括黑色树脂、油墨、金属等可遮挡光线的材料。第一遮光条140与第二遮光条150两者的材料可以彼此相同，但也可彼此不同。第一遮光条140可为单层结构也可为双层结构，第二遮光条150可为单层结构也可为双层结构，但不限于此。第一遮光条140与第二遮光条150建构出网格状且大致上不透光的黑矩阵。

第一遮光条140与第二遮光条150定义出多个像素区RP，而彩色滤光图案160例如至少部分设置于这些像素区RP中。像素区RP并未受到第一遮光条140与第二遮光条150的遮蔽，换句话说，像素区RP于第三方向D3上并未与第一遮光条140重叠，或是并未与第二遮光条150重叠，因此像素区RP为可透光的区域。并且，设置于像素区RP中的彩色滤光图案160可用以决定多个像素区RP的色彩，但本公开不以此为限。在部分的实施例中，像素区RP中可选择性的不设置有彩色滤光图案160。彩色滤光图案160的材料可包括色阻或其他适合的材料，但不限于此。依据呈现色彩的不同，彩色滤光图案160可包括彩色滤光图案160A、彩色滤光图案160B与彩色滤光图案160C，其中彩色滤光图案160A、彩色滤光图案160B与彩色滤光图案160C例如可分别呈现出红色、绿色与蓝色，但不以此为限。在其他的实施例中，彩色滤光图案160可以包括两种颜色的彩色滤光图案、四种颜色的彩色滤光图案等。在部分的实施例中，像素区RP、第一遮光条140与第二遮光条150具有一整体面积，而像素区RP在整体面积中所占比率约为10％至90％。换句话说，电子装置100可具有10％至90％的开口率，但不限于此。

第一遮光条140、第二遮光条150与彩色滤光图案160的堆栈顺序可有多种不同的设计。举例而言，图3为本公开一实施例的电子装置的剖面示意图，且图3可视为电子装置沿图2的剖线I-I的一种实施方式的剖面示意图。请参照图2和图3，在本实施例中，第一遮光条140、第二遮光条150与彩色滤光图案160A～160C例如依序堆栈在第一基板110上。重叠区RX具有一总和厚度TRX，总和厚度TRX中第一遮光条140的部分定义为第一厚度T1，总和厚度TRX中第二遮光条150的部分定义为第三厚度T3。第一遮光条140的其中一者在第一非重叠区NRX1具有第二厚度T2。第二遮光条150的其中一者在第二非重叠区NRX2具有第四厚度T4。由于第二遮光条150部分覆盖第一遮光条140，在重叠区RX边缘附近的第一遮光条140和/或第二遮光条150可有一厚度渐减区域。需注意的是，在计算厚度时，图2中的剖面仅为示意，第二厚度T2可为于任一剖面下第一非重叠区NRX1中第一遮光条140的其中一者在第三方向D3上的最大厚度；第四厚度T4可为于任一剖面下第二非重叠区NRX2中第二遮光条150的其中一者对应中央区域处(如图3)在第三方向D3上的最大厚度，或者第四厚度T4可为在垂直于第二遮光条150延伸方向(第二方向D2)的方向所截切的剖面下第二非重叠区NRX2中第二遮光条150的其中一者的最大厚度；而总和厚度TRX可为于任一剖面下重叠区RX在第三方向D3上的最大厚度。在一些实施例中，总和厚度TRX可不同于第四厚度T4，和/或总和厚度TRX可不同于第二厚度T2。举例而言，总和厚度TRX可大于第二厚度T2，总和厚度TRX可大于第四厚度T4。在一些实施例中，总和厚度TRX与第二厚度T2(或第四厚度T4)的比值可以为1.1至1.5、1.1至1.8、1.1至2、1.2至1.5、1.2至1.8、1.2至2、1.5至1.8、1.5至2、1.8至2等范围中的任一数值。在部分实施例中，可以在任一截切面的电子显微镜图像中测量到对应构件在第三方向D3上的最大厚度来作为本文中描述的厚度。另外，由于第三厚度T3是第二遮光条150覆盖第一遮光条140的部分所测量出来的厚度，第四厚度T4与第三厚度T3可能有所不同。不过，在部分的实施例中，第四厚度T4与第三厚度T3可以相同。

