膜厚测定装置、成膜装置、膜厚测定方法、电子器件的制造方法及存储介质

技术领域

本发明涉及膜厚测定装置、成膜装置、膜厚测定方法、电子器件的制造方法以及存储介质。

背景技术

有机EL显示器等的制造工序包括在基板上形成膜的成膜工序。而且，为了对在成膜工序中形成的膜的膜厚进行确认，有时利用光学方法测定在基板上形成的膜的膜厚(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2012-502177号公报

发明要解决的课题

有机EL显示器通过利用各种成膜工序在基板上形成多层来制造。此时，根据生产线的情况，有时在某工序之前对大型基板(也称为母玻璃)进行处理，之后将该大型基板切断而分割为多个更小的基板，在其后的工序中对分割后的基板进行成膜等处理。例如，在智能手机用的有机EL显示器的制造中，背板工序(TFT形成工序、阳极形成工序等)对第六代的大型基板(约1500mm×约1850mm)进行成膜处理等。之后，将该大型基板切断成一半，做成第六代的半切割基板(约1500mm×约925mm)，之后的工序对该第六代的半切割基板进行成膜等处理。

在该情况下，在进行在分割工序之后的成膜工序中形成的膜的膜厚测定的情况下，对切出部位不同的基板依次进行膜厚测定。但是，在从大型基板切出的基板中，根据从大型基板的哪个部位切出(例如，根据母玻璃的左侧一半的部分或右侧一半的部分)，有时尺寸、刚性分布这样的基板的特性不同。如果基板的特性不同，则基板的挠曲方式、起伏方式也不同，有时基板相对于膜厚的测定设备的距离、倾斜等位置关系根据基板的特性而变化。其结果是，膜厚测定时的测定条件改变，有时会对测定精度带来影响。

发明内容

本发明提供一种抑制从大型基板切出的基板的膜厚的测定精度降低的技术。

用于解决课题的方案

根据本发明的一方案，提供一种膜厚测定装置，所述膜厚测定装置具备：

基板支承构件，所述基板支承构件对将大型基板分割而得到的多个基板中的任一个基板进行支承；

测定构件，所述测定构件对在支承于所述基板支承构件的所述基板上形成的膜的膜厚进行光学测定；以及

控制构件，所述控制构件控制所述测定构件，

其特征在于，

所述膜厚测定装置具备取得构件，所述取得构件取得与支承于所述基板支承构件的基板在分割前的所述大型基板中的部位相关的基板信息，

所述控制构件基于所述取得构件取得的所述基板信息，决定所述测定构件的测定条件。

另外，根据本发明的另一方案，提供一种膜厚测定装置，所述膜厚测定装置具备：

基板支承构件，所述基板支承构件对将大型基板分割而得到的多个基板中的任一个基板进行支承；

测定构件，所述测定构件对在支承于所述基板支承构件的所述基板上形成的膜的膜厚进行光学测定；以及

控制构件，所述控制构件控制所述测定构件，

其特征在于，

所述膜厚测定装置具备取得构件，所述取得构件取得与支承于所述基板支承构件的基板在分割前的所述大型基板中的部位相关的基板信息，

所述测定构件在根据所述取得构件取得的所述基板信息而不同的测定条件下测定膜厚。

另外，根据本发明的另一方案，提供一种成膜装置，所述成膜装置具有：

成膜构件，所述成膜构件在基板上成膜；以及

膜厚测定装置，所述膜厚测定装置对通过所述成膜构件在所述基板上形成的膜的膜厚进行测定，

其特征在于，

所述膜厚测定装置是上述方案的膜厚测定装置。

另外，根据本发明的另一方案，提供一种膜厚测定方法，所述膜厚测定方法具有支承工序和测定工序，在所述支承工序中，对将大型基板分割而得到的多个基板中的任一个基板进行支承，在所述测定工序中，对在通过所述支承工序支承的所述基板上形成的膜的膜厚进行光学测定，

其特征在于，

所述膜厚测定方法包括：

取得工序，在所述取得工序中，取得与测定对象的基板在分割前的所述大型基板中的部位相关的基板信息；以及

决定工序，在所述决定工序中，基于在所述取得工序中取得的所述基板信息，决定所述测定工序中的测定条件。

另外，根据本发明的另一方案，提供一种膜厚测定方法，所述膜厚测定方法具有支承工序和测定工序，在所述支承工序中，对将大型基板分割而得到的多个基板中的任一个基板进行支承，在所述测定工序中，对在通过所述支承工序支承的所述基板上形成的膜的膜厚进行光学测定，

