有机化合物、以及包含其的有机发光二极管和有机发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年11月21日在韩国提交的韩国专利申请10-2019-0150263号和2020年9月8日在韩国提交的韩国专利申请10-2020-0114592号的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种有机化合物，更具体地涉及一种具有高发光效率的有机化合物，以及包含该有机化合物的有机发光二极管和有机发光显示(OLED)装置。

背景技术

近来，对于占用面积小的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包含有机发光二极管的OLED装置的技术迅速发展。

有机发光二极管通过将来自阴极(作为电子注入电极)的电子和来自阳极(作为空穴注入电极)的空穴注入有机发光层中，将电子与空穴结合，产生激子，并使将激子从激发态转变为基态。可以使用柔性的透明基板(例如塑料基板)作为形成元件的基础基板。此外，有机发光二极管可以在比运行其他显示装置所需的电压更低的电压(例如，10V以下)运行，并且功耗低。此外，有机发光二极管发出的光具有出色的色纯度。

有机发光二极管通过将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入到发光材料层中，将电子与空穴结合，产生激子，并使将激子从激发态转变为基态。

用于发光材料层的材料可以分类为荧光材料、磷光材料和延迟荧光材料。

在荧光材料中，仅单线态激子参与发光，使得现有技术的荧光材料具有低发光效率。

在磷光材料中，单线态激子和三线态激子都参与发光，使得磷光材料比荧光材料具有更高的发光效率。然而，由于磷光材料包含稀土金属，例如铱(Ir)，所以磷光材料非常昂贵。另外，现有技术的磷光材料不足以发出蓝色光。

发明内容

本发明涉及基本上消除了与现有技术的局限和缺点有关的一个或多个问题的有机化合物、有机发光二极管和OLED装置。

在下面的描述中阐述了本发明的其他特征和优点，其将从描述中变得显而易见，或者通过实践本发明而明白。通过本文以及附图中所描述的特征来实现和获得本发明的目的和其他优点。

为了实现与本发明的实施方式的目的一致的这些和其他优点，如本文所述，本发明的一个方面是下式的有机化合物：

其中，R

本发明的另一方面是一种有机发光二极管，其包含：第一电极；面对第一电极的第二电极；和位于第一电极和第二电极之间第一发光材料层，并包含下式的有机化合物：

其中，R

本发明的另一方面是一种有机发光显示装置，其包含：基板；设置在所述基板上面或上方的有机发光二极管，该有机发光二极管包含：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；位于第一电极和第二电极之间的发光材料层；以及包封所述有机发光二极管的封装膜，其中，所述发光材料层包含下式的有机化合物：

其中，R

应当理解，前文的一般性描述和下文的详细描述均为示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

包含附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明的第一实施方式的OLED装置的示意性截面图。

图2是根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

图3是根据本发明的第三实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

图4是根据本发明的第四实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

图5是根据本发明的第五实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

图6是根据本发明的第六实施方式的OLED装置的示意性截面图。

图7是根据本发明的第七实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

图8是根据本发明的第八实施方式的OLED装置的示意性截面图。

图9是根据本发明的第九实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

图10是根据本发明的第十实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

具体实施方式

现在将详细参照在附图中示出的一些实例和优选实施方式。

图1是本发明的第一实施方式的OLED装置的示意性截面图。

如图1所示，OLED装置100包含基板110、TFT Tr和连接至TFT Tr的有机发光二极管D。

基板110可以是玻璃基板或塑料基板。例如，基板110可以是聚酰亚胺基板。

缓冲层120形成在基板上，并且在缓冲层120上形成TFT Tr。可以省略缓冲层120。

半导体层122形成在缓冲层120上。半导体层122可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。

当半导体层122包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层122下方形成遮光图案(未示出)。到半导体层122的光被遮光图案遮挡或阻挡，从而可以防止半导体层122的热降解。另一方面，当半导体层122包含多晶硅时，可以将杂质掺杂到半导体层122的两侧。

在半导体层122上形成栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由诸如二氧化硅或氮化硅等无机绝缘材料形成。

由导电材料(例如金属)形成的栅极130形成在栅极绝缘层124上，对应于半导体层122的中心。

在图1中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。作为另选，可以将栅极绝缘层124图案化以具有与栅极130相同的形状。

由绝缘材料形成的层间绝缘层132形成在栅极130上。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如二氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光亚克力(photo-acryl))形成。

层间绝缘层132包含露出半导体层122的两侧的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅极130的两侧并与栅极130隔开。

第一接触孔134和和第二接触孔136穿过栅极绝缘层124形成。作为另选，当将栅极绝缘层124图案化为具有与栅极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136被形成为仅穿过层间绝缘层132。

由诸如金属等导电材料形成的源极140和漏极142形成在层间绝缘层132上。

源极140和漏极142相对于栅极130彼此隔开，并且分别通过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层122的两侧。

半导体层122、栅极130、源极140和漏极142构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。

在TFT Tr中，栅极130、源极140和漏极142位于半导体层122上方。即，TFT Tr具有共面结构。

作为另选，在TFT Tr中，栅极可以位于半导体层下方，并且源极和漏极可以位于半导体层上方，使得TFT Tr可以具有倒置交错结构。在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。

尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以界定像素区，并且开关TFT形成为连接到栅极线和数据线。开关TFT连接到作为驱动元件的TFT Tr。

另外，可以进一步形成电源线(其可以形成为与栅极线和数据线之一平行并且隔开)以及用于在一帧中保持TFT Tr的栅极的电压的存储电容器。

形成钝化层150覆盖TFT Tr，钝化层150包含暴露出TFT Tr的漏极142的漏极接触孔152。

分别在各个像素区中形成第一电极160，其通过漏极接触孔152连接TFT Tr的漏极142。第一电极160可以是阳极，并且可以由具有相对较高功函数的导电材料形成。例如，第一电极160可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导电材料形成。

当OLED装置100以底部发射型运行时，第一电极160可以具有透明导电材料层的单层结构。当OLED装置100以顶发射型运行时，可以在第一电极160下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极160可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。

在钝化层150上形成堤层166以覆盖第一电极160的边缘。即，堤层166位于像素区的边界处并且露出像素区中第一电极160的中心。

在第一电极160上形成有机发光层162。有机发光层162包含本发明的有机化合物。本发明的有机化合物用作掺杂剂，并且有机发光层162还可包含主体。例如，本发明的有机化合物作为掺杂剂可以相对于主体以约0.1重量％至10重量％掺杂。有机发光层162可以进一步包含延迟荧光化合物作为另一种掺杂剂。在此情况下，相对于主体，本发明的有机化合物和延迟荧光化合物的总量可以为约10.1重量％至60重量％。有机发光层162提供蓝色发光。