第一遮光条140与第二遮光条150可在不同制作步骤中制作，且第一遮光条140与第二遮光条150之间在重叠区RX处彼此接触而可能存在实体交界。当第一遮光条140与第二遮光条150采用不同材料制作时，两者之间的实体交界将可依据不同材质的性质差异而界定出来。不过，当第一遮光条140与第二遮光条150采用相同或是近似材料制作时，两者之间的实体交界可能较不明显。在部分实施例中，第一遮光条140与第二遮光条150可能没有明显的实体交界，因此第一厚度T1与第二厚度T2不容易分别测量。此时，可采用重叠区RX所测量的遮光图案在重叠区RX的整体厚度作为总和厚度TRX。

图3中第一遮光条140、第二遮光条150与彩色滤光图案160A～160C的堆栈顺序仅是举例说明之用。在其他的实施例中，第一遮光条140、第二遮光条150与彩色滤光图案160A～160C可以依照其他的堆栈顺序堆栈，且第一遮光条140、第二遮光条150与彩色滤光图案160A～160C的任两者之间可以额外设置有其他的膜层或是构件。也就是说，第一遮光条140与第二遮光条150不一定会在重叠区RX彼此接触，且彩色滤光图案160A～160C也不一定会接触第一遮光条140与第二遮光条150至少一者。另外，彩色滤光图案160A～160C也可分别采用不同制作步骤来制作。因此，彩色滤光图案160A～160C的相邻两者之间也可以彼此重叠。举例而言，图3中的彩色滤光图案160B的制作步骤例如早于彩色滤光图案160A，也早于彩色滤光图案160C。因此，图3的彩色滤光图案160A与彩色滤光图案160B之间的交界处，彩色滤光图案160A可以叠置于彩色滤光图案160B上。同时，彩色滤光图案160B与彩色滤光图案160C之间的交界处，彩色滤光图案160C可以叠置于彩色滤光图案160B上。不过，在其他实施例中，彩色滤光图案160A～160C可以具有其他堆栈顺序。在一些实施例中，彩色滤光图案160A～160C可以采用相同或是近似材料制作，因此彼此之间的实体交界可能较不明显。

图4为本公开另一实施例的电子装置中，第一基板110与介质130(图4未示)之间的构件的示意图，而图5为显示图4中各构件堆栈顺序的示意图。本实施例所描述的各构件可以应用于图1的电子装置100中，因此相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。请同时参照图4与图5，本实施例的多条第二遮光条150、多条第一遮光条140以及多个彩色滤光图案160例如依序叠置于第一基板110上。此外，平坦层170可选择性的进一步设置于第一基板110上，且平坦层170覆盖第一遮光条140、第二遮光条150以及彩色滤光图案160。平坦层170的材料可包括全氟烷氧基聚合物树脂(perfluoroalkoxy polymer resin，PFA)、聚合物(polymer film on array，PFA)、氟橡胶(fluoroelastomers)等材料。平坦层170与第一基板110之间虽存在多个不同图案的构件(第一遮光条140、第二遮光条150与彩色滤光图案160)，但由于平坦层170的厚度大致与彩色滤光图案160的厚度或总和厚度TRX相同，所以平坦层170可以在远离第一基板110的一侧提供相对平坦的表面。于一些实施例中，平坦层170的厚度比上彩色滤光图案160的厚度或总和厚度TRX的比值可以为0.8至2、1.0至1.5等范围中的任一数值。本文中提到比值在A至B的范围可理解为A≤比值≤B的关系。

