基本电气元件

  • 一种具有截止阀故障识别及处理功能的燃料电池发动机
    一种具有截止阀故障识别及处理功能的燃料电池发动机

    本发明提供了一种具有截止阀故障识别及处理功能的燃料电池发动机,属于燃料电池技术领域,解决了现有技术无法准确识别截止阀故障原因并进行相应处理的问题。该发动机包括控制器、排气阀以及依次连接的第一压力传感器、截止阀、第二压力传感器、比例阀。控制器,用于在燃料电池开机时启动氢系统,根据第一压力传感器数据识别氢系统是否故障,若是,禁止燃料电池开机,否则,控制截止阀打开,进一步根据第二压力传感器数据识别截止阀是否出现严重卡滞故障,以及严重卡滞故障时控制燃料电池关机,并在无严重卡滞故障时限制燃料电池功率,以使燃料电池正常运行。在进入开机流程后,该发动机可识别由于供气不足导致的开机失败,并准确识别故障原因。

    2024-05-11
  • 一种制备银纳米线薄膜的方法与焊接处理用装置
    一种制备银纳米线薄膜的方法与焊接处理用装置

    本发明提供了一种制备银纳米线薄膜的方法与焊接处理用装置,属于导电薄膜制备技术领域。本发明提供包覆型银纳米线,其包括银纳米线与包覆在所述银纳米线表面的包覆层,形成所述包覆层采用的包覆剂包括聚乙烯吡咯烷酮;将所述包覆型银纳米线分散于溶剂中,得到包覆型银纳米线分散液;将所述包覆型银纳米线分散液涂覆于基板表面,干燥后在所述基板表面形成前驱薄膜;将负载有所述前驱薄膜的基板浸没于极性溶剂中进行焊接处理以去除所述包覆层,在所述基板表面得到所述银纳米线薄膜。本发明采用溶剂焊接法,仅需要将前驱薄膜浸泡于极性溶剂中即可实现包覆层的去除,从而可以大幅度提高银纳米线薄膜的导电性,且操作简单。

    2024-05-11
  • 复合阻挡层
    复合阻挡层

    描述了用于形成掺钌氮化铌阻挡层的方法。掺杂阻挡层在小于约的厚度下提供改善的粘附性。在一些实施方式中,本文公开的掺杂阻挡层提供改进的阻挡特性,包括更低的氮含量、更高的钌含量、更好的覆盖性、更薄的层或更低的线电阻。

    2024-05-11
  • 气体释放构件及包括该气体释放构件的二次电池
    气体释放构件及包括该气体释放构件的二次电池

    公开了一种气体释放构件以及包括该气体释放构件的二次电池,该气体释放构件是具有透气性的片材,其中,气体释放构件在片材的外围区域中具有孔。根据本公开的实施例的气体释放构件与二次电池的壳体的粘合特性得到提高。

    2024-05-11
  • 混合垂直堆叠封装结构
    混合垂直堆叠封装结构

    本公开提供一种混合垂直堆叠封装结构,所述封装结构包括:存储器,具有用于传输信号的信号颗粒;转接板具有相对设置的第一面和第二面,第一面朝向存储器,第二面朝向SOC基板,第二面设置有沿第一方向排布的第一类型焊球以及沿第二方向排布的第二类型焊球,第一类型焊球与存储器的信号颗粒连接,用于存储器的信号扇出,第二类型焊球用于支撑转接板及SOC基板,第二类型焊球具有多个焊球组,沿第二方向相邻焊球组之间的间距大于焊球组内相邻第二焊球之间的间距,第一方向与第二方向不同;SOC基板与第一类型焊球信号连接。上述方案能够实现支撑转接板以及SOC基板的同时,还可以提高模流填充良率以及有助于SOC基板封装布局设计。

    2024-05-11
  • 一种半导体装置及其形成方法
    一种半导体装置及其形成方法

    本发明提供了一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层及栅极电极。第一氮化物半导体层设置于衬底上。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。第三氮化物半导体层被掺杂掺杂质且设置于第二氮化物半导体层上。栅极电极设置于第三氮化物半导体层上。栅极电极具有第一部分及第二部分。第一部分的高度低于第二部分的高度。第一部分的上表面比第二部分的上表面平坦。本发明中,通过形成虚置栅极,避免了因处理溶液接触栅极电极而使得溶解至处理溶液的金属成分污染了氮化物半导体层。

    2024-05-11
  • 方法和太阳能电池
    方法和太阳能电池

    方法和太阳能电池。根据各种实施方式,一种用于工艺处理太阳能电池前体(202)的方法(100)可以包括:在太阳能电池前体(202)上方形成透明导电的第一层(TCO1);在太阳能电池前体(202)上方形成透明导电的第二层(TCO2),优选地与第一层(TCO1)物理接触;其中第一层(TCO1)至少具有铟、锌和氧;其中第二层(TCO2)具有氧和比第一层(TCO1)更大份额的铟。