其特征在于，

所述膜厚测定方法具备取得工序，在所述取得工序中，取得与测定对象的基板在分割前的所述大型基板中的部位相关的基板信息，

在所述测定工序中，在根据所取得的所述基板信息而不同的测定条件下测定膜厚。

另外，根据本发明的另一方案，提供一种电子器件的制造方法，其特征在于，所述电子器件的制造方法包括：

在基板上进行成膜的成膜工序；以及

膜厚测定工序，在所述膜厚测定工序中，利用上述方案的膜厚测定方法对在所述成膜工序中在所述基板上形成的膜的膜厚进行测定。

另外，根据本发明的另一方案，提供一种存储介质，计算机能够读取，其特征在于，所述存储介质存储有用于使计算机执行上述方案的膜厚测定方法的各工序的程序。

发明效果

根据本发明，能够提供一种抑制从大型基板切出的基板的膜厚的测定精度降低的技术。

附图说明

图1是电子器件的生产线的一部分的示意图。

图2是一实施方式的成膜装置的概略图。

图3(A)是示意性地表示交接室的内部结构的剖视图，图3(B)是示意性地表示支承单元的结构的俯视图。

图4是表示设置于交接室的装置及其控制装置的硬件的结构例的框图。

图5是表示边缘对准的概要的图。

图6是表示基板的结构的概略图。

图7是表示大型基板和切割基板的例子的图。

图8是说明基板的短边的长度差异对膜厚测定带来的影响的图。

图9(A)以及(B)是说明基板的特性差异对膜厚测定带来的影响的图。

图10(A)以及(B)是表示处理部的处理例的流程图。

图11是表示存储部管理的信息的例子的图。

图12(A)是有机EL显示装置的整体图，(B)是表示一个像素的截面结构的图。

附图标记说明

1成膜装置、16对准机构、161支承单元(基板支承构件)、17膜厚测定部(测定构件)172传感器单元、173调整单元、3111处理部(取得构件、控制构件)、100基板、101掩模

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行详细说明。另外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。在实施方式中记载有多个特征，但这些多个特征全部并不限定于发明所必须的特征，另外，多个特征也可以任意地组合。并且，在附图中，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

<电子器件的生产线>

图1是表示能够应用本发明的成膜装置的电子器件的生产线的结构的一部分的示意图。图1的生产线例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板，基板100被依次输送到成膜模块301，在基板100上进行有机EL的成膜。

在成膜模块301中，在俯视时呈八边形的形状的输送室302的周围配置有对基板100进行成膜处理的多个成膜室303a～303d和收纳使用前后的掩模的掩模收纳室305。在输送室302配置有输送基板100的输送机器人302a。输送机器人302a包括保持基板100的手部和使手部在水平方向上移动的多关节臂。换言之，成膜模块301是以包围输送机器人302a的周围的方式配置有多个成膜室303a～303d的群组型的成膜单元。需要说明的是，在以下的说明中，在不特意区分成膜室303a～303d的情况下，有时称为成膜室303。

在基板100的输送方向(箭头方向)上，在成膜模块301的上游侧、下游侧分别配置有缓冲室306、回旋室307、交接室308(也称为通路室)。在制造过程中，各室被维持为真空状态。需要说明的是，在图1中仅图示一个成膜模块301，但本实施方式的生产线具有多个成膜模块301，多个成膜模块301具有利用由缓冲室306、回旋室307、交接室308构成的连结装置连结的结构。需要说明的是，连结装置的结构并不限定于此，例如也可以仅由缓冲室306或交接室308构成。

输送机器人302a进行基板100从上游侧的交接室308向输送室302的送入、成膜室303之间的基板100的输送、掩模收纳室305与成膜室303之间的掩模的输送、以及基板100从输送室302向下游侧的缓冲室306的送出。

缓冲室306是用于根据生产线的运转状况暂时地收纳基板100的室。在缓冲室306设置有：多层结构的基板收纳搁板(也被称为盒体)，该多层结构的基板收纳搁板能够在保持基板100的被处理面(被成膜面)朝向重力方向下方的水平状态的状态下收纳多张基板100；以及升降机构，该升降机构为了使送入或送出基板100的层与输送位置对齐而使基板收纳搁板升降。由此，能够在缓冲室306暂时收容多个基板100并使其停留在缓冲室306。

回旋室307具备变更基板100的朝向的装置。在本实施方式中，回旋室307通过设置于回旋室307的输送机器人使基板100的朝向旋转180度。设置于回旋室307的输送机器人在对在缓冲室306接收到的基板100进行支承的状态下回旋180度并交接到交接室308，由此在缓冲室306内和交接室308中基板100的输送方向(箭头方向)上的前端和后端调换。由此，向成膜室303送入基板100时的朝向在各成膜模块301中成为相同的朝向，因此，能够使相对于基板100的成膜的扫描方向、掩模的朝向在各成膜模块301中一致。通过采用如上所述的结构，能够使在各成膜模块301中将掩模设置于掩模收纳室305的朝向一致，能够简化掩模的管理，提高可用性。

交接室308是用于将由回旋室307的装置送入的基板100交接到下游的成膜模块301的输送机器人302a的室。在本实施方式中，如后所述，在交接室308中进行基板100的对准以及在基板100上形成的膜的膜厚测定。

生产线的控制系统包括作为主计算机而控制生产线整体的上位装置300和控制各结构的控制装置14a～14d、309、310、311，它们能够经由有线或无线的通信线路300a进行通信。控制装置14a～14d与成膜室303a～303d对应地设置，控制后述的成膜装置1。控制装置309控制输送机器人302a。控制装置310对设置于回旋室307的输送机器人进行控制。控制装置311对设置于交接室308的、后述的对准机构16以及膜厚测定部17进行控制。上位装置300将与基板100相关的信息、输送定时等指示发送到各控制装置14a～14d、309、310、311，各控制装置14a～14d、309、310、311基于接收到的指示来控制各结构。需要说明的是，在以下的说明中，在不特意区分控制装置14a～14d的情况下，有时称为控制装置14。