图4的实施例应用于图1的电子装置时，图4的结构可能上下翻转后再与第二基板120对组。也就是说，图4的结构应用于图1的电子装置时，第一遮光条140、第二遮光条150以及彩色滤光图案160会位于第一基板110与第二基板120之间。由图1、图4与图5可知，第二遮光条150设置于第一基板110上，位于第一基板110与第二基板120之间，且可位于第一基板110与介质130之间。第一遮光条140与彩色滤光图案160都设置于第二遮光条150与第二基板120之间，且具体地第一遮光条140可位于第二遮光条150与介质130之间，而彩色滤光图案160也可位于第一遮光条140与介质130之间。平坦层170设置于第一遮光条140与第二遮光条150中至少一者与第二基板120之间，且可位于第一遮光条140与介质130之间。换言之，第一遮光条140、第二遮光条150以及彩色滤光图案160都设置于平坦层170与第一基板110之间。

在一些实施例中，若第二遮光条150相对于第一遮光条140较接近使用者，则第二遮光条150可选择光反射率较低的材质，以改善电子装置100的质量，但不以此为限。

图6为图4的构件的局部剖面示意图。图6的剖面示意图的剖面截切方向例如是沿着图2中的其中一条第一遮光条140截切的。请参照图6，第一遮光条140与第二遮光条150于第三方向D3上重叠的部分定义出重叠区RX。重叠区RX具有一总和厚度TRX，总和厚度TRX中第一遮光条140的部分定义为第一厚度T1，总和厚度TRX中第二遮光条150的部分定义为第三厚度T3。第一遮光条140的其中一者在第一非重叠区NRX1具有第二厚度T2。第二遮光条150的其中一者在第二非重叠区NRX2具有第四厚度T4。由于第一遮光条140部分覆盖第二遮光条150，在重叠区RX边缘附近的第一遮光条140和/或第二遮光条150可有一厚度渐减区域。在计算厚度时，图6中的剖面仅为示意，第二厚度T2可为于任一剖面下第一非重叠区NRX1中第一遮光条140的其中一者对应中央区域处(如图6标示处)在第三方向D3上的最大厚度，或者第二厚度T2可为在垂直于第一遮光条140延伸方向(第一方向D1)的方向所截切的剖面下第二非重叠区NRX2中第二遮光条150的其中一者的最大厚度；而总和厚度TRX可为于任一剖面下重叠区RX在第三方向D3上的最大厚度。总和厚度TRX可为第一厚度T1与第三厚度T3的总和。总和厚度TRX可以大于第二厚度T2。依照制作顺序来说，第一遮光条140叠置于第二遮光条150上，所以第二厚度T2与第一厚度T1可能有所不同，例如第一厚度T1小于第二厚度T2，但不以此为限。需注意的是，图6中厚度的定义可参考图3中厚度的定义，在此不赘述。

彩色滤光图案160在本实施例中可划分为彩色滤光图案160A～160C，其分别呈现不同的颜色。彩色滤光图案160B的制作步骤例如早于彩色滤光图案160A，也早于彩色滤光图案160B。因此，图6的彩色滤光图案160A与彩色滤光图案160B之间的交界处，彩色滤光图案160A可以叠置于彩色滤光图案160B上。同时，彩色滤光图案160B与彩色滤光图案160C之间的交界处，彩色滤光图案160C可以叠置于彩色滤光图案160B上。不过，在其他实施例中，彩色滤光图案160A～160C可以具有其他堆栈顺序。在其他的实施例中，彩色滤光图案160A～160C的相邻两者之间可以间隔开来而不彼此接触。另外，彩色滤光图案160的色彩种类在此虽以三种为例进行说明，但不以此为限。在一些实施例中，彩色滤光图案160A～160C可以采用相同或是近似材料制作，因此彼此之间的实体交界可能较不明显。

图7为本公开另一实施例的电子装置中，第一基板110与介质130(图7未示)之间的构件的局部剖面示意图。图7的剖面示意图的剖面截切方向例如是沿着图2中的其中一条第一遮光条140截切的。本实施例相似于图6的实施例，且两实施例的组成构件实质上相同，但构件的堆栈顺序不同。在本实施例中，第一遮光条140、彩色滤光图案160、第二遮光条150与平坦层170依序叠置在第一基板110上。第一遮光条140与第二遮光条150分别设置于彩色滤光图案160的两侧，且都接触彩色滤光图案160。

