芯片标记方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片标记方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

在半导体的生产中，随着晶圆尺寸的增大和元器件尺寸的缩小，一片晶圆可划分成数千个相同或不同的芯片。由于生产设计或材料本身的特性，生产的晶圆中除了包括有合格芯片外，还可能存在有缺陷芯片。目前通常是通过测试设备对晶圆上的每一个芯片的电气特性进行测试，若发现缺陷芯片时将在该缺陷芯片打上墨点进行标记。通常在晶圆边缘区域存在聚集型的缺陷芯片，然而临近聚集型缺陷芯片旁边的合格芯片可能存在潜在的工艺问题风险，为了规避风险，需要找到临近聚集型缺陷芯片旁边的合格芯片，将此合格芯片进行标记，在后续工艺时则避开被标记的合格芯片，因此需要一种芯片标记方式。

发明内容

本发明的目的在于提供芯片标记方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质，以实现标记临近聚集型缺陷芯片的合格芯片。

为了达到上述目的，本发明提供了一种芯片标记方法，包括：

提供一晶圆；

逐行/列扫描所述晶圆上的芯片，每扫描得到一个合格芯片，均以所述合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，所述第一芯片区域是以对应的所述中心芯片为中心的N行N列矩阵，其中，N为大于或等于5的奇数；

获取所述第一芯片区域的芯片良率并判断所述第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，当所述第一芯片区域的芯片良率小于所述第一良率设定值时，将所述第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，所述第二芯片区域是以对应的所述中心芯片为中心的M行M列矩阵，其中，M为大于或等于3的奇数，N>M；

获取所述第二芯片区域内的芯片良率并判断所述第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，当所述第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对所述中心芯片进行标记。

可选的，逐行/列扫描所述晶圆上的芯片时，当扫描到前后第

可选的，逐行/列扫描所述晶圆上的芯片时，从第

可选的，逐行/列扫描所述晶圆上的芯片之前，对所述晶圆上的芯片进行测试，以获取所述合格芯片，逐行/列扫描所述晶圆上的芯片时，通过识别所述晶圆上的芯片的标识判定是否为合格芯片。

可选的，所述标记为墨点标记。

可选的，将标记的所述中心芯片作为隐患芯片。

可选的，所述第一良率设定值及所述第二良率设定值均为65％～75％。

一种芯片标记系统，包括：

晶圆供应模块，用于提供一晶圆；

第一芯片区域构建模块，用于逐行/列扫描所述晶圆上的芯片，每扫描得到一个合格芯片，均以所述合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，所述第一芯片区域是以对应的所述中心芯片为中心的N行N列矩阵，其中，N为大于或等于5的奇数；

判断及第二芯片区域构建模块，用于获取所述第一芯片区域的芯片良率并判断所述第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，当所述第一芯片区域的芯片良率小于所述第一良率设定值时，将所述第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，所述第二芯片区域是以对应的所述中心芯片为中心的M行M列矩阵，其中，M为大于或等于3的奇数，N>M；

标记模块，用于获取所述第二芯片区域内的芯片良率并判断所述第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，当所述第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对所述中心芯片进行标记。

一种电子设备，所述电子设备包括：

一个或多个执行器；以及，

存储器，用于存储一个或多个程序；以及，

当所述一个或多个程序被所述一个或多个执行器执行，使得所述一个或多个执行器实现上述的芯片标记方法。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被执行器执行时实现上述的芯片标记方法。

在本发明提供的一种芯片标记方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质中，提供一晶圆，逐行/列扫描晶圆上的芯片，每扫描得到一个合格芯片，均以合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，第一芯片区域是以对应的中心芯片为中心的N行N列矩阵，其中，N为大于或等于5的奇数；然后获取第一芯片区域的芯片良率并判断第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，当第一芯片区域的芯片良率小于第一良率设定值时，将第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，第二芯片区域是以对应的中心芯片为中心的M行M列矩阵，其中，M为大于或等于3的奇数，N>M；进而，获取第二芯片区域内的芯片良率并判断第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，当第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对中心芯片进行标记。本发明以每个合格芯片为中心芯片得到两个芯片区域，将两个芯片区域的芯片良率分别与两个芯片区域的良率设定值比较，能够较准确判断此中心芯片是否位于聚集型缺陷芯片的周围，以实现标记临近聚集型缺陷芯片的合格芯片。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的芯片标记方法的流程图；