<成膜装置的概要>

图2是本发明一实施方式的成膜装置1的概略图。成膜装置1是在基板100上成膜蒸镀物质的装置，使用掩模101形成规定图案的蒸镀物质的薄膜。在成膜装置1中进行成膜的基板100的材质可以适当选择玻璃、树脂、金属等材料，优选使用在玻璃上形成有聚酰亚胺等树脂层的材质。作为蒸镀物质，是有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等物质。成膜装置1例如能够应用于制造显示装置(平板显示器等)、薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜摄像元件)等电子器件、光学部件等的制造装置，尤其是能够应用于制造有机EL面板的制造装置。在以下的说明中，对成膜装置1通过真空蒸镀在基板100进行成膜的例子进行说明，但本发明并不限定于此，能够应用溅射、CVD等各种成膜方法。需要说明的是，在各图中，箭头Z表示上下方向(重力方向)，箭头X以及箭头Y表示相互正交的水平方向。

成膜装置1具有箱型的真空腔3。真空腔3的内部空间3a被维持为真空环境或氮气等非活性气体环境。在本实施方式中，真空腔3与未图示的真空泵连接。需要说明的是，在本说明书中，“真空”是指充满了比大气压低的压力的气体的状态，换言之是指减压状态。在真空腔3的内部空间3a配置有以水平姿势支承基板100的基板支承单元6、支承掩模101的掩模台5、成膜单元4、板单元9。掩模101是具有与要在基板100上形成的薄膜图案对应的开口图案的金属掩模，固定在掩模台5之上。作为掩模101，可以使用具有在框状的掩模框架上焊接固定有数μm～数十μm左右的厚度的掩模箔的结构的掩模。掩模101的材质并不特别限定，但优选使用因瓦合金材料等热膨胀系数小的金属。成膜处理在基板100载置于掩模101之上且基板100与掩模101相互重叠的状态下进行。

板单元9具备在成膜时对基板100进行冷却的冷却板10和通过磁力吸引掩模101并使基板100与掩模101紧贴的磁铁板11。板单元9设置成能够通过例如具备滚珠丝杠机构等的升降单元13在Z方向上升降。

成膜单元4由加热器、挡板、蒸发源的驱动机构、蒸发率监视器等构成，是将蒸镀物质蒸镀到基板100上的蒸镀源。更具体地说，在本实施方式中，成膜单元4是多个喷嘴(未图示)在X方向上排列配置并从各个喷嘴放出蒸镀材料的线性蒸发源。成膜单元4通过蒸发源移动机构(未图示)在Y方向(远离成膜室303和输送室302的连接部的方向)上往复移动。

另外，成膜装置1具备进行基板100与掩模101的对准的对准装置2。作为概略，对准装置2通过照相机7、8检测形成于基板100以及掩模101的对准标记，并基于该检测结果来调整基板100与掩模101的相对位置。

对准装置2具备对基板100的周缘部进行支承的基板支承单元6。基板支承单元6具备相互在X方向上分离地设置并沿Y方向延伸的一对基座部62和从基座部62向内侧突出的多个爪状的载置部61。需要说明的是，载置部61有时也被称为“承接爪”或“指部”。多个载置部61隔开间隔地配置于一对基座部62的每一个。在载置部61上载置基板100的周缘部的长边侧的部分。基座部62经由多个支柱64悬吊于梁部件222。

通过如本实施方式那样基座部62在X方向上分离地设置一对且在基板100的短边侧不形成基座部62的结构，能够抑制输送机器人302a向载置部61交接基板时的输送机器人302a与基座部62的干涉。但是，基座部62也可以是包围基板100的整个周缘部那样的矩形框状。由此，能够提高基板100的输送以及交接的效率。另外，基座部62也可以是局部具有切口的矩形框状。通过形成为局部具有切口的矩形框状，能够抑制输送机器人302a向载置部61交接基板时的输送机器人302a与基座部62的干涉，能够提高基板100的输送以及交接的效率。

基板支承单元6还具有夹持单元63。夹持单元63具备多个夹持部66。各夹持件部66与各载置部61对应地设置，能够利用夹持部66和载置部61夹着基板100的周缘部进行保持。作为基板100的支承方式，除了像这样利用夹持部66和载置部61夹着基板100的周缘部进行保持的方式以外，也可以采用不设置夹持部66而仅将基板100载置于载置部61的方式。

另外，对准装置2具备调整单元20，该调整单元20对由基板支承单元6支承周缘部的基板100与掩模101的相对位置进行调整。调整单元20基于利用照相机7、8对设置于基板100以及掩模101的对准用标记进行检测的检测结果等，使基板支承单元6在X-Y平面上位移，从而调整基板100相对于掩模101的相对位置。在本实施方式中，将掩模101的位置固定，使基板100位移而调整它们的相对位置，但也可以使掩模101位移来进行调整，或者也可以使基板100和掩模101双方位移。

另外，对准装置2具备接触分离单元22，该接触分离单元22通过使基板支承单元6升降而使由基板支承单元6支承周缘部的基板100与掩模101在基板100的厚度方向(Z方向)上接近以及分开(分离)。换言之，接触分离单元22能够使基板100与掩模101向重叠的方向接近。作为接触分离单元22，例如也可以使用采用了滚珠丝杠机构的电动致动器等。

<交接室的说明>

图3(A)是示意性地表示交接室308的内部结构的剖视图，图3(B)是示意性地表示支承单元161的结构的俯视图。在图3以及后述的图5～6、8～9中，示出以基板100的输送方向(图中的箭头方向)为Y方向、相对于交接室308固定的坐标系。即，图2的X-Y方向与图3、5～6、8～9的X-Y方向不一定一致。