图8为本公开再一实施例的电子装置中，第一基板110与介质130(图8未示)之间的构件的局部剖面示意图。图8的剖面示意图的剖面截切方向例如是沿着图2中的其中一条第一遮光条140截切的。请参照图8，本实施例中，第二遮光条150、第一遮光条140、彩色滤光图案160与平坦层170依序叠置在第一基板上110上之外，第一遮光条140与第二遮光条150之间还设置另一平坦层180。本实施例的第一遮光条140、第二遮光条150与彩色滤光图案160的堆栈顺序可参照图4至图6的实施例，在此不另重述。本实施例不同于图4的实施例之处主要在于，本实施例还包括平坦层180。平坦层180的材料与平坦层170的材料例如为有机材料，其包括全氟烷氧基聚合物树脂(perfluoroalkoxy polymer resin，PFA)、聚合物(polymer film on array，PFA)、氟橡胶(fluoroelastomers)等材料。平坦层180与平坦层170可采用不同材料制作，也可采用相同材料制作。平坦层180与平坦层170例如具有相对其他层别较厚的厚度，以提供平坦化作用。也就是说，平坦层180与第一基板110之间虽存在图案化的其他构件(例如第二遮光条150)，但平坦层180的设置可以提供相对平坦的表面供第一遮光条140设置其上。类似的，平坦层170与平坦层180之间虽存在多个不同图案的构件(第一遮光条140、彩色滤光图案160等)，但平坦层170的设置可以在远离第一基板110的一侧提供相对平坦的表面。

第二遮光条150重叠于第一遮光条140而定义出重叠区RX。重叠区RX具有一总和厚度TRX，总和厚度TRX中第一遮光条140的部分定义为第一厚度T1，总和厚度TRX中第二遮光条150的部分定义为第三厚度T3。第一遮光条140的其中一者在第一非重叠区NRX1具有第二厚度T2。在一些实施例中，总和厚度TRX可为第一厚度T1与第三厚度T3的总和，且总和厚度TRX可以大于第二厚度T2。另外，在另一方向的剖面结构(图8未示)中，第二遮光条150在重叠区RX之外的第二非重叠区NRX2(图8未示)具有第四厚度T4，且第四厚度也可小于总和厚度TRX。在本实施例中，第一遮光条140设置于平坦层180上而可以具有较均匀的厚度，因此第二厚度T2与第一厚度T1可彼此相等，但也可以有些许差异。另外，第二遮光条150设置于第一基板110上，因此第三厚度T3与第四厚度(图未示)也可彼此相等，但也可以有些许差异。

图9为本公开又一实施例的电子装置中，第一基板110与介质130(图9未示)之间的构件的局部剖面示意图。图9的剖面示意图的剖面截切方向例如是沿着图2中的其中一条第一遮光条140截切的。请参照图9，本实施例中，第一遮光条140、彩色滤光图案160、平坦层170与第二遮光条150依序叠置于第一基板110上。在这样的堆栈顺序下，彩色滤光图案160位于第一遮光条140与第二遮光条150之间，且第一遮光条140与第二遮光条150之间存在至少彩色滤光图案160与平坦层170。第二遮光条150重叠于第一遮光条140而定义出重叠区RX。重叠区RX具有一总和厚度TRX，总和厚度TRX中第一遮光条140的部分定义为第一厚度T1，总和厚度TRX中第二遮光条150的部分定义为第三厚度T3。第一遮光条140的其中一者在第一非重叠区NRX1具有第二厚度T2。总和厚度TRX可为第一厚度T1与第三厚度T3的总和，总和厚度TRX可以大于第二厚度T2。另外，在另一方向的剖面结构(图9未示)中，第二遮光条150的其中一者在第二非重叠区(图9未示)可以具有第四厚度(图9未示)，且第四厚度(图9未示)可小于总和厚度TRX。在本实施例中，第一遮光条140与第二遮光条150的材料可包括黑色树脂、油墨、金属等遮光材料。在一些实施例中，第一遮光条140相对于第二遮光条150较接近使用者，因此第一遮光条140可选择光反射率较低的材质，以改善电子装置100的质量。另外，第二遮光条150较远离使用者，第二遮光条150的设置有助于遮挡斜向视角的漏光而有助于提升电子装置100的质量。