有机发光层162可以具有包含本发明的有机化合物的发光材料层(EML)的单层结构。为了提高OLED装置的发光效率，有机发光层162可以具有多层结构。

第二电极164形成在其中形成有机发光层162的基板110上方。第二电极164覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对较低功函数的导电材料形成以充当阴极。例如，第二电极164可以由铝(Al)、镁(Mg)或Al-Mg合金形成。在顶部发射型OLED装置100中，第二电极164可以具有薄的轮廓(小的厚度)以提供光透射性质(或半透射性质)。第一电极160、有机发光层162和第二电极164构成有机发光二极管D。

封装膜170形成在第二电极164上，以防止湿气渗透到有机发光二极管D中。封装膜170包含依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。

OLED装置100可以进一步包括用于减少环境光反射的偏光板(未示出)。例如，偏光板可以是圆偏光板。在底部发射型OLED装置100中，偏振板可以设置在基板110下方。在顶部发射型OLED装置100中，偏振板可以设置在封装膜170上或上方。

另外，覆盖窗(未示出)可以附接到封装膜170或偏光板。在这种情况下，基板110和覆盖窗具有柔性，使得可以提供柔性OLED装置。

图2是根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

如图2所示，有机发光二极管D包含彼此面对的第一电极160和第二电极164，以及在它们之间的有机发光层162。有机发光层162包含位于第一电极160和第二电极164之间的发光材料层(EML)240。

有机发光层162可进一步包含在第一电极160和EML 240之间的空穴输送层(HTL)220，和在第二电极164和EML 240之间的电子输送层(ETL)260。

此外，有机发光层162还可包含在第一电极160和HTL 220之间的空穴注入层(HIL)250，和在第二电极164和ETL 260之间的电子注入层(EIL)270。

此外，有机发光层162还可包含在HTL 220和EML 240之间的电子阻挡层(EBL)230，和在EML 240和ETL 260之间的空穴阻挡层(HBL)230。

(图1的)OLED装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且有机发光二极管D可以位于绿色像素区域中。

有机发光层162，优选EML 240包含式1的有机化合物作为主体，并且还包含掺杂剂。

[式1]

式1中，R

例如R

在本发明中，术语“杂芳环”、“杂环烷基”、“杂芳基”、“杂芳烷基”、“杂芳氧基”、“杂芳氨基”、“亚杂芳基”、“亚杂芳烷基”、“亚杂芳氧基”等中的“杂”是指构成这些芳族或脂环族环的一个或多个碳原子、例如1至5个碳原子被一个或多个选自N、O、S和它们的组合的杂原子取代。

本发明的有机化合物包含具有刚性结构的苝核和与苝核连接(键合或结合)的螺部分，从而提供了高发光效率。例如，该有机化合物可以用作有机发光二极管的EML 240中的荧光掺杂剂。

当EML 240中有机化合物的分子量过大时，有机化合物的升华温度就会升高。通常，采用气相沉积法形成有机发光二极管D的EML 240。使用升华温度高的有机化合物时，升华所发生的温度会损坏有机发光二极管D。这样，EML 240可能无法沉积。另一方面，当施加高温以升华有机化合物时，可能对有机发光二极管D造成损坏。

因此，优选地，在本发明的有机化合物的式1中，R

优选地，本发明的有机化合物可以由式2-1至2-3之一表示。

[式2-1]

[式2-2]

[式2-3]

在式2-1至2-3中，R

例如，R

例如，本发明的有机化合物可以是式3化合物中的一个。

[式3]

[有机化合物的合成]

1.化合物1-1的合成

(1)化合物A-1

[反应式1-1]

在双颈烧瓶(500ml)中，将3,9-二溴苝(8.0g，19.51mmol)、双联频哪醇基二硼(24.77g，97.54mmol)、Pd

(2)化合物A-2

[反应式1-2]

在双颈烧瓶(500ml)中，将化合物A-1(5.00g，9.92mmol)、1-溴-2-碘苯(6.17g，21.82mmol)、K

(3)化合物1-1

[反应式1-3]

在双颈烧瓶(250ml)中，将化合物A-2(3.00g，5.34mmol)溶于THF(100ml)。将混合物冷却至-78℃，并缓慢加入正丁基锂(在己烷中为2.5M，4.70mL，11.74mmol)。2小时后，将9H-芴-9-酮(2.12g，11.74mmol)添加到混合物中。3小时后，通过加入蒸馏水完成反应，并用MC萃取混合物。将混合物中的水用MgSO

2.化合物1-22的合成

(1)化合物B-1

[反应式2-1]

在双颈烧瓶(500ml)中，将化合物A-1(5.00g，9.92mmol)、2-溴-4-氯-1-碘苯(6.92g，21.82mmol)、K

(2)化合物B-2

[反应式2-2]

在双颈烧瓶(250ml)中，将化合物B-1(2.00g，3.17mmol)溶于THF(100ml)。将混合物冷却至-78℃，并缓慢加入正丁基锂(在己烷中为2.5M，2.79mL，6.97mmol)。2小时后，将9H-芴-9-酮(1.26g，6.97mmol)添加到混合物中。3小时后，通过加入蒸馏水完成反应，并用MC萃取混合物。将混合物中的水用MgSO

(3)化合物1-22

[反应式2-3]

在双颈烧瓶(500ml)中，将化合物B-2((0.70g，0.88mmol)、叔丁基硼酸(0.21g，2.02mmol)、K

3.化合物1-30的合成

(1)化合物C-1

[反应式3-1]

在双颈烧瓶(500ml)中，将化合物A-2(5.00g，8.89mmol)溶于THF(150ml)。将混合物冷却至-78℃，并缓慢加入正丁基锂(在己烷中为2.5M，7.83mL，19.56mmol)。2小时后，将2-溴-9H-芴-9-酮(5.07g，19.56mmol)添加到混合物中。3小时后，通过加入蒸馏水完成反应，并用MC萃取混合物。将混合物中的水用MgSO

(2)化合物1-30

[反应式3-2]

在双颈烧瓶(250ml)中，将化合物C-1(2.00g，2.26mmol)、叔丁基硼酸(0.53g，5.19mmol)、K

4.化合物1-34的合成

[反应式4]