图2为本发明一实施例提供的芯片标记方法的区域示意图；

图3为本发明一实施例提供的芯片标记系统的框图；

其中，附图标记为：

10-晶圆供应模块；20-第一芯片区域构建模块；30-判断及第二芯片区域构建模块；40-标记模块。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本实施例提供的芯片标记方法的流程图，本实施例提供芯片标记方法，以实现标记临近聚集型缺陷芯片的合格芯片。请参考图1，所述芯片标记方法包括：

步骤S1：提供一晶圆；

步骤S2：逐行/列扫描晶圆上的芯片，每扫描得到一个合格芯片，均以合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，第一芯片区域是以对应的中心芯片为中心的N行N列矩阵，其中，N为大于或等于5的奇数；

步骤S3：获取第一芯片区域的芯片良率并判断第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，当第一芯片区域的芯片良率小于第一良率设定值时，将第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，第二芯片区域是以对应的中心芯片为中心的M行M列矩阵，其中，M为大于或等于3的奇数，N>M；

步骤S4：获取第二芯片区域内的芯片良率并判断第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，当第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对中心芯片进行标记。

下面结合对本实施例提供的芯片标记方法，进行详细的阐述。

执行步骤S1：提供一晶圆。

具体的，提供一晶圆，晶圆上包括若干芯片。通过对晶圆上的所有芯片进行测试以获得晶圆的MAP图，从MAP图上能够得知所有芯片的测试结果，在测试结果中，合格芯片与缺陷芯片的标识不同，一般在晶圆的边缘区域包括聚集型的缺陷芯片，缺陷芯片为测试未通过的芯片，聚集型缺陷芯片旁边的合格芯片会具有隐患存在潜在的工艺风险。

执行步骤S2：逐行/列扫描晶圆上的芯片，每扫描得到一个合格芯片，均以合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，第一芯片区域是以对应的中心芯片为中心的N行N列矩阵，其中，N为大于或等于5的奇数。

具体的，逐行/列扫描晶圆上的芯片，扫描时通过识别芯片的标识判断芯片是否为合格芯片，每扫描得到一个合格芯片后，均以合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，第一芯片区域是以对应的中心芯片为中心的N行N列矩阵，其中，N为大于或等于5的奇数，可为5个、7个等。

在本实施例中，逐行/列扫描所述晶圆上的芯片时，可以从第1行开始扫描，直至最后一行，当扫描到前后第

执行步骤S3：获取第一芯片区域的芯片良率并判断第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，当第一芯片区域的芯片良率小于第一良率设定值时，将第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，第二芯片区域是以对应的中心芯片为中心的M行M列矩阵，其中，M为大于或等于3的奇数，N>M。

具体的，找到第一芯片区域内的合格芯片，第一芯片区域内的合格芯片的个数与第一芯片区域内的所有芯片的个数的比值即为第一芯片区域内的芯片良率。获取第一芯片区域的芯片良率并判断第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，若第一芯片区域内的芯片良率小于第一良率设定值，将第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，第二芯片区域是以对应的中心芯片为中心的M行M列矩阵，其中，M为大于或等于3的奇数，N>M。

执行步骤S4：获取第二芯片区域内的芯片良率并判断第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，当第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对中心芯片进行标记。

具体的，找到第二芯片区域内的合格芯片，第二芯片区域内的合格芯片的个数与第二芯片区域内的所有芯片的个数的比值即为第二芯片区域内的芯片良率。获取第二芯片区域内的芯片良率并判断第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，若第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对此中心芯片进行标记，若第二芯片区域内的芯片良率大于等于第二良率设定值，则不进行标记。在本实施例中，标记为墨点标记，但不限于此，也可为其它标记方式。在本实施例中，第一良率设定值及第二良率设定值均为65％～75％，但不限于此设定值范围，具体示实际情况而定。

图2为本实施例提供的芯片标记方法的区域示意图，请参考图2，为了更加清楚得知本实施例提供的芯片标记方法，本实施例以第一芯片区域A1为5×5阵列排列、第二芯片区域A2为3×3阵列排列举例说明。

首先扫描得到晶圆上任一合格芯片C，以合格芯片C为中心芯片扩大芯片范围构成5×5的第一芯片区域A1，第一芯片区域A1中包括了25个芯片，获取第一芯片区域A1的芯片良率，若第一芯片区域A1的芯片良率小于第一良率设定值，如第一良率设定值为72％，若第一芯片区域A1中的合格芯片少于有18个即第一芯片区域A1的芯片良率小于第一良率设定值。