    2024-05-11
  • 一种连接线的搭铁端子
    一种连接线的搭铁端子

    本发明提供一种连接线的搭铁端子,涉及汽车线束领域,包括主线和搭铁座A;主线内部过盈配合连接有内导线,内导线内部固定连接有螺纹管,内导线左端固定连接有环形端子,环形端子内侧通过转动连接设置有转环,主线内部固定连接有连接座,连接座底部固定连接有磁板,通过螺旋片弹性扩张,可以使螺旋片带动锥头B向下平移,可以使锥头B插入插槽内部,可以使两组锥头嵌合对接,可以对环形端子进行便捷定位,可以使搭铁端子便捷定位在特定的搭铁座A上,通过拖拽便于对环形端子进行定位,在安装线束时便于对线束接线端子位置进行预定位和调整,解决现有搭铁端子不便于对线束端子位置进行预定位和便捷调整的问题。

    2024-05-11
  • 一种电池模组及电池包
    一种电池模组及电池包

    本发明的实施例提供了一种电池模组及电池包,涉及电池技术领域。电池模组包括电芯支撑结构和多个单元电芯模组,电芯支撑结构包括第一金属端板、第二金属端板、第一塑料支撑架和第二塑料支撑架,第一金属端板与第二金属端板沿第一方向间隔设置,第一塑料支撑架与第二塑料支撑架沿第二方向间隔设置,第一塑料支撑架和第二塑料支撑架的两端分别与第一金属端板以及第二金属端板连接,合围形成电芯容纳腔;第一塑料支撑架和第二塑料支撑架分别开设有多个间隔设置的第一固定槽和第二固定槽;多个单元电芯模组均设置于电芯容纳腔,且每个单元电芯模组的两端分别固定于一个第一固定槽和一个第二固定槽。该电池模组能够方便拆卸维修,成本较低。

    2024-05-11
  • 户外全封闭小型高压隔离负荷开关
    户外全封闭小型高压隔离负荷开关

    本发明涉及开关装置领域,公开了户外全封闭小型高压隔离负荷开关,包括开关本体和设置在开关本体上的风扇模块,所述开关本体的表面设置有与风扇模块前后对应且用于过滤杂物的导风组件,开关本体上设置有用于定位导风组件的两个支撑组件,且支撑组件位于导风组件和开关本体之间,风扇模块通过减速器传动连接有与导风组件活动贴合的顶杆。本发明通过导风组件、支撑组件和顶杆等之间的配合,可实现对开关本体进风一侧的有效过滤,还可降低导风组件上的灰尘附着,延长整体的使用周期;同时导风组件的前侧处于无遮挡状态,既可保证风扇模块在启动时的进风量,也可避免灰尘等杂物的顺利落下,避免落到相应结构上影响整体使用。

    2024-05-11
  • 一种降噪型干式变压器
    一种降噪型干式变压器

    本发明涉及变压器技术领域,且公开了一种降噪型干式变压器,包括降噪箱和干式变压器本体,其中干式变压器本体安装在降噪箱的内部,还包括:安装在降噪箱顶部的顶盖,所述降噪箱的内部且位于干式变压器本体的前后两侧均设置有降温板,所述降噪箱的底部固定有存水箱,所述降噪箱顶部的左右两侧均安装有水泵;本发明能够在保证干式变压器低噪音的同时,对变压器进行降温处理,当变压器在运行时,可以与变压器表面接触,当干式变压器产生热量后,通过热传递的方式传导至外界降温,避免散热时噪音传至外界,使得该干式变压器具有低噪音,还可以保持正常的工作温度,延长了该干式变压器的使用寿命。

    2024-05-11
  • 一种锰基层状高熵氧化物正极材料及其制备方法
    一种锰基层状高熵氧化物正极材料及其制备方法

    本发明涉及钾离子电池材料技术领域,具体为一种锰基层状高熵氧化物正极材料及其制备方法。本发明通过固相烧结工艺实现了高熵策略改性,合成了P3相锰基层状高熵氧化物正极材料HE‑KMO并公开了其制备方法。经过高熵策略改性,使得材料具有更灵活的体相和表面结构,提高了钾离子电池在充放电循环过程中的容量保持率以及倍率性能,提升了电化学性能;HE‑KMO是P3纯相材料,能够抑制斜方晶系杂相的生成,具有优异的结构稳定性,其循环性能和倍率性能也得到了提升;同时HE‑KMO能够有效降低电极材料在充放电过程中的电荷转移电阻,改善电极材料的循环稳定性。

    2024-05-11
  • 一种高密封性的新能源电池壳体
    一种高密封性的新能源电池壳体

    本发明涉及应用于直接转变化学能为电能的方法或装置领域的一种高密封性的新能源电池壳体,包括下壳体、安装在下壳体下内壁的控制板和安装在下壳体上端的上盖板,下壳体上端开设有密封槽,密封槽内设置有过盈密封圈和位于过盈密封圈内侧的内衬封板,内衬封板上端与上盖板相配合,采用上述密封槽、内衬封板、内衬延边、柔性缓冲圈和过盈密封圈的设置,能够在过盈密封圈和柔性缓冲圈密封连接处形成柔性配合,有效实现了辅助缓冲的作用,进而提高了下壳体和上盖板密封连接的稳定性、耐用性和抗冲击性,降低了过盈密封圈的冲击损伤,延长了过盈密封圈的使用寿命,进而有效促进了下壳体和上盖板的密封性,提高了其的防护性作用。

