半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体结构、半导体结构的台阶高度的确定方法、确定装置、计算机可读存储介质、处理器和电子设备。

背景技术

目前通过切片后光学测试STI(Shallow Trench Isolation，浅沟槽隔离)的台阶高度，该方式需要直接报废半导体结构，人力及原料成本较高。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体结构、半导体结构的台阶高度的确定方法、确定装置、计算机可读存储介质、处理器和电子设备，以解决现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括衬底、浅槽隔离区域、至少一个第一多晶硅层、至少一个第二多晶硅层和多个通孔结构，其中，所述浅槽隔离区域位于部分所述衬底上；所述第一多晶硅层包括连续的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述衬底上，所述第二部分位于所述浅槽隔离区域上；所述第二多晶硅层位于所述衬底上，所述第二多晶硅层与所述第一多晶硅层相同；至少一个所述第一多晶硅层上有两个所述通孔结构，两个所述通孔结构中的一个位于所述第一部分上，两个所述通孔结构中的另一个位于所述第二部分上，至少一个所述第二多晶硅层上有两个所述通孔结构，两个所述通孔结构在所述第二多晶硅层上的位置与两个所述通孔结构在所述第一多晶硅层上的位置相同。

可选地，所述半导体结构还包括多个金属线，一个所述通孔结构分别与两个所述金属线电连接。

可选地，所述第一多晶硅层有一个，所述第二多晶硅层有一个，多个所述通孔结构包括第一通孔结构、第二通孔结构、第三通孔结构以及第四通孔结构，所述第一通孔结构和所述第二通孔结构位于所述第一多晶硅层上，所述第三通孔结构和所述第四通孔结构位于所述第二多晶硅层上。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种所述的半导体结构的台阶高度的确定方法，所述台阶高度为浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差，所述方法包括：获取多个所述半导体结构的第一参数值和第二参数值，所述第一参数值为所述台阶高度，所述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值，所述第一结构由第一多晶硅层以及所述第一多晶硅层上的两个通孔结构构成，所述第二结构由第二多晶硅层与所述第二多晶硅层上的两个所述通孔结构构成；根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值，构建所述第一参数值和所述第二参数值的函数关系；获取目标半导体结构的所述第二参数值；根据所述函数关系以及所述第二参数，确定所述目标半导体结构的所述台阶高度。

可选地，获取多个所述半导体结构的第一参数值，包括：通过切片分析，确定多个所述半导体结构的所述第一参数值。

可选地，获取多个所述半导体结构的第二参数值，包括：采用四端法测试多个第一通孔以及第二通孔之间的第一电阻；采用四端法测试多个第三通孔以及第四通孔之间的第二电阻；将多个所述第一电阻与对应的多个所述第二电阻作差，得到多个所述第二参数值。

可选地，根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值，构建所述第一参数值和所述第二参数值的函数关系，包括：构建初始函数关系式，所述初始函数关系式包括未知参数；根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值，确定所述未知参数，得到所述函数关系。

可选地，在根据所述函数关系以及所述第二参数，确定所述目标半导体结构的所述台阶高度之后，所述方法还包括：确定所述目标半导体结构的所述台阶高度是否在预定范围内；在确定所述目标半导体结构的所述台阶高度不在所述预定范围内的情况下，调整所述半导体结构的工艺参数，以使得根据调整后的工艺参数得到的所述半导体结构的所述台阶高度在所述预定范围内。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种所述的半导体结构的台阶高度的确定装置，所述台阶高度为浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差，所述装置包括第一获取单元、构建单元、第二获取单元和第一确定单元，其中，所述第一获取单元用于获取多个所述半导体结构的第一参数值和第二参数值，所述第一参数值为所述台阶高度，所述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值，所述第一结构由第一多晶硅层以及所述第一多晶硅层上的两个通孔结构构成，所述第二结构由第二多晶硅层与所述第二多晶硅层上的两个所述通孔结构构成；所述构建单元用于根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值，构建所述第一参数值和所述第二参数值的函数关系；所述第二获取单元用于获取目标半导体结构的所述第二参数值；所述第一确定单元用于根据所述函数关系以及所述第二参数，确定所述目标半导体结构的所述台阶高度。