图10为本公开又再一实施例的电子装置中，第一基板110与介质130(图未示)之间的构件的局部剖面示意图。图10的剖面示意图的剖面截切方向例如是沿着图2中的其中一条第一遮光条140截切的。请参照图10，本实施例与图9的实施例相似，其中第一遮光条140、彩色滤光图案160、平坦层170与第二遮光条150依序叠置于第一基板110上。于一实施例中，第二遮光条150与平坦层170之间设置有接口层192。在另一实施例中，第二遮光条150的相对两侧可分别设置有接口层192与接口层194。接口层192设置于第二遮光条150与平坦层170之间，而第二遮光条150设置于接口层192与接口层194之间。也就是说，接口层192、第二遮光条150与界面层194依序叠置在平坦层170上。接口层192设置于第二遮光条150与第一基板110之间。接口层192设置于第二遮光条150与第一遮光条140之间。接口层192设置于第二遮光条150与彩色滤光图案160之间。

在本实施例中，接口层192和/或接口层194可以具有对应于第二遮光条150的轮廓。举例而言，接口层192、第二遮光条150和/或接口层194可以使用同一道光罩图案化而成，而具有近似的结构轮廓(例如图2中的第二遮光条150的长条状轮廓)。举例而言，在制作工序中，可将无机材料、金属材料和/或另一无机材料依序以沉积、涂布、印刷等方式形成在平坦层170或彩色滤光图案160上。接着，使用同一道光罩图案化将无机材料、金属材料、另一无机材料的堆栈层图案化而形成接口层192、第二遮光条150与另一界面层194。图案化的方法可以包括微影蚀刻法。在蚀刻完成后，接口层192与第二遮光条150可能相对接口层194内缩，而形成底切结构UC。在其他实施例中，接口层192、第二遮光条150与接口层194可分别采用不同步骤图案化而成。因此，底切结构UC也可能不存在。

在本实施例中，第二遮光条150的材料包括金属，例如钼、铝、铬等、或其它合适的金属材料、或前述的组合，但不限于此。在部分的实施例中，第二遮光条150的材料可与第一遮光条140的材料不同。接口层192和/或接口层194的材料可包括无机材料，例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物(ITO)，或是其他无机材料，或是其他合适的透明材料，但不限于此。相似于前述实施例，平坦层170的材料可包括有机材料，而第二遮光条150与接口层192可包括无机材料。接口层192设置于第二遮光条150与平坦层170之间，有助于提升第二遮光条150的稳固性。此外，接口层194覆盖第二遮光条150也有助于增加第二遮光条150的保护效果(例如是增加抗水氧的功效)。接口层192设置于第二遮光条150与彩色滤光图案160之间。另外，在其他实施例中，接口层192与第二遮光条150可设置于图1的电子装置100中的第二基板120上。

进一步来说，本实施例应用于图1的电子装置100时，图1的间隔层PS可设置于界面层194上而不与第二遮光层150接触，接口层194设置于间隔层PS与第二遮光层150之间将有助于改善间隔层PS的附着性。另外，接口层194的材料为铟锡氧化物(ITO)或是其他导电性质的氧化物时，接口层194可不被图案化，而整面覆盖于第一基板110上。此时，接口层194可以用作电子装置100中的对向电极。

图11为本公开又另一实施例的电子装置的剖面示意图。请参照图11，电子装置100A包括第一基板110、第二基板120、介质130、第一遮光条140、第二遮光条150A、彩色滤光图案160以及平坦层170。本实施例中，第一基板110、第一遮光条140、彩色滤光图案160以及平坦层170的堆栈顺序及彼此之间的对应关系大致相似于图9的实施例，因此第一基板110、第一遮光条140、彩色光图案160以及平坦层170的具体结构可参照前述实施例，而不再重述。另外，第二遮光条150A在本实施例中例如设置于第二基板120上。以图11来看，第二遮光条150A位于第二基板120与第一遮光条140之间，且具体的位于第二基板120与介质130之间。另外，电子装置100A还包括间隔层PS，且间隔层PS位于第一基板110与第二遮光条150A之间。