交接室308是用于将如上所述由回旋室307送入的基板100交接到下游的成膜模块301的输送机器人302a的室。在本实施方式中，交接室308包括将内部空间3081a维持为真空环境的容器即腔室3081、对准机构16以及膜厚测定部17。

<<控制装置>>

首先，说明对设置于交接室308的对准机构16以及膜厚测定部17进行控制的控制装置311的结构。图4是表示设置于交接室308的装置及其控制装置311的硬件的结构例的框图。控制装置311具备处理部3111(控制构件)、存储部3112、输入输出接口(I/O)3113以及通信部3114。

处理部3111是以CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)为代表的处理器，执行存储部3112中存储的程序来控制对准机构16。存储部3112是ROM(Read OnlyMemory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、HDD(Hard DiskDrive：硬盘驱动器)等存储设备(存储构件)，除了处理部3111执行的程序之外，还存储各种控制信息。I/O(Input/Output：输入/输出)3113是收发处理部3111与外部设备之间的信号的接口。通信部3114是经由通信线路300a与上位装置300进行通信的通信设备，处理部3111经由通信部3114从上位装置300接收信息，或者向上位装置300发送信息。需要说明的是，控制装置311的全部或一部分也可以由PLC(Programmable Logic Controller：可编程逻辑控制器)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)、FPGA(FieldProgrammable Gate Array：现场可编程门阵列)构成。控制装置311控制膜厚测定部17，从某一方面来看，可以说由控制装置311和膜厚测定部17构成对在基板100上形成的膜的膜厚进行测定的膜厚测定装置。

<<对准机构>>

(概要)

基板100经过输送室302、缓冲室306以及回旋室307等向交接室308输送。因此，有时基板100在其输送过程中产生起因于在输送中使用的输送机器人的位置控制的精度等的位置偏差。若在产生该偏差的状态下向下游侧的成膜室303输送基板100，则有时会对成膜室303中的对准带来影响。因此，在本实施方式中，在通过对准机构16在交接室308中实施了预备的对准之后，将基板100向成膜室303输送。由此，抑制因基板100的输送而产生的位置偏差对成膜室303中的对准带来的影响。

参照图3(A)～图5。图5是表示边缘对准的概要的图，是从下侧观察腔室3081内部的图。对准机构16执行基于基板100的边缘的位置的边缘对准。对准机构16包括位置调整机构162和照相机163。在本实施方式中，对准机构16对支承于支承单元161的基板100进行对准。

支承单元161(基板支承构件)支承对大型基板进行分割而得到的多个基板中的任一个基板，有时也被称为基板载置台。在本实施方式中，对从回旋室307输送来的基板100进行支承。但是，当在生产线上不设置缓冲室306以及回旋室307的情况下等，也可以支承由上游侧的输送机器人302a输送来的基板100。支承单元161包括：在腔室3081的内部空间3081a中对基板100进行支承的支承部1611；以及将支承部1611与设置在腔室3081的外部的对准机构16的位置调整机构162连接的轴1612。

支承部1611包括：在与基板100的输送方向交叉的方向(X方向)上分离地设置的一对框部件1611a；以及从框部件1611a向内侧延伸设置并承接基板100的多个承接爪1611b。框部件1611a构成为包括：沿基板100的输送方向(Y方向)延伸的长条状的部分；以及从该长条状的部分的两端向另一个框部件1611a侧(X方向)延伸的部分。承接爪1611b分别设置在框部件1611a的沿Y方向延伸的部分以及沿X方向延伸的部分。通过多个承接爪1611b支承基板100的周缘部。

轴1612经由形成于腔室3081的开口将支承部1611与腔室3081的外部的位置调整机构162连接。轴1612构成为能够利用真空波纹管等公知的技术一边维持腔室3081内的真空状态一边相对于腔室3081进行相对移动。在进行基于对准机构16的边缘对准时，通过位置调整机构162经由轴1612调整支承部1611的位置。

位置调整机构162是对支承于支承单元161的基板100的位置进行调整的机构。在本实施方式中，位置调整机构162通过使支承单元161在X-Y方向上移动或者绕Z轴旋转而在X-Y平面上进行位移，从而能够进行基板100的位置调整。例如，位置调整机构162也可以通过控制能够在X方向上位移的一个电动缸、以及能够在Y方向上位移且在X方向上分离地设置的两个电动缸的伸缩，从而使支承单元161在X-Y平面上位移。

照相机163检测支承于支承单元161的基板100的边缘。在本实施方式中，照相机163以能够检测基板100的对角线上的两个角的周围的方式设置有两个。在本实施方式中，照相机163设置在腔室3081的外部，经由设置于腔室3081的底面的透明窗检测基板100的边缘。另外，在本实施方式中，照相机163设置成能够检测设置在腔室3081的内部的基准标记1651。需要说明的是，对准机构16既可以将全部结构部件设置在腔室3081内，也可以将至少一部分结构要素设置在腔室3081外。另外，在本说明书中，基板的“边缘”是指基板的整个端部，不仅包括“边”，还包括“角”。

(边缘对准的例子)

对由对准机构16进行的边缘对准的一例进行说明。照相机163的检测范围163a被设定为收纳基板100的边缘1001以及固定设置于腔室3081的基准部件165的基准标记1651。另外，在存储部3112中存储有将检测范围163a内的坐标系(照相机坐标系)与对准机构16整体的坐标系(世界坐标系)相关联的信息。