根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。

根据本发明实施例的再一方面，还提供了一种电子设备，所述电子设备包括一个或多个处理器，存储器以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行任意一种所述的方法。

本申请所述的半导体结构中，包括衬底、浅槽隔离区域、至少一个第一多晶硅层、至少一个第二多晶硅层和多个通孔结构，由于第一多晶硅层与第二多晶硅层相同，第一多晶硅层部分位于衬底上，另一部分位于浅槽隔离区域，第二多晶硅层位于衬底上，通孔结构在第一多晶硅层上的位置与在第二多晶硅层上的位置相同，这样后续通过检测第一多晶硅层上的两个通孔结构测得的阻值以及通过第二多晶硅层上的两个通孔结构测得的阻值，这样通过计算两个阻值的差异，就可以得到浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差导致的差异，即可以得到台阶高度导致的差异，后续根据该差异可以得到该半导体结构的台阶高度。该半导体结构使得获取台阶高度的方法无需损坏半导体结构，即可得到其台阶高度。该半导体结构使得台阶高度的测试方法的成本较低，避免了现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本申请的一种具体的实施例的半导体结构的示意图；

图2示出了图1中的半导体结构沿AA’虚线剖面的示意图；

图3示出了根据本申请的实施例的半导体结构的台阶高度的确定方法生成的流程示意图；

图4示出了根据本申请的实施例的半导体结构的台阶高度的确定装置的示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

100、衬底；101、浅槽隔离区域；102、第一多晶硅层；103、第二多晶硅层；104、第一通孔结构；105、第二通孔结构；106、第三通孔结构；107、第四通孔结构；108、栅氧化层；200、第一部分；201、第二部分。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。

正如背景技术中所说的，现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高，为了解决上述问题，本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种半导体结构、半导体结构的台阶高度的确定方法、确定装置、计算机可读存储介质、处理器和电子设备。

根据本申请的一种典型的实施例，提供了一种半导体结构，如图1所示和图2所示，上述半导体结构包括衬底100、浅槽隔离区域101、至少一个第一多晶硅层102、至少一个第二多晶硅层103和多个通孔结构，其中，上述浅槽隔离区域101位于部分上述衬底100上；上述第一多晶硅层102包括连续的第一部分200和第二部分201，上述第一部分200位于上述衬底100上，上述第二部分201位于上述浅槽隔离区域101上；上述第二多晶硅层103位于上述衬底100上，上述第二多晶硅层103与上述第一多晶硅层102相同；至少一个上述第一多晶硅层102上有两个上述通孔结构，两个上述通孔结构中的一个位于上述第一部分200上，两个上述通孔结构中的另一个位于上述第二部分201上，至少一个上述第二多晶硅层103上有两个上述通孔结构，两个上述通孔结构在上述第二多晶硅层103上的位置与两个上述通孔结构在上述第一多晶硅层102上的位置相同。

本申请上述的半导体结构中，包括衬底、浅槽隔离区域、至少一个第一多晶硅层、至少一个第二多晶硅层和多个通孔结构，由于第一多晶硅层与第二多晶硅层相同，第一多晶硅层部分位于衬底上，另一部分位于浅槽隔离区域，第二多晶硅层位于衬底上，通孔结构在第一多晶硅层上的位置与在第二多晶硅层上的位置相同，这样后续通过检测第一多晶硅层上的两个通孔结构测得的阻值以及通过第二多晶硅层上的两个通孔结构测得的阻值，这样通过计算两个阻值的差异，就可以得到浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差导致的差异，即可以得到台阶高度导致的差异，后续根据该差异可以得到该半导体结构的台阶高度。该半导体结构使得获取台阶高度的方法无需损坏半导体结构，即可得到其台阶高度。该半导体结构使得台阶高度的测试方法的成本较低，避免了现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