    2024-05-11
  • 同轴连接器、同轴端子及带线缆的同轴端子
    同轴连接器、同轴端子及带线缆的同轴端子

    一种同轴连接器,不使用衬套而抑制编织物的铆接部分中的同轴线缆的阻抗的变化,抑制同轴线缆相对于同轴连接器或同轴端子的抗拉强度降低,且抑制编织物的线材切断所致外部端子与编织物之间的接触不良。同轴连接器的外部端子(11)具有对同轴线缆的编织物进行压接的编织物压接部(16),编织物压接部(16)的内表面设有沿左右方向伸长的多个长槽(21),各长槽(21)具有:在编织物压接部(16)的内表面中从位于比该长槽(21)的底部靠前侧处的部分至该长槽(21)的底部倾斜并向后方伸长的前侧侧面(21B);以及在编织物压接部(16)的内表面中从位于比该长槽(21)的底部靠后侧处的部分至该长槽(21)的底部倾斜并向前方伸长的后侧侧面(21C),后侧侧面(21C)的倾斜角度比前侧侧面(21B)的倾斜角度大。

    2024-05-11
  • 一种10kV发电车快速接入装置
    一种10kV发电车快速接入装置

    本申请公开了一种10kV发电车快速接入装置,涉及电力供配技术领域,其包括:柜体和架空线路连接组件,柜体的内腔设有母排;柜体的顶部设有出线套管;母排与出线套管连接,出线套管通过架空线路连接组件与架空线路连接,柜体的底部设有缆线接入腔,所缆线接入腔的顶部设置有多个快速接入结构,快速接入结构包括快速插接头,快速插接头的上端伸入至柜体的内腔中,并与母排连接;快速插接头的下端延伸至缆线接入腔中,并设置有用于与发电车的缆线连接的快速对位自锁结构。本发明通过在快速插接头上安装有快速对位自锁结构,使得发电车可以快速地与柜体的快速插接头进行连接,省去了电缆终端连接头制作这一复杂工序,大大的缩短了旁路作业时间。

    2024-05-11
  • 中压或高压断路器
    中压或高压断路器

    本发明涉及一种中压或高压断路器;包括:第一端子;第二端子;第一真空断续器;第二真空断续器;互连部分;致动器;操作杆;以及杠杆系统。第一端子电气连接到第一真空断续器的固定触头。第二端子电气连接到第二真空断续器的固定触头。互连部分被配置为与第一真空断续器的可移动触头电气连接,并且互连部分被配置为与第二真空断续器的可移动触头电气连接。互连部分被配置为在可移动触头之间提供电流路径。杠杆系统的第一非线性杠杆臂的第一端部在第一杠杆臂第一端部枢轴点处耦合到第一真空断续器的可移动触头的推杆,并且第一杠杆臂的第二端部在中心枢轴点处耦合到操作杆。

    2024-05-11
  • 带有过渡有源区全包深掩埋沟槽结构的碳化硅MOSFET制备方法及器件
    带有过渡有源区全包深掩埋沟槽结构的碳化硅MOSFET制备方法及器件

    本申请公开了一种带有过渡有源区全包深掩埋沟槽结构的碳化硅MOSFET制备方法,从SiC衬底开始,通过外延生长获得半导体层。利用光刻和蚀刻技术,在半导体层上形成栅极槽。接着,通过沉积和蚀刻聚合物材料,形成栅极,同时调整栅极的版图以实现双栅结构,创建源区的栅极槽,包括对于dummy结构的刻蚀,在源区的侧壁沿着P型区域进行P型杂质注入。最后,使用BPSG进行填充和蚀刻,以形成绝缘层,并完成金属化层。通过上述步骤,可以在现有技术中的工艺缺陷和技术壁垒之下,提供一种器件制备工艺,优化了版图设计,提升器件性能。

    2024-05-11
  • 一种低压线圈绕组及其制造方法、变压器
    一种低压线圈绕组及其制造方法、变压器

    本发明属于变压器技术领域,具体涉及一种低压线圈绕组及其制造方法、变压器,其中,一种低压线圈绕组包括低压线圈绕组、插接在低压线圈绕组中心的铁芯柱,以及套设在低压线圈绕组外部的高压线圈绕组;所述低压线圈绕组包括低压绕组和低压绕组端绝缘体,所述低压绕组包括沿铁心柱圆周方向缠绕的线匝,所述低压绕组端绝缘体与所述低压绕组的线匝通过紧缩带连续缠绕为一体;其中,所述紧缩带缠绕形成若干组带圈,每组所述带圈共有两个交叉为八字型的圈体。本技术方案提升低压绕组轴向稳定性,进而提升变压器抗短路性能。

    2024-05-11
  • 一种采集线结构及用制作FFC或FDC中部分工艺的制作方法
    一种采集线结构及用制作FFC或FDC中部分工艺的制作方法

    一种采集线结构及用制作FFC或FDC中部分工艺的制作方法,属于FFC或FDC排线的制作技术领域,其结构包括排列在绝缘层内的导体组,导体组包括若干间断性排线和剩余的连续性排线;间断性排线包括至少两段排线单元排布而成,排线单元之间留有长为2mm‑10mm的间隔;和分别固定在两段排线单元的WB金属线。提供了一种直接留有用于安装间隔,省略冲切制造出贯穿导体前后端面的孔或缺口的制作步骤,并利用WB金属线实现线路中的阻值调节及Fuse功能。