在双颈烧瓶(250ml)中，将化合物C-1(2.00g，2.26mmol)、二苯并[b,d]呋喃-4-基硼酸(1.10g，5.19mmol)、K

EML 240可以进一步包含主体。即，本发明的有机化合物用作掺杂剂，并且在EML240中可以具有约0.1至10的重量百分比。

例如，该主体可以是式4的化合物中的一个。

[式4]

EML 240可以进一步包含延迟荧光化合物。在EML 240中，本发明的有机化合物用作第一掺杂剂(荧光掺杂剂)，而延迟荧光化合物用作第二掺杂剂(延迟荧光掺杂剂)。在EML240中，本发明的有机化合物和延迟荧光化合物的重量％总和可以为约10.1至60重量％。

例如，作为第二掺杂剂的延迟荧光化合物可以是式5的化合物中的一个。

[式5]

延迟荧光掺杂剂的重量比可以大于荧光掺杂剂的重量比。

在延迟荧光化合物中，三线态能量与单线态能量之差小于0.3eV，从而通过反向系间窜越(RISC)效应将的三线态能量转换为单线态能量。即，在延迟荧光化合物中，三线态激子被电场或热激活，并向上转化为单线态激子。结果，延迟荧光化合物的单线态激子和三线态激子参与了发光。

当EML 240包含主体，本发明的有机化合物作为荧光掺杂剂和延迟荧光掺杂剂时，主体的激子被转移到延迟荧光掺杂剂中，使得由延迟荧光掺杂剂发生发光。从延迟荧光掺杂剂发出的光被荧光掺杂剂吸收。即，荧光掺杂剂的主吸收波长范围可以与延迟荧光掺杂剂的主发光波长范围部分或完全重叠。因此，最终从荧光掺杂剂产生发光。

即，由于延迟荧光化合物的单线态激子和三线态激子同时参与发光，因此改善了有机发光二极管的发光效率。此外，由于荧光掺杂剂通过吸收来自延迟荧光掺杂剂的光而发光，因此EML 240发出的光的色纯度得到改善。

延迟荧光掺杂剂的单线态能量大于(高于)荧光掺杂剂的单线态能量。主体的单线态能量大于延迟荧光掺杂剂的单线态能量。延迟荧光掺杂剂的三线态能量小于主体的三线态能量，并大于荧光掺杂剂的三线态能量。

[有机发光二极管]

在阳极(ITO)上，依次堆叠HIL(HATCN(式6)，7nm)、HTL(NPB(式7)，55nm)、EBL(m-CBP(式8)，10nm)、EML(35nm)、HBL(B3PYMPM(式9，10nm)、ETL(TPBi(式10)，20nm)、EIL(LiF)和阴极(Al)。

[式6]

[式7]

[式8]

[式9]

[式10]

(1)比较例1(Ref1)

式4的化合物H1(65wt％)和式5的化合物T1(35wt％)分别用作主体和延迟荧光掺杂剂，以形成EML。

(2)比较例2(Ref2)

式4的化合物H1(64.5wt％)、式5的化合物T1(35wt％)和式11的化合物(0.5wt％)分别用作主体、延迟荧光掺杂剂和荧光掺杂剂以形成EML。

(3)实施例1(Ex1)

式4的化合物H1(64.5wt％)、式5的化合物T1(35wt％)和式3的化合物1-1(0.5wt％)分别用作主体、延迟荧光掺杂剂和荧光掺杂剂，以形成EML。

(4)实施例2(Ex2)

式4的化合物H1(64.5wt％)、式5的化合物T1(35wt％)和式3的化合物1-22(0.5wt％)分别用作主体、延迟荧光掺杂剂和荧光掺杂剂，以形成EML。

(5)实施例3(Ex3)

式4的化合物H1(64.5wt％)、式5的化合物T1(35wt％)和式3的化合物1-30(0.5wt％)分别用作主体、延迟荧光掺杂剂和荧光掺杂剂，以形成EML。

(6)实施例4(Ex4)

式4的化合物H1(64.5wt％)、式5的化合物T1(35wt％)和式3的化合物1-34(0.5wt％)分别用作主体、延迟荧光掺杂剂和荧光掺杂剂，以形成EML。

[式11]

Ref1、Ref2和Ex1至Ex4的有机发光二极管的性质，即，电流效率(cd/A)、功率效率(lm/W)、外部量子效率(EQE)、CIE色坐标指数和最大发光波长((ELλmax)经测定并列于表1。

表1

如表1所示，每一个均包含延迟荧光掺杂剂和本发明的有机化合物作为荧光掺杂剂的Ex1至Ex4的有机发光二极管的发光效率显著改善。特别地，与包含延迟荧光掺杂剂但没有荧光掺杂剂的Ref1的有机发光二极管相比，Ex1至Ex4的有机发光二极管的EQE最大增加了26.1％。与包含延迟荧光掺杂剂和式11的荧光掺杂剂的Ref2的有机发光二极管相比，Ex1至Ex4的有机发光二极管的EQE最大增加了155.4％。

与Ref2的有机发光二极管相比，Ex1至Ex4的有机发光二极管的电流效率和功率效率得到了显著改善。Ex1至Ex4的有机发光二极管的电流效率和功率效率与Ref1的有机发光二极管的那些相比具有相同或改善的结果。

与包含延迟荧光掺杂剂但没有荧光掺杂剂的Ref1的有机发光二极管相比，包含延迟荧光掺杂剂和式11的荧光掺杂剂的Ref2的有机发光二极管发光效率显著降低。在具有延迟荧光掺杂剂和荧光掺杂剂的发光系统中，延迟荧光掺杂剂的单线态能量和三线态能量应分别大于荧光掺杂剂的单线态能量和三线态能量，以提供高发光效率。但是，Ref2的有机发光二极管中的荧光掺杂剂和延迟荧光掺杂剂不满足上述条件。

即，在具有延迟荧光掺杂剂和荧光掺杂剂的发光系统中，能量从主体转移到延迟荧光掺杂剂，并且延迟荧光掺杂剂三线态能量向上转换为延迟荧光掺杂剂的单线态能量。在这种情况下，有机发光二极管的量子效率提高。但是，在Ref2的有机发光二极管中，从延迟荧光掺杂剂到式11的荧光掺杂剂的能量转移困难，发光效率降低。