根据本申请的一种具体的实施例，上述半导体结构还包括多个金属线，一个上述通孔结构分别与两个上述金属线电连接。上述半导体结构中，一个上述通孔结构分别与两个上述金属线电连接，这样可以实现四端法测试第一多晶硅层上的两个通孔结构之间的电阻，以及四端法测试第二多晶硅层上的两个通孔结构之间的电阻，这样可避免接触电阻以及引线电阻对测量的阻值的影响，保证了测得的阻值较为准确，为后续根据阻值确定半导体的台阶高度提供了较为准确的数据基础。

当然，上述通孔结构还可以与上述金属线一一对应连接。

根据本申请的另一种具体的实施例，如图1所示，上述第一多晶硅层102有一个，上述第二多晶硅层103有一个，多个上述通孔结构包括第一通孔结构104、第二通孔结构105、第三通孔结构106以及第四通孔结构107，上述第一通孔结构104和上述第二通孔结构105位于上述第一多晶硅层102上，上述第三通孔结构106和上述第四通孔结构107位于上述第二多晶硅层103上。上述半导体结构，通过测试第一通孔结构和第二通孔结构两端的电阻，以及测试第三通孔结构和第四通孔结构两端的电阻，根据两个电阻的差值确定台阶高度，这样进一步地保证了无需报废半导体结构即可确定其台阶高度，进一步地保证了采用该半导体结构测试台阶高度的成本较低，进一步地避免了现有技术中切片测试STI的台阶高度会报废晶圆，造成测试成本较高的问题。

如图1所示，上述第一通孔结构104分别与第一金属线S

在实际的应用过程中，上述第一多晶硅层还可以有多个，上述第二多晶硅层还可以有多个。当然，每个上述第一多晶硅层上可以有两个上述通孔结构，每个上述第二多晶硅层上也可以有两个上述通孔结构。

一种具体的实施例中，如图2所示，上述半导体结构还包括栅氧化层108，上述栅氧化层108位于上述衬底100与上述第二多晶硅层103之间。

根据本申请的另一种典型的实施例，提供了一种上述的半导体结构的台阶高度的确定方法。

图3是根据本申请实施例的上述的半导体结构的台阶高度的确定方法的流程图。如图3所示，上述台阶高度为浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差，该方法包括以下步骤：

步骤S101，获取多个上述半导体结构的第一参数值和第二参数值，上述第一参数值为上述台阶高度，上述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值，上述第一结构由第一多晶硅层以及上述第一多晶硅层上的两个通孔结构构成，上述第二结构由第二多晶硅层与上述第二多晶硅层上的两个上述通孔结构构成；

步骤S102，根据多个上述第一参数值和多个上述第二参数值，构建上述第一参数值和上述第二参数值的函数关系；

步骤S103，获取目标半导体结构的上述第二参数值；

步骤S104，根据上述函数关系以及上述第二参数，确定上述目标半导体结构的上述台阶高度。

本申请上述的半导体结构的台阶高度的确定方法中，首先，获取多个上述半导体结构的第一参数值和第二参数值，其中，上述第一参数值为上述台阶高度，上述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值；然后，根据第一参数值和第二参数值，构建函数关系；之后，获取目标半导体结构的第二参数值，即目标半导体结构的第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值；最后，将上述第二参数带入上述函数关系，确定上述目标半导体结构的台阶高度。上述方法中，根据半导体结构的多个台阶高度和对应的多个电阻值的差值，建立台阶高度和电阻值的差值的函数关系，再获取目标半导体结构的电阻值的差值，并把电阻值的差值带入上述函数关系，即可得到目标半导体的台阶高度，这样无需损坏目标半导体的结构，即可得到其台阶高度，该方法保证了台阶高度的测试方法的成本较低，避免了现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

