发光器件、其制造方法以及包括该发光器件的显示装置

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种发光器件、制造该发光器件的方法以及具有该发光器件的显示装置。

背景技术

发光二极管(LED)即使在差的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性，并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。近来，对将这种LED应用于各种显示装置的技术的研究已经变得明显更加活跃。

作为这种研究的一部分，正在开发使用无机晶体结构(例如，通过生长氮化物基半导体获得的结构)制造具有与微米级或纳米级对应的小尺寸的棒型LED的技术。例如，可以以足够小的尺寸制造棒型LED，以形成自亮度显示装置的像素等。

发明内容

技术问题

本公开的各种实施例涉及一种其中可以使超小型发光二极管的接触缺陷最小化的发光器件、制造(或生产)该发光器件的方法以及具有该发光器件的显示装置。

技术方案

根据本公开的方面，一种发光器件可以包括：基底，包括多个单位发射区域；第一电极和第二电极，第一电极设置在基底上，第二电极与第一电极齐平地设置并且与第一电极间隔开；至少一个发光元件，设置在基底上，并且包括在至少一个发光元件的纵向方向上的第一端部和第二端部；绝缘层，设置在发光元件上，并且允许发光元件的第一端部和第二端部暴露；第一接触电极，使第一电极与发光元件的第一端部电连接；第二接触电极，与第一接触电极齐平地设置并且与第一接触电极间隔开，并且使第二电极与发光元件的第二端部电连接；以及钝化图案，设置在第一接触电极和第二接触电极中的每个上，并且被构造为保护第一接触电极和第二接触电极。

在本公开的实施例中，第一接触电极和第二接触电极可以在彼此间隔开预定距离的位置处设置在绝缘层上，并且彼此电分离。

在本公开的实施例中，钝化图案可以包括由无机材料形成的无机绝缘层。

在本公开的实施例中，第一接触电极与第二接触电极之间的距离可以比发光元件的长度小。

在本公开的实施例中，设置在第一接触电极上的钝化图案和设置在第二接触电极上的钝化图案可以以与第一接触电极和第二接触电极之间的距离相等的距离彼此间隔开。

在本公开的实施例中，绝缘层可以包括其中暴露有第一电极的一部分的第一接触孔和其中暴露有第二电极的一部分的第二接触孔。

在本公开的实施例中，第一接触电极可以通过第一接触孔电连接到第一电极，并且第二接触电极可以通过第二接触孔电连接到第二电极。

在本公开的实施例中，发光器件还可以包括：第一堤(或第一分隔壁)，设置在基底与第一电极之间；以及第二堤(或第二分隔壁)，与第一分隔壁齐平地设置并且与第一分隔壁间隔开预定距离，并且设置在基底与第二电极之间。

在本公开的实施例中，发光元件可以包括：第一半导体层(或第一导电半导体层)，掺杂有第一导电掺杂剂；第二半导体层(或第二导电半导体层)，掺杂有第二导电掺杂剂；以及活性层，设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间。

在本公开的实施例中，发光元件可以包括具有圆柱形或棱柱形形状并且具有微米级或纳米级的尺寸的发光二极管。

根据本公开的方面，一种制造发光器件的方法可以包括：在包括多个单位发射区域的基底上形成第一电极和与第一电极齐平地设置并与第一电极间隔开的第二电极；在包括第一电极和第二电极的基底上形成第一绝缘材料层；通过在第一电极与第二电极之间形成电场来使至少一个发光元件在第一电极与第二电极之间在第一绝缘材料层上对准；在包括发光元件的第一绝缘材料层上形成第二绝缘材料层；通过去除第一绝缘材料层和第二绝缘材料层中的每个的一部分来形成均具有第一接触孔和第二接触孔的第一绝缘层和绝缘材料图案，绝缘材料图案设置在第一绝缘层上，第一接触孔暴露第一电极的一部分，第二接触孔暴露第二电极的一部分；通过去除绝缘材料图案的一部分来形成允许发光元件的相对端部暴露的第二绝缘层；在第二绝缘层上顺序地形成导电层和第三绝缘材料层；通过去除第三绝缘材料层的一部分来形成允许导电层的一部分暴露的钝化图案；以及通过使用钝化图案作为掩模去除导电层的一部分来形成第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极电连接到第一电极，第二接触电极电连接到第二电极。

根据本公开的方面，一种显示装置可以包括：基底，包括显示区域和非显示区域；以及多个像素，设置在显示区域中，并且包括至少一个子像素。

在本公开的实施例中，子像素可以包括：像素电路层，包括至少一个晶体管；以及显示元件层，包括单位发射区域，光穿过单位发射区域发射。

在本公开的实施例中，显示元件层可以包括：第一电极和第二电极，第一电极设置在像素电路层上，第二电极与第一电极齐平地设置并且与第一电极间隔开；至少一个发光元件，设置在像素电路层上，并且包括在至少一个发光元件的纵向方向上的第一端部和第二端部；绝缘层，设置在发光元件上并且允许发光元件的第一端部和第二端部暴露；第一接触电极，使第一电极与发光元件的第一端部电连接；第二接触电极，与第一接触电极齐平地设置并且与第一接触电极间隔开，并且使第二电极与发光元件的第二端部电连接；以及钝化图案，设置在第一接触电极和第二接触电极中的每个上，并且被构造为保护第一接触电极和第二接触电极。第一接触电极和第二接触电极可以在彼此间隔开预定距离的位置处设置在绝缘层上，并且彼此电分离。

有益效果

在本公开的各种实施例中，包括无机材料的绝缘图案可以设置在接触电极上，从而可以使超小型发光元件的接触缺陷最小化。

本公开的各种实施例可以提供一种制造发光器件的方法。

本公开的各种实施例可以提供一种包括发光器件的显示装置。

附图说明

图1a和图1b是示出根据本公开的实施例的各种类型的发光元件的透视图。

图2a和图2b是示出包括图1a的发光元件的发光器件的各种类型的单位发射区域的平面图。

图3是沿着图2a的线I-I’截取的剖视图。

图4示出了根据本公开的实施例的发光器件，并且是与图2a的线I-I’对应的剖视图。

图5a至图5f是顺序地示出制造图2a的发光器件的方法的示意性平面图。

图6a至图6k是顺序地示出制造图3的发光器件的方法的示意性剖视图。

图7示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且具体地是示出使用图1a中示出的发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。

图8a至图8d是示出根据各种实施例的图7的显示装置的第一子像素至第三子像素中的第一子像素的示例的电路图。

图9是示意性地示出包括在图7中示出的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。

图10是沿着图9的线II-II’截取的剖视图。

图11示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是与图9的线II-II’对应的剖视图。

具体实施方式

由于本公开允许各种变化和许多实施例，所以具体实施例将在附图中示出并且在书面描述中详细描述。然而，这并不旨在将本公开限制于具体的实践模式，将理解的是，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代包含在本公开中。

贯穿公开，纵观本公开的各个附图和实施例同样的附图标记表示同样的部分。为了说明的清楚，可以夸大附图中元件的尺寸。将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似的，第二元件也可以被称为第一元件。在本公开中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。

还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”、“具有”等时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部分设置在第二部分上时，所述第一部分不但可以直接在所述第二部分上，而且它们之间可以插入第三部分。另外，当表达诸如层、膜、区域或板的第一部分形成在第二部分上时，所述第二部分的其上形成有所述第一部分的表面不限于所述第二部分的上表面，而且可以包括诸如所述第二部分的侧表面或下表面的其他表面。相反，当诸如层、膜、区域或板的第一部分在第二部分下时，所述第一部分不但可以直接在所述第二部分的下，而且在它们之间可以插入第三部分。

将在下文中参照附图详细描述本公开的实施例。

图1a和图1b是示出根据本公开的实施例的各种类型的发光元件的透视图。虽然图1a和图1b示出了圆柱形发光元件，但是本公开不限于此。

图1a和图1b是示出根据本公开的实施例的各种类型的发光元件的透视图。虽然图1a和图1b示出了圆柱形发光元件，但是本公开不限于此。

参照图1a和图1b，根据本公开的实施例的发光元件LD可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13以及置于在第一导电半导体层11和第二导电半导体层13之间的活性层12。

例如，发光元件LD可以被实现为通过依次堆叠第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13而形成的堆叠体。