当基板100被送入腔室3081时，处理部3111基于照相机163的拍摄图像以及存储部3112中存储的信息，分别取得基板100的边缘1001以及基准标记1651的中心位置C1及C2。在本实施方式中，该基准标记1651的中心位置C2成为基板100的中心位置C1的基准位置。接着，处理部3111通过位置调整机构162调整支承单元161的位置，以使基板100的中心位置C1与基准标记1651的中心位置C2一致。通过以上处理，边缘对准结束。需要说明的是，处理部3111也可以基于照相机163的检测结果，除中心位置C1以外还计算基板100的角度。而且，处理部3111也可以通过位置调整机构162使基板100绕Z轴旋转，以使基板100的角度与作为基准的角度一致。

<<膜厚测定部>>

(概要)

参照图3(A)～图4。膜厚测定部17(测定构件)对位于内部空间3081a的、在支承于支承单元161的基板100上形成的膜的膜厚进行光学测定。在成膜室303的成膜装置1的成膜中，通过上述蒸发率监视器等进行控制，以使形成的膜的膜厚成为目标值。但是，蒸发率监视器并非直接测定在基板100上形成的膜的厚度，而是通过配置在与基板100不同的别的位置的石英谐振器来间接地测定膜厚。因此，由于材料向石英谐振器的堆积量、石英谐振器的温度等各种原因，有时堆积于蒸发率监视器的石英谐振器的膜的膜厚与堆积于基板100的膜的膜厚不同，或者测定值自身产生误差。该测定误差会产生在基板100上形成的膜的膜厚的偏差，有时会导致面板品质的降低、成品率降低。因此，在本实施方式中，在交接室308中，对在上游侧的成膜室303中在基板100上形成的膜的膜厚进行光学测定。由此，能够直接测定在基板100上形成的膜的膜厚。在本实施方式中，膜厚测定部17包括传感器单元172和调整单元173。

传感器单元172是对在支承于支承单元161的基板100上形成的膜的膜厚进行测定的传感器(光学传感器)，是反射分光式的膜厚仪。在本实施方式中，与后述的多个测定用片1005对应地设置有多个传感器单元172。传感器单元172包括传感器头1721、光源1722、分光器1723。需要说明的是，在本实施方式中，将传感器单元172设为反射分光式的膜厚仪，但传感器单元172只要是对在基板100上形成的膜的膜厚进行光学测定的膜厚仪，则其种类没有特别限定，例如也可以是分光椭圆偏振光谱仪。

传感器头1721对来自基板的光进行聚光，并将汇聚的光向作为本实施方式的光电转换元件的分光器1723引导。传感器头1721例如设置在腔室3081的内部空间3081a的下部，经由光纤(未图示)与光源1722以及分光器1723连接。传感器头1721具有设定从光源1722经由光纤引导的光的照射区域的功能，能够使用光纤以及针孔、透镜等光学部件。

光源1722是输出测定光的设备，例如使用氘灯、氙灯、卤素灯等。光源1722例如能够使用波长在200nm至1μm的范围的光。分光器1723(光电转换元件)是对从传感器头1721输入的反射光进行分光并进行光谱(每个波长的强度)的测定的设备，例如由分光元件(光栅、棱镜等)和进行光电转换的检测器等构成。在本实施方式中，传感器头1721、光源1722以及分光器1723一体地设置在腔室3081的内部。

在此，对传感器单元172的检测对象即基板100的结构进行说明。图6是表示基板100的结构的概略图，是从下侧观察支承于支承单元161的基板100的图。在基板100上设置有形成有机EL显示装置的显示面板的被成膜区域1003和位于不与该被成膜区域1003重叠的位置的膜厚测定区域1004。在本实施方式中，膜厚测定区域1004沿着基板100的周缘部设置有2处(区域1004a、区域1004b)。在各成膜室303中的成膜处理时，与向被成膜区域1003的成膜并行地，还进行向膜厚测定区域1004内的预先确定的位置的成膜，从而在膜厚测定区域1004内形成膜厚测定用的薄膜(以下称为测定用片1005)。这通过在各成膜室303中使用的掩模101上预先形成用于测定用片1005的开口，从而能够容易地形成。

膜厚测定区域1004设定为能够形成多个测定用片1005的面积，以成为膜厚的测定对象的层单位来改变测定用片1005的形成位置即可。即，在想要测定在一个成膜室形成的膜(单一膜或层叠有多个膜的层叠膜)的膜厚的情况下，可以在测定用片1005的部分也仅形成在一个成膜室形成的膜(单一膜或层叠膜)，在想要测定经过多个成膜室形成的层叠膜的膜厚的情况下，可以在测定用片1005的部分也形成与想要测定的层叠膜相同的层叠膜。这样，通过针对成为测定对象的每个层使测定用片1005不同，从而能够实现各层的膜厚的准确的测定。需要说明的是，若在对一个层进行成膜时形成多个测定用片1005，则也能够对基板100上的该层的膜厚的分布(X方向或Y方向的膜厚的偏差)进行计测。

另外，在本实施方式中，与多个测定用片1005对应地设置有多个传感器单元172。更具体地说，以传感器头1721分别位于多个测定用片1005的下方的方式设置有传感器单元172。