根据本申请的一种具体的实施例，获取多个上述半导体结构的第一参数值，包括：通过切片分析，确定多个上述半导体结构的上述第一参数值。通过切片分析，可以较为简单且准确地获取多个上述第一参数值。

具体的，上述切片分析通过将多个上述半导体结构沿图1中的AA’截面切片，然后对切面进行光学测量，来得到多个上述第一参数值。

根据本申请的另一种具体的实施例，获取多个上述半导体结构的第二参数值，包括：采用四端法测试多个第一通孔以及第二通孔之间的第一电阻；采用四端法测试多个第三通孔以及第四通孔之间的第二电阻；将多个上述第一电阻与对应的多个上述第二电阻作差，得到多个上述第二参数值。上述方法，通过四端法测试上述第一电阻和上述第二电阻，这样可以避免接触电阻以及引线电阻对测量的第一电阻和第二阻值的影响，保证了测得的上述第二参数值较为准确，进一步地为后续根据上述第二参数值确定半导体的台阶高度提供了较为准确的数据基础。

本申请的又一种具体的实施例中，根据多个上述第一参数值和多个上述第二参数值，构建上述第一参数值和上述第二参数值的函数关系，包括：构建初始函数关系式，上述初始函数关系式包括未知参数；根据多个上述第一参数值和多个上述第二参数值，确定上述未知参数，得到上述函数关系。这样可以较为简单、快捷且准确地确定上述函数关系，进一步地保证了后续可以较为准确地确定半导体的台阶高度。

在实际的应用过程中，上述初始函数关系式为二元一次方程，即y＝ax+b，其中，a和b为未知参数，y为上述第一参数值，x为上述第二参数值。

本申请的再一种具体的实施例中，在根据上述函数关系以及上述第二参数，确定上述目标半导体结构的上述台阶高度之后，上述方法还包括：确定上述目标半导体结构的上述台阶高度是否在预定范围内；在确定上述目标半导体结构的上述台阶高度不在上述预定范围内的情况下，调整上述半导体结构的工艺参数，以使得根据调整后的工艺参数得到的上述半导体结构的上述台阶高度在上述预定范围内。通过确定目标半导体结构的台阶高度是否在预定范围内，来监控半导体结构的生产过程是否正常，可以及时地发现生产过程中的异常情况，并根据异常情况进行合适的调整，这样可以避免生产出的半导体结构不符合工艺要求，保证了生产良率较高。

需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

本申请实施例还提供了一种上述的半导体结构的台阶高度的确定装置，需要说明的是，本申请实施例的上述的半导体结构的台阶高度的确定装置可以用于执行本申请实施例所提供的用于上述的半导体结构的台阶高度的确定方法。以下对本申请实施例提供的上述的半导体结构的台阶高度的确定装置进行介绍。

图4是根据本申请实施例的上述的半导体结构的台阶高度的确定装置的示意图。如图4所示，上述台阶高度为浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差，该装置包括第一获取单元10、构建单元20、第二获取单元30和第一确定单元40，其中，上述第一获取单元10用于获取多个上述半导体结构的第一参数值和第二参数值，上述第一参数值为上述台阶高度，上述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值，上述第一结构由第一多晶硅层以及上述第一多晶硅层上的两个通孔结构构成，上述第二结构由第二多晶硅层与上述第二多晶硅层上的两个上述通孔结构构成；上述构建单元20用于根据多个上述第一参数值和多个上述第二参数值，构建上述第一参数值和上述第二参数值的函数关系；上述第二获取单元30用于获取目标半导体结构的上述第二参数值；上述第一确定单元40用于根据上述函数关系以及上述第二参数，确定上述目标半导体结构的上述台阶高度。