在本公开的实施例中，发光元件LD可以被设置为在一个方向上延伸的棒的形式。如果发光元件LD沿其延伸的方向被限定为纵向方向，则发光元件LD可以在纵向方向上具有第一端部和第二端部。

第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在发光元件LD的第一端部上，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的第二端部上。

虽然发光元件LD可以被设置为圆柱的形式，但是本公开不限于此。发光元件LD可以具有在纵向方向上延伸的棒状形状或条状形状(即，以具有大于1的纵横比)。例如，发光元件LD在纵向方向上的长度L可以比其直径大。

发光元件LD可以包括以具有与例如微米级尺寸或纳米级尺寸对应的直径和/或长度的超小型尺寸制造的发光二极管。

然而，发光元件LD的尺寸不限于此，并且可以改变发光元件LD的尺寸以满足应用发光元件LD的照明装置或自发射显示装置的要求。

第一导电半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任意一种半导体材料并掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂的半导体层。

形成第一导电半导体层11的材料不限于此，并且第一导电半导体层11可以由各种其他材料形成。

活性层12可以形成在第一导电半导体层11上，并且可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。在本公开的实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在活性层12上和/或下。例如，包覆层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。此外，可以采用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成活性层12。

如果向发光元件LD的相对端部施加预定电压或更大电压的电场，则发光元件LD通过电子-空穴对在活性层12中的结合而发光。

第二导电半导体层13可以设置在活性层12上，并且可以包括与第一导电半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任意一种半导体材料并掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂的半导体层。

形成第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13可以由各种其他材料形成。

在本公开的实施例中，如图1a中所示，发光元件LD除了包括第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13还可以包括设置在第二导电半导体层13上的一个电极层15。此外，在实施例中，如图1b中所示，发光元件LD除了包括电极层15还可以包括设置在第一导电半导体层11的一个端部上的另一电极层16。

虽然电极层15和16中的每个可以由欧姆接触电极形成，但是本公开不限于此。此外，电极层15和16中的每个可以包括金属或金属氧化物。例如，铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、ITO及其氧化物或合金可以单独使用或彼此组合使用。然而，本公开不限于此。

包括在各个电极层15和16中的材料可以彼此相同或不同。

电极层15和16可以是透明的或半透明的。因此，从发光元件LD产生的光可以穿过电极层15和16，然后发射到发光元件LD的外部。

在本公开的实施例中，发光元件LD还可以包括绝缘膜14。在本公开的实施例中，绝缘膜14可以被省略，或者可以被设置为仅覆盖第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13中的一些。

如图1a中所示，绝缘膜14可以设置在发光元件LD的除了发光元件LD的相对端部中的一个端部之外的部分上。在这种情况下，绝缘膜14可以仅暴露设置在发光元件LD的第二导电半导体层13的一个端部上的一个电极层15，并且可以包围除了电极层15之外的组件的整个侧表面。这里，绝缘膜14可以允许发光元件LD的至少相对端部暴露于外部。例如，绝缘膜14可以不仅允许设置在第二导电半导体层13的一个端部上的电极层15而且允许第一导电半导体层11的一个端部暴露到外部。

在实施例中，如图1b中所示，在电极层15和16设置在发光元件LD的相应的相对端部上的情况下，绝缘膜14可以允许电极层15和16中的每个的至少一部分暴露于外部。可选地，在实施例中，可以不设置绝缘膜14。

在本公开的实施例中，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括选自由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中的至少一种绝缘材料，但其不限于此。换言之，可以采用具有绝缘特性的各种材料。

如果绝缘膜14设置在发光元件LD上，则可以防止活性层12与未示出的第一电极和/或第二电极短路。

此外，由于绝缘膜14，可以使发光元件LD的表面上的缺陷的发生最小化，并且可以提高发光元件LD的寿命和效率。在多个发光元件LD被设置为彼此紧密接触的情况下，绝缘膜14可以防止在发光元件LD之间发生不期望的短路。

发光元件LD可以用作用于各种显示装置的光源。发光元件LD可以通过表面处理工艺制造。

图2a和图2b是示出包括图1a的发光元件的发光器件的各种类型的单位发射区域的平面图。图3是沿着图2a的线I-I’截取的剖视图。图4示出了根据本公开的实施例的发光器件，并且是与图2a的线I-I’对应的剖视图。

虽然为了方便的目的，图2a和图2b示出了多个发光元件在水平方向上对准，但是发光元件的对准不限于此。

在图2a和图2b中，单位发射区域可以是包括在发射显示面板中的子像素中的一个的像素区域。

参照图1a、图2a、图2b、图3a和图4，根据本公开的实施例的发光器件可以包括包含具有单位发射区域100的至少一个子像素SP的基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD。

基底SUB可以包括诸如玻璃、有机聚合物或晶体的绝缘材料。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成以便是可弯曲或可折叠的，并且可以具有单层结构或多层结构。

例如，基底SUB可以包括以下中的至少一种：聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。然而，基底SUB的材料可以改变。

用于防止杂质扩散到发光元件LD中的阻挡层BRL可以设置在基底SUB上。

在本公开的实施例中，发光元件LD中的每个可以由发光二极管形成，所述发光二极管由具有无机晶体结构的材料制成并且具有超小型尺寸(例如，与纳米级或微米级对应)。

发光元件LD中的每个可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和置于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。在一些实施例中，发光元件LD中的每个还可以包括设置在第二导电半导体层13的一侧上的电极层15。

发光元件LD中的每个可以包括第一端部EP1和第二端部EP2。第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在第一端部EP1上，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在第二端部EP2上。在本公开的实施例中，发光元件LD中的每个可以发射彩色光和/或白光中的任意一种光。

用于覆盖发光元件LD中的每个的上表面的一部分的第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上。因此，发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2可以暴露于外部。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在子像素SP的单位发射区域100中。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在基底SUB上并且限定发光器件的单位发射区域100。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在彼此间隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在彼此间隔开等于或大于图1a中示出的一个发光元件LD的长度L的距离的位置处设置在基底SUB上。

如图3中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以包括具有诸如半圆形或半椭圆形的剖面形状的弯曲表面，该弯曲表面的宽度从基底SUB的一个表面朝向其上端减小，但是本公开不限于此。在实施例中，如图4中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有其宽度从基底SUB的一个表面朝向其上端减小的梯形剖面。

在剖视图中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状不限于前述示例，并且可以在其中从发光元件LD中的每个发射的光的效率可以增强的范围内改变。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在基底SUB上的同一平面上，并且可以具有相同的高度。

第一连接线CNL1可以在第一方向DR1上在子像素SP中延伸。第一连接线CNL1可以仅设置在子像素SP中，使得子像素SP可以与与其相邻的子像素电分离。因此，子像素SP可以独立于与其相邻的子像素驱动。

第二连接线CNL2可以在与第一连接线CNL1沿其延伸的方向平行的方向上延伸。第二连接线CNL2不仅可以延伸到子像素SP而且延伸到与子像素SP相邻的子像素。因此，子像素SP和与其相邻的子像素可以共同连接到第二连接线CNL2。

第一电极REL1可以包括在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上从第一连接线CNL1分叉的第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2。第1-1电极REL1_1、第1-2电极REL1_2和第一连接线CNL1可以一体地设置并且彼此电连接和/或物理连接。第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2中的每个在平面图中可以具有在第二方向DR2上延伸的条形形状。

第二电极REL2可以在第二方向DR2上从第二连接线CNL2分叉，并且设置在子像素SP的单位发射区域100中。第二电极REL2和第二连接线CNL2可以一体地设置并且彼此电连接和/或物理连接。第二电极REL2在平面图中可以具有在第二方向DR2上延伸的条形形状。

在平面图中，第二电极REL2可以设置在第1-1电极REL1_1与第1-2电极REL1_2之间，并且可以与第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2中的每个间隔开预定距离。第1-1电极REL1_1、第1-2电极REL1_2和第二电极REL2可以交替地设置在基底SUB上。

在发光元件LD在子像素SP中对准之前，第一对准电压可以通过第一连接线CNL1施加到第一电极REL1，第二对准电压可以通过第二连接线CNL2施加到第二电极REL2。第一对准电压和第二对准电压可以具有不同的电压电平。

