发光显示面板

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2019年12月19日提交的韩国专利申请No.10-2019-0171011和2020年8月19日提交的韩国专利申请No.10-2020-0104046的权益，通过引用将这些专利申请整体并入于本文，如同在本文完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种发光显示面板的结构。

背景技术

在制造发光显示面板的工艺中，颗粒可能位于一个像素的像素驱动电极上。此外，当发光层和公共电极沉积在位于像素驱动电极上的颗粒上时，会产生设置于颗粒下方的像素驱动电极连接至公共电极的缺陷。

这种缺陷可对一个像素导致问题，但是当缺陷严重时，该缺陷会对发光显示面板中包括的多个像素导致问题。

例如，公共电极共同地连接至所有像素，由于这个原因，当公共电极电连接至一个像素中的像素驱动电极时，发光显示面板的质量会整体下降。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的发光显示面板。

本发明的一个方面旨在提供一种发光显示面板和包括发光显示面板的发光显示设备，发光显示面板包括像素驱动电极，像素驱动电极包括彼此分开设置的多个第一电极和覆盖第一电极的第二电极。

在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些目的和其他优点，并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种发光显示面板，包括：基板；设置在所述基板上的像素驱动电路；设置在所述像素驱动电路上的平坦化层；设置在所述平坦化层上并且与所述像素驱动电路电连接的像素驱动电极；设置在所述像素驱动电极上的发光层；和设置在所述发光层上的公共电极，其中所述像素驱动电极包括：彼此分开的多个第一电极；和覆盖所述第一电极的第二电极，并且所述多个第一电极和所述第二电极中的至少之一连接至所述像素驱动电路。

在本发明的另一个方面中，提供了一种发光显示设备，包括：所述发光显示面板；栅极驱动器，所述栅极驱动器向所述发光显示面板中包括的多条栅极线提供栅极信号；数据驱动器，所述数据驱动器向所述发光显示面板中包括的多条数据线提供数据电压；和控制器，所述控制器控制所述栅极驱动器和所述数据驱动器的每一个的功能。

应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

被包括用来对本发明提供进一步理解且被并入并构成本申请的一部分的附图图解了本发明的实施方式，并且与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：

图1是图解根据本发明的发光显示设备的配置的示例图；

图2是图解应用于根据本发明的发光显示设备的控制器的配置的示例图；

图3是图解根据本发明的发光显示设备中包括的多个像素的每一个的结构的示例图；

图4是图解根据本发明的发光显示面板中包括的像素的像素驱动电极的平面的示例图；

图5是图解沿图4中所示的线A-A’截取的剖面的示例图；

图6是图解在制造工艺中根据本发明的发光显示面板的剖面的示例图；

图7A至图7C是图解沿图4的线B-B’截取的剖面的示例图；

图8是图解根据本发明的发光显示面板中的第2-1电极和第2-2电极之间的连接结构的示例图；

图9是图解在根据本发明的发光显示面板中形成底切区域的方法的示例图；

图10是图解在根据本发明的发光显示面板中，第2-1电极和第2-2电极通过修复工艺或老化工艺彼此电断开的结构的示例图；

图11是图解根据本发明的发光显示面板的剖面的另一示例图；

图12至图14是图解制造图11中所示的发光显示面板的工艺的示例图；

图15是图解根据本发明的发光显示面板的剖面的另一示例图；

图16和图17是图解根据本发明的发光显示面板中包括的像素的像素驱动电极的平面的其他示例图；

图18A至图18C是图解沿图16中所示的线C-C’截取的剖面的示例图；

图19是图解当在根据本发明的发光显示面板的像素中存在颗粒时，像素驱动电路与发光器件之间的连接关系的示例图；

图20是图解沿图16中所示的线D-D’截取的剖面的示例图；

图21是应用于根据本发明的发光显示面板的四个像素的每一个的平面图；

图22是图解沿图16中所示的线D-D’截取的剖面的另一示例图；

图23是应用于根据本发明的发光显示面板的四个像素的每一个的另一平面图。

具体实施方式

现在将详细参考本发明的示例性实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。

将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本发明的公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。

为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”描述的情况下，可添加另外的部分，除非使用了“仅”。

在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。

在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在两部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接着”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。

将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来将元件彼此区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一元件可能被称为第二元件，相似地，第二元件可能被称为第一元件。

在描述本公开内容的元件时，可使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等之类的术语。这些术语仅用于将相应的元件区别于其他元件，相应元件的本质、顺序或优先级不受这些术语限制。将理解到，当称一元件或层在另一元件或层“上”或“连接至”另一元件或层时，该元件或层可直接位于该另一元件或层上或直接连接至该另一元件或层，或者可存在中间元件或层。此外，应当理解，当一元件设置在另一元件上或下方时，这可表示这些元件设置成彼此接触的情况，也可表示这些元件在不彼此直接接触的情况下设置。

术语“至少一个”应当理解为包括相关所列要素中的一个或多个的任意和所有组合。例如，“第一要素、第二要素和第三要素中的至少一个”的含义表示选自第一要素、第二要素和第三要素中的两个或更多个要素的所有要素的组合以及第一要素、第二要素或第三要素。

如所属领域技术人员能够充分理解的，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。

图1是图解根据本发明的发光显示设备的配置的示例图，图2是图解应用于根据本发明的发光显示设备的控制器的配置的示例图。

根据本发明的发光显示设备可构成电子装置。电子装置的示例可包括智能电话、平板电脑(PC)、电视(TV)、监视器等。

如图1中所示，根据本发明的发光显示设备可包括：发光显示面板100，发光显示面板100包括用于显示图像的显示区域AA和设置在显示区域AA外部的非显示区域NAA；栅极驱动器200，栅极驱动器200向设置在发光显示面板100中的多条栅极线GL1至GLg提供栅极信号；数据驱动器300，数据驱动器300分别向设置在发光显示面板100中的多条数据线DL1至DLd提供数据电压；和控制器400，控制器400控制栅极驱动器200和数据驱动器300的驱动。

如图2中所示，控制器400包括：数据调整器(data aligner)430，数据调整器430基于从外部系统传送的时序同步信号TSS重新排列从外部系统传送的多条输入视频数据Ri、Gi和Bi，从而向数据驱动器300提供多条重新排列后的图像数据Data；控制信号发生器420，控制信号发生器420基于时序同步信号TSS产生栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS；输入单元410，输入单元410接收从外部系统传送的时序同步信号TSS以及输入视频数据Ri、Gi和Bi并且分别将输入视频数据Ri、Gi和Bi以及时序同步信号TSS传送至数据调整器430和控制信号发生器420；和输出单元440，输出单元440将由数据调整器430产生的图像数据Data和由控制信号发生器420产生的数据控制信号DCS输出至数据驱动器300并且将栅极控制信号GCS输出至栅极驱动器200。

栅极驱动器200可配置为集成电路(IC)，然后可安装在非显示区域NAA中或者可直接内置到非显示区域NAA中。

数据驱动器300可安装在膜上芯片(COF)上，COF附接在发光显示面板100上。COF可连接至其上安装有控制器400的主板。在这种情况下，COF可包括将控制器400、数据驱动器300和发光显示面板100电连接的多条线，为此，这些线可电连接至主板和发光显示面板100中包括的多个焊盘。主板可电连接至其上安装有外部系统的外部板。数据驱动器300可直接安装在发光显示面板100上并且可电连接至主板。