在本实施例中，第一遮光条140设置于第一基板110上，而第二遮光条150A设置于第二基板120上，并且第一遮光条140与第二遮光条150A分别位于介质130的相对两侧。第二遮光条150A的材料可以是包括金属的材料，例如钼、铝、铬等、或其它合适的金属材料、或前述的组合，但不限于此。在部分的实施例中，第二遮光条150A的材料可与第一遮光条140的材料不同。第二遮光条150重叠于第一遮光条140而定义出重叠区RX。重叠区RX具有一总和厚度TRX，总和厚度TRX中第一遮光条140的部分定义为第一厚度T1，总和厚度TRX中第二遮光条150的部分定义为第三厚度T3。第一遮光条140的其中一者在第一非重叠区NRX1具有第二厚度T2。总和厚度TRX可为第一厚度T1与第三厚度T3的总和，总和厚度TRX可以大于第二厚度T2。

在本实施例中，第一基板110及其上设置的构件可以构成彩色滤光基板，而第二基板120及其上所构成的构件可以构成主动组件数组基板。具体而言，第二基板120上除了设置有第二遮光条150A外，还设置有其他构件。举例而言，图12为本公开一实施例的主动组件数组基板的剖面示意图。图12的主动组件数组基板TFT包括第二基板120、遮光层LS、半导体层SE、栅极GE、第一源/漏极SD1、第二源/漏极SD2、连接电极CE、像素电极PE、第二遮光条150A以及接口层192A。另外，主动组件数组基板TFT还包括设置于第二基板120上的多个绝缘层LA～LG。

由图12可知，遮光层LS设置于第二基板120上，而绝缘层LA覆盖遮光层LS，也就是说遮光层LS位于第二基板120与绝缘层LA之间。半导体层SE设置于绝缘层LA上，且半导体层SE可具有通道区CH。绝缘层LB覆盖半导体层SE，且栅极GE设置于绝缘层LB上。栅极GE与遮光层LS都在第三方向上重叠通道区CH，其中栅极GE上的讯号可控制信道区CH的载子(电子或电洞)移动性，而遮光层LS可减少光线照射到信道区CH以减少信道区CH发生光漏电流的机会。绝缘层LC覆盖栅极GE，且第一源/漏极SD1与第二源/漏极SD2都设置于绝缘层LC上。第一源/漏极SD1可通过通孔VA1接触且电性连接半导体层SE，而第二源/漏极SD2可通过通孔VA2接触且电性连接半导体层SE。绝缘层LD覆盖第一源/漏极SD1与第二源/漏极SD2，且连接电极CE设置于绝缘层LD上。连接电极CE可通过通孔VA3接触且电性连接第二源/漏极SD2。绝缘层LE覆盖连接电极CE，且绝缘层LF覆盖绝缘层LE，其中绝缘层LF可以较绝缘层LE更厚而提供平坦化的作用。像素电极PE设置于绝缘层LF上，且通过通孔VA4与连接电极CE接触且电性连接。绝缘层LG覆盖像素电极PE，且第二遮光条150A设置于绝缘层LG上。界面层192A设置于绝缘层LG上且覆盖第二遮光条150A。也就是说，第二遮光条150A位于接口层192A与绝缘层LG之间。

图12的主动组件数组基板TFT应用于图11的电子装置100A时，接口层192A与间隔层PS都可位于第一遮光条140与第二遮光条150A之间，间隔层PS可至少部分设置在第一遮光条140与第二遮光条150A的交错处(也就是重叠区RX中)，且接口层192A位于第二遮光条150A与间隔层PS之间。如此一来，间隔层PS不接触第二遮光条150A。第二遮光条150A的材料可以是包括金属，例如钼、铝、铬等、或其它合适的金属材料、或前述的组合，但不限于此。在部分的实施例中，第二遮光条150A的材料可与第一遮光条140的材料不同。接口层192A设置于间隔层PS与第二遮光层150A之间将有助于改善间隔层PS的附着性。另外，接口层192A的材质可以为铟锡氧化物或是其他透明导电材料。换言之，接口层192A可以为透明导电层，且可以电性连接到共享讯号而作为主动组件数组基板TFT中的共享电极。此时，界面层192A可具有多个狭缝(未示出)而实现边缘电场驱动像素的设计。于其他实施例，接口层192A可以例如是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，或是其他合适的透明材料，但不限于此。