在包含本发明的有机化合物的有机发光二极管中，有效发生了从延迟荧光掺杂剂到荧光掺杂剂的能量转移，从而提高了发光效率。

因此，提供了包含本发明的有机化合物并且具有高发光效率的有机发光二极管。所述有机发光二极管可以用于OLED装置或发光装置。

图3是根据本发明的第三实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

如图3所示，有机发光二极管D包含彼此面对的第一电极160和第二电极164，以及它们之间的有机发光层162。有机发光层162包含EML 340，该EML340包含第一层342和第二层344，并定位在第一电极160和第二电极164之间。

有机发光层162可以进一步包含在第一电极160和EML 340之间的HTL320，以及在第二电极164和EML 340之间的ETL 360。

另外，有机发光层162可以进一步包含在第一电极160和HTL 320之间的HIL 310，以及在第二电极164和ETL 360之间的EIL 370。

此外，有机发光层162可以进一步包含在HTL 320和EML 340之间的EBL330，以及在EML 340和ETL 360之间的HBL 350。

(图1的)OLED装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且有机发光二极管D可以位于绿色像素区域中。

例如，HIL 310可以包括选自由组成的组的至少一种化合物：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯基胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-二苯基-4,4”-二胺(NPB；NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三苯基并六甲腈(双吡嗪[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(二苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。

HTL 320可包含选自由以下组成的组的至少一种化合物：N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(TPD)、NPB(NPD)、4,4’-二(N-咔唑基)-1,1’-二苯基(CBP)、聚[N,N’-二(4-丁基苯基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、共聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯基胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯基-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯基-4-胺，但不限于此。

ETL 360可包含基于噁二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并噁唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物和基于三嗪的化合物中的至少一种。例如，ETL 260可包括选自由以下组成的组的至少一种化合物：三-(8-羟基喹啉铝(Alq

EIL 370可以包括碱金属卤化物(例如LiF、CsF、NaF或BaF

设置在HTL 320和EML 340之间以阻止电子从EML 340进入HTL 320的EBL 330可包括至少一种选自由以下组成的组的化合物：TCTA,三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、CuPc、N,N’-[4-[二(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N’-联苯基-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA和2,8-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩)，但不限于此。

设置在EML 340和ETL 360之间以阻止从EML 340到ETL 360的空穴传输的HBL 350可以包括ETL 360的上述材料。例如，HBL 350的材料具有低于EML 240的材料的HOMO能级并且可以是选自由以下组成的组的至少一种化合物：BCP、Balq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、双-4,6-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、氧化双[2-(二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、9-(6-9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-二咔唑和TSPO1，但不限于此。例如在EML 340中，第一层342(例如，第一发光材料层或下部发射材料层)和第二层344(例如，第二发光材料层或上部发射材料层)中的一个可包含本发明的有机化合物作为第一掺杂剂(荧光掺杂剂)和第一主体，并且第一层342和第二层344中的另一个可包含延迟荧光化合物作为第二掺杂剂(延迟荧光掺杂剂)和第二主体。另外，包含本发明有机化合物的第一层342和第二层344中的一个可以进一步包含延迟荧光化合物作为第三掺杂剂。

作为延迟荧光化合物的第二掺杂剂和第三掺杂剂各自选自式5中的化合物。第二掺杂剂和第三掺杂剂可以相同或不同。

第一主体和第二主体的每一个可以选自式4的化合物，但不限于此。第一主体和第二主体可以相同或不同。

将阐释其中第一层342包含荧光掺杂剂和第一主体的有机发光二极管。

在第一层342中可具有约0.1至10重量％的荧光掺杂剂，并且在第二层344中可具有约10至50重量％的延迟荧光掺杂剂。

在有机发光二极管D中，来自在第二层344中的具有高量子效率的延迟荧光掺杂剂的光被第一层342中的荧光掺杂剂吸收。然后，第一层342中的荧光掺杂剂提供光发光。

因此，有机发光二极管D具有高发光效率和优异的色纯度。

例如，第一层342的第一主体可以与EBL 330的材料相同。在这种情况下，第一层342可以具有电子阻挡功能以及发光功能。即，第一层342可以充当用于阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 330时，第一层342充当发光层和电子阻挡层。

当第一层342包含延迟荧光掺杂剂并且第二层344包含本发明有机化合物的荧光掺杂剂时，第二层344中的第二主体可以与HBL 350的材料相同。在这种情况下，第二层344可以具有空穴阻挡功能以及发光功能。即，第二层344可以充当用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 350时，第二层344充当发光层和空穴阻挡层。

图4是根据本发明的第四实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

如图4所示，有机发光二极管D包含彼此面对的第一电极160和第二电极164，以及它们之间的有机发光层162。有机发光层162包含EML 440，该EML 440包含第一层442、第二层444和第三层446，并定位在第一电极160和第二电极164之间。

有机发光层162可以进一步包含在第一电极160和EML 440之间的HTL 420，以及在第二电极164和EML 440之间的ETL 460。

另外，有机发光层162可以进一步包含在第一电极160和HTL 420之间的HIL 410，以及在第二电极164和ETL 460之间的EIL 470。

此外，有机发光层162可以进一步包含在HTL 420和EML440之间的EBL430，以及在EML 440和ETL 460之间的HBL 450。

(图1的)OLED装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且有机发光二极管D可以位于绿色像素区域中。

在EML 440中，第一层442(中间发射材料层)位于第二层444(下部发射材料层)和第三层446(上部发射材料层)之间。即，第二层444位于EBL 430和第一层442之间，并且第三层446位于第一层442和HBL 450之间。

第一层442(例如，第一发光材料层)可以包含延迟荧光化合物作为第一掺杂剂(延迟荧光掺杂剂)和第一主体，并且第二层344(例如，第二发光材料层)可以包含本发明的有机化合物作为第二掺杂剂(第一荧光掺杂剂)和第二主体。第三层446(例如，第三发光材料层)可以包含本发明的有机化合物作为第三掺杂剂(第二荧光掺杂剂)和第三主体。即，第一层442包含延迟荧光掺杂剂，并且在第一层442的两侧的第二层444和第三层446中的每一个包含荧光掺杂剂。