    2024-05-11
  • 控制空穴注入效率的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管
    控制空穴注入效率的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

    本发明涉及一种控制空穴注入效率的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件领域。该晶体管为左右对称结构,左半边结构包括P+集电区、P‑集电区、N‑buffer区、N‑drift区、P‑body区、N+发射极衬底、绝缘介质层Al2O3、栅极金属Al接触区、集电极金属Ni接触区、发射极金属Ni/Ti接触区和发射极金属Ti/Al/Ni/Au接触区。其中高掺杂的P+区为集电极注入区,在器件正向导通时作为非平衡空穴注入机构,低掺杂的P‑区为低电子势垒区,充当漂移区非平衡电子抽出机构,可以有效改善器件关断时的电流拖尾现象,从而有更低的关断时间,降低器件在开关过程中的关断损耗。

    2024-05-11
  • RF连接器以及包括其的通信装置
    RF连接器以及包括其的通信装置

    揭示了通信装置。该通信装置包括:机构壳体,其包括:基板装配面以及形成于所述基板装配面的一个以上连接槽;第一印刷电路板,其配置在所述基板装配面上;第二印刷电路板,其在所述第一印刷电路板的一侧,配置在所述基板装配面上;以及一个以上连接器,其配置在所述连接槽内,使所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板电连接。

    2024-05-11
  • 半导体元件和其制造方法
    半导体元件和其制造方法

    本发明提供半导体元件和其制造方法。在半导体元件(1)中,比第一电极(30)高的第二电极(40)与第一电极(30)同时形成,第一电极(30)和第二电极(40)的上表面(30a、40a)的高度位置(h1、h2)大致一致。在半导体元件(1)中,因为能够同时形成这样的第一电极(30)和第二电极(40),能够以更少的工序形成具有第一电极(30)和第二电极(40)的半导体元件(1)。

    2024-05-11
  • 电极层压体加热单元及包括其的层压设备
    电极层压体加热单元及包括其的层压设备

    本公开涉及一种电极层压体加热单元和包括电极层压体加热单元的层压设备,所述电极层压体加热单元包括:加热部,所述加热部加热包括电极和隔膜并沿一个方向传送的电极层压体;以及视觉部,所述视觉部用于在所述电极层压体经过所述加热部的区域中测量所述电极的位置。

    2024-05-11
  • 一种电池极柱自动归正装置
    一种电池极柱自动归正装置

    本申请涉及电池极柱组装技术领域,是关于一种电池极柱自动归正装置,包括:滑动控制机构,N个夹持组件和N块承放底板,该N为大于或等于1的整数;该夹持组件包括有2块归正板件,2块该归正板件相对设置;其中一块该归正板件面向其另一块该归正板件的一侧,以及另一块该归正板件面向其中一块该归正板件的一侧均设有弧形通槽;2个该弧形通槽相互配合,2个该弧形通槽均位于该承放底板上,且该弧形通槽的端部均与该承放底板的表面抵接;其中,所滑动控制机构同步控制2个该归正板件的相对距离,2个该弧形通槽之间用于放置待归正的电池极柱,该承放底板用于平稳电池极柱的底部。本申请提供的方案,能够实现自动化地对电池极柱进行归正。

    2024-05-11
  • 一种流磁自组装巨量转移装置及转移方法
    一种流磁自组装巨量转移装置及转移方法

    本发明公开了一种流磁自组装巨量转移装置,包括若干具有导磁性的微型发光二极管、组装腔室、组装基板、磁体阵列,微型发光二极管包括依次堆叠设置的P型电极、导磁材料层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、N型电极;组装腔室包括腔室基底层、混Bin执行层、基板安装层,组装基板包括驱动电路板和异方性导电膜,驱动电路板上设置有若干焊点,磁体阵列包括磁体基板、组装在磁体基板上的电磁运动单元和安装在电磁运动单元上的永磁体。本发明采用上述结构的一种流磁自组装巨量转移装置及方法,借助流场和磁场共同作用快速转移半导体发光芯片,有效提高转移效率及转移精度。

    2024-05-11
  • 一种集流板、燃料电池电堆及车辆以及集流板生产工艺
    一种集流板、燃料电池电堆及车辆以及集流板生产工艺

    本申请公开了一种集流板、燃料电池电堆及车辆以及集流板生产工艺,解决了现有技术中集流板采用PVD镀层生产成本较高的技术问题。其中集流板应用于燃料电池中,集流板包括集流板主体,集流板主体上设有密封槽和/或密封圈;集流板主体与燃料电池的双极板的材质相同。通过将双极板的材质应用于集流板中,可以将双极板镀层和/或注塑密封圈的设备应用于集流板中,从而减少了集流板的生产成本。即集流板可以与双极板共用同一套设备进行镀层,集流板也可以与双极板共用同一套设备进行注塑密封圈,集流板不需要再单独使用额外的设备进行镀层和注塑,可以与双极板共用,无需再另外使用其它的设备,从而减少了集流板的生产成本。