调整单元173是调整支承单元161与传感器单元172的相对位置的单元，在本实施方式中，通过使传感器单元172移动来调整它们的相对位置。例如，调整单元173具有：能够使传感器单元172的传感器头1721在Z方向上移动的铅垂方向移动部；以及能够使传感器头1721在X-Y方向上移动的水平方向移动部(均未图示)。铅垂方向移动部以及水平方向移动部能够应用例如电动缸等公知的技术。调整单元173通过铅垂方向移动部调整支承于支承单元161的基板100与传感器头1721之间的距离，通过水平方向移动部调整传感器头1721相对于基板100的、与基板100的被成膜面平行的方向(X-Y方向)上的相对位置。

在本实施方式中，多个传感器单元172与多个测定用片1005对应地设置。因此，调整单元173分别调整各传感器单元172相对于各测定用片1005的相对位置。例如，调整单元173也可以在水平方向以及铅垂方向双方针对每个传感器单元172独立地调整。另外，例如，也可以对多个传感器单元172共同进行水平方向的调整，对各传感器单元172独立地进行铅垂方向的调整。

需要说明的是，调整单元173也可以构成为能够调整传感器单元172中的局部结构的位置。例如，在仅传感器头1721设置在内部空间3081a，光源1722以及分光器1723设置在腔室3081的外部的情况下，调整单元173也可以构成为能够调整传感器头1721的位置。调整单元173只要能够相对于基板100调整传感器单元172的投光部以及受光部的位置即可。

需要说明的是，膜厚测定部17可以将其结构部件全部设置在腔室3081内，也可以将至少一部分结构要素设置在腔室3081外。例如，也可以仅将传感器头1721设置在腔室3081的内部，将光源1722以及分光器1723设置在腔室3081的外部。而且，也可以将配置在腔室3081的内部的传感器头1721和配置在腔室3081的外部的光源1722及分光器1723经由设置于腔室3081的开口通过光纤连接。

(膜厚测定的例子)

对由膜厚测定部17进行的膜厚测定的一例进行说明。处理部3111在由对准机构16进行的边缘对准结束后，实施由膜厚测定部17进行的膜厚测定。处理部3111使光源1722输出测定光。从光源1722输出的测定光经由光纤被引导到传感器头1721，并从传感器头1721投射到基板100。投射的光由基板100反射，从传感器头1721经由光纤输入到分光器1723。此时，在基板100上的薄膜的表面反射的光与在薄膜与其基底层的界面反射的光相互干涉。通过这样受到由薄膜产生的干涉、吸收的影响，从而使得反射光谱受到光路长度差、即膜厚的影响。处理部3111通过对该反射光谱进行解析，从而能够测定薄膜的膜厚。例如，处理部3111也可以通过控制调整单元173一边使传感器单元172扫描一边进行测定，从而确认X方向或Y方向的膜厚的偏差。

对于上述反射分光式的膜厚评价而言，对数nm至数100nm的厚度的有机膜的评价也能够在短时间内以高精度进行评价，因此，能够用于有机EL元件的有机层的评价。在此，作为有机层的材料，可以列举αNPD：α-萘基苯基联苯二胺等空穴输送材料、Ir(ppy)3：铱-苯基嘧啶络合物等发光材料、Alq3：三(8-喹啉)铝、Liq：8-羟基喹啉-锂)等电子输送材料等。并且，也能够应用于上述有机材料的混合膜。

<大型基板和切割基板的说明>

图7是表示大型基板和切割基板的例子的图。本实施方式的基板100是从大型基板切出的切割基板。大型基板MG是第六代全尺寸(约1500mm×约1850mm)的母玻璃，具有矩形形状。在大型基板MG的一部分角部，形成有用于确定大型基板MG的朝向的定向平面OF。

需要说明的是，在此，示出仅将大型基板MG的四个角部中的一个角部切掉而形成有定向平面OF的例子，但并不限定于此，也可以构成为，虽然四个角部全部被切掉，但是通过将一个角部与其他角部相比较大地切掉而形成定向平面OF。在该情况下，也可以将被切掉与其他角部不同的形状而形成的部分作为定向平面OF把握。

如上所述，例如，在智能手机用的有机EL显示器的制造中，背板工序(TFT形成工序、阳极形成工序等)对第六代全尺寸的大型基板MG进行成膜处理等。之后，将该大型基板MG切断成一半(切出工序)，将切断而得到的第六代的半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板100向本实施方式的生产线中的进行有机层的成膜的成膜模块301送入。被送入到成膜模块301的基板100是从大型基板MG切出而得到的分割基板的任一个，在本实施方式中是基板100A或基板100B。大型基板MG沿着与作为其一边的基准边相距距离L的位置的切割线CTL被切断，得到基板100A和基板100B。在图1所例示的生产线中，基板100A和基板100B混合存在，作为基板100被输送，进行各种处理。

需要说明的是，在此，将大型基板MG切断成一半，但并不限定于此，只要将大型基板MG切断而分割成大致相同大小的多个基板即可。例如，也可以将大型基板MG分割为四个而形成四个基板100，将其送入成膜模块301。

在此，有时基板100A和基板100B的尺寸、刚性分布这样的基板的特性不同。例如，基板100A成为短边的长度被测量为L的基板，但基板100B不测量短边的长度，在基板100A和基板100B中，短边的长度有时不同。该短边的长度的差异有时在交接室308中进行基板100的膜厚测定时会产生影响。以下进行详细叙述。