第二层444和第三层446中的每一个可以进一步包含延迟荧光化合物作为第四掺杂剂和第五掺杂剂。

第二掺杂剂和第三掺杂剂可以相同或不同。作为第一、第四和第五掺杂剂的延迟荧光化合物选自式5的化合物，并且可以相同或不同。

第一主体至第三主体中的每一个可以选自式4的化合物，但不限于此。第一主体至第三主体可以相同或不同。

在第一层442中可具有约10至50重量％的延迟荧光掺杂剂，并且在第二层444和第三层446中可分别具有约0.1至10重量％的第一荧光掺杂剂和第二荧光掺杂剂。

在有机发光二极管D中，来自在第一层444中具有高量子效率的延迟荧光掺杂剂的光被第二层444和第三层446中的第一荧光掺杂剂和第二荧光掺杂剂吸收。然后，第二层444和第三层446中的第一荧光掺杂剂和第二荧光掺杂剂提供发光。

因此，有机发光二极管D具有高发光效率和优异的色纯度。

例如，第二层444中的第二主体可以与EBL 430的材料相同。在这种情况下，第二层444可以具有电子阻挡功能以及发光功能。即，第二层444可以充当用于阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 430时，第二层444充当发光层和电子阻挡层。

第三层446中的第三主体可以与HBL 450的材料相同。在这种情况下，第三层446可以具有空穴阻挡功能以及发光功能。即，第三层446可以充当用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 450时，第三层446充当发光层和空穴阻挡层。

第二层444中的第二主体可以与EBL 430的材料相同，并且第三层446中的第三主体可以与HBL 450的材料相同。在这种情况下，第二层444可以具有电子阻挡功能以及发光功能，并且第三层446可以具有空穴阻挡功能以及发光功能。即，第二层444可以充当用于阻挡电子的缓冲层，并且第三层446可以充当用于阻挡空穴的缓冲层。当省略EBL 430和HBL450时，第二层444充当发光层和电子阻挡层，并且第三层446充当发光层和空穴阻挡层。

图5是根据本发明的第五实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

如图5所示，机发光二极管D包括彼此面向对方的第一电极160和第二电极164，以及位于其间的有机发光层162。(图1的)OLED装置100可包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，有机发光二极管D可位于绿色像素区中。

第一电极160可以是阳极，第二电极164可以是阴极。

有机发光层162包括第一发射部540(包括第一EML 550)和第二发射部560(包括第二EML 570)。另外，有机发光层162还可包括位于第一发射部540和第二发射部560之间的电荷产生层(CGL)580。

CGL 580位于第一发射部540和第二发射部560之间，从而第一发射部540、CGL 580和第二发射部560依次堆叠在第一电极160上。即，第一发射部540位于第一电极160和CGL580之间，第二发射部560位于第二电极530和CGL 580之间。

第一发射部540包括第一EML 550。

另外，第一发射部540还可包括第一电极160与第一EML 550之间的第一HTL 540b、第一电极160与第一HTL 540b之间的HIL 540a和第一EML 550与CGL 580之间的第一ETL540e中的至少一个。

此外，第一发射部540还可包括第一HTL 540b与第一EML 550之间的第一EBL 540c和第一EML 550与第一ETL 540e之间的第一HBL 540d中的至少一个。

第二发射部560包括第二EML 570。

另外，第二发射部560还可包括CGL 580与第二EML 570之间的第二HTL 560a、第二EML 570与第二电极164之间的第二ETL 560d和第二ETL 560d与第二电极164之间的EIL560e中的至少一个。

此外，第二发射部560还可包括第二HTL 560a与第二EML 570之间的第二EBL 560b和第二EML 570与第二ETL 560d之间的第二HBL 560c中的至少一个。

CGL 580位于第一发射部540与第二发射部560之间。即，第一发射部540和第二发射部560通过CGL 580相互连接。CGL 580可以是N型CGL 582和P型CGL 584的P-N结型CGL。

N型CGL 582位于第一ETL 540e和第二HTL 560a之间，P型CGL 584位于N型CGL 582和第二HTL 560a之间。N型CGL 582向第一发射部540的第一EML 550提供电子，而P型CGL584向第二发射部560的第二EML 570提供空穴。

第一EML 550和第二EML 570是绿色EML。第一EML 550和第二EML 570中的至少一个包含式1的有机化合物。例如，第一EML 550可包含式1的有机化合物。第一EML 550还可包含主体。例如，主体可以是式3的化合物中的一种。在第一EML550中，有机化合物充当掺杂剂(发射剂)并且具有约0.1至10重量％。

另外，第一EML550可还包含延迟荧光化合物。例如，延迟荧光化合物可以是式5的化合物中的一种。

第二EML 570可包含式1的有机化合物。即，第二EML 570可具有与第一EML 550相同的有机化合物。作为另选，第二EML 570可包含与第一EML 550中的有机化合物不同的化合物，以使第一EML 550和第二EML 570具有不同的发光波长或发射效率。

图6是根据本发明的第六实施方式的有OLED装置的示意性截面图。

如图6所示，OLED装置1000包括其中界定有第一至第三像素区P1、P2和P3的基板1010、基板1010上的TFT Tr以及有机发光二极管D。有机发光二极管D布置在TFT Tr上并与TFT Tr连接。例如，第一至第三像素区P1、P2和P3可分别是绿色像素区、红色像素区和蓝色像素区。

基板1010可以是玻璃基板或塑料基板。例如，基板1010可以是聚酰亚胺基板。

在基板1010上形成缓冲层1012，在缓冲层1012上形成TFT Tr。可以省略缓冲层1012。

如图1所示，TFT Tr可包括半导体层、栅极、源极和漏极，并可以用作驱动元件。

在TFT Tr上形成平坦化层(或钝化层)。平坦化层1050具有平坦的顶面，并包括露出TFT Tr的漏极的漏极接触孔1052。

有机发光二极管D布置在平坦化层1050上并包括第一电极1060、有机发光层1062和第二电极1064。第一电极1060与TFT Tr的漏极连接，有机发光层1062和第二电极1064依次堆叠在第一电极1060上。有机发光二极管D被布置在第一至第三像素区P1至P3的各区域中并在第一至第三像素区P1至P3中发射不同颜色的光。例如，第一像素区P1中的有机发光二极管D可发射绿光，第二像素区P2中的有机发光二极管D可发射红光，第三像素区P3中的有机发光二极管D可发射蓝光。

第一电极1060在第一至第三像素区P1至P3中隔开形成，第二电极1064形成为一体以覆盖第一至第三像素区P1至P3。

第一电极1060是阳极和阴极中的一个，第二电极1064是阳极和阴极中的另一个。另外，第一电极1060和第二电极1064中的一个可以是光透射电极(或半透射电极)，第一电极1060和第二电极1064中的另一个可以是反射电极。