外部系统可执行驱动控制器400和电子装置的功能。就是说，当电子装置是智能电话时，外部系统可经由无线通信网络发送或接收各条声音信息、图像信息和文字信息并且可向控制器400发送图像信息。

发光显示面板100可包括多个像素110，每个像素包括发光器件和用于驱动发光器件的像素驱动电路。此外，在发光显示面板100中，可限定有设置每个像素110的像素区域，并且可设置有用于向像素驱动电路传送驱动信号的多条信号线。

除了栅极线GL1至GLg和数据线DL1至DLd以外，信号线还可包括各种线。

图3是图解根据本发明的发光显示设备中包括的多个像素的每一个的结构的示例图。

发光显示面板100的显示区域AA中可设置有多个像素110，像素110包括发光器件ED和用于驱动发光器件ED的像素驱动电路PDC。此外，在发光显示面板100中，可限定有设置每个像素110的像素区域，并且可设置有用于向像素驱动电路PDC传送驱动信号的多条信号线。

多条信号线可包括多条栅极线GL、多条数据线DL、多条感测脉冲线SPL、多条感测线SL、第一驱动电源线PLA、第二驱动电源线PLB和多条发光线EL。

栅极线GL可沿发光显示面板100的第二方向(例如，宽度方向)以某一间隔平行布置。

感测脉冲线SPL可与栅极线GL以某一间隔平行布置。

数据线DL可沿发光显示面板100的第一方向(例如，长度方向)以某一间隔平行布置，以与栅极线GL和感测脉冲线SPL交叉。

感测线SL可与数据线DL以某一间隔平行布置。

第一驱动电源线PLA可与数据线DL和感测线SL分开某一间隔且与其平行地设置。第一驱动电源线PLA可连接至电源并且可向每个像素110提供从电源提供的第一驱动电力EVDD。

第二驱动电源线PLB可向每个像素110提供从电源提供的第二驱动电力EVSS。

发光线EL可与栅极线GL平行地布置。

像素驱动电路PDC可包括：驱动晶体管Tdr，驱动晶体管Tdr控制流入发光器件ED中的电流量；开关晶体管Tsw1，开关晶体管Tsw1连接在数据线DL、驱动晶体管Tdr和栅极线GL之间；和发光晶体管Tsw3，发光晶体管Tsw3控制流到驱动晶体管Tdr的电流。此外，像素驱动电路PDC可包括电容器Cst和感测晶体管Tsw2。

开关晶体管Tsw1可利用通过栅极线GL传送的栅极信号VG的栅极脉冲导通并且可将通过数据线DL提供的数据电压Vdata输出至驱动晶体管Tdr的栅极电极。

感测晶体管Tsw2可利用通过感测脉冲线SPL传送的扫描信号SS导通，并且可将通过感测线SL提供的感测线电压Vini传送至驱动晶体管Tdr的源极电极，或者可将施加至驱动晶体管Tdr的源极电极的电压传送至感测线SL。

发光晶体管Tsw3可利用通过发光线EL传送的发光信号EM的发光导通脉冲导通并且可使电流通过驱动晶体管Tdr流动到发光器件ED，或者可利用发光信号EM的发光截止信号截止并且可使电流不流动到发光器件ED。

电容器Cst可设置在驱动晶体管Tdr的栅极电极和源极电极之间并且可被充入通过开关晶体管Tsw1传送的数据电压，并且驱动晶体管Tdr可被充入电容器Cst中的电压驱动。

就是说，驱动晶体管Tdr可利用充入电容器Cst中的电压导通并且可控制通过第一驱动电源线PLA流到发光器件ED的数据电流的量。

发光器件ED可利用从驱动晶体管Tdr传送的数据电流发光，从而照射具有与数据电流对应的亮度的光。

除了图3中所示的结构以外，像素驱动电路PDC的结构还可实现为具有各种结构。

例如，在图3中，示出了晶体管设置为P型，并且示出了包括四个晶体管的像素驱动电路PDC。然而，本发明不限于此，在其他实施方式中，像素驱动电路PDC可包括两个晶体管、三个晶体管或五个晶体管。

就是说，为了补偿由于驱动晶体管Tdr中的劣化导致的阈值电压或迁移率的变化，除了感测晶体管Tsw2和驱动晶体管Tdr以外，像素驱动电路PDC还可进一步包括至少一个晶体管。

在此提供附加描述：像素驱动电路PDC可包括至少两个晶体管，用于执行内部补偿或外部补偿。

在此，内部补偿可表示这样一种方法，该方法控制驱动晶体管Tdr的栅极电极的电压，使得即使当驱动晶体管Tdr的阈值电压或迁移率由于驱动晶体管Tdr中的劣化而变化时，提供至发光器件ED的电流也不受阈值电压变化或迁移率变化的影响。

外部补偿可表示这样一种方法，该方法检查由于驱动晶体管Tdr中的劣化而导致的驱动晶体管Tdr的阈值电压或迁移率的变化量，并且基于阈值电压或迁移率的变化量改变通过数据线DL提供的数据电压Vdata的电平。

图4是图解根据本发明的发光显示面板100中包括的像素的像素驱动电极的平面的示例图，图5是图解沿图4中所示的线A-A’截取的剖面的示例图。特别是，图4和图5图解了一个像素中包括的像素驱动电极AN。

如图3至图5中所示，根据本发明的发光显示面板100可包括基板111、包括设置在基板111上的驱动晶体管Tdr的像素驱动电路PDC、设置在像素驱动电路PDC上的平坦化层113、设置在平坦化层113上并且与像素驱动电路PDC的驱动晶体管Tdr电连接的像素驱动电极AN、设置在像素驱动电极AN上的发光层EL、以及设置在发光层EL上的公共电极CA。

基板111可包括塑料材料或玻璃材料。基板111可具有平坦四边形(其中每个角部以某一曲率半径被圆化的四边形)、或包括至少六条边的非四边形。在此，具有非四边形的基板111可包括至少一个突出部或至少一个切口部。

基板111可包括不透明的或彩色的聚酰亚胺材料。例如，可通过将在设置于相对较厚的载体基板上的释放层的前表面上涂布成具有某一厚度的聚酰亚胺树脂固化来形成包括聚酰亚胺材料的基板。在这种情况下，可通过激光释放工艺将释放层释放而从基板分离载体基板。

可在基板111的后表面上进一步设置背板。背板可将基板111保持在平坦状态。背板可包括塑料材料，例如可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。背板可层压在从载体基板分离的基板的后表面上。

基板111可以是柔性玻璃基板。例如，基板111可以是具有100μm或更小厚度的薄玻璃基板，或者可以是通过在完成制造发光显示面板100的工艺之后执行的基板蚀刻工艺而蚀刻成具有100μm或更小厚度的载体玻璃基板。