    2024-05-11
  • 一种太阳光LED器件及其制备方法
    一种太阳光LED器件及其制备方法

    本发明公开了一种太阳光LED器件及其制备方法,涉及波长转换元件技术领域。本发明所提供的太阳光LED器件中包括紫光芯片与紫光芯片表面的两层荧光胶,其中第一层包括三种不同的红色荧光粉,第二层包括浅蓝白色粉末、浅蓝绿色粉末、黄绿色荧光粉、红外荧光粉及稳定剂。采用特定比例的特定荧光粉复配得到混合荧光胶,使其中不同的荧光粉发射的光谱相互配合,最终使得本发明所提供的太阳光LED器件能够利用荧光粉之间的相互作用,提高LED器件的显色性,在不同的色温(3000K~6000K)下都与太阳光光谱有着良好的相似性。

    2024-05-11
  • 一种改性锂离子电池正极材料及其制备方法与锂离子电池
    一种改性锂离子电池正极材料及其制备方法与锂离子电池

    本发明公开了一种改性锂离子电池正极材料及其制备方法与锂离子电池,属于电池技术领域。该改性锂离子电池正极材料包括锂离子电池正极材料和包覆于其表面的第一包覆层以及包覆于第一包覆层表面的第二包覆层;第一包覆层和第二包覆层中的包覆原料分别含有金属‑有机框架材料和石墨烯。第一包覆层能够提高材料的比表面积,为材料增加更多的电化学活性位点,促进电解质传输,此外,其还能在一定程度上提高锂离子电导率;第二包覆层能够提高材料的电导性和结构稳定性,还可以缓解材料在充放电过程中的体积膨胀。该改性正极材料具有较佳的倍率性和循环性。该改性正极材料的制备方法较为简单,可用于工业化生产。相应的电池具有较佳的电化学性能。

    2024-05-11
  • 一种废旧动力电池拆解装置
    一种废旧动力电池拆解装置

    本发明公开了一种废旧动力电池拆解装置,涉及电池回收技术领域,包括:底座;拆解筒,拆解筒设置在处理壳的内部,拆解筒的底部边缘处以及侧面处均开设有滤孔一;驱动机构和传动机构,驱动机构和传动机构均设置在连接壳的内壁处,当驱动机构运转时,带动传动机构进行运行,使拆解筒进行边倾斜公转边自转;敲击部件,敲击部件设置在连接壳的上方处,当传动机构运转时,敲击部件带动滤板二进行全方位的震动。本发明具备了能对废旧锂电池内部的金属件和塑料件进行高效的筛选,采用偏心公转配合自转的形式,使得锂电池残渣进行高效且快速的分离,并且能进行多级分离筛选的目的,具备了智能化实用性更佳的效果。

    2024-05-11
  • 一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法
    一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法

    本发明提供一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法,该SiC UMOS包括:HK介质层和肖特基金属;所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间,并与衬底和N‑drift层邻接;所述肖特基金属位于N‑drift层与源极之间,用于提供从源极到漏极的导电通道。本发明将肖特基二极管反并联在源极沟槽底部的两侧壁,肖特基二极管的开启电压远小于体二极管,在SiC UMOS处于反向状态时肖特基二极管能够在较低的压降下开启,在不增加芯片面积的情况下起到反向续流作用,并且在源极沟槽下方设置了HK介质层用于避免沟槽底部漏电,还能够改善电场分布,防止电场线集中损毁SiC UMOS,显著地提高了SiC UMOS的电气性能。

    2024-05-11
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法

    一种半导体结构的形成方法,该方法包含形成多个条状图案于半导体衬底之上,以及形成图案化掩膜层于条状图案之上。图案化掩膜层包含:对应于条状图案的多个第一开口,第一开口在第一方向上的第一节距小于在第二方向上的第二节距,且一个第一开口在第一方向上的第一尺寸大于在第二方向上的第一尺寸。此方法还包含形成多个间隔物部分填充第一开口,移除图案化掩膜层以形成多个沟槽,形成共形层部分填充第一开口及沟槽,以及使用共形层与间隔物作为掩膜,刻蚀条状图案,从而截断条状图案为多个岛状图案。本发明可改善所得到的半导体存储器装置的效能的均匀性,并且可提升半导体存储器装置的制造成品率。

    2024-05-11
  • 外部包覆软碳和补钠剂的硬碳材料及其制备方法和应用
    外部包覆软碳和补钠剂的硬碳材料及其制备方法和应用

    本发明涉及电池技术领域,特别涉及一种外部包覆软碳和补钠剂的硬碳材料及其制备方法和应用。外部包覆软碳和补钠剂的硬碳材料包括核层结构和设于核层结构表面的壳层结构,核层结构包括硬碳,壳层结构包括软碳、补钠化合物、导电剂,其中,软碳的质量与硬碳的质量之比为1:n1(4≤n1≤9999),补钠化合物的质量与软碳和硬碳的质量之比为1:n2(4≤n2≤9999),第一导电剂的质量与软碳和硬碳的质量之比为1:n3(4≤n3≤9999)。在硬碳的核层结构表面包覆包括软碳、补钠化合物、第一导电剂的壳层结构,可以提高硬碳的循环性能。