例如，第一电极1060可以是阳极，并且可以包括由具有相对较高功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1064可以是阴极，并且可以包括由具有相对较低功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1060的透明导电氧化物材料层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌合金(Al:ZnO)中的至少一种，第二电极1064可包括Al、Mg、Ca、Ag、它们的合金(例如Mg-Ag合金)或它们的组合。

在底发射型OLED装置1000中，第一电极1060可具有单层结构的透明导电氧化物材料层。

另一方面，在顶发射型OLED装置1000中，在第一电极1060下可形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可由Ag或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极1060可具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。另外，第二电极1064可能具有薄外形(小厚度)以提供光透射性(或半透射性)。

在平坦化层1050上形成堤层1066以覆盖第一电极1060的边缘。即，堤层1066位于第一至第三像素区P1至P3的边界处，并在第一至第三像素区P1至P3中露出第一电极1060的中心。

在第一电极1060上形成作为发射单元的有机发光层1062。有机发光层1062可具有单层结构的EML。作为另选，有机发光层1062还可包括HIL、HTL、EBL(依次堆叠在第一电极1060与EML之间)、HBL、ETL和EIL(依次堆叠在EML与第二电极1064之间)中的至少一个。

如上所述，在作为绿色像素区的第一像素区P1中，有机发光层1062的EML包含式1的有机化合物。另外，有机发光层1062的EML可以还包含主体。另外，有机发光层1062的EML可以还包含延迟荧光化合物。在此情况下，主体可以是式4的化合物，并且延迟荧光化合物可以是式5的化合物。

在第二电极1064上形成封装膜1070以防止湿气渗入有机发光二极管D。封装膜1070可具有包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层的三层结构，但不限于此。

OLED装置1000还可包括偏光板(未示出)以减少环境光反射。例如，偏光板可以是圆偏光板。在底发射型OLED装置1000中，偏光板可布置在基板1010下方。在顶发射型OLED装置1000中，偏光板可布置在封装膜1070上或上方。

图7是根据本发明的第七实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

如图7所示，有机发光二极管D位于第一至第三像素区P1至P3的每一个中，并包括彼此相对的第一电极1060和第二电极1064，以及其间的有机发光层1062。有机发光层1062包括EML 1092。

第一电极1060可以是阳极，第二电极1064可以是阴极。例如，第一电极1060可以是反射电极，并且第二电极1064可以是透射电极(或半透射电极)。

有机发光层1062还可包括第一电极1060和EML 1090之间的HTL 1082，以及EML1090和第二电极1064之间的ETL 1094。

另外，有机发光层1062还可包括第一电极1060和HTL 1082之间的HIL 1080，以及ETL 1094和第二电极1064之间的EIL 1096。

此外，有机发光层1062还可包括EML 1090和HTL 1082之间的EBL 1086，以及EML1090和ETL 1094之间的HBL 1092。

此外，有机发光层1062还可包括HTL 1082和EBL 1086之间的辅助HTL 1084。辅助HTL 1084可包括第一像素区P1中的第一辅助HTL 1084a、第二像素区P2中的第二辅助HTL1084b和第三像素区P3中的第三辅助HTL 1084c。

第一辅助HTL 1084a具有第一厚度，第二辅助HTL 1084b具有第二厚度，第三辅助HTL 1084c具有第三厚度。第一厚度小于第二厚度且大于第三厚度，以使有机发光二极管D提供微腔结构。

即，通过具有不同厚度的第一至第三辅助HTL 1084a、1084b和1084c，第一像素区P1(其中发射第一波长范围的光，例如绿光)中的第一电极1060和第二电极1064之间的距离小于第二像素区P2(其中发射大于第一波长范围的第二波长范围的光，例如红光)中的第一电极1060和第二电极1064之间的距离，并且大于第三像素区P3(其中发射小于第一波长范围的第三波长范围的光，例如蓝光)中的第一电极1060和第二电极1064之间的距离。因此，提高了有机发光二极管D的发射效率。

在图7中，在第三像素区P3中形成第三辅助HTL 1084c。作为另选，可以在没有第三辅助HTL 1084c的情况下提供微腔结构。

在第二电极1084上可进一步形成用于改进光提取特性的覆盖层(未示出)。

EML 1090包括第一像素区P1中的第一EML 1090a、第二像素区P2中的第二EML1090b和第三像素区P3中的第三EML 1090c。第一至第三EML 1090a、1090b和1090c可分别为绿色EML、红色EML和蓝色EML。

第一像素区P1中的第一EML 1090a包含式1的有机化合物。另外，第一EML 1090a还可包含主体。主体可以是式4的化合物。在第一EML 1090a中，有机化合物可以充当掺杂剂，并且可以具有约0.1至10重量％。

此外，第一EML 1090a可以还包含延迟荧光化合物。延迟荧光化合物可以是式5的化合物。

第二像素区P2中的EML 1090b和第三像素区P3中的EML 1090c各自可包含主体和掺杂剂。例如，在第二像素区P2中的EML 1090b和第三像素区P3中的EML 1090c中的每一个中，掺杂剂可包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。

图7中的有机发光二极管D分别在第一至第三像素区P1至P3中发射绿光、红光和蓝光，以使(图6的)OLED装置1000可提供全色图像。

OLED装置1000还可包括与第一至第三像素区P1到P3相对应的滤色层，以提高色纯度。例如，滤色层可包括与第一像素区P1相对应的第一滤色层(例如绿色滤色层)，与第二像素区P2相对应的第二滤色层(例如红色滤色层)，以及与第三像素区P3相对应的第三滤色层(例如蓝色滤色层)。

在底发射型OLED装置1000中，滤色层可以布置在有机发光二极管D和基板1010之间。另一方面，在顶发射型OLED装置1000中，滤色层可以布置在有机发光二极管D上或上方。

图8是根据本发明的第八实施方式的OLED装置的示意性截面图。

如图8所示，OLED装置1100包括其中界定有第一至第三像素区P1、P2和P3的基板1110、基板1010上的TFT Tr、布置在TFT Tr上并与TFT Tr连接的有机发光二极管D和对应于第一至第三像素区P1至P3的滤色层1120。例如，第一至第三像素区P1、P2和P3可以分别是绿色像素区、红色像素区和蓝色像素区。