像素驱动电路PDC可设置在基板111的顶表面上。像素驱动电路PDC可具有上面参照图3描述的结构，并且可配置为各种类型。

像素驱动电路PDC可包括连接至像素驱动电极AN的驱动晶体管Tdr。在图5中，示出了像素驱动电路PDC中包括的各晶体管和电容器之中的驱动晶体管Tdr。

如图5中所示，像素驱动电路PDC可设置在基板111上，但不限于此，可在像素驱动电路PDC与基板111之间进一步设置至少一个缓冲部。缓冲部可包括各种有机层或无机层。

驱动晶体管Tdr可包括半导体层、源极电极、漏极电极和栅极电极。此外，驱动晶体管Tdr可进一步包括至少一个绝缘层112。

平坦化层113可设置在像素驱动电路PDC上。平坦化层113可设置在基板111上以覆盖像素驱动电路PDC，因而可在像素驱动电路PDC上提供平坦表面。

发光器件ED可设置在平坦化层113上。发光器件ED可包括与驱动晶体管Tdr电连接的像素驱动电极AN、设置在像素驱动电极AN上的发光层EL和设置在发光层EL上的公共电极CA。

像素驱动电极AN可以是阳极。像素驱动电极AN可设置在像素110的开口区域中并且可电连接至像素驱动电路PDC中包括的驱动晶体管Tdr。

像素驱动电极AN可包括高反射率的金属材料。例如，像素驱动电极AN可包括多层结构，比如铝(Al)和钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)；Al和氧化铟锡(ITO)的堆叠结构(ITO/Al/ITO)；银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的APC合金(Ag/Pd/Cu)；或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)，或者可包括具有选自Ag、Al、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)的一种材料或者两种或更多种材料的单层结构。

如图5中所示，像素驱动电极AN的边缘可被堤部114覆盖。堤部114可设置在像素110的除了开口区域以外的区域中，以与像素驱动电极AN的边缘交叠。因此，可通过堤部114的开口部限定像素110的开口区域。

基于堤部114，像素110的开口区域可限定为Pentile结构或条纹结构。

发光层EL可形成在基板111的全部显示区域AA中，以覆盖像素驱动电极AN和堤部114。

发光层EL可包括用于发射白色光的两个或更多个发光部。例如，发光层EL可包括基于第一光和第二光的组合来发射白色光的第一发光部和第二发光部。在此，第一发光部可发射第一光，第一发光部可包括蓝色发光部、绿色发光部、红色发光部、黄色发光部和黄绿色发光部之一。第二发光部可包括蓝色发光部、绿色发光部、红色发光部、黄色发光部和黄绿色发光部之中的发射具有与第一光具有互补颜色关系的第二光的发光部。

发光层EL可包括蓝色发光部、绿色发光部和红色发光部的其中之一，用来发射与像素110中设定的颜色对应的彩色光。

发光层EL可包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层之一，或者可包括有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的堆叠或组合结构。

公共电极CA可形成为电连接至发光层EL。公共电极CA可形成在基板111的全部显示区域AA中，从而连接至设置在每个像素110中的多个发光层EL。

公共电极CA可包括用于透射光的透明导电材料或半透射导电材料。当公共电极CA包括半透射导电材料时，可通过微腔增加从发光器件ED发射的光的发光效率。例如，半透射导电材料可包括Mg、Ag或Mg和Ag的合金。可在公共电极CA上进一步形成覆盖层(cappinglayer)，用来调节从发光器件ED发射的光的折射率，以提高光的发光效率。

封装层可设置在公共电极CA上。

如图4和图5中所示，像素驱动电极AN可包括彼此分开的多个第一电极150、和覆盖第一电极150的第二电极160。

第二电极160和第一电极150中的至少之一可连接至像素驱动电路PDC。

例如，参照图4，第一电极150之一可直接连接至驱动晶体管Tdr。然而，本发明的公开内容不限于此。例如，第二电极160可直接连接至驱动晶体管Tdr。

下文中，为了便于描述，作为本发明公开内容的示例，将描述第一电极150之一直接连接至驱动晶体管Tdr的发光显示面板100。

如图4中所示，每个第一电极150的形状可以是四边形。然而，本发明的公开内容不限于此，在其他实施方式中，每个第一电极150可具有各种形状，比如圆形和六边形。

第一电极150可设置在平坦化层113上并且可彼此分开设置。

如上所述，第一电极150之一可电连接至驱动晶体管Tdr。

第一电极150可执行沿朝向公共电极CA的方向反射从发光层EL发射的光的反射器的功能。因此，第一电极150可包括高反射率的金属材料，例如可包括诸如Al和Ti的堆叠结构(Ti/Al/Ti)或APC合金(Ag/Pd/Cu)之类的多层结构，或者可包括选自Ag、Al、Mo、Au、Mg、Ca和Ba之中的一种材料或者两种或更多种合金材料。

然而，第一电极150可包括诸如ITO和氧化铟锌(IZO)之类的透明金属。

第二电极160可包括在像素中以覆盖全部第一电极150。因此，第二电极160可电连接至驱动晶体管Tdr。

彼此分开并且彼此电绝缘的第一电极150可通过第二电极160彼此电连接。

彼此分开设置在平坦化层113上的第一电极150可通过第二电极160彼此电连接。因此，彼此分开设置的第一电极150可通过第二电极160电连接至驱动晶体管Tdr。

第二电极160可包括设置在平坦化层113上的第2-1电极161和设置在第一电极150上的第2-2电极162。

第2-2电极162可设置成与第一电极150交叠，第2-1电极161可设置在第一电极150之间。第2-1电极161和第2-2电极162可在第一电极150的侧表面彼此连接。

第二电极160也可包括与第一电极150相同的材料，但不限于此，第二电极160可包括诸如ITO或IZO之类的透明金属。就是说，第二电极160可包括不透明金属、半透明金属和透明金属中的至少之一。

参照图5，在彼此分开设置的第一电极150之间可形成沟槽TC。第2-1电极161可设置成对应于沟槽TC。

设置在第一电极150上的第2-2电极162和设置在沟槽TC中的第2-1电极161可在第一电极150的侧表面彼此连接。

当在像素110(特别是，发光器件ED)中没有颗粒时，发光显示面板100的剖面可具有图5中所示的结构。

图6是图解在制造工艺中根据本发明的发光显示面板的剖面的示例图，特别是，图解了包括颗粒的剖面图。图7A至图7C是图解沿图4的线B-B’截取的剖面的示例图。

在制造发光显示面板100的工艺中，由于诸多原因，颗粒PA可能设置在发光显示面板100上。

当颗粒PA设置在发光显示面板100上时，由于颗粒PA，会产生各种缺陷。

当在制造发光显示面板100时颗粒PA设置在像素驱动电极AN的顶表面上时，在其上设置有颗粒PA的像素驱动电极AN与公共电极CA电连接的地方会产生缺陷。此外，该缺陷会大大降低发光显示面板100的质量。

例如，如图6中所示，在颗粒PA设置于像素驱动电极AN上的状态下，当在像素驱动电极AN上沉积发光层EL时，发光层EL不会沉积在颗粒PA的下部区域Y上。因此，像素驱动电极AN的第二电极160可暴露在颗粒PA的下部区域Y。在这种情况下，发光层EL可沉积在颗粒PA的顶表面上。