    2024-05-11
  • 半导体元件
    半导体元件

    本公开提供一种半导体元件,包括一基底、一下支撑层、一上支撑层以及一下电极。该下支撑层设置在该基底上。该上支撑层设置在该下支撑层上。该上支撑层界定有一开口。该下电极设置在该上支撑层的该开口内。该下电极具有一第一部分以及一第二部分,该第一部分具有一第一垂直长度,该第二部分具有一第二垂直长度,该第二垂直长度不同于该第一垂直长度。

    2024-05-11
  • 理线设备
    理线设备

    本发明属于断路器装配技术领域,公开了理线设备。理线设备用于断路器,理线设备包括拨线机构,拨线机构包括支架、第一滑台气缸、转轴和拨线组件。第一滑台气缸连接有滑板,第一滑台气缸可带动转轴升降,并抵达至靠近双金属片一侧的第一预设位置,旋转气缸可带动转轴沿圆周方向转动;转轴设有用于挤压双金属片的凸起部;拨线组件包括拨线器,第一滑台气缸可带动拨线器升降,并抵达至靠近双金属片另一侧的第二预设位置;转轴沿预转角度挤压双金属片,双金属片受凸起部挤压时的弹性形变方向与断路器脱扣时双金属片的受热弯曲方向相反。通过本发明,能提升断路器的生产效率,也能避免由于装配人员的技术水平差异对理线的质量一致性产生影响。

    2024-05-11
  • 基于周期应变的光电探测器及其制作方法
    基于周期应变的光电探测器及其制作方法

    本申请涉及光电芯片制造技术领域,提出了一种基于周期应变的光电探测器及其制作方法,光电探测器包括:外延结构和分别形成于外延结构正面和背面的P面和N面电极层;外延结构从下至上依次包括:N型掺杂的InP衬底、形成于InP衬底上的N型InP过渡层、形成于N型InP过渡层上的第一InGaAs过渡层、形成于第一InGaAs过渡层上的周期插入匹配InGaAs层的应变InGaAs层、形成于周期插入匹配InGaAs层的应变InGaAs层上的第二InGaAs过渡层、形成于第二InGaAs过渡层上的InP过渡层、形成于InP过渡层上的P型掺杂的InGaAs接触层。通过该方案,有效地降低芯片的暗电流并提升其可靠性。

    2024-05-11
  • 天线组件、测距方法及电子设备
    天线组件、测距方法及电子设备

    本申请实施例提供一种天线组件、测距方法及电子设备,天线组件包括天线馈点、软板区以及硬板区,天线馈点通过板对板连接器与设备主板连接,软板区当中设置软板区微带线,天线馈点设置在软板区的一端,硬板区与软板区连接在与天线馈点相对的另一端,硬板区当中设置硬板区微带线以及贴片天线,硬板区外围设置隔离墙,隔离墙作为接地平面。本申请实施例提供的天线组件通过隔离墙可以大幅度的减小周边天线和外围器件的信号干扰,从而提升辐射强度。

    2024-05-11
  • SiC P型和低电阻率晶体、晶棒、晶圆和设备及其制造方法
    SiC P型和低电阻率晶体、晶棒、晶圆和设备及其制造方法

    掺杂SiOC液体起始材料提供p型聚合物衍生的陶瓷SiC晶体材料,包括晶棒和晶圆。p型SiC电子设备。低电阻率SiC晶体、晶圆和晶棒以磷作为掺杂剂。用于掺杂SiC晶体气相沉积生长的聚合物衍生的陶瓷掺杂SiC成形装料源材料。

    2024-05-10
  • 一种防爆摄像机的制备方法
    一种防爆摄像机的制备方法

    本发明涉及摄像罩制备领域,尤其涉及一种防爆摄像机的制备方法,通过先印刷电路板,再进行锡合金焊料的覆涂,再进行LED芯片的放置与端子的安装,从而得到LED电路板,然后可以将LED电路板以及其他结构安装在防爆罩结构内的缓冲座上相应位置处,得到防爆摄像机成品,整个防爆摄像机的制备过程完整清晰。在对第二电路板进行端子安装之前,需要检查第二电路板上是否存在LED芯片漏放得情况,若是存在,则需要进行LED芯片补充放置,若是不存在,则进行后续步骤,确保第二电路板的完整程度,提升LED成品率。在对第三电路板加热前,需要先将端子连接电源测试,确保通电后方可进行后续操作,提升LED成品率。

    2024-05-10
  • 导电膜与测试组件
    导电膜与测试组件

    本揭露提供一种导电膜与测试组件。导电膜包括支撑层、线路层以及保护层。支撑层具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。支撑层支撑线路层。线路层包括第一突出部、第二突出部以及连接部。第一突出部设置在第一表面上。第二突出部设置在第二表面上。连接部设置在第一突出部与第二突出部之间。第一突出部通过连接部连接第二突出部。保护层覆盖第一突出部。本揭露实施例的导电膜与测试组件可具有缓冲效果或可增加使用寿命。