本申请上述的半导体结构的台阶高度的确定装置中，通过第一获取单元获取多个上述半导体结构的第一参数值和第二参数值，其中，上述第一参数值为上述台阶高度，上述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值；通过上述构建单元根据第一参数值和第二参数值，构建函数关系；通过上述第二获取单元获取目标半导体结构的第二参数值，即目标半导体结构的第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值；通过上述第一确定单元将上述第二参数带入上述函数关系，确定上述目标半导体结构的台阶高度。上述装置中，根据半导体结构的多个台阶高度和对应的多个电阻值的差值，建立台阶高度和电阻值的差值的函数关系，再获取目标半导体结构的电阻值的差值，并把电阻值的差值带入上述函数关系，即可得到目标半导体的台阶高度，这样无需损坏目标半导体的结构，即可得到其台阶高度，该装置保证了台阶高度测试的成本较低，避免了现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

根据本申请的一种具体的实施例，上述第一获取单元包括第一确定模块，上述第一确定模块用于通过切片分析，确定多个上述半导体结构的上述第一参数值。通过切片分析，可以较为简单且准确地获取多个上述第一参数值。

具体的，上述切片分析通过将多个上述半导体结构沿图1中的AA’截面切片，然后对切面进行光学测量，来得到多个上述第一参数值。

根据本申请的另一种具体的实施例，上述第一获取单元还包括第一测试模块、第二测试模块和作差模块，其中，上述第一测试模块用于采用四端法测试多个第一通孔以及第二通孔之间的第一电阻；上述第二测试模块用于采用四端法测试多个第三通孔以及第四通孔之间的第二电阻；上述作差模块用于将多个上述第一电阻与对应的多个上述第二电阻作差，得到多个上述第二参数值。上述装置，通过四端法测试上述第一电阻和上述第二电阻，这样可以避免接触电阻以及引线电阻对测量的第一电阻和第二阻值的影响，保证了测得的上述第二参数值较为准确，进一步地为后续根据上述第二参数值确定半导体的台阶高度提供了较为准确的数据基础。

本申请的又一种具体的实施例中，上述构建单元包括构建模块和第二确定模块，其中，上述构建模块用于构建初始函数关系式，上述初始函数关系式包括未知参数；上述第二确定模块用于根据多个上述第一参数值和多个上述第二参数值，确定上述未知参数，得到上述函数关系。这样可以较为简单、快捷且准确地确定上述函数关系，进一步地保证了后续可以较为准确地确定半导体的台阶高度。

在实际的应用过程中，上述初始函数关系式为二元一次方程，即y＝ax+b，其中，a和b为未知参数，y为上述第一参数值，x为上述第二参数值。

本申请的再一种具体的实施例中，上述装置还包括第二确定单元和调整单元，其中，上述第二确定单元用于在根据上述函数关系以及上述第二参数，确定上述目标半导体结构的上述台阶高度之后，确定上述目标半导体结构的上述台阶高度是否在预定范围内；上述调整单元用于在确定上述目标半导体结构的上述台阶高度不在上述预定范围内的情况下，调整上述半导体结构的工艺参数，以使得根据调整后的工艺参数得到的上述半导体结构的上述台阶高度在上述预定范围内。通过确定目标半导体结构的台阶高度是否在预定范围内，来监控半导体结构的生产过程是否正常，可以及时地发现生产过程中的异常情况，并根据异常情况进行合适的调整，这样可以避免生产出的半导体结构不符合工艺要求，保证了生产良率较高。

上述的半导体结构的台阶高度的确定装置包括处理器和存储器，上述第一获取单元、上述构建单元、上述第二获取单元和上述第一确定单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。

处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。

本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述的半导体结构的台阶高度的确定方法。

本发明实施例提供了一种处理器，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述的半导体结构的台阶高度的确定方法。

本发明实施例提供了一种电子设备，上述电子设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现至少以下步骤：

步骤S101，获取多个上述半导体结构的第一参数值和第二参数值，上述第一参数值为上述台阶高度，上述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值，上述第一结构由第一多晶硅层以及上述第一多晶硅层上的两个通孔结构构成，上述第二结构由第二多晶硅层与上述第二多晶硅层上的两个上述通孔结构构成；