图13A为本公开又另一实施例的电子装置中，第一基板110与介质130(图13A未示)之间的构件的局部上视示意图。图13B为图13A的结构沿剖线II-II的局部透视示意图，而图14为图13A的结构沿剖线II-II截切的剖面示意图。请参照图13A、图13B与图14，在本实施例中，第一遮光条140、彩色滤光图案160、第二遮光条150B与平坦层170依序叠置于第一基板110上。彩色滤光图案160可依据颜色而划分出彩色滤光图案160A、彩色滤光图案160B与彩色滤光图案160C。第二遮光条150B可以设置于彩色滤光图案160B与彩色滤光图案160C的交界BD1。换言之，第一彩色滤光图案160A与第二彩色滤光图案160B的交界BD2以及第一彩色滤光图案160A与彩色滤光图案160C的交界BD3可以没有设置第二遮光条150B。第一遮光条140和/或第二遮光条150B的材料可包括黑矩阵层的材料、金属材料或其它合适的低光穿透率的材料，或前述的组合。在此，用于制作第二遮光条150B的材料可包括黑矩阵层或是彩色色阻。另外，第一遮光条140与第二遮光条150B至少一者的光穿透率可为小于0.1％或是小于0.01％，甚至大致为0％。

在本实施例中，第二遮光条150B的材料可以为彩色色阻，且与彩色滤光图案160A的材料相同。举例而言，可以在彩色滤光图案160B与采光图案160C都已经制作完成之后才制作彩色滤光图案160A，且在制作彩色滤光层160A的同时制作第二遮光条150B，如此可以节省制程数目。在部分的实施例中，彩色滤光图案160A可以为蓝色滤光图案，且彩色滤光图案160B与彩色滤光图案160C的其中一者为红色滤光图案而另一者为绿色滤光图案。在色彩空间中，蓝色的明亮度(luminance/luma)相较于红色与绿色更低。因此，选用蓝色滤光图案制作的第二遮光条150B可以提供理想的遮光效果。不过，上述色彩选择仅是举例说明之用，并不以此为限。彩色滤光图案160A与彩色滤光图案160B的交界BD2处以及彩色滤光图案160A与彩色滤光图案160C的交界BD3处在此虽没有额外设置遮光条，但在其他实施例中，可选择性的在交界处BD2与交界处BD3设置前述实施例所述的第二遮光条150或是150A。

图15为本公开另一实施例的电子装置中第一遮光条与第二遮光条的上视示意图。请参照图15，第一遮光条140A在本实施例中例如为折曲状的构件。第二遮光条150则是长条状的构件。具体来说，第一遮光条140A可包括第一线段142A与第二线段144A，其中第一线段142A可以是沿第一方向D1延伸的线段，而第二线段144A可以是沿第二方向D2延伸的线段。不过，第一遮光条140A的主要延伸方向仍是第一方向D1。第二遮光条150沿第二方向D2延伸，且第二遮光条150可以重叠于第一遮光条140A的第二线段144A，第二遮光条150可以重叠于部分的第一线段142A。在部分实施例中，第二遮光条150可以完全遮挡第一遮光条140A的第二线段144A，但不以此为限。折曲状的第一遮光条140A可以定义出交错(staggered)排列的像素区RP。以图15为例，相邻两个像素区RP的其中一者偏上而另一者偏下。如此一来，像素区RP的排列可更具弹性且有更多的变化。上述实施例中的任一者都可以采用第一遮光条140A设计而在上视图具有折曲状的结构。