    2024-05-10
  • 一种电极极片、其制备方法、制备系统装置和应用
    一种电极极片、其制备方法、制备系统装置和应用

    本发明提供了一种电极极片、其制备方法、制备系统装置和应用。所述制备方法包括:(1)将活性物质、硫化物固体电解质和导电剂混合,得到混合料;(2)将所述混合料涂覆至集流体表面,辊压后经高温退火,得到所述电极极片。本发明提供的制备方法可以实现颗粒之间的紧密结合,极大程度上改善界面接触,降低界面阻抗;并且该方法可以提高极片中硫化物固体电解质的离子电导率,并提高电极极片的致密性,最终制备得到一种高致密性和高离子电导率的电极极片,有效提升了电池的能量密度,优化了电池的循环寿命。

    2024-05-10
  • 一种焦磷酸聚阴离子型钠离子电池正极材料的制备方法
    一种焦磷酸聚阴离子型钠离子电池正极材料的制备方法

    本发明公开一种焦磷酸聚阴离子型钠离子电池正极材料的制备方法,其步骤如下:步骤S1:将Fe源先投入分散罐,后投入P源、Na源、碳源与分散剂,各元素配比Na:Fe=1.000~1.030:1,Fe:P=0.96~0.99:1,各种原料的投料顺序是Fe源、P源、Na源、碳源、分散剂、金属氧化物;步骤S2:将纯水加入步骤S1所述的分散罐中,并充分分散得到浆料A;步骤S3:将浆料A进行砂磨得到浆料B,所述的砂磨粒径D50为0.1‑0.6μm;步骤S4:对所述浆料B进行喷雾干燥处理,获得前驱体粉末;步骤S5:在气氛保护下,对前驱体粉末进行煅烧处理,然后粉碎得到聚阴离子型钠离子电池正极材料粉末。本发明使得碳源的碳包覆效果很好,烧结时产生的杂质很少,铁磁性很低。

    2024-05-10
  • 采用共沉积电镀和原位氧化法制备的铜锰铁尖晶石保护层及其制备方法与应用和SOFC连接体
    采用共沉积电镀和原位氧化法制备的铜锰铁尖晶石保护层及其制备方法与应用和SOFC连接体

    本发明公开了一种采用共沉积电镀和原位氧化法制备的铜锰铁尖晶石保护层及其制备方法与应用和SOFC连接体,涉及电化学技术领域,所述方法包括:S1、在电镀液中对基体进行铜锰铁共沉积电镀,在基体表面沉积合金镀层;S2、对步骤S1得到的基体进行氧化处理,将合金镀层转变为铜锰铁尖晶石保护层。本发明在低电流密度下在不锈钢表面共沉积电镀出均匀致密的铜铁锰镀层,并通过对合金镀层进行氧化处理,在不锈钢表面制备均匀致密的(CuMnFe)3O4尖晶石保护层,防止不锈钢连接体氧化,阻止不锈钢连接体在高温运行下Cr挥发。

    2024-05-10
  • 一种双碳协同钠离子电池正极材料Na3V2(PO4)3/C的制备方法
    一种双碳协同钠离子电池正极材料Na3V2(PO4)3/C的制备方法

    本发明公开了一种双碳协同钠离子电池正极材料Na3V2(PO4)3/C的制备方法,包括以下步骤:(1)以高价钒源化合物、磷源化合物、钠源化合物和还原剂为原料,以碳纳米管为碳源,按照设定比例称量反应原料,机械球磨1~24小时,以在常温下将高价钒还原成低价钒,得到前驱体;(2)将步骤(1)所得前驱体进行煅烧处理,得到Na3V2(PO4)3/C材料。以解决现有技术中“合成工艺复杂、工序繁琐,采用液相反应需要进行干燥导致合成周期长,不易控制,而且仅仅进行碳包覆,所得磷酸钒钠碳复合材料的导电性仍然较差,影响其电化学性能的发挥”的技术问题;该制备方法具有流程短、易控制、成本低的优势,制备的Na3V2(PO4)3/C纯度高,结晶度高,易于实现大规模生产。

    2024-05-10
  • 蓄电元件、蓄电元件的制造方法和蓄电装置
    蓄电元件、蓄电元件的制造方法和蓄电装置

    本发明的一个侧面的蓄电元件具备:包含正极、负极和隔离件的电极体、以及非水电解质;上述负极包含:负极基材、直接或间接地配置于上述负极基材的上述隔离件侧并且含有金、铂或它们的组合的金属的第一层、以及配置于上述第一层中的上述隔离件侧并且含有具有锂离子传导性的聚合物和锂盐、且能够限制上述非水电解质的通过的第二层;上述负极进一步包含配置于上述负极基材与上述第一层之间的锂金属层。