当具有不同电压电平的预定对准电压分别施加到第一电极REL1和第二电极REL2时，可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场。发光元件LD可以通过电场在第一电极REL1与第二电极REL2之间在基底SUB上对准。

第一电极REL1和第二电极REL2可以分别设置在对应的分隔壁上。例如，第一电极REL1可以设置在第一分隔壁PW1上，第二电极REL2可以设置在第二分隔壁PW2上。

因此，在第一分隔壁PW1具有梯形剖面的情况下，第一电极REL1可以具有与第一分隔壁PW1的一个侧边的倾斜对应的倾斜结构。此外，在第一分隔壁PW1具有半圆形或半椭圆形剖面的情况下，第一电极REL1可以具有与第一分隔壁PW1的弯曲表面对应的曲率。

同样地，在第二分隔壁PW2具有梯形剖面的情况下，第二电极REL2可以具有与第二分隔壁PW2的一个侧边的倾斜对应的倾斜结构。此外，在第二分隔壁PW2具有半圆形或半椭圆形剖面的情况下，第二电极REL2可以具有与第二分隔壁PW2的弯曲表面对应的曲率。

第一电极REL1和第二电极REL2可以在彼此间隔开的位置处设置在基底SUB上，且发光元件LD置于其间。

在本公开的实施例中，第一电极REL1可以被设置为与发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2中的一个相邻，并且可以通过第一接触电极CNE1电连接到发光元件LD。第二电极REL2可以被设置为与发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2中的另一个端部相邻，并且可以通过第二接触电极CNE2电连接到发光元件LD。

第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面上，并且可以具有相同的高度。如果第一电极REL1和第二电极REL2具有相同的高度，则发光元件LD中的每个可以更可靠地连接到第一电极REL1和第二电极REL2。

第一电极REL1和第二电极REL2可以由导电材料形成。导电材料可以包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的合金的金属、诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的导电氧化物以及诸如PEDOT的导电聚合物。

第一电极REL1和第二电极REL2中的每个可以具有单层结构，但是本公开不限于此，例如，其可以具有通过堆叠金属、合金、导电氧化物和导电聚合物中的两种或更多种材料形成的多层结构。

第一电极REL1和第二电极REL2的材料不限于上述材料。例如，第一电极REL1和第二电极REL2可以由具有预定反射率的导电材料制成，以允许从发光元件LD的相对端部EP1和EP2发射的光在显示有图像的方向(例如，在正面方向)上行进。

具体地，由于第一电极REL1和第二电极REL2具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应的形状，所以从发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2发射的光可以被第一电极REL1和第二电极REL2反射，由此光可以更有效地在正面方向上行进。因此，可以增强从发光元件LD发射的光的效率。

在本公开的实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2与设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的第一电极REL1和第二电极REL2一起可以用作用于增强从发光元件LD中的每个发射的光的效率的反射组件。

虽然为了说明的目的，第一电极REL1和第二电极REL2被示出为直接设置在基底SUB上，但是本公开不限于此。例如，用于使显示装置能够被驱动为无源矩阵或有源矩阵的组件可以进一步设置在基底SUB与第一电极REL1和第二电极REL2之间。

在发光器件被驱动为有源矩阵的情况下，信号线、绝缘层和/或晶体管可以设置在基底SUB与第一电极REL1和第二电极REL2之间。

信号线可以包括扫描线、数据线、电力线等。晶体管可以连接到信号线，并且包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。

第一电极REL1和第二电极REL2中的任意一个可以是阳极电极，另一个可以是阴极电极。在本公开的实施例中，第一电极REL1可以是阳极电极，第二电极REL2可以是阳极电极。

在这种情况下，晶体管的源电极和漏电极中的一个电极可以连接到第一电极REL1和第二电极REL2中的任意一个电极。数据线的数据信号可以通过晶体管施加到任意一个电极。这里，信号线、绝缘层和/或晶体管的数量和形状可以改变。

在本公开的实施例中，第一电极REL1可以通过接触孔(未示出)电连接到晶体管。因此，提供到晶体管的信号可以施加到第一电极REL1。

此外，在发光器件被驱动为有源矩阵的情况下，第二电极REL2可以通过接触孔(未示出)电连接到信号线。因此，信号线的电压可以施加到第二电极REL2。

在本公开的实施例中，发光元件LD可以被划分为在第1-1电极REL1_1与第二电极REL2之间对准的多个第一发光元件LD1和在第二电极REL2与第1-2电极REL1_2之间对准的多个第二发光元件LD2。

第一发光元件LD1中的每个的第一端部EP1可以通过第一接触电极CNE1电连接到第1-1电极REL1_1。因此，晶体管的信号可以被传输到第一发光元件LD1中的每个的第一端部EP1。第一发光元件LD1中的每个的第二端部EP2可以通过第二接触电极CNE2电连接到第二电极REL2。因此，信号线的电压可以被传输到第一发光元件LD1中的每个的第二端部EP2。

第二发光元件LD2中的每个的第一端部EP1可以通过第二接触电极CNE2电连接到第二电极REL2。因此，信号线的电压可以被传输到第二发光元件LD2中的每个的第一端部EP1。第二发光元件LD2中的每个的第二端部EP2可以通过第一接触电极CNE1电连接到第1-2电极REL1_2。因此，晶体管的信号可以被传输到第二发光元件LD2中的每个的第二端部EP2。

第一发光元件LD1和第二发光元件LD2可以构成子像素SP的光源。例如，如果在每个帧时段期间驱动电流流过子像素SP，则连接到子像素SP的第一电极REL1和第二电极REL2的发光元件LD可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。

第一绝缘层INS1可以设置在第一电极REL1和第二电极REL2上。第一绝缘层INS1可以设置在基底SUB与发光元件LD中的每个之间。

基底SUB与发光元件LD中的每个之间的空间可以填充有第一绝缘层INS1。第一绝缘层INS1可以稳定地支撑发光元件LD，并且防止发光元件LD从基底SUB被去除。

第一绝缘层INS1可以包括其中暴露有第一电极REL1的一部分的第一接触孔CH1和其中暴露有第二电极REL2的一部分的第二接触孔CH2。

第二绝缘层INS2可以设置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2也可以包括与第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1对应的第一接触孔CH1和与第一绝缘层INS2的第二接触孔CH2对应的第二接触孔CH2。

在以下实施例中，为了方便的目的，第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1和第二绝缘层INS2的第一接触孔CH1将被整体地称为一个第一接触孔CH1。此外，第一绝缘层INS1的第二接触孔CH2和第二绝缘层INS2的第二接触孔CH2将被整体地称为一个第二接触孔CH2。

第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上，并且可以允许发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2暴露。在以下实施例中，为了方便的目的，设置在发光元件LD中的每个的上表面的所述一部分上的第二绝缘层INS2将被称为绝缘图案INSP。

第一接触电极CNE1可以设置在第二绝缘层INS2上，以使第一电极REL1与发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2中的任意一个电连接和/或物理连接并且可靠地连接。

第一接触电极CNE1可以由透明导电材料形成，以允许从发光元件LD中的每个发射并被第一电极REL1反射的光在正面方向上行进而没有损失。例如，透明导电材料可以包括ITO、IZO、ITZO等。第一接触电极CNE1的材料不限于上述材料。

在平面图中，第一接触电极CNE1可以覆盖第一电极REL1并且与第一电极REL1叠置。此外，第一接触电极CNE1可以与发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2中的一个部分地叠置。

第一接触电极CNE1可以通过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第一接触孔CH1电连接到第一电极REL1。

在本公开的实施例中，第一接触电极CNE1可以包括设置在第1-1电极REL1_1上的第1-1接触电极CNE1_1和设置在第1-2电极REL1_2上的第1-2接触电极CNE1_2。

第二接触电极CNE2可以设置在第二绝缘层INS2上。在平面图中，第二接触电极CNE2可以覆盖第二电极REL2并且与第二电极REL2叠置。此外，第二接触电极CNE2可以与第一发光元件LD1中的每个的第二端部EP2和第二发光元件LD2中的每个的第一端部EP1叠置。

第二接触电极CNE2可以通过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第二接触孔CH2电连接到第二电极REL2。第二接触电极CNE2和第一接触电极CNE1可以由相同的材料制成，但是本公开不限于此。