在第二电极160暴露在颗粒PA的下部区域Y的状态下，当在发光层EL的顶表面上沉积公共电极CA时，公共电极CA会在颗粒PA的下部区域处电连接至第二电极160。

当一个像素110中包括的第二电极160电连接至与全部像素110共同连接的公共电极CA时，如图6中所示，除了包括第二电极160的像素110以外，在其他像素110中也会产生缺陷。

因此，当产生图6中所示的缺陷时，可执行图7A至图7C中所示的修复工艺或老化工艺。

可在第一电极150之间形成凹陷的沟槽TC，并且第一电极150可通过设置在沟槽TC中的第2-1电极161彼此电连接。此外，第2-1电极161的厚度可小于第一电极150的厚度。

因为第2-1电极161的厚度相对小于第一电极150的厚度，所以可容易从沟槽TC去除第2-1电极161。

例如，如图4和图7A中所示，可通过在其上设置有颗粒PA的第一电极(下文中简称为第一颗粒电极150a)附近的沟槽TC上执行蚀刻工艺，形成穿过公共电极CA、发光层EL和第2-1电极161的通孔X。可通过通孔X暴露平坦化层113。

可通过上述蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺、干蚀刻工艺、或干和湿蚀刻工艺)形成通孔X。

此外，可通过使用激光的切割工艺形成通孔X。

此外，可通过加热工艺形成通孔X。

例如，如图6中所示，在由于像素驱动电极AN和公共电极CA的短路而产生暗点的情况下，当施加电压时，在颗粒PA附近会局部产生焦耳热。当焦耳热导致的热量扩散到颗粒PA的外围时，热量会集中在设置于沟槽TC中并且具有相对较薄厚度的第2-1电极161上，因而可发生熔融。因此，如图7A至图7C中所示，第2-1电极161可在沟槽TC中断开。

在这种情况下，如图7A中所示，由于焦耳热，第2-1电极161、发光层EL和公共电极CA全部可断开。或者，如图7B中所示，仅第2-1电极161可断开。或者，如图7C中所示，仅第2-1电极161和发光层EL可断开。

因此，第一电极150中的至少一个第一电极(下文中简称为第一颗粒电极150a)可与设置在围绕至少一个第一电极(第一颗粒电极150a)的其他第一电极(下文中简称为第一正常电极150b)之间的第二电极160断开。例如，与其中设置有颗粒PA的区域对应的第2-1电极161可与第二电极160分开。参照图4，与第一颗粒电极150a对应的区域的第二电极(下文中简称为第二颗粒电极160a)可与第二电极160的除了第二颗粒电极160a以外的其他部分(下文中简称为第二正常电极160b)断开。

尽管与其中设置有颗粒PA的区域对应的第2-1电极161与第二电极160分开，但与其中未设置颗粒PA的区域对应的第一电极150可被第二电极160覆盖，因而相同的像素驱动电压可提供至第一电极150。因此，因为只有与其中设置有颗粒PA的区域对应的第一电极150与第一电极150分开，所以可对其不提供像素驱动电压，而是像素驱动电压可提供至与其中未设置颗粒PA的区域对应的第一电极150。因此，即使当在制造工艺中出现颗粒PA时，整个像素也不会变黑，其中未出现颗粒PA的区域可用作像素。

例如，第二颗粒电极160a可与第二正常电极160b电断开，第二正常电极160b可电连接至第一正常电极150b，第一正常电极150b包括与驱动晶体管Tdr连接的第一正常电极。此外，第一颗粒电极150a和第二颗粒电极160a不会电连接至驱动晶体管Tdr。

因此，仅对应于第一颗粒电极150a的部分不会发光，对应于第一正常电极150b的其他部分可发光。因此，在一个像素中的亮度降低可被最小化。

在此提供附加描述：第一电极150之中的其上设置有颗粒PA的第一电极可被称为第一颗粒电极150a，第一电极150之中的除了第一颗粒电极150a以外的其他第一电极可被称为第一正常电极150b。

在这种情况下，第一颗粒电极150a可与第一正常电极150b电断开。

此外，第二电极160的设置在第一颗粒电极150a上端的部分可被称为第二颗粒电极160a，第二电极160的除了第二颗粒电极160a以外的其他部分可被称为第二正常电极160b。

在这种情况下，在第一颗粒电极150a与第一正常电极150b之间，第二颗粒电极160a可与第二正常电极160b断开。

第一正常电极150b之一和第二正常电极160b可连接至驱动晶体管Tdr并且第一正常电极150b可被第二正常电极160b覆盖，因而仅对应于第一颗粒电极150a的部分不会发光，对应于第一正常电极150b的其他部分可发光。因此，在一个像素中的亮度降低可被最小化。

图8是图解根据本发明的发光显示面板中的第2-1电极和第2-2电极之间的连接结构的示例图，图9是图解在根据本发明的发光显示面板中形成底切区域的方法的示例图。特别是，图8图解了通过第一电极150彼此连接的第2-1电极161和第2-2电极162。下文中，省略或将简要给出与上面参照图1至图7C给出的描述相同或相似的描述。

如图5中所示，第2-1电极161和第2-2电极162可在第一电极150的侧表面彼此连接。

然而，如图8中所示，第2-1电极161和第2-2电极162可通过第一电极150彼此连接。

为此，如图8中所示，多个第一电极150的每一个可包括设置在平坦化层113上的第1-1电极151和设置在第1-1电极151上端的第1-2电极152。在这种情况下，第二电极160可包括设置在平坦化层113上的第2-1电极161和设置在第1-2电极152上端的第2-2电极162。第1-1电极151可包括Mo，第1-2电极152可包括ITO。此外，第1-1电极151和第1-2电极152可包括各种金属材料。

在这种情况下，第2-1电极161和第2-2电极162可通过第一电极150彼此连接。

就是说，第2-1电极161可连接至第1-1电极151，第2-2电极162可连接至第1-2电极152。因此，第2-1电极161和第2-2电极162可通过第1-1电极151和第1-2电极152彼此连接。

特别是，第2-1电极161的侧表面可连接至第1-1电极151的侧表面。

因此，如图8中所示，可在第2-1电极161与第2-2电极162相邻的部分处形成具有底切结构的底切区域UC。

下面将参照图9简要描述形成底切区域UC的方法。

首先，可在平坦化层113的整个上端上沉积第1-1电极151中包括的材料，随后可在上端沉积第1-2电极152中包括的材料，并且随后可图案化第1-2电极152。

随后，如图9的(a)中所示，可在第1-2电极152的上端上涂布光刻胶PR，并且基于光刻胶PR，如图9的(b)中所示，可形成第1-1电极151。在这种情况下，可在第1-1电极151和第1-2电极152的每一个的端部形成底切结构。

最后，如图9的(c)中所示，可在第1-2电极152的上端和平坦化层113上沉积第二电极160。

在这种情况下，第二电极160的形成在平坦化层113上的第2-1电极161可电连接至第1-1电极151的侧表面。因此，可形成图8和图9的(c)中所示的底切区域UC。