图8是说明基板100的短边的长度的差异对膜厚测定带来的影响的图。在本实施方式中，基板100A的短边的长度被测量为L，因此，以用于对准装置2中的对准的对准标记1002为基准的中心位置与以边缘1001为基准的中心位置一致(中心位置C10)。另一方面，基板100B不测量短边的长度，在图8的例子中，短边的长度LB比长度L长。因此，在以对准标记1002为基准的中心位置C111和以边缘1001为基准的中心位置C112产生了距离c的偏差。

在对准机构16中的边缘对准中，进行对位，以使基于多个边缘1001的位置信息算出的中心位置C10或C112与作为基准位置的基准标记1651的中心位置一致。因此，在基板100A和基板100B中，存在以对准标记1002为基准的中心位置在边缘对准后偏移的情况。另外，膜厚测定区域1004以对准标记1002的位置为基准而形成。换言之，膜厚测定区域1004被设定在距对准标记1002的距离成为规定距离的位置。因此，如果以对准标记1002为基准的中心位置偏移，则膜厚测定区域1004的位置也有时在基板100A和基板100B中偏移。其结果是，膜厚测定部17的实际的测定位置与形成于基板100的膜厚测定区域1004有时偏移，成为测定误差的主要原因。

另外，基板100的刚性分布等特性的差异也有时在进行膜厚测定时产生影响。图9(A)、(B)是说明基板100的特性差异对膜厚测定带来的影响的图，图9(A)例示出支承于支承单元161的基板100向下方的挠曲。周缘部被支承的基板100因自重而使得中央部附近向下方挠曲。根据基板100的特性差异，挠曲量H有时不同。当挠曲量H变化时，传感器单元172与基板100的测定位置之间的距离d变化。当传感器单元172与基板100的测定位置之间的距离d变化时，来自基板100的反射光的光量大幅变化，当距离d变大时，光量显著减少。其结果是，可能会影响膜厚测定的结果。另外，图9(B)例示出对于与图9(A)不同的基板100，基板100的挠曲成为最大量的位置。如果基板100的刚性分布均匀，则相对于基板100的宽度W0(将一方的长边的位置的X坐标设为0，将另一方的长边的位置的X坐标设为W0)，挠曲成为最大量的位置W1为W1＝1/2·W0，但若刚性分布有偏差，则如图示的例子那样，W1≠1/2·W0。成为挠曲的最大量的位置的差异也会导致传感器单元172与基板100的测定位置的距离d的差异，可能会影响膜厚测定的结果。另外，当挠曲量H或挠曲成为最大量的位置W1改变时，基板100的测定区域相对于传感器单元172的倾斜发生变化。其结果是，可能会影响膜厚测定的结果。

另外，在本实施方式中，在基板100B上存在定向平面OF，但在基板100A上不存在定向平面OF。切断面上的残余应力的大小也有时在基板100A和基板100B中不同。另外，切断面的位置在基板100A中为右边，在基板100B中为左边，部位不同。由于这样的基板的特性差异，基板100支承于支承单元161时的挠曲方式等产生差异，有时会对膜厚测定的结果带来影响。

因此，在本实施方式中，如以下说明的那样，进行与切出了基板100的大型基板MG的部位相应的膜厚测定部的控制。

<控制例>

对控制装置311的处理部3111执行的膜厚测定部17的控制例进行说明。图10(A)是表示处理部3111的处理例的流程图。本流程图例如基于处理部3111从上位装置300受理了膜厚测定的执行指示而开始。需要说明的是，如上所述，在本实施方式中，在处理部3111从上位装置300收到膜厚测定的执行指示的时刻，完成由对准机构16进行的边缘对准。

在步骤S1(以下简称为S1。关于其他步骤也一样)中，处理部3111取得支承于支承单元161的基板100的基板信息(取得工序)。在本实施方式中，基板信息包括与基板100在被分割前的大型基板MG中的相对位置相关的信息。换言之，该信息是与切出了基板100的大型基板MG的部位相关的部位信息，也可以称为“切出信息”、“切割信息”。这样，处理部3111具有作为取得与基板100在分割前的大型基板MG中的部位相关的信息的取得构件的功能。在本实施方式中，在图7中，将与大型基板MG的切割线CTL的左侧的部位对应且切割位置成为附图右侧的基板100A设为A切割，将与大型基板MG的切割线CTL的右侧的部位对应且切割位置成为附图左侧的基板100B设为B切割。处理部3111取得支承于支承单元161的基板100是A切割还是B切割作为部位信息。

另外，在本实施方式中，基板信息与基板100的其他信息相关联地由上位装置300管理。上位装置300将用于识别各基板100的识别信息和该基板100的部位信息(基板100A或基板100B)对应起来进行存储。而且，在上位装置300指示处理部3111等执行基板100的膜厚测定的情况下，将识别信息和部位信息发送到处理部3111。即，在S1中，处理部3111经由通信部3114从上位装置300接收与基板100相关的信息，从而取得基板信息。需要说明的是，上位装置300既可以从例如将大型基板MG切断的切断装置(基板分割装置)、在生产线上配置在比成膜装置1靠上游侧的位置的其他装置、或生产线的外部的装置取得基板信息，也可以受理生产线的操作者的输入，通过操作者的输入来取得基板信息。