第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一平面上，并且可以在彼此间隔开预定距离d的位置处设置在绝缘图案INSP上，使得第一和第二接触电极CNE1和CNE2可以彼此电分离。在本公开的实施例中，第一接触电极CNE1可以与绝缘图案INSP的第一侧叠置，第二接触电极CNE2可以与绝缘图案INSP的第二侧叠置。

钝化图案PSP可以分别设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上。

钝化图案PSP可以分别防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2暴露于外部，从而防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2被腐蚀。钝化图案PSP可以分别防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2由于在形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的工艺期间引起的缺陷等而不期望地短路。

钝化图案PSP均可以包括由无机材料形成的无机绝缘层。无机材料可以包括例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。具体地，无机材料之中的氮化硅可以与透明导电材料具有优异粘合力的特性。因此，在由氮化硅形成的钝化图案PSP设置在由透明导电材料形成的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上的情况下，可以防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2剥离，并且可以获得在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个与钝化图案PSP之间的令人满意的界面特性。

在这种情况下，在形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的工艺期间使用的蚀刻剂不会渗透到第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个与钝化图案PSP之间的界面中。因此，可以防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2由于蚀刻剂而不期望地短路。

在平面图中，钝化图案PSP可以与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个叠置。

设置在第一接触电极CNE1上的钝化图案(在下文中，称为‘第一钝化图案’)PSP可以具有在第一接触电极CNE1沿其延伸的方向上延伸的条形形状，但是本公开不限于此。在实施例中，第一钝化图案PSP可以在其中第一钝化图案PSP可以完全覆盖第一接触电极CNE1的范围内以各种形状改变。

设置在第二接触电极CNE2上的钝化图案(在下文中，称为‘第二钝化图案’)PSP可以具有在第二接触电极CNE2沿其延伸的方向上延伸的条形形状，但是本公开不限于此。在实施例中，第二钝化图案PSP也可以在其中第二钝化图案PSP可以完全覆盖第二接触电极CNE2的范围内以各种形状改变。

在平面图中，第一钝化图案PSP和第二钝化图案PSP可以彼此间隔开。在本公开的实施例中，第一钝化图案PSP可以与绝缘图案INSP的第一侧叠置，并且可以与第一接触电极CNE1对应。第二钝化图案PSP可以与绝缘图案INSP的第二侧叠置，并且可以与第二接触电极CNE2对应。因此，绝缘图案INSP的上表面的一部分可以被暴露。

第一钝化图案PSP和第二钝化图案PSP之间的距离可以与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2之间的距离d相等或者比第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2之间的距离d大。

第三绝缘层INS3可以设置在钝化图案PSP和暴露的绝缘图案INSP上。第三绝缘层INS3可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。尽管第三绝缘层INS3可以具有如图3和图4中示出的单层结构，但是本公开不限于此。例如，第三绝缘层INS3可以具有多层结构。

外涂层OC可以设置在第三绝缘层INS3上。

外涂层OC可以是用于缓解由设置在外涂层OC下的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2等形成的高度差的平坦化层。另外，外涂层OC可以用作用于防止氧或水渗透到发光元件LD中的封装层。

在一些实施例中，可以省略外涂层OC。在省略外涂层OC的情况下，第三绝缘层INS3可以用作用于防止氧或水渗透到发光元件LD中的封装层。

如上所述，预定电压可以分别通过第1-1电极REL1_1和第二电极REL2施加到第一发光元件LD1中的每个的相对端部EP1和EP2。因此，第一发光元件LD1中的每个可以通过电子-空穴对在第一发光元件LD1中的每个的活性层12中的结合来发光。

此外，预定电压可以分别通过第二电极REL2和第1-2电极REL1_2施加到第二发光元件LD2中的每个的相对端部EP1和EP2。因此，第二发光元件LD2中的每个可以通过电子-空穴对在第二发光元件LD2中的每个的活性层12中的结合来发光。

在实施例中，如图2b中所示，子像素SP的单位发射区域100还可以包括在第一方向DR1上延伸的桥接图案BRP。

桥接图案BRP可以与第一连接线CNL1一体地设置，并且电连接并物理连接到第一连接线CNL1。在这种情况下，第一对准电压可以通过桥接图案BRP传输到第一连接线CNL1。传输到第一连接线CNL1的第一对准电压可以供应到从第一连接线CNL1分叉的第1-1对准电极ARE1_1和第1-2对准电极ARE1_2。

在下文中，将参照图2a和图3以堆叠顺序描述根据本公开的实施例的显示装置的构造。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在其上设置有阻挡层BRL的基底SUB上。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在彼此间隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上。

第一电极REL1可以设置在第一分隔壁PW1上。第二电极REL2可以设置在第二分隔壁PW2上。第一电极REL1和第二电极REL2可以在对应的分隔壁上设置在同一平面上，并且可以具有与对应的分隔壁的形状对应的形状。

第一绝缘层INS1可以设置在第一电极REL1和第二电极REL2上。第一绝缘层INS1可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。

第一绝缘层INS1可以包括其中暴露有第一电极REL1的一部分的第一接触孔CH1和其中暴露有第二电极REL2的一部分的第二接触孔CH2。

在实施例中，覆盖层(未示出)可以均设置在第一电极REL1与第一绝缘层INS1之间以及第二电极REL2与第一绝缘层INS1之间。覆盖层可以防止第一电极REL1和第二电极REL2由于在制造发光器件的工艺期间引起的缺陷等而被损坏。覆盖层可以进一步加强第一电极REL1和第二电极REL2中的每个与基底SUB之间的粘合力。覆盖层可以由透明导电材料形成，以允许从发光元件LD中的每个发射的光在正面方向上行进而没有损失。

发光元件LD可以在第一绝缘层INS1上对准。发光元件LD可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间在第一绝缘层INS1上对准。

第二绝缘层INS2可以设置在包括发光元件LD的第一绝缘层INS1上。在本公开的实施例中，第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上。设置在发光元件LD中的每个的上表面的所述一部分上的第二绝缘层INS2可以是绝缘图案INSP。

第二绝缘层INS2可以包括其中暴露有第一电极REL1的一部分的第一接触孔CH1和其中暴露有第二电极REL2的一部分的第二接触孔CH2。绝缘图案INSP可以设置在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上，使得发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2可以被暴露。

第二绝缘层INS2可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。

第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在第二绝缘层INS2和绝缘图案INSP上。

设置在第二绝缘层INS2上的第一接触电极CNE1可以通过第一接触孔CH1电连接到第一电极REL1。设置在第二绝缘层INS2上的第二接触电极CNE2可以通过第二接触孔CH2电连接到第二电极REL2。

第一接触电极CNE1可以设置在绝缘图案INSP的第一侧上，并且与绝缘图案INSP部分地叠置。第二接触电极CNE2可以设置在绝缘图案INSP的第二侧上，并且与绝缘图案INSP部分地叠置。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以在彼此间隔开预定距离d的位置处设置在绝缘图案INSP上，使得第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以彼此电分离。

在彼此间隔开的位置处设置在绝缘图案INSP上的第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间的距离d可以比图1a中示出的一个发光元件LD的长度L小。此外，第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间的距离d可以与绝缘图案INSP的横向宽度相等或者可以比绝缘图案INSP的横向宽度小。

第一钝化图案PSP可以设置在第一接触电极CNE1上。第二钝化图案PSP可以设置在第二接触电极CNE2上。

第一钝化图案PSP和第二钝化图案PSP均可以是由无机材料形成的无机绝缘层。例如，第一钝化图案PSP和第二钝化图案PSP可以包括氮化硅。

第一钝化图案PSP可以设置在第一接触电极CNE1上以覆盖第一接触电极CNE1，并且可以防止第一接触电极CNE1被腐蚀。第二钝化图案PSP可以设置在第二接触电极CNE2上以覆盖第二接触电极CNE2，并且可以防止第二接触电极CNE2被腐蚀。

第一钝化图案PSP和第二钝化图案PSP可以在彼此间隔开预定距离的位置处设置在绝缘图案INSP上。

第三绝缘层INS3可以设置在第一钝化图案PSP和第二钝化图案PSP上。外涂层OC可以设置在第三绝缘层INS3上。

如上所述，在根据本公开的实施例的发光器件中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以同时形成，从而可以简化制造工艺。