基板1110可以是玻璃基板或塑料基板。例如，基板1110可以是聚酰亚胺基板。

在基板1110上形成TFT Tr。作为另选，在基板1110上可以形成缓冲层(未示出)，在缓冲层上可以形成TFT Tr。

如图1所示，TFT Tr可包括半导体层、栅极、源极和漏极，并可以用作驱动元件。

另外，滤色层1120布置在基板1110上。例如，滤色层1120可包括与第一像素区P1相对应的第一滤色层1122、与第二像素区P2相对应的第二滤色层1124和与第三像素区P3相对应的第三滤色层1126。第一至第三滤色层1122、1124和1126可分别为绿色滤色层、红色滤色层和蓝色滤色层。例如，第一滤色层1122可包含绿色染料和绿色颜料中的至少一种，第二滤色层1124可包含红色染料和红色颜料中的至少一种。第三滤色层1126可包含蓝色染料和蓝色颜料中的至少一种。

在TFT Tr和滤色层1120上形成平坦化层(或钝化层)1150。平坦化层1150具有平坦的顶面，并包括露出TFT Tr的漏极的漏极接触孔1152。

有机发光二极管D布置在平坦化层1150上并对应于滤色层1120。有机发光二极管D包括第一电极1160、有机发光层1162和第二电极1164。第一电极1160与TFT Tr的漏极连接，有机发光层1162和第二电极1164依次堆叠在第一电极1160上。有机发光二极管D在第一至第三像素区P1至P3各自中发射白光。

第一电极1160在第一至第三像素区P1至P3中隔开形成，第二电极1164形成为一体以覆盖第一至第三像素区P1至P3。

第一电极1160是阳极和阴极中的一个，第二电极1164是阳极和阴极中的另一个。另外，第一电极1160可以是光透射电极(或半透射电极)，第二电极1164可以是反射电极。

例如，第一电极1160可以是阳极，并且可以包括由具有相对较高功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1164可以是阴极，并且可以包括由具有相对较低功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1160的透明导电氧化物材料层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌合金(Al:ZnO)中的至少一种，第二电极1164可包括Al、Mg、Ca、Ag、它们的合金(例如Mg-Ag合金)或它们的组合。

在第一电极1160上形成作为发射单元的有机发光层1162。有机发光层1162包括至少两个发射不同颜色的光的发射部。各发射部可具有单层结构的EML。作为另选，各发射部还可包括HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL中的至少一个。另外，有机发光层1162还可包括在发射部之间的电荷产生层(CGL)。

发射部之一的EML包含式1的有机化合物。另外，发射部之一的EML可以还包含主体和延迟荧光化合物中的至少一种。在这种情况下，主体可以是式4的化合物，并且延迟荧光化合物可以是式5的化合物。

在平坦化层1150上形成堤层1166以覆盖第一电极1160的边缘。即，堤层1166位于第一至第三像素区P1至P3的边界处，并在第一至第三像素区P1至P3中露出第一电极1160的中心。如上所述，由于有机发光二极管D在第一至第三像素区P1至P3中发射白光，因此有机发光层1162可以在第一至第三像素区P1至P3中形成为公用层，而无需在第一至第三像素区P1至P3中分离。可以形成堤层1166以防止第一电极1160的边缘处的电流泄漏，也可以省略该层。

尽管未示出，OLED装置1100还可包括在第二电极1164上形成的封装膜以防止湿气渗入有机发光二极管D。另外，OLED装置1100还可包括基板1110下的偏光板以减少环境光反射。

在图8的OLED装置1100中，第一电极1160是透明电极(光透射电极)，第二电极1164是反射电极。另外，在基板1110和有机发光二极管D之间布置滤色层1120。即，OLED装置1100是底发射型。

作为另选，在OLED装置1100中，第一电极1160可以是反射电极，第二电极1154可以是透明电极(或半透明电极)。在这种情况下，滤色层1120位于有机发光二极管D上或上方。

在OLED装置1100中，第一至第三像素区P1至P3中的有机发光二极管D发射白光，并且白光穿过第一至第三滤色层1122、1124和1126。因此，在第一至第三像素区P1至P3中分别显示绿光、红光和蓝光。

尽管未示出，在有机发光二极管D和滤色层1120之间可以形成颜色转换层。颜色转换层可包括分别对应于第一至第三像素区P1至P3的绿色转换层、红色转换层和蓝色转换层，有机发光二极管D的白光可以转换成绿光、红光和蓝光。颜色转换层可以包括量子点。因此，可以进一步提高有机发光二极管D的色纯度。

可以包括颜色转换层来代替滤色层1120。

图9是根据本发明的第九实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

如图9所示，有机发光二极管D包括彼此相对的第一电极1160和第二电极1164，以及其间的有机发光层1162。

第一电极1160可以是阳极，第二电极1164可以是阴极。第一电极1160是透明电极(光透射电极)，第二电极1164是反射电极。

有机发光层1162包括第一发射部1210(包括第一EML 1220)、第二发射部1230(包括第二EML 1240)和第三发射部1250(包括第三EML 1260)。另外，有机发光层1162还可包括第一发射部1210和第二发射部1230之间的第一CGL 1270，以及第一发射部1210和第三发射部1250之间的第二CGL 1280。

第一CGL 1270位于第一发射部1210和第二发射部1230之间，第二CGL 1280位于第一发射部1210和第三发射部1250之间。即，第三发射部1250、第二CGL 1280、第一发射部1210、第一CGL 1270和第二发射部1230依次堆叠在第一电极1160上。换言之，第一发射部1210位于第一CGL 1270和第二CGL 1280之间，第二发射部1230位于第一CGL 1270和第二电极1164之间。第三发射部1250位于第二CGL 1280和第一电极1160之间。

第一发射部1210还可包括第一EML 1220下方的第一HTL 1210a和第一EML 1220上方的第一ETL 1210b。即，第一HTL 1210a可位于第一EML 1220和第二CGL 1280之间，第一ETL 1210b可位于第一EML 1220和第一CGL 1270之间。

另外，第一发射部1210还可包括第一HTL 1210a和第一EML 1220之间的EBL(未示出)，以及第一ETL 1210b和第一EML 1220之间的HBL(未示出)。

第二发射部1230还可包括第二EML 1240下方的第二HTL 1230a、第二EML 1240上方的第二ETL 1230b和第二ETL 1230b上的EIL 1230c。即，第二HTL 1230a可位于第二EML1240和第一CGL 1270之间，第二ETL 1230b和EIL 1230c可位于第二EML 1240和第二电极1164之间。

另外，第二发射部1230还可包括第二HTL 1230a和第二EML 1240之间的EBL(未示出)，以及第二ETL 1230b和第二EML 1240之间的HBL(未示出)。