若第一芯片区域A1的芯片良率小于第一良率设定值，则以合格芯片C为中心芯片将5×5的第一芯片区域A1缩小至3×3的第二芯片区域A2，第二芯片区域A2中包括了9个芯片，获取第二芯片区域A2的芯片良率，若第二芯片区域A2的芯片良率小于第二良率设定值，如第二良率设定值为67％，若第二芯片区域A2中的合格芯片少于有6个即第二芯片区域A2的芯片良率小于第二良率设定值，则对合格芯片C进行标记。

图3为本实施例提供的芯片标记系统的框图，请参考图3，一种芯片标记系统，其中包括：

晶圆供应模块10，用于提供一晶圆；

第一芯片区域构建模块20，用于逐行/列扫描所述晶圆上的芯片，每扫描得到一个合格芯片，均以合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，第一芯片区域是以对应的中心芯片为中心的N行N列矩阵，其中，N为大于或等于5的奇数；

判断及第二芯片区域构建模块30，用于获取第一芯片区域的芯片良率并判断第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，当第一芯片区域的芯片良率小于第一良率设定值时，将第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，第二芯片区域是以对应的中心芯片为中心的M行M列矩阵，其中，M为大于或等于3的奇数，N>M；

标记模块40，用于获取第二芯片区域内的芯片良率并判断第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，当第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对中心芯片进行标记。

通过晶圆供应模块10提供一晶圆，然后通过第一芯片区域构建模块20逐行/列扫描所述晶圆上的芯片，每扫描得到一个合格芯片，均以合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，再通过判断及第二芯片区域构建模块30获取第一芯片区域的芯片良率并判断第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，当第一芯片区域的芯片良率小于第一良率设定值时，将第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，最后通过标记模块40获取第二芯片区域内的芯片良率并判断第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，当第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对中心芯片进行标记。

进一步地，本实施例还提供一种电子设备，用于实现标记临近聚集型缺陷芯片的合格芯片，电子设备包括：

一个或多个执行器；以及，

存储器，用于存储一个或多个程序；以及，

当一个或多个程序被一个或多个执行器执行，使得一个或多个执行器实现如上述实施例提出的芯片标记方法。

本实施例中，执行器及存储器均为一个，执行器和存储器可以通过总线或其他方式连接。

存储器作为一种计算机可读存储介质，可用于存储软件程序、计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的芯片标记方法对应的程序指令/模块。执行器通过运行存储在所述存储器中的软件程序、指令以及模块，从而执行电子设备的各种功能应用以及数据处理，即实现上述的芯片标记方法。

存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序；存储数据区可存储根据电子设备的使用所创建的数据等。此外，芯片标记方法的存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实例中，存储器可进一步包括相对于执行器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至电子设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

本实施例提出的电子设备与上述实施例提出的芯片标记方法属于同一发明构思，未在本实施例中详尽描述的技术细节可参见上述实施例，并且本实施例与上述实施例具有相同的有益效果。

本实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被执行器执行时实现如上述实施例提出的芯片标记方法。

通过以上关于实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，本发明可借助软件及必需的通用硬件来实现，基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如计算机的软盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、闪存(FLASH)、硬盘或光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例的方法。

综上，在本发明提供的一种芯片标记方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质中，提供一晶圆，逐行/列扫描晶圆上的芯片，每扫描得到一个合格芯片，均以合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域，第一芯片区域是以对应的中心芯片为中心的N行N列矩阵，其中，N为大于或等于5的奇数；然后获取第一芯片区域的芯片良率并判断第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系，当第一芯片区域的芯片良率小于第一良率设定值时，将第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域，第二芯片区域是以对应的中心芯片为中心的M行M列矩阵，其中，M为大于或等于3的奇数，N>M；进而，获取第二芯片区域内的芯片良率并判断第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系，当第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值，则对中心芯片进行标记。本发明以每个合格芯片为中心芯片得到两个芯片区域，将两个芯片区域的芯片良率分别与两个芯片区域的良率设定值比较，能够较准确判断此中心芯片是否位于聚集型缺陷芯片的周围，以实现标记临近聚集型缺陷芯片的合格芯片。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。