图10是图解在根据本发明的发光显示面板中，第2-1电极和第2-2电极通过修复工艺或老化工艺彼此电断开的结构的示例图。

如上所述，第2-1电极161的厚度可相对小于第一电极150的厚度，因而可容易去除设置在沟槽TC中的第2-1电极161。

特别是，第2-1电极161可形成在沟槽TC中的底切区域UC中。此外，形成在底切区域UC中的第2-1电极161的厚度可比上面参照图5描述的第2-1电极161的厚度薄。

因此，在执行根据本发明的修复工艺或老化工艺的情况下，可更容易去除第2-1电极161。此外，可更容易形成通孔X。

图11是图解根据本发明的发光显示面板的剖面的另一示例图，图12至图14是图解制造图11中所示的发光显示面板的工艺的示例图。下文中，省略或将简要给出与上面参照图1至图10给出的描述相同或相似的描述。

如上所述，像素驱动电极AN可包括彼此分开的多个第一电极150、和覆盖第一电极150的第二电极160。

在这种情况下，如图6中所示，当颗粒PA设置在像素驱动电极AN上时，可执行上面参照图7A至图7C描述的修复工艺或老化工艺。

然而，在本发明中，当颗粒PA设置在像素驱动电极AN的上端时，可执行下述的修复工艺或老化工艺，最后可制造出图11中所示的根据本发明的发光显示面板100。

在根据本发明的发光显示面板100中，颗粒PA可设置在第二电极160的上端，发光层EL中包括的材料可设置在颗粒PA的上端，可在颗粒PA的下端Y附近设置颗粒覆盖层PCL，颗粒覆盖层PCL可被发光层EL围绕，并且公共电极CA可设置在发光层EL、颗粒覆盖层PCL和颗粒PA的每一个的上端。在这种情况下，像氟这样的具有疏水性的材料可留在发光层EL的最上端，或者可在去除下述颗粒覆盖材料PCM的工艺中与颗粒覆盖材料PCM一起去除具有疏水性的材料。

下面将描述制造根据本发明的发光显示面板100的工艺。

首先，如图12中所示，在颗粒PA放置于像素驱动电极AN(特别是，第二电极160)的上端的情况下，可在第二电极160和颗粒PA的每一个的上端形成发光层EL。

随后，如图12中所示，可在发光层EL的最上端涂布具有疏水性的材料(下文中简称为疏水材料HM)(例如，氟)。疏水性可表示与水的结合力不佳的特征。

随后，如图13中所示，可通过使用溶液工艺(soluble process)在疏水材料HM的上端涂布颗粒覆盖材料PCM。颗粒覆盖材料PCM可以是不与疏水材料HM结合而与诸如像素驱动电极AN之类的金属材料完美结合的材料之一。

随后，如图14中所示，当通过旋涂工艺以适当水平去除颗粒覆盖材料PCM时，可从具有疏水性的发光层EL的上部去除颗粒覆盖材料PCM，并且仅在暴露第二电极160的颗粒PA的下端Y上留下颗粒覆盖材料PCM。留在颗粒PA的下端Y上的颗粒覆盖材料PCM可被称为颗粒覆盖层PCL。在这种情况下，当去除颗粒覆盖材料PCM时，形成在发光层EL的上端的疏水材料HM可与颗粒覆盖材料PCM一起被去除，或者可留下。

最后，可以以防止在发光层EL中发生损坏的水平(level)来固化颗粒覆盖层PCL，然后，当在其上沉积公共电极CA时，可形成图11中所示的发光显示面板。

在这种情况下，可在暴露于颗粒PA的下端Y的第二电极160被颗粒覆盖层PCL覆盖的状态下沉积公共电极CA，因而公共电极CA和第二电极160在颗粒PA的下端Y不会彼此电连接。

因此，不会基于颗粒PA产生公共电极CA与像素驱动电极AN短路的缺陷。

图15是图解根据本发明的发光显示面板的剖面的另一示例图。下文中，省略或将简要给出与上面参照图11至图14给出的描述相同或相似的描述。

如上所述，当在暴露于颗粒PA的下端Y的第二电极160被颗粒覆盖层PCL覆盖的状态下沉积公共电极CA时，公共电极CA和第二电极160在颗粒PA的下端Y处不会彼此电连接。因此，不会基于颗粒PA产生公共电极CA与像素驱动电极AN短路的缺陷。

在这种情况下，如图11至图14中所示，像素驱动电极AN可包括多个第一电极150、以及覆盖第一电极150的第二电极160。

然而，如图15中所示，像素驱动电极AN可配置为板状。在这种情况下，可通过使用上述各种材料由至少一个层形成像素驱动电极AN。在图15中，示出了仅包括第二电极160的像素驱动电极AN。

根据本发明的发光显示面板可包括基板111、设置在基板111上的像素驱动电路PDC、设置在像素驱动电路PDC的上端的平坦化层113、设置在平坦化层113的上端并且与像素驱动电路PDC电连接的像素驱动电极AN、设置在像素驱动电极AN的上端的发光层EL、以及设置在发光层EL的上端的公共电极CA。在这种情况下，颗粒PA可设置在像素驱动电极AN的上端，发光层EL中包括的材料可设置在颗粒PA的上端，可在颗粒PA的下端Y附近设置颗粒覆盖层PCL，颗粒覆盖层PCL可被发光层EL围绕，并且公共电极CA可设置在发光层EL、颗粒覆盖层PCL和颗粒PA的每一个的上端上。

在颗粒PA设置于形成为板状的像素驱动电极AN上的情况下，可执行上面参照图12描述的工艺。

因此，公共电极CA和第二电极160在颗粒PA的下端Y不会彼此电连接。因此，不会基于颗粒PA产生公共电极CA与像素驱动电极AN短路的缺陷。

下文中，将描述上述本发明的特征。

首先，在本发明中，如上面参照图1至图7C所述的，可在像素驱动电极AN中形成沟槽TC结构。

当在平坦化层113上形成像素驱动电极AN时，每个第一电极150可用作反射器，并且由于第一电极150彼此分离最小线宽度，所以可形成沟槽TC结构。

可在第一电极150和平坦化层113上形成具有几十nm厚度的包括诸如ITO之类的透明金属的第二电极160。

第一电极150可彼此分离，并且第一电极150可通过第二电极160彼此电连接。

根据本发明，在基于顶部发光型的发光显示面板中，可减少由于初始暗点和进程暗点(progressive dark spot)导致的缺陷。

在此提供附加描述：在本发明中，构成像素驱动电极AN并且用作反射器的第一电极150可划分为多个电极，从而形成沟槽结构，并且在由于颗粒而发生像素驱动电极AN与公共电极CA之间的短路的部分中可产生焦耳热。局部区域的ITO(即，第2-1电极161)可由于焦耳热而断开，因而在一个像素中只有其中设置有颗粒PA的区域可变黑，其他区域可正常发射光。

在相关技术中，当产生由颗粒导致的缺陷时，应用将公共电极(即，阴极)短路的方法。然而，在本发明中，可切断像素驱动电极AN、发光层EL和公共电极CA的全部，由此防止进程暗点的发生。