第三发射部1250还可包括第三EML 1260下方的第三HTL 1250b、第三HTL 1250b下方的HIL 1250a和第三EML 1260上方的第三ETL 1250c。即，HIL 1250a和第三HTL 1250b可位于第一电极1160和第三EML 1260之间，第三ETL 1250c可位于第三EML 1260和第二CGL1280之间。

另外，第三发射部1250还可包括第三HTL 1250b和第三EML 1260之间的EBL(未示出)，以及第三ETL 1250c和第三EML 1260之间的HBL(未示出)。

第一至第三EML 1220、1240和1260中的一个是绿色EML。第一至第三EML 1220、1240和1260中的另一个可以是蓝色EML，并且第一至第三EML 1220、1240和1260中的又一个可以是红色EML。

例如，第一EML 1220可以是绿色EML，第二EML 1240可以是蓝色EML，第三EML 1260可以是红色EML。作为另选，第一EML 1220可以是绿色EML，第二EML 1240可以是红色EML，第三EML 1260可以是蓝色EML。

第一EML 1220包含式1的有机化合物。第一EML 1220还可以包含主体和延迟荧光化合物中的至少一种。主体可以是式4的化合物，延迟荧光化合物可以是式5的化合物。

第二EML 1240包含主体和蓝色掺杂剂(或红色掺杂剂)，第三EML 1260包含主体和红色掺杂剂(或蓝色掺杂剂)。例如，在第二EML 1240和第三EML 1260中的每一个中，掺杂剂可包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。

(图8的)第一至第三像素区P1至P3中的有机发光二极管D发射白光，且白光穿过第一至第三像素区P1至P3中的滤色层1120(图8)。因此，(图8的)OLED装置1100可提供全色图像。

图10是根据本发明的第十实施方式的有机发光二极管的示意性截面图。

如图10所示，有机发光二极管D包括彼此相对的第一电极1360和第二电极1364，以及其间的有机发光层1362。

第一电极1360可以是阳极，第二电极1364可以是阴极。第一电极1360是透明电极(光透射电极)，第二电极1364是反射电极。

有机发光层1362包括第一发射部1410(包括第一EML 1420)、第二发射部1430(包括第二EML 1440)和第三发射部1450(包括第三EML 1460)。另外，有机发光层1362还可包括第一发射部1410和第二发射部1430之间的第一CGL 1470，以及第一发射部1410和第三发射部1450之间的第二CGL 1480。

第一发射部1420包括下部EML 1420a和上部EML 1420b。即，下部EML 1420a位于更接近第一电极1360的位置，上部EML 1420b位于更接近第二电极1364的位置。

第一CGL 1470位于第一发射部1410和第二发射部1430之间，第二CGL 1480位于第一发射部1410和第三发射部1450之间。即，第三发射部1450、第二CGL 1480、第一发射部1410、第一CGL 1470和第二发射部1430依次堆叠在第一电极1360上。换言之，第一发射部1410位于第一CGL 1470和第二CGL 1480之间，第二发射部1430位于第一CGL 1470和第二电极1364之间。第三发射部1450位于第二CGL 1480和第一电极1360之间。

第一发射部1410还可包括第一EML 1420下方的第一HTL 1410a和第一EML 1420上方的第一ETL 1410b。即，第一HTL 1410a可位于第一EML 1420和第二CGL 1470之间，第一ETL 1410b可位于第一EML 1420和第一CGL 1470之间。

另外，第一发射部1410还可包括第一HTL 1410a和第一EML 1420之间的EBL(未示出)，以及第一ETL 1410b和第一EML 1420之间的HBL(未示出)。

第二发射部1430还可包括第二EML 1440下方的第二HTL 1430a、第二EML 1440上方的第二ETL 1430b和第二ETL 1430b上的EIL 1430c。即，第二HTL 1430a可位于第二EML1440和第一CGL 1470之间，第二ETL 1430b和EIL 1430c可位于第二EML 1440和第二电极1364之间。

另外，第二发射部1430还可包括第二HTL 1430a和第二EML 1440之间的EBL(未示出)，以及第二ETL 1430b和第二EML 1440之间的HBL(未示出)。

第三发射部1450还可包括第三EML 1460下方的第三HTL 1450b、第三HTL 1450b下方的HIL 1450a和第三EML 1460上方的第三ETL 1450c。即，HIL 1450a和第三HTL 1450b可位于第一电极1360和第三EML 1460之间，第三ETL 1450c可位于第三EML 1460和第二CGL1480之间。

另外，第三发射部1450还可包括第三HTL 1450b和第三EML 1460之间的EBL(未示出)，以及第三ETL 1450c和第三EML 1460之间的HBL(未示出)。

第一EML 1420的下部EML 1420a和上部EML 1420b中的一个是绿色EML，第一EML1420的下部EML 1420a和上部EML 1420b中的另一个可以是红色EML。即，绿色EML(或红色EML)和红色EML(或绿色EML)依次堆叠以形成第一EML 1420。

例如，作为绿色EML的上部EML 1420b包含式1的有机化合物。上部EML 1420b还可包含主体和延迟荧光化合物。主体可以是式4的化合物，延迟荧光化合物可以是式5的化合物。

作为红色EML的下部EML 1420a可包含主体和红色掺杂剂。

第二EML 1440和第三EML 1460各自可以是蓝色EML。第二EML 1440和第三EML1460各自可包含主体和蓝色掺杂剂。第二EML 1440的主体和掺杂剂可以与第三EML1460的主体和掺杂剂相同。作为另选，第二EML 1440的主体和掺杂剂可以与第三EML 1460的主体和掺杂剂不同。例如，第二EML 1440的掺杂剂可以与第三EML 1460中的掺杂剂在发射效率和/或发光波长方面存在差异。

在下部EML 1420a、第二EML 1440和第三EML 1460中的每一个中，掺杂剂可包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。

(图8的)第一至第三像素区P1至P3中的有机发光二极管D发射白光，且白光穿过第一至第三像素区P1至P3中的滤色层1120(图8)。因此，(图8的)OLED装置1100可提供全色图像。

在图10中，有机发光二极管D具有包括第二EML 1440和第三EML 1460(蓝色EML)与第一EML 1420的三叠(三重堆叠)结构。作为另选，可以省略第二EML 1440和第三EML 1460中的一个以使有机发光二极管D可具有两叠(双叠)结构。

对本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。