此外，由于钝化图案PSP分别设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上，所以在形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的工艺期间使用的蚀刻剂不会渗透到第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中。因此，可以防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2由于蚀刻剂而不期望地短路。因此，在根据本公开的实施例的发光器件中，可以使由第一接触电极CNE1或第二接触电极CNE2的不期望的短路引起的发光元件LD的接触缺陷最小化。因此，可以增强发光元件LD中的每个的发光效率。

图5a至图5f是顺序地示出制造图2a的发光器件的方法的示意性平面图。图6a至图6k是顺序地示出制造图3的发光器件的方法的剖视图。

参照图1a、图2a、图3、图5a和图6a，可以在一个子像素SP的单位发射区域100的基底SUB上形成在第二方向DR2上延伸的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。

可以在与第二方向DR2交叉的第一方向DR1上交替地设置第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在第一方向DR1上彼此间隔开预定距离。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以包括具有诸如半圆形或半椭圆形的剖面形状的弯曲表面，该弯曲表面的宽度从基底SUB的一个表面朝向其上端减小，但是本公开不限于此。在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在其中可以增强从发光元件LD中的每个发射的光的效率的范围内具有各种形状。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状、尺寸和/或布置结构可以根据实施例改变。

参照图1a、图2b、图3、图5b、图6a和图6b，在包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的基底SUB上形成第一导电层(未示出)之后，通过使用掩模使第一导电层图案化来形成第一连接线CNL1和第二连接线CNL2以及第一电极REL1和第二电极REL2。

第一电极REL1可以在第二方向DR2上从第一连接线CNL1延伸。第二电极REL2可以在第二方向DR2上从第二连接线CNL2延伸。可以一体地设置第一连接线CNL1和第一电极REL1。可以一体地设置第二连接线CNL2和第二电极REL2。

可以在第一分隔壁PW1上形成第一电极REL1，可以在第二分隔壁PW2上形成第二电极REL2。

第一电极REL1可以包括从第一连接线CNL1分叉的第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2且第二电极REL2置于其间。可以在彼此间隔开预定距离的位置处在同一平面上设置第1-1电极REL1_1、第1-2电极REL1_2和第二电极REL2。

在本公开的实施例中，不仅一个子像素SP而且在第一方向DR1上与所述一个子像素SP相邻的子像素(未示出)可以共同连接到第一连接线CNL1。同样地，子像素SP和与其相邻的子像素也可以共同连接到第二连接线CNL2。

参照图1a、图2a、图3、图5c、图5d以及图6a至图6c，在第一电极REL1和第二电极REL2上形成第一绝缘材料层INSM1。可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成第一绝缘材料层INSM1。

此后，通过经由第一连接线CNL1和第二连接线CNL2向第一电极REL1和第二电极REL2分别施加对应的对准电压，在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场。在通过第一连接线CNL1和第二连接线CNL2向第一电极REL1和第二电极REL2中的每个重复施加数次具有预定电压和周期的交流电力或直流电力的情况下，可以由于第一电极REL1与第二电极REL2之间的电势差在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场。

在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场的同时，通过喷墨印刷方法等将发光元件LD供应到基底SUB上。例如，可以通过在基底SUB之上设置喷嘴并且通过喷嘴将其中分散有发光元件LD的溶液滴到基底SUB上来将发光元件LD供应到单位发射区域100的基底SUB上。溶液可以是丙酮、水、乙醇和甲苯中的任意一种，但是本公开不限于此。例如，溶液可以包括可以在室温下或通过加热蒸发的材料。此外，溶液可以具有墨或糊的形式。

将发光元件LD供应到基底SUB上的方法不限于前述方法。可以改变供应发光元件LD的方法。随后，可以除去溶液。

如果发光元件LD被供应到基底SUB上，则可以通过在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成的电场来诱导发光元件LD的自对准。因此，可以使发光元件LD在第一电极REL1与第二电极REL2之间对准。

在本公开的实施例中，发光元件LD中的每个可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间在第一绝缘材料层INSM1上对准。

在发光元件LD的对准已经完成之后，如图5d中所示，在第一方向DR1上在与一个子像素SP相邻的子像素之间将第一连接线CNL1划分，使得一个子像素SP和与其相邻的子像素可以独立地驱动。

参照图1a、图2a、图3以及图6a至图6d，在发光元件LD在其上对准的第一绝缘材料层INSM1上形成第二绝缘材料层INSM2。

可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成第二绝缘材料层INSM2。此外，第二绝缘材料层INSM2可以具有单层结构，并且还可以具有多层结构。在第二绝缘材料层INSM2具有多层结构的情况下，第二绝缘材料层INSM2可以具有其中多个无机绝缘层和多个有机绝缘层顺序堆叠的结构。

参照图1a、图2a、图3以及图6a至图6e，可以通过使用掩模使第一绝缘材料层INSM1和第二绝缘材料层INSM2图案化来形成包括暴露第一电极REL1的一部分的第一接触孔CH1和暴露第二电极REL2的一部分的第二接触孔CH2的第一绝缘层INS1和绝缘材料图案INS2’。

参照图1a、图2a、图3以及图6a至图6f，可以通过使用掩模使绝缘材料图案INS2’图案化来形成包括暴露发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2的开口的第二绝缘层INS2。

也可以在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上设置第二绝缘层INS2。在下文中，为了方便的目的，将形成在发光元件LD中的每个的上表面的所述一部分上的第二绝缘层INS2称为绝缘图案INSP。

参照图1a、图2a、图3以及图6a至图6g，在第二绝缘层INS2和绝缘图案INSP上顺序地形成第二导电层CL和第三绝缘材料层INSM3。

第二导电层CL可以包括诸如IZO的透明导电材料。IZO可以在室温下沉积，而不需要在沉积之前或之后执行高温工艺，并且可以具有低电阻且高磁导率的材料特性。第三绝缘材料层INSM3可以包括由无机材料(例如，氮化硅)形成的无机绝缘层。

如果在由IZO形成的第二导电层CL上形成包括氮化硅的第三绝缘材料层INSM3，则第二导电层CL和第三绝缘材料层INSM3之间的粘合力可以通过IZO和氮化硅的材料特性而增加。因此，可以获得第二导电层CL与第三绝缘材料层INSM3之间的令人满意的界面特性。

参照图1a、图2a、图3以及图6a至图6h，在第三绝缘材料层INSM3上形成光致抗蚀剂层(未示出)之后，通过使用掩模使光致抗蚀剂层图案化来形成包括暴露第三绝缘材料层INSM3的一部分的开口OP的光致抗蚀剂图案PRP。光致抗蚀剂层可以包括正光敏有机材料或负光敏有机材料。

光致抗蚀剂图案PRP的开口OP可以与绝缘图案INSP的上表面的一部分对应。

参照图1a、图2a、图3、图5e以及图6a至图6i，可以通过使用光致抗蚀剂图案PRP作为掩模选择性地蚀刻第三绝缘材料层INSM3来去除第三绝缘材料层INSM3的与光致抗蚀剂图案PRP的开口OP对应的区域，从而可以形成允许暴露第二导电层CL的钝化图案PSP。

第二导电层CL的暴露区域可以与绝缘图案INSP的上表面的所述一部分对应。

参照图1a、图2a、图3、图5f以及图6a至图6j，通过使用钝化图案PSP作为掩模选择性地蚀刻暴露的第二导电层CL来形成彼此电分离的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。

选择性地蚀刻第二导电层CL的方法可以包括例如湿蚀刻方法。湿蚀刻方法可以指通过向目标的表面涂覆蚀刻剂来氧化目标的表面的蚀刻工艺。

在本公开的实施例中，能够蚀刻设置在钝化图案PSP下的第二导电层CL的溶剂可以用作蚀刻剂。

如果执行湿蚀刻工艺，则可以通过蚀刻剂去除第二导电层CL的暴露区域，使得绝缘图案INSP的上表面的所述一部分可以被暴露。因此，可以形成在绝缘图案INSP的上表面的部分上彼此间隔开预定距离d并且彼此电分离的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。

在本公开的实施例中，第一接触电极CNE1可以设置在第一电极REL1以及发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2中的一个上。