因此，根据本发明，可提高基于顶部发光型的发光显示面板的产率，并且可减少由于初始暗点和进程暗点导致的缺陷。

随后，在本发明中，如上面参照图8至图10描述的，可在像素驱动电极AN中形成底切结构。

第一电极150可包括第1-1电极151和第1-2电极152，并且可在第1-1电极151和第1-2电极152的每一个的端部形成其中第1-1电极151从第1-2电极152向内设置的倒锥形结构或底切结构。

在此提供附加描述：第一电极150可包括包含Mo的第1-1电极151和包含ITO的第1-2电极152，并且可基于第1-1电极151和第1-2电极152形成底切结构。

在这种情况下，在其中设置有底切结构的底切区域UC中，构成第二电极160的第2-1电极161和第2-2电极162可彼此分开，特别是，设置在底切区域UC中的第2-1电极161的厚度可形成为比设置在除了底切区域UC以外的其他区域中的第2-1电极161的厚度薄。

因此，基于底切结构，可更容易切断第2-1电极161。如上所述，可通过使用由焦耳热导致的热量切断第2-1电极161。

最后，在本发明中，如上面参照图11至图15描述的，可在制造工艺中形成颗粒覆盖层PCL。

设置在颗粒PA的下端Y处的像素驱动电极AN可被颗粒覆盖层PCL覆盖，因而不会发生在颗粒PA的下端Y处公共电极CA与像素驱动电极AN短路的缺陷。

为此，可在发光层EL的最上端形成具有疏水性的材料(疏水材料HM)。疏水材料HM可使用氟。就是说，基于氟的材料可以是稳定的材料，因而可具有不与其他材料结合的特性。

可通过溶液工艺在疏水材料HM的上端形成颗粒覆盖材料PCM，并且基于旋涂工艺，可通过颗粒覆盖层PCL填充设置在颗粒PA的下端Y处的像素驱动电极AN被暴露的部分，因而可防止像素驱动电极AN与公共电极CA之间的短路。

在使用这种方法的本发明中，与使用焦耳热的老化工艺不同，可从根本上防止像素驱动电极AN与公共电极CA之间的短路。因此，根据本发明，可提高基于顶部发光型的发光显示面板的产率。

在此提供附加描述：在沉积粘合性和功能性(AC)部分之后产生的有机层成分可以是AC涂覆层，并且因为结合不稳定，所以涂覆层可具有流动性。因此，颗粒覆盖层PCL可仅沉积在其中疏水材料HM不足或未设置疏水材料HM的颗粒PA的下端Y上，在下端Y处暴露的像素驱动电极AN可被颗粒覆盖层PCL覆盖。

图16和图17是图解根据本发明的发光显示面板中包括的像素的像素驱动电极的平面的其他示例图。图18A至图18C是图解沿图16中所示的线C-C’截取的剖面的示例图。图19是图解当在根据本发明的发光显示面板的像素中存在颗粒时，像素驱动电路与发光器件之间的连接关系的示例图。特别是，图18A至图18C图解了一个像素中包括的像素驱动电极AN。下文中，省略或将简要给出与上面参照图1至图15给出的描述相同或相似的描述。在下面的描述中，由应用于图1至图15的相似参考标记表示执行与上面参照图1至图15描述的元件相同的功能的元件。

如上所述，根据本发明的发光显示面板100可包括基板111、包括设置在基板111上的驱动晶体管Tdr的像素驱动电路PDC、设置在像素驱动电路PDC上的平坦化层113、设置在平坦化层113上并且与像素驱动电路PDC的驱动晶体管Tdr电连接的像素驱动电极AN、设置在像素驱动电极AN上的发光层EL、以及设置在发光层EL上的公共电极CA。像素驱动电极AN可包括彼此分开设置的多个第一电极150和形成为覆盖多个第一电极150的第二电极160。第二电极160可将彼此分开的多个第一电极150电连接。

参照图16，第一电极150可包括与驱动晶体管Tdr连接的连接电极153、和彼此分开的多个分割电极154。

在图4所示的发光显示面板中，第一电极150之中的与驱动晶体管Tdr连接的第一电极可以是连接电极153，其他第一电极可以是分割电极154。

在这种情况下，如图4中所示，连接电极153的形状可与每个分割电极154的形状相同或相似。可选地，如图16中所示，连接电极153的形状可与每个分割电极154的形状不同。

例如，如图16中所示，分割电极154可形成为四边形，并且连接电极153可形成为线形。

连接电极153可形成为具有与每个分割电极154的形状不同的形状。例如，连接电极153的宽度W1可设为小于分割电极154的宽度W2。此外，连接电极153的长度L1可设为长于分割电极154的长度L2。

连接电极153可沿发光显示面板100的第一方向(例如，与数据线平行的方向)形成。例如，参照图16，连接电极153可沿像素110的长度方向延伸，并且数据线可沿像素110的长度方向延伸。然而，本发明不限于此。例如，连接电极153可沿与数据线垂直的方向延伸。因此，连接电极153可沿像素110的宽度方向延伸。

连接电极153可形成为沿发光显示面板100的第一方向延伸的线形。第一方向可以是可形成在发光显示面板100的平面上的各种方向之一。例如，第一方向可以是长度方向，或者可以是宽度方向。

至少两个分割电极154可沿连接电极153的长度方向设置并且面对连接电极153。

在图16所示的像素110中，多个分割电极154可沿连接电极153延伸的方向设置。连接电极153可形成为沿其长度方向延伸。此外，面对连接电极153的多个分割电极154可设置在沿长度方向延伸的连接电极153的一侧。

此外，在图17所示的像素110中，多个分割电极154可沿连接电极153的长度方向设置。面对连接电极153的多个分割电极154可在连接电极153位于其间的情况下分别设置在连接电极153的一侧和另一侧。

至少两个分割电极154可沿连接电极153的长度方向面对连接电极153。可选地，在连接电极153位于其间的情况下，面对连接电极153的至少两个分割电极154可分别设置在连接电极153的两侧。

此外，在图17所示的像素110中，可在相对于连接电极153的一侧和另一侧设置相同数量的分割电极154，但设置在连接电极153的一侧的分割电极154的数量可与设置在连接电极153的另一侧的分割电极154的数量不同。

在像素110中连接电极153的位置可进行各种变化。

如图16中所示，分割电极154可形成为四边板状。然而，本发明不限于此。例如，除了四边形以外，分割电极154还可形成为诸如三角形、五边形或六边形之类的多边形。可选地，分割电极154可形成为其各个边具有不同长度的各种形状。

此外，分割电极154的形状可相同，但也可不同。此外，分割电极154的尺寸可相同，但也可不同。

参照图16和图17，连接电极153的宽度W1可设为小于每个分割电极154的宽度W2。因此，可降低颗粒PA设置在连接电极153中的可能性。

连接电极153的宽度W1可设为小于每个分割电极154的宽度W2，因而颗粒PA设置在至少一个分割电极154中而不是设置在连接电极153中的可能性较高。

例如，如图18A至图18C中所示，基于老化工艺，其中产生颗粒PA的分割电极154(下文中称为第一颗粒电极150a)可与其中未产生颗粒PA的分割电极154(下文中成为第一正常电极150b)电断开。因此，像素110可通过使用第一正常电极150b和第二正常电极160b正常发光。