在上述所有实施例中，电子装置中的第一遮光条与第二遮光条可采用不同膜层制作。因此，本公开一实施例的电子装置的制造方法如图16所示。在步骤210中，在第一基板上设置第一遮光条。第一遮光条可沿第一方向延伸。第一基板如前述实施例所述可以为透光基板。在部分实施例中，第一遮光条的材料可以为光致抗蚀剂材料。此时，制作第一遮光条的方法可以是先将光致抗蚀剂材料涂布于第一基板上，接着例如采用微影(黄光)工艺将光致抗蚀剂材料层图案化，在光致抗蚀剂材料显影固化之后即可获得第一遮光条。在其他实施例中，第一遮光条的材料可以为金属。此时，制作第一遮光条的方法可以是先将金属材料沉积在第一基板上，并接着将第一基板上的金属材料层图案化，其中图案化金属材料层的方法例如包括微影蚀刻工艺或其他适合的工艺。

在步骤220中，可以提供第二基板，且在第一基板与第二基板之间设置第二遮光条。第二遮光条可沿第二方向延伸，第一方向可与第二方向不同。在此，第二基板也是透光基板。制作第二遮光条的方法与前述制作第一遮光条的方法相似。当第二遮光条的材料为光致抗蚀剂材料时，第二遮光条可以例如通过微影工艺制作，而第二遮光条的材料为金属材料时，第二遮光条可以例如通过沉积工艺与微影蚀刻工艺制作。当第二遮光条制作于第一基板上，则第二遮光条与第一遮光条的结构可以如前述图6至图10与图13A、图13B至14中任一者所示。当第二遮光条制作于第二基板上，则第二遮光条与第一遮光条的结构可以如前述图11与图12任一者所示。第一遮光条与第二遮光条在上视图中的分布与排列则可以如图2或是图15所示。另外，步骤210与步骤220的制作顺序可以依照不同需求调整。在部分实施例中，步骤220可以早于步骤210，而在其他实施例中步骤210可以早于步骤220。

在步骤230中，对组第一基板与第二基板。具体而言，在制作完第一遮光条与第二遮光条之后，才将第一基板与第二基板对组。在部分实施例中，可以在第一基板与第二基板之间设置间隔层，并且利用框胶将第一基板对组在一起。间隔层可以如前述实施例所述的间隔层PS，其将第一基板与第二基板隔开一定的距离。框胶是可固化的胶材。举例来说，框胶可以围成一个框形图案，且在框胶完全固化之前，将介质填入框胶所包围的空间中。接着，可使第一基板与第二基板夹住框胶并且将框胶固化。在一些实施例中，框胶可以是不连续的结构，但不限于此。当介质是液晶材料时，填入介质的方法可包括滴下式注入法或是真空注入法。介质是有机发光材料时，介质可以通过蒸镀或是印刷等方法制作。另外，在部分的实施例中，介质可能是薄膜状的结构，例如电泳薄膜，介质可以通过贴附的方式贴附于第一基板或是第二基板上。

在步骤230之后，多条第一遮光条与多条第二遮光条可位于第一基板与第二基板之间，其中多条第一遮光条沿第一方向延伸，多条第二遮光条沿第二方向延伸，且第一方向相交于第二方向。除了上述步骤210与220之外，在进行步骤230之前，还可以在第一基板上设置彩色滤光图案、平坦层、接口层等构件。另外，也可以在第二基板上设置如图12中所示的结构。当然，在进行步骤230之前，还可以在第一基板上与第二基板上形成其他需要的结构，本公开并不限制。

综上所述，根据本公开实施例的电子装置，第一遮光条与第二遮光条分别以不同膜层制作，且第一遮光条与第二遮光条彼此重叠而定义重叠区。在重叠区中，第一遮光条与第二遮光条重叠，因此第一遮光条与第二遮光条在重叠区的总合厚度会不同于第一遮光条在非重叠区的厚度，总合厚度也不同于第二遮光条在非重叠区的厚度。因此，本公开实施例的第一遮光条与第二遮光条的设置有助于提升电子装置的质量。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。