第一接触电极CNE1可以通过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第一接触孔CH1电连接到第一电极REL1。此外，第一接触电极CNE1可以电连接到发光元件LD中的每个的一个端部。因此，第一电极REL1和发光元件LD中的每个可以通过第一接触电极CNE1彼此电连接。

第二接触电极CNE2可以设置在第二电极REL2以及发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2中的另一端部上。

第二接触电极CNE2可以通过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第二接触孔CH2电连接到第二电极REL2。此外，第二接触电极CNE2可以电连接到发光元件LD中的每个的另一端部。因此，第二电极REL2和发光元件LD中的每个可以通过第二接触电极CNE2彼此电连接。

在基底SUB上形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2之后，去除光致抗蚀剂图案PRP。

当执行湿蚀刻工艺时，蚀刻剂可以不渗透到覆盖有钝化图案PSP的第二导电层CL中。其原因是因为钝化图案PSP与第二导电层CL之间的粘合力由于钝化图案PSP和第二导电层CL中的每个的材料特性而增强，因此在钝化图案PSP与第二导电层CL之间的界面中不形成间隙。因此，蚀刻剂不渗透到设置在钝化图案PSP下的第二导电层CL中，从而可以防止第二导电层CL不期望地短路。因此，可以减少制造第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2时的缺陷。

参照图1a、图2a、图3以及图6a至图6k，在绝缘图案INSP的上表面的暴露部分和钝化图案PSP上形成第三绝缘层INS3。

可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成第三绝缘层INS3。虽然第三绝缘层INS3可以具有如附图中示出的单层结构，但是本公开不限于此。例如，第三绝缘层INS3可以具有多层结构。

随后，在第三绝缘层INS3上形成外涂层OC。

图7示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且具体地是示出使用图1a中示出的发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。

为了说明的目的，图7集中于其上显示图像的显示区域示意性地示出了显示装置的结构。在一些实施例中，虽然未示出，但是可以在显示装置中进一步设置至少一个驱动电路(例如，扫描驱动器和数据驱动器)和/或多条线。

参照图1a和图7，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基底SUB、设置在基底SUB上并且均包括至少一个发光元件LD的像素PXL、设置在基底SUB上并且被构造为驱动像素PXL的驱动器(未示出)以及被设置为使像素PXL与驱动器连接的线组件(未示出)。

根据驱动发光元件LD的方法，显示装置可以分为无源矩阵型显示装置和有源矩阵型显示装置。例如，在显示装置被实现为有源矩阵型的情况下，像素PXL中的每个可以包括被构造为控制将要供应到发光元件LD的电流量的驱动晶体管和被构造为向驱动晶体管传输数据信号的开关晶体管。

近来，考虑到分辨率、对比度和工作速度，能够选择性地导通每个像素PXL的有源矩阵型显示装置已经成为主流。然而，本公开不限于此。例如，其中一组像素PXL可以导通的无源矩阵型显示装置也可以采用用于驱动发光元件LD的组件(例如，第一电极和第二电极)。

基底SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。

在实施例中，显示区域DA可以设置在显示装置的中心部分中，非显示区域NDA可以以围绕显示区域DA的方式设置在显示装置的边界部分中。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，并且可以改变其位置。

显示区域DA可以是其中设置有用于显示图像的像素PXL的区域。非显示区域NDA可以是其中设置有用于驱动像素PXL的驱动器和用于使像素PXL结合到驱动器的线组件中的一些线组件的区域。

显示区域DA可以具有各种形状。例如，显示区域DA可以以诸如包括由直线形成的边的闭合多边形、包括由曲线形成的边的圆形、椭圆形等以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形、半椭圆形等的各种形状设置。

非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧上。在本公开的实施例中，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的外围。

像素PXL可以在基底SUB上设置在显示区域DA中。像素PXL中的每个是指用于显示图像的最小单元，并且可以设置多个像素。

像素PXL中的每个可以包括被构造为响应于对应的扫描信号和对应的数据信号而驱动的发光元件LD。发光元件LD可以具有与纳米级或微米级对应的小尺寸，并且并联连接到与其相邻设置的发光元件。发光元件LD可以形成对应像素PXL的光源。

像素PXL可以沿着在第一方向DR1上延伸的行和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的列以矩阵形式布置。然而，像素PXL的布置不限于具体布置。换言之，像素PXL可以以各种形式布置。

驱动器可以通过线组件向每个像素PXL提供信号，从而控制像素PXL的操作。在图7中，为了说明的目的，省略了线组件。

驱动器可以包括被构造为通过扫描线向像素PXL提供扫描信号的扫描驱动器、被构造为通过发射控制线向像素PXL提供发射控制信号的发射驱动器、被构造为通过数据线向像素PXL提供数据信号的数据驱动器以及时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器、发射驱动器和数据驱动器。

图8a至图8d是示出根据各种实施例的图7的显示装置的第一子像素至第三子像素中的第一子像素的示例的电路图。

参照图8a至图8d，第一子像素至第三子像素中的每个可以由有源像素构造。然而，第一子像素至第三子像素中的每个的类型、结构和/或驱动方法没有具体限制。例如，第一子像素至第三子像素中的每个可以由可以具有各种已知结构的无源显示装置或有源显示装置的像素构造。

此外，参照图8a至图8d，第一子像素至第三子像素可以具有基本上相同的结构或相似的结构。在下文中，为了方便的目的，作为代表性示例，将描述第一子像素至第三子像素中的第一子像素。

参照图1a、图7和图8a，第一子像素SP1可以包括在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间彼此并联连接的多个发光元件LD和被构造为驱动发光元件LD的像素驱动电路144。

发光元件LD中的每个可以包括经由像素驱动电路144连接到第一驱动电源VDD的第一电极(例如，阳极电极)和连接到第二驱动电源VSS的第二电极(例如，阴极电极)。

第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电势。例如，第二驱动电源VSS可以具有比第一驱动电源VDD的电势低等于或大于发光元件LD的阈值电压的值的电势。

发光元件LD中的每个可以以与由像素驱动电路144控制的驱动电流对应的亮度发光。

虽然图8a至图8d示出了其中发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间沿同一方向(例如，正向方向)彼此并联连接的实施例，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，发光元件LD中的一些可以在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间沿正向方向连接，而其他发光元件LD可以沿反向方向连接。第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS中的一个可以以交流电压的形式供应。在这种情况下，以相同方向连接的发光元件LD的组可以交替地发光。可选地，在实施例中，第一子像素SP1可以包括单个发光元件LD。

在本公开的实施例中，像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及存储电容器Cst。然而，像素驱动电路144的结构不限于图8a中示出的实施例。

第一晶体管(开关晶体管)T1包括连接到数据线Dj的第一电极和连接到第一节点N1的第二电极。这里，第一晶体管T1的第一电极和第二电极可以是不同的电极。例如，如果第一电极是源电极，则第二电极是漏电极。第一晶体管T1可以包括连接到扫描线Si的栅电极。

当从扫描线Si供应具有能够导通第一晶体管T1的电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第一晶体管T1导通以使数据线Dj与第一节点N1电连接。这里，对应帧的数据信号被供应到数据线Dj，由此数据信号被传输到第一节点N1。存储电容器Cst被传输到第一节点N1的数据信号充电。

第二晶体管(驱动晶体管)T2可以包括连接到第一驱动电源VDD的第一电极和电连接到发光元件LD中的每个的第一电极的第二电极。第二晶体管T2可以包括连接到第一节点N1的栅电极。第二晶体管T2可以响应于第一节点N1的电压来控制要供应到发光元件LD的驱动电流的量。

存储电容器Cst的一个电极连接到第一驱动电源VDD，并且其另一电极连接到第一节点N1。存储电容器Cst可以充入与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压，并且保持充入的电压直到供应后续帧的数据信号。

为了说明的目的，图8a示出了具有相对简单的结构的像素驱动电路144，该像素驱动电路144包括被构造为向第一子像素SP1传输数据信号的第一晶体管T1、被构造为存储数据信号的存储电容器Cst和被构造为向发光元件LD供应与数据信号对应的驱动电流的第二晶体管T2。