就是说，可通过蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺、干蚀刻工艺、或干和湿蚀刻工艺)形成图18A中所示的通孔X。然而，本发明不限于此。例如，蚀刻工艺可包括使用激光的切割工艺，或者可包括加热工艺。

例如，在通过使用焦耳热的加热工艺形成通孔X的情况下，如图18A中所示，第2-1电极161、发光层EL和公共电极CA全部可断开。此外，如图18B中所示，仅第2-1电极161可断开。或者，如图18C中所示，仅第2-1电极161和发光层EL可断开。

如图18A至图18C和图19中所示，对应于与第一正常电极150b和第一正常电极160b电断开的第一颗粒电极150a的发光器件ED可不发光，而与第一正常电极150b对应的发光器件ED可发光。

与构成像素驱动电路PDC的驱动晶体管Tdr直接连接的连接电极153的宽度可设为小于每个分割电极154的宽度。因为连接电极153的宽度可设为小于每个分割电极154的宽度，所以可降低颗粒PA设置在连接电极153上的可能性。此外，其上设置有颗粒PA的分割电极154可通过老化工艺与其他分割电极154电断开。通过老化工艺分开的分割电极154可变黑，并且基于未分开的其他分割电极154，像素110可正常发射光。

图20是图解沿图16中所示的线D-D’截取的剖面的示例图，图21是应用于根据本发明的发光显示面板的四个像素的每一个的平面图。特别是，图21中示出了下面参照图20描述的光阻挡颗粒113a。图20中示出的剖面可以是沿图4中所示的线A-A’截取的剖面。当图20所示的剖面是沿图4中所示的线A-A’截取的剖面时，沿图4中的线A-A’示出三个第一电极150，但在下面的描述中，可假设设置四个第一电极150。下文中，省略或将简要给出与上面参照图1至图19给出的描述相同或相似的描述。

根据本发明的发光显示面板100可包括基板111、包括设置在基板111上的驱动晶体管Tdr的像素驱动电路PDC、设置在像素驱动电路PDC上的平坦化层113、设置在平坦化层113上并且与像素驱动电路PDC的驱动晶体管Tdr电连接的像素驱动电极AN、设置在像素驱动电极AN上的发光层EL、以及设置在发光层EL上的公共电极CA。像素驱动电极AN可包括彼此分开设置的多个第一电极150和形成为覆盖多个第一电极150的第二电极160。此外，第二电极160和第一电极150中的至少一个可连接至像素驱动电路PDC。

构成像素驱动电极AN的第一电极150可彼此连接，因而当根据本发明的发光显示面板100是顶部发光型时，从发光层EL发射的光可能通过第一电极150之间的间隙泄漏到像素驱动电路PDC。

泄漏的光之中具有较短波长的光可导致像素驱动电路PDC中包括的晶体管的质量劣化(TFT劣化)。例如，泄漏的光之中具有小于500nm波长的光可导致像素驱动电路PDC中包括的晶体管的质量劣化(TFT劣化)。因此，需要阻挡从发光层EL发射并且通过第一电极150之间的间隙泄漏到像素驱动电路PDC的光。

为此，在本发明中，如图20中所示，可在平坦化层113中设置具有光阻挡特性或光散射特性的纳米颗粒或量子点(下文中称为光阻挡颗粒113a)。包括光阻挡颗粒113a的平坦化层113可执行光阻挡层的功能。

从发光层EL泄漏到像素驱动电路PDC的光可被用于执行光阻挡层的功能的平坦化层113阻挡。因为从发光层EL泄漏到像素驱动电路PDC的光被包括光阻挡颗粒113a的平坦化层113阻挡，所以可防止晶体管的质量劣化(TFT劣化)。

平坦化层113中包括的光阻挡颗粒113a可以是包括诸如金或银之类的金属材料的纳米颗粒NP或量子点QD。

通常，可通过涂布有机材料和无机材料中的至少一种(下文中称为平坦化层材料)形成平坦化层。通过使用这种点(dot)，可在平坦化层材料中设置具有光散射特性或光扩散特性的光阻挡颗粒113a。可选地，可在像素驱动电路PDC的上端涂布包括光阻挡颗粒113a的平坦化层材料，因而可形成平坦化层113。

在具有具体波长的光到达光阻挡颗粒113a的表面的情况下，基于等离激元现象，当光的波长与光阻挡颗粒113a的表面的等离激元的振动周期匹配时，光可被光阻挡颗粒113a的表面吸收或散射。被光阻挡颗粒113a的表面吸收的波长可主要对应于紫外(UV)范围，但光阻挡颗粒113a可散射或吸收可见光范围的波长。

因此，流入第一电极150之间的区域中的光可被包括光阻挡颗粒113a的平坦化层113阻挡。

光阻挡颗粒113a可设置在与基板111的显示区域AA对应的整个区域中。

例如，可遍布设置成对应于显示区域AA的整个平坦化层113设置用于执行光阻挡功能的光阻挡颗粒113a。

然而，本发明不限于此。例如，光阻挡颗粒113a可仅设置在基板111中包括的平坦化层113中的与像素驱动电路PDC对应的区域中。

例如，光阻挡颗粒113a可设置在平坦化层113中以覆盖全部像素驱动电路PDC。

可选地，光阻挡颗粒113a可设置在平坦化层113中以覆盖像素驱动电路PDC中包括的两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管。

参照图3，像素驱动电路PDC可包括与像素驱动电极AN连接的驱动晶体管Tdr、与驱动晶体管Tdr的栅极电极连接的开关晶体管Tsw1、连接在驱动晶体管Tdr与像素驱动电极AN之间的感测晶体管Tsw2、和控制流入驱动晶体管Tdr的电流的发光晶体管Tsw3。

在这种情况下，如图20中所示，设置在用于执行光阻挡功能的平坦化层113中的光阻挡颗粒113a可设置在开关晶体管Tsw1与像素驱动电极AN之间的区域、感测晶体管Tsw2与像素驱动电极AN之间的区域、发光晶体管Tsw3与像素驱动电极AN之间的区域、以及驱动晶体管Tdr与像素驱动电极AN之间的区域中的至少一个区域中。在此，像素驱动电极AN可表示第一电极150。

例如，如图21中所示，光阻挡颗粒113a可设置在开关晶体管Tsw1与像素驱动电极AN之间以及在感测晶体管Tsw2与像素驱动电极AN之间。

在设置于驱动晶体管Tdr与像素驱动电极AN之间的平坦化层113中不设置光阻挡颗粒113a的原因在于：通过泄漏到第一电极150之间的间隙的光进一步提高了驱动晶体管Tdr的迁移率。此外，原因还在于：随着驱动晶体管Tdr的迁移率提高，发光器件ED的发光效率增加。

然而，因为开关晶体管Tsw1和感测晶体管Tsw2的每一个的特性不应当改变，所以可在与开关晶体管Tsw1和感测晶体管Tsw2对应的区域中的平坦化层113中设置光阻挡颗粒113a。