    2024-05-10
  • 一种电缆用自锁连接器
    一种电缆用自锁连接器

    本发明涉及连接器技术领域,具体为一种电缆用自锁连接器,包括连接公端和连接母端,连接公端套接在连接母端的外侧,还包括安装于连接公端内的公端对接单元以及安装于连接母端的母端对接单元,公端对接单元与母端对接单元相互插接,连接母端的外侧开设有环槽,连接公端上安装有与环槽相适配的锁止单元;以及安装于连接母端端口处的闭合单元,本方案优化现有的连接器,通过设计的闭合单元,遮挡处于不插接状态下的连接母端,避免杂物灰尘进入母芯内,优化了常见连接器的插接方式,拥有两重锁止效果,使插接稳定性更佳。

    2024-05-10
  • 一种快拆式穿板弹性连接器
    一种快拆式穿板弹性连接器

    本发明涉及质谱检测系统技术领域,提供一种快拆式穿板弹性连接器,用于实现腔体两侧电连接,包括贯穿腔体的绝缘座,腔体与绝缘座之间的密封件,以及贯穿绝缘座的导电针,所述导电针通过螺纹连接所述绝缘座,其特征在于,还包括套管,在所述套管内滑动的弹簧针,以及套在弹簧针中部的压缩弹簧;所述导电针的腔体内侧部内设有空腔,所述套管与导电针的腔体内侧部通过螺纹连接,所述弹簧针部分插入所述空腔内,在所述空腔内的滑动受到所述套管限制。本方案为可拆式结构,拆装简便,无焊接工艺制约,适用各种穿板材料和腔体材料;采用密封圈结合填胶的密封方式,工艺简单可靠,成本低廉;连接器与腔体内侧电路采用弹压式连接,免插拔,操作简便。

    2024-05-10
  • 燃料电池端板、燃料电池以及燃料电池端板温度调节方法
    燃料电池端板、燃料电池以及燃料电池端板温度调节方法

    本申请提供了一种燃料电池端板、燃料电池以及燃料电池端板温度调节方法。燃料电池端板包括端板空气流道,端板空气流道的结构为分水容腔结构,端板空气流道用于为高温湿度空气提供流道,并在高温湿度空气从端板空气流道的入口端流到端板空气流道的出口端的过程中,基于分水容腔结构,将高温湿度空气中的高温水蒸气留在分水容腔结构内,以使燃料电池端板温度升高,其中,高温湿度空气为从相应燃料电池电堆流出的带有高温水蒸气的空气,相应燃料电池电堆为燃料电池端板应用于燃料电池时,与燃料电池端板密封连接的电堆。可以至少用以解决燃料电池在低温环境下冷启动时,电堆端部结冰速度比中部电池块,端板的热损失对冷启动有很大影响的技术问题。

    2024-05-10
  • 一种剪腿成型一体装置
    一种剪腿成型一体装置

    本发明公开了一种剪腿成型一体装置,通过在底座上设置元件定位模具,所述元件定位模具背面依次设置限位块和剪脚下切刀;所述底座通过安装导柱连接上压块,所述上压块的顶端安装有弹性压力定位挡块,将第三成型模具顶部与弹性压力定位挡块弹性连接,剪脚上切刀与第三成型模具固连,可以实现元件剪脚与一次折弯成型一体化操作。进一步的,通过在定位模具和限位块之间对称设置第一成型模具和第二成型模具,在上压块的正面安装成型驱动模具,可以实现元件剪脚与两次成型一体化操作。本发明设计可以有效提高电子元器件剪脚成型的质量和工作效率。

    2024-05-10
  • 电子连接模块
    电子连接模块

    根据一个方面,提供了一种用于安装在电子设备内的电子连接模块,该电子连接模块包括:连接端口,该连接端口包括连接器和第一密封环,该第一密封环在连接器的开口端处被设置在连接器的外表面上,该开口端被配置为接收配对连接器;中间壳体,该中间壳体被配置为接收连接端口,该中间壳体包括内表面,该连接端口的第一密封环抵靠内表面对接,以在中间壳体的内表面和连接端口之间提供密封;模块壳体,该模块壳体被配置为接收中间壳体和连接端口;偏压单元,该偏压单元被设置在模块壳体和连接端口之间,该偏压单元被配置为朝向中间壳体的搁架偏压连接端口,使得连接端口的开口端抵接该中间壳体的搁架,以将连接端口固定在中间壳体内;以及O形环,该O形环被设置在中间壳体的外表面上,用于与电子设备的内表面对接,该O形环被设置在从中间壳体的外表面突出的壁架和模块壳体之间。

    2024-05-10
  • 一种癌症治疗仪用移相水冷整流变压器
    一种癌症治疗仪用移相水冷整流变压器

    本发明属于变压器技术领域,主要涉及一种癌症治疗仪用移相水冷整流变压器,包括:固定架;铁芯,固设于固定架上,铁芯上由内向外依次缠绕有一次绕组和二次绕组;所述一次绕组包括多组初级线圈,至少两个相邻初级线圈之间设有撑条以形成上下贯通的散热通道,所述二次绕组包括缠绕在一次绕组上的多匝铜管,所述铜管内用于通冷却水以带走一次绕组和二次绕组产生的热量。本发明通过在一次绕组内设散热通道,二次绕组使用冷却水散热,提高了变压器的散热效果,防止变压器温度升高,同时也使变压器能够进行长时间的超负荷运行,为癌症治疗仪的使用提供能量供给。

    2024-05-10
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