然而，本公开不限于前述结构，像素驱动电路144的结构可以改变。例如，像素驱动电路144还可以包括诸如被构造为补偿第二晶体管T2的阈值电压的晶体管元件、被构造为使第一节点N1初始化的晶体管元件和/或被构造为控制发光元件LD的发射时间的晶体管元件的至少一个晶体管元件或者诸如用于升高第一节点N1的电压的升压电容器的其他电路元件。

此外，虽然在图8a中，包括在像素驱动电路144中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已经被示出为P型晶体管，但是本公开不限于此。换言之，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可以是N型晶体管。

参照图1a、图7和图8b，根据本公开的实施例的第一晶体管T1和第二晶体管T2可以是N型晶体管。除了由于晶体管类型的改变而引起的一些组件的连接位置的改变之外，在图8b中示出的像素驱动电路144的构造和操作与图8a的像素驱动电路144的构造和操作类似。因此，将省略与此相关的详细描述。

在实施例中，如图8c中所示，除了第一晶体管T1和第二晶体管T2，像素驱动电路144还可以包括第三晶体管T3。

第三晶体管T3可以包括连接到控制线CLi的栅电极和连接到发光元件LD中的每个的第一电极的第二电极。第三晶体管T3的第一电极连接到数据线Dj。第三晶体管T3可以在控制信号被供应到控制线CLi的情况下导通，并且可以在其他情况下截止。

此外，虽然在图8c中，包括在像素驱动电路144中的晶体管(例如，第一晶体管T1至第三晶体管T3)已经被示出为P型晶体管，但是本公开不限于此。例如，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第三晶体管T3中的至少一个可以是N型晶体管。此外，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第三晶体管T3中的全部可以是N型晶体管。

在本公开的实施例中，像素驱动电路144的构造不限于在图8a至图8c中示出的实施例。例如，像素驱动电路144可以以与图8d中示出的实施例的方式相同的方式构造。

参照图1a、图7和图8d，像素驱动电路144可以连接到第一子像素SP1的扫描线Si和数据线Dj。例如，如果第一子像素SP1设置在显示区域DA的第i行第j列上，则第一子像素SP1的像素驱动电路144可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。

在实施例中，像素驱动电路144可以进一步连接到至少一条扫描线。例如，设置在显示区域DA的第i行上的第一子像素SP1可以进一步连接到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。

在实施例中，像素驱动电路144不仅可以连接到第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS，而且连接到第三电源。例如，像素驱动电路144也可以连接到初始化电源Vint。

这里，像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。

第一晶体管(驱动晶体管)T1可以包括经由第五晶体管T5连接到第一驱动电源VDD的第一电极(例如，源电极)和经由第六晶体管T6连接到发光元件LD的一个端部的第二电极(例如，漏电极)。第一晶体管T1可以包括连接到第一节点N1的栅电极。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制经由发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间流动的驱动电流。

第二晶体管(开关晶体管)T2可以连接在第一晶体管T1的源电极与连接到第一子像素SP1的第j数据线Dj之间。第二晶体管T2的栅电极连接到与第一子像素SP1连接的第i扫描线Si。在从第i扫描线Si供应具有栅极导通电压(例如，低电平电压)的扫描信号的情况下，第二晶体管T2导通以使第j数据线Dj电连接到第一晶体管T1的源电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从第j数据线Dj供应的数据信号可以传输到第一晶体管T1。

第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的漏电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3可以包括连接到第i扫描线Si的栅电极。在从第i扫描线Si供应具有栅极导通电压的扫描信号的情况下，第三晶体管T3可以导通以使第一晶体管T1的漏电极电连接到第一节点N1。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以二极管连接。

第四晶体管T4连接在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到前一扫描线(例如，第i-1扫描线Si-1)。在栅极导通电压的扫描信号供应到第i-1扫描线Si-1的情况下，第四晶体管T4可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以传输到第一节点N1。这里，初始化电源Vint可以具有等于或小于数据信号的最小电压的电压。

第五晶体管T5连接在第一驱动电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极可以连接到对应的发射控制线(例如，第i发射控制线Ei)。第五晶体管T5可以在具有栅极截止电压的发射控制信号供应到第i发射控制线Ei的情况下截止，并且可以在其他情况下导通。

第六晶体管T6连接在发光元件LD中的每个的一个端部与第一晶体管T1之间。第六晶体管T6的栅电极连接到第i发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在具有栅极截止电压的发射控制信号供应到第i发射控制线Ei的情况下截止，并且可以在其他情况下导通。

第七晶体管T7连接在发光元件LD的第一端部与初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极连接到后一级的扫描线中的任意一条(例如，连接到第i+1扫描线Si+1)。在栅极导通电压的扫描信号供应到第i+1扫描线Si+1的情况下，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以供应到发光元件LD的第一端部。

存储电容器Cst可以连接在第一驱动电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与在每个帧时段期间施加到第一节点N1的数据信号和与第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。

为了方便的目的，图8d示出了第一晶体管T1至第七晶体管T7中的全部为P型晶体管，但是本公开不限于此。例如，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以是N型晶体管，或者第一晶体管T1至第七晶体管T7中的全部可以是N型晶体管。

图9是示意性地示出包括在图7中示出的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。图10是沿着图9的线II-II’截取的剖视图。图11示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是与图9的线II-II’对应的剖视图。

在本公开的实施例中，以下描述将集中于与前述实施例的不同之处，以避免重复说明。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件符合前述实施例的组件。相同的附图标记将用于指定相同的组件，并且相似的附图标记将用于指定相似的组件。

在图9中，为了说明的目的，设置在每个子像素中的多个发光元件被示出为水平布置。然而，发光元件的布置不限于此。例如，发光元件中的至少一些可以布置在与水平方向交叉的方向上。

此外，为了说明的目的，在图9中已经省略了连接到发光元件的晶体管和连接到晶体管的信号线的图示。

此外，尽管图9至图11示出了一个像素的简化结构(例如，示出了每个电极仅具有单个电极层)，但是本公开不限于此。

参照图1a至图11，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有多个像素PXL的基底SUB。像素PXL中的每个可以包括设置在基底SUB上的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。

第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个的单位发射区域100可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素电路层PCL和设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。

在本公开的实施例中，单位发射区域100可以包括对应子像素的像素区域。例如，第一子像素SP1的单位发射区域100可以包括第一子像素SP1的像素区域。第二子像素SP2的单位发射区域100可以包括第二子像素SP2的像素区域。第三子像素SP3的单位发射区域100可以包括第三子像素SP3的像素区域。

每个子像素的像素电路层PCL可以包括设置在基底SUB上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2以及驱动电压线DVL。此外，每个子像素中的像素电路层PCL还可以包括设置在第一晶体管T1和第二晶体管T2以及驱动电压线DVL上的钝化层PSV。

每个子像素中的显示元件层DPL可以包括设置在钝化层PSV上的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、多个发光元件LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。

为了方便的目的，将在描述每个子像素的像素电路层PCL之后描述每个子像素的显示元件层DPL。

基底SUB可以包括诸如玻璃、有机聚合物或晶体的绝缘材料。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成以便是可弯曲的或可折叠的，并且可以具有单层结构或多层结构。

缓冲层BFL可以设置在基底SUB上，并且可以防止杂质扩散到第一晶体管T1和第二晶体管T2中。缓冲层BF可以被设置为单层结构或具有两层或更多层的多层结构。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，各个层可以由相同材料或不同材料形成。根据基底SUB的材料或工艺条件，可以省略缓冲层BFL。

第一晶体管T1可以是电连接到设置在显示元件层DPL中的发光元件LD中的一些以驱动对应的发光元件LD的驱动晶体管。第二晶体管T2可以是被构造为开关第一晶体管T1的开关晶体管。

第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个可以包括半导体层SCL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。

半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。半导体层SCL可以包括与漏电极DE接触的第一区域和与源电极SE接触的第二区域。第一区域与第二区域之间的区域可以是沟道区。在本公开的实施例中，第一区域可以是源区和漏区中的任意一个区域，第二区域可以是另一个区域。

半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。沟道区可以是作为未掺杂的半导体图案的本征半导体。第一区域和第二区域中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。

栅电极GE可以设置在半导体层SCL上且栅极绝缘层GI置于其间。

漏电极DE和源电极SE可以分别通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的对应的接触孔与半导体层SCL的第一区域和第二区域接触。