就是说，由于泄漏到第一电极150之间的间隙的光，在具有改进的特性的晶体管中可不设置光阻挡颗粒113a，但是由于泄漏到第一电极150之间的间隙的光，可在其特性不应当改变的晶体管中设置光阻挡颗粒113a。

图22是图解沿图16中所示的线D-D’截取的剖面的另一示例图，图23是应用于根据本发明的发光显示面板的四个像素的每一个的另一平面图。特别是，图23中示出了下面参照图22描述的光阻挡层115。图22中示出的剖面可以是沿图4中所示的线A-A’截取的剖面。当图22所示的剖面是沿图4中所示的线A-A’截取的剖面时，沿图4中的线A-A’示出三个第一电极150，但在下面的描述中，可假设设置四个第一电极150。下文中，省略或将简要给出与上面参照图1至图19给出的描述相同或相似的描述。

根据本发明的发光显示面板100可包括基板111、包括设置在基板111上的驱动晶体管Tdr的像素驱动电路PDC、设置在像素驱动电路PDC上的平坦化层113、设置在平坦化层113上并且与像素驱动电路PDC的驱动晶体管Tdr电连接的像素驱动电极AN、设置在像素驱动电极AN上的发光层EL、以及设置在发光层EL上的公共电极CA。像素驱动电极AN可包括彼此分开设置的多个第一电极150和形成为覆盖多个第一电极150的第二电极160。此外，第二电极160和第一电极150中的至少一个可连接至像素驱动电路PDC。

构成像素驱动电极AN的第一电极150可彼此连接，因而当根据本发明的发光显示面板100是顶部发光型时，从发光层EL发射的光可能通过第一电极150之间的间隙泄漏到像素驱动电路PDC。

泄漏的光之中具有较短波长的光可导致像素驱动电路PDC中包括的晶体管的质量劣化(TFT劣化)。例如，泄漏的光之中具有小于500nm波长的光可导致像素驱动电路PDC中包括的晶体管的质量劣化(TFT劣化)。因此，需要阻挡从发光层EL发射并且通过第一电极150之间的间隙泄漏到像素驱动电路PDC的光。

如图22中所示，根据本发明的发光显示面板100可进一步包括设置在像素驱动电路PDC与平坦化层113之间的光阻挡层115，用来阻挡流入第一电极150之间的区域中的光。

光阻挡层115可包括硅(Si)层或锗(Ge)层。可选地，光阻挡层115可以是包括Si层和Ge层的组合层。

光阻挡层115中包括的Si层可以是非晶Si(a-Si)层，并且光阻挡层115中包括的Ge层可以是非晶Ge(a-Ge)层。

具有较短波长的光的透射率在a-Si层和a-Ge层中可较低，因而光可被a-Si层和a-Ge层阻挡。

光阻挡层115可以是包括a-Si层和a-Ge层的多层。在这种情况下，由于层之间的折射率，光可被阻挡。

光阻挡层115可以是具有非晶特性(其中透射率在较短波长范围内较低)的单层。可选地，光阻挡层115可由包括具有非晶特性的单层的组合层形成。

如上面参照图22描述的，流入第一电极150之间的区域中的光可被设置在像素驱动电路PDC与平坦化层113之间的光阻挡层115阻挡。

设置在像素驱动电路PDC与平坦化层113之间的光阻挡层115可设置在与基板111的显示区域AA对应的整个区域中。

例如，在像素驱动电路PDC与平坦化层113之间设置光阻挡层115从而阻挡光的情况下，光阻挡层115可设置成覆盖全部显示区域AA。

然而，本发明不限于此。例如，设置在像素驱动电路PDC与平坦化层113之间的光阻挡层115可仅设置在基板111的与像素驱动电路PDC对应的区域中。

例如，设置在像素驱动电路PDC与平坦化层113之间的光阻挡层115可覆盖全部像素驱动电路PDC。

可选地，设置在像素驱动电路PDC与平坦化层113之间的用于阻挡光的光阻挡层115可设置成覆盖像素驱动电路PDC中包括的两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管。

参照图3，像素驱动电路PDC可包括与像素驱动电极AN连接的驱动晶体管Tdr、与驱动晶体管Tdr的栅极电极连接的开关晶体管Tsw1、连接在驱动晶体管Tdr与像素驱动电极AN之间的感测晶体管Tsw2、以及控制流入驱动晶体管Tdr的电流的发光晶体管Tsw3。

在这种情况下，设置在像素驱动电路PDC与平坦化层113之间的光阻挡层115可设置在开关晶体管Tsw1与像素驱动电极AN之间的区域、感测晶体管Tsw2与像素驱动电极AN之间的区域、发光晶体管Tsw3与像素驱动电极AN之间的区域、以及驱动晶体管Tdr与像素驱动电极AN之间的区域中的至少一个区域中。在此，像素驱动电极AN可表示第一电极150。

例如，如图23中所示，光阻挡层115可设置在开关晶体管Tsw1与像素驱动电极AN之间以及在感测晶体管Tsw2与像素驱动电极AN之间。

在设置于驱动晶体管Tdr与像素驱动电极AN之间的平坦化层113中不设置光阻挡层115的原因在于：通过泄漏到第一电极150之间的间隙的光进一步提高了驱动晶体管Tdr的迁移率。此外，原因还在于：随着驱动晶体管Tdr的迁移率提高，发光器件ED的发光效率增加。如上所述，在驱动晶体管Tdr与像素驱动电极AN之间可不设置光阻挡层115。

然而，因为开关晶体管Tsw1和感测晶体管Tsw2的每一个的特性不应当改变，所以可在与开关晶体管Tsw1和感测晶体管Tsw2对应的区域中设置光阻挡层115。

就是说，由于泄漏到第一电极150之间的间隙的光，在具有改进的特性的晶体管中可不设置光阻挡层115，但是由于泄漏到第一电极150之间的间隙的光，可在其特性不应当改变的晶体管中设置光阻挡层115。

根据本发明的实施方式，只有与其中设置有颗粒的区域对应的第一电极可与像素驱动电极电断开，由此防止每个像素由于颗粒而整个变黑。

因此，可提高发光显示面板的产率。

此外，在本发明中，第一电极之中的与构成像素驱动电路的驱动晶体管直接连接的连接电极的宽度可设为小于分割电极的宽度。此外，连接电极的长度可设为像线一样长，因而可降低颗粒设置在连接电极上的可能性。在这种情况下，其中设置有颗粒的分割电极可通过老化工艺与其他分割电极电断开，因而像素可通过使用其他分割电极正常发射光。

此外，在本发明中，通过第一电极之间的间隙从发光层泄漏到像素驱动电路的光可被光阻挡层阻挡，由此防止晶体管的质量由于漏光而劣化。

本发明的上述特征、结构和效果包括在本发明的至少一个实施方式中，但不仅限于一个实施方式。此外，所属领域技术人员可通过其他实施方式的组合或修改实现在本发明的至少一个实施方式中描述的特征、结构和效果。因此，与组合和修改相关的内容应当解释为在本发明的范围内。

在不背离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。