步骤S102，根据多个上述第一参数值和多个上述第二参数值，构建上述第一参数值和上述第二参数值的函数关系；

步骤S103，获取目标半导体结构的上述第二参数值；

步骤S104，根据上述函数关系以及上述第二参数，确定上述目标半导体结构的上述台阶高度。

本文中的设备可以是服务器、PC、PAD、手机等。

本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：

步骤S101，获取多个上述半导体结构的第一参数值和第二参数值，上述第一参数值为上述台阶高度，上述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值，上述第一结构由第一多晶硅层以及上述第一多晶硅层上的两个通孔结构构成，上述第二结构由第二多晶硅层与上述第二多晶硅层上的两个上述通孔结构构成；

步骤S102，根据多个上述第一参数值和多个上述第二参数值，构建上述第一参数值和上述第二参数值的函数关系；

步骤S103，获取目标半导体结构的上述第二参数值；

步骤S104，根据上述函数关系以及上述第二参数，确定上述目标半导体结构的上述台阶高度。

在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例上述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

1)、本申请上述的半导体结构中，包括衬底、浅槽隔离区域、至少一个第一多晶硅层、至少一个第二多晶硅层和多个通孔结构，由于第一多晶硅层与第二多晶硅层相同，第一多晶硅层部分位于衬底上，另一部分位于浅槽隔离区域，第二多晶硅层位于衬底上，通孔结构在第一多晶硅层上的位置与在第二多晶硅层上的位置相同，这样后续通过检测第一多晶硅层上的两个通孔结构测得的阻值以及通过第二多晶硅层上的两个通孔结构测得的阻值，这样通过计算两个阻值的差异，就可以得到浅槽隔离区域表面与衬底表面的高度差导致的差异，即可以得到台阶高度导致的差异，后续根据该差异可以得到该半导体结构的台阶高度。该半导体结构使得获取台阶高度的方法无需损坏半导体结构，即可得到其台阶高度。该半导体结构使得台阶高度的测试方法的成本较低，避免了现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

2)、本申请上述的半导体结构的台阶高度的确定方法中，首先，获取多个上述半导体结构的第一参数值和第二参数值，其中，上述第一参数值为上述台阶高度，上述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值；然后，根据第一参数值和第二参数值，构建函数关系；之后，获取目标半导体结构的第二参数值，即目标半导体结构的第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值；最后，将上述第二参数带入上述函数关系，确定上述目标半导体结构的台阶高度。上述方法中，根据半导体结构的多个台阶高度和对应的多个电阻值的差值，建立台阶高度和电阻值的差值的函数关系，再获取目标半导体结构的电阻值的差值，并把电阻值的差值带入上述函数关系，即可得到目标半导体的台阶高度，这样无需损坏目标半导体的结构，即可得到其台阶高度，该方法保证了台阶高度的测试方法的成本较低，避免了现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

3)、本申请上述的半导体结构的台阶高度的确定装置中，通过第一获取单元获取多个上述半导体结构的第一参数值和第二参数值，其中，上述第一参数值为上述台阶高度，上述第二参数为第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值；通过上述构建单元根据第一参数值和第二参数值，构建函数关系；通过上述第二获取单元获取目标半导体结构的第二参数值，即目标半导体结构的第一结构的电阻值与第二结构的电阻值的差值；通过上述第一确定单元将上述第二参数带入上述函数关系，确定上述目标半导体结构的台阶高度。上述装置中，根据半导体结构的多个台阶高度和对应的多个电阻值的差值，建立台阶高度和电阻值的差值的函数关系，再获取目标半导体结构的电阻值的差值，并把电阻值的差值带入上述函数关系，即可得到目标半导体的台阶高度，这样无需损坏目标半导体的结构，即可得到其台阶高度，该装置保证了台阶高度测试的成本较低，避免了现有技术中切片测试STI的台阶高度成本较高的问题。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。