驱动电压线DVL可以设置在层间绝缘层ILD上，但是其不限于此。在一些实施例中，驱动电压线DVL可以设置在包括在像素电路层PCL中的绝缘层中的任意一个上。第二驱动电力VSS可以施加到驱动电压线DVL。

钝化层PSV可以包括其中暴露有第一晶体管T1的漏电极DE的第一通孔VH1和其中暴露有驱动电压线DVL的第二通孔VH2。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在彼此间隔开预定距离的位置处设置在钝化层PSV上。如图10中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以包括具有诸如半圆形或半椭圆形的剖面形状的弯曲表面，该弯曲表面的宽度从钝化层PSV的一个表面朝向钝化层PSV的上端减小，但是本公开不限于此。在实施例中，如图11中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有其宽度从钝化层PSV的一个表面朝向其上端减小的梯形剖面。

在剖视图中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状不限于前述示例，并且可以在可以增强从发光元件LD中的每个发射的光的效率的范围内改变。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在钝化层PSV上设置在同一平面上，并且可以具有相同的高度。

第一电极REL1和第二电极REL2可以反射从发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2发射的光以允许其在显示有显示装置的图像的方向(例如，在正面方向)上行进。

第一电极REL1可以设置在第一分隔壁PW1上，第二电极REL2可以设置在第二分隔壁PW2上。第一电极REL1和第二电极REL2中的每个可以具有与对应的分隔壁的形状对应的形状。

第一电极REL1和第二电极REL2可以用作用于使发光元件LD在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的单位发射区域100中对准的对准电极。为此，第一对准电压可以通过第一连接线CNL1施加到第一电极REL1，第二对准电压可以通过第二连接线CNL2施加到第二电极REL2。

如果发光元件LD的对准完成，则可以中断第一对准电压和第二对准电压的供应。

在本公开的实施例中，第一电极REL1可以通过钝化层PSV的第一通孔VH1电连接到第一晶体管T1的漏电极DE。因此，供应到第一晶体管T1的信号可以传输到漏电极DE。

第二电极REL2可以通过钝化层PSV的第二通孔VH2电连接到驱动电压线DVL。因此，驱动电压线DVL的第二驱动电力VSS可以传输到第二电极REL2。

第一电极REL1可以包括第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2且第二电极REL2置于第1-1电极REL1_1与第1-2电极REL1_2之间。第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上从在第一方向DR1上延伸的第一连接线CNL1分叉。

第1-1电极REL1_1、第1-2电极REL1_2和第一连接线CNL1可以一体地设置在像素电路层PCL的钝化层PSV上，并且可以彼此电连接和/或物理连接，但是本公开不限于此。例如，第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2与第一连接线CNL1可以设置在不同的层上，并且可以通过单独的接触单元(例如，接触孔和/或接触电极)彼此电连接。

第二电极REL2可以从第二连接线CNL2分叉，并且可以在第二方向DR2上延伸。第二电极REL2和第二连接线CNL2可以一体地设置在像素电路层PCL的钝化层PSV上，并且可以彼此电连接和/或物理连接，但是本公开不限于此。例如，第二电极REL2和第二连接线CNL2可以设置在不同的层上，并且可以通过单独的接触单元彼此电连接。

设置在第一子像素SP1中的第一连接线CNL1可以与设置在和第一子像素SP1相邻设置的第二子像素SP2中的第一连接线CNL1电分离。此外，设置在第二子像素SP2中的第一连接线CNL1可以与设置在和第二子像素SP2相邻设置的第三子像素SP3中的第一连接线CNL1电分离。

因此，设置在一个子像素中的第一连接线CNL1可以与设置在和所述一个子像素相邻设置的子像素中的第一连接线CNL1电分离。因此，第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个可以单独地驱动。

设置在第一子像素SP1中的第二连接线CNL2可以公共地设置在与第一子像素SP1相邻设置的第二子像素SP2和第三子像素SP3中。换言之，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以共同连接到第二连接线CNL2。

第一绝缘层INS1可以设置在第一电极REL1和第二电极REL2上。第一绝缘层INS1可以包括其中暴露有第一电极REL1的一部分的第一接触孔CH1和其中暴露有第二电极REL2的一部分的第二接触孔CH2。

发光元件LD可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间在第一绝缘层INS1上对准。发光元件LD中的每个可以包括在纵向方向上的第一端部EP1和第二端部EP2。

发光元件LD中的每个可以包括在纵向方向上顺序堆叠的第一导电半导体层11、活性层12、第二导电半导体层13和电极层15。此外，发光元件LD中的每个还可以包括围绕第一导电半导体层11和第二导电半导体层13以及活性层12中的每个的外圆周表面的绝缘膜14。

第二绝缘层INS2可以设置在第一电极REL1和第二电极REL2上。第二绝缘层INS2可以包括其中暴露有第一电极REL1的一部分的第一接触孔CH1和其中暴露有第二电极REL2的一部分的第二接触孔CH2。

第二绝缘层INS2也可以设置在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上。因此，发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2可以暴露于外部。为了方便的目的，形成在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上的第二绝缘层INS2将被称为绝缘图案INSP。

第一接触电极CNE1可以设置在第一电极REL1上，以使第一电极REL1与发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2中的任意一个端部电连接和/或物理连接。第一接触电极CNE1可以通过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第一接触孔CH1电连接到第一电极REL1。

第一电极REL1可以通过第一接触电极CNE1电连接到发光元件LD中的每个的一个端部。因此，晶体管的传输到第一电极REL1的信号可以传输到发光元件LD中的每个的一个端部。

第二接触电极CNE2可以设置在第二电极REL2上，以使第二电极REL2与发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2中的任意一个端部电连接和/或物理连接。第二接触电极CNE2可以通过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第二接触孔CH2电连接到第二电极REL2。

第二电极REL2可以通过第二接触电极CNE2电连接到发光元件LD中的每个的另一端部。因此，传输到第二电极REL2的第二驱动电力VSS可以传输到发光元件LD中的每个的另一端部。

第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一平面上，并且可以在彼此间隔开预定距离d的位置处设置在绝缘图案INSP上，使得第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2能够彼此电分离。在本公开的实施例中，第一接触电极CNE1可以与绝缘图案INSP的第一侧叠置，第二接触电极CNE2可以与绝缘图案INSP的第二侧叠置。因此，绝缘图案INSP的上表面的一部分可以暴露于外部。

由无机材料形成的钝化图案PSP可以分别设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上。

钝化图案PSP可以分别防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2暴露于外部，从而防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2被腐蚀。钝化图案PSP可以分别防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2由于在形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的工艺期间引起的缺陷等而不期望地短路。

在平面图中，钝化图案PSP可以与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个叠置。与第一接触电极CNE1叠置的钝化图案(在下文中称为‘第一钝化图案’)PSP和与第二接触电极CNE2叠置的钝化图案(在下文中称为‘第二钝化图案’)PSP可以彼此间隔开预定距离。第一钝化图案PSP和第二钝化图案PSP之间的距离可以与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2之间的距离d相同或者比第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2之间的距离d大。

第三绝缘层INS3可以设置在绝缘图案INSP的上表面的暴露部分、第一钝化图案PSP和第二钝化图案PSP上。外涂层OC可以设置在第三绝缘层INS3上。

如上所述，如果将预定电压施加到发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2，则发光元件LD中的每个可以通过电子-空穴对在发光元件LD的活性层12中的结合来发光。从发光元件LD中的每个的相对端部EP1和EP2发射的光可以移动到第一电极REL1和第二电极REL2，然后可以在正面方向上反射。因此，显示装置可以显示与光对应的图像。

如上所述，在根据本公开的实施例的显示装置中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以通过单个工艺形成，从而可以简化制造工艺。

此外，在根据本公开的实施例的显示装置中，钝化图案PSP可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个上，使得在形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的工艺期间引起的缺陷可以最小化。

根据本公开的实施例的显示装置可以应用在各种电子装置中。例如，显示装置可以应用于电视、笔记本计算机、移动电话、智能电话、智能板、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、导航装置、诸如智能手表的各种可穿戴装置等。

虽然上面已经描述了各种示例性实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。

因此，在本说明书中公开的实施例仅用于说明的目的，而不是限制本公开的技术精神。本公开的范围必须由所附权利要求限定。