在S2中，处理部3111决定测定条件(测定条件决定工序)。进一步来说，处理部3111基于在S1中取得的基板信息，决定膜厚测定部17的测定条件。由此，由膜厚测定部17进行测定的测定方式被变更。

作为膜厚测定部17的测定条件的例子，例如可以列举传感器单元172相对于支承于支承单元161的基板100的相对位置、与光源1722相关的条件等。传感器单元172相对于基板100的相对位置也可以是基板100与传感器单元172之间的距离以及/或者与支承于支承单元161的基板100平行的方向(X-Y方向)的位置关系。另外，与光源1722相关的条件例如也可以是光源1722输出的测定光的强度、测定光的照射角度等。即，处理部3111也可以基于基板信息，使调整单元173调整基板100与传感器单元172的相对位置，或者更新光源1722输出的测定光的强度的设定值。

在S3中，处理部3111执行测定动作。具体而言，处理部3111以在S2中变更后的测定方式，执行在上述(膜厚测定)中说明的测定动作。

图10(B)是表示处理部3111的处理例的流程图，表示S2的处理的具体例。在图10(B)中，示出基于基板信息来变更作为膜厚测定部17的测定方式之一的基板100与传感器单元172的相对位置的情况下的例子。

在S21中，处理部3111确认在S1中取得的基板信息，如果是A切割则进入S22，如果是B切割则进入S23。在S22中，处理部3111取得调整单元173的调整量。图11是表示存储部3112中存储的信息的例子的图。在本实施方式中，存储部3112将基板信息与调整单元173对基板100和传感器单元172的相对位置进行调整的调整量建立关系地进行存储。处理部3111取得与A切割对应的调整量(X＝x1、Y＝y1、Z＝z1)。另一方面，在进入S23的情况下，处理部3111取得与B切割对应的调整量(X＝x2、Y＝y2、Z＝z2)。

若用图8的例子进行说明，则在边缘对准后，基于基板100B的对准标记1002的中心位置C111与基于基板100A的对准标记002的中心位置C10相比向-X方向偏移距离c的量。因此，在B切割的情况下，以调整后的传感器单元172的位置与A切割的情况下的调整后的传感器单元172的位置相比偏移-c的方式，设定相对于各基板信息的调整量的X成分。另外，在图8的例子中，基板100A与基板100B的长边的长度相同，因此，相对于各基板信息的调整量的Y成分可以相同(包括都是0的情况)。另外，调整量的Z成分也可以基于各切割的挠曲的倾向等来设定。这些调整量能够通过事先的测试等来设定。

在S24中，处理部3111基于在S22或S23中取得的调整量来控制调整单元173。由此，在基板100为A切割的情况和B切割的情况下，基板100与传感器单元172的相对位置被变更。

如以上说明的那样，在本实施方式中，处理部3111基于基板100的基板信息来控制膜厚测定部17，以变更膜厚测定部17的测定方式。由此，能够抑制从大型基板切出的基板的膜厚的测定精度降低。进一步来说，在本实施方式中，对来自大型基板MG的切出部位不同的基板100A、100B以基于基板信息的不同的测定方式进行膜厚测定。由此，对切出部位不同的基板100，能够考虑因特性差异而引起的基板的尺寸、挠曲的倾向等来执行膜厚测定。

另外，在本实施方式中，在基板100A和100B中，变更膜厚测定部17的测定方式，以便抑制因边缘对准而产生的基板100的膜厚测定区域1004与传感器单元172的测定位置的偏差。由此，能够抑制从大型基板切出的基板的特性差异对膜厚测定的影响。

需要说明的是，在本实施方式中，如图11所示，相对于基板信息，设定有一个由调整单元173进行调整的从基准位置起的调整量。但是，也可以相对于基板信息，针对多个传感器单元172的每一个，分别设定由调整单元173进行调整的调整量。如图9(A)所示，传感器单元172与基板100之间的距离d存在因基板100的挠曲等的影响而在基板100的中央附近变小的倾向。因此，也可以分别设定由调整单元173进行调整的调整量，使得越是对底座100的中央附近进行测定的传感器单元172，在Z方向上越位于下方。

<电子器件的制造方法>

接着，说明电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子而例示有机EL显示装置的结构以及制造方法。在该例的情况下，图1所例示的成膜模块301在生产线上例如设置有3处。

首先，说明制造的有机EL显示装置。图12(A)是有机EL显示装置50的整体图，图12(B)是表示一个像素的截面结构的图。

如图12(A)所示，在有机EL显示装置50的显示区域51，呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素52。每一个发光元件具有具备被一对电极夹着的有机层的结构，详细情况在后面说明。

需要说明的是，在此所说的像素是指在显示区域51中能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。在彩色有机EL显示装置的情况下，通过示出彼此不同的发光的第一发光元件52R、第二发光元件52G、第三发光元件52B的多个副像素的组合来构成像素52。像素52大多由红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件以及蓝色(B)发光元件这3种副像素的组合构成，但并不限于此。像素52只要包含至少一种副像素即可，优选包含两种以上的副像素，更优选包含三种以上的副像素。作为构成像素52的副像素，例如也可以是红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件、蓝色(B)发光元件以及黄色(Y)发光元件这4种副像素的组合。

图12(B)是图12(A)的A-B线处的局部截面示意图。像素52具有由有机EL元件构成的多个副像素，该有机EL元件在基板53上具备第一电极(阳极)54、空穴输送层55、红色层56R/绿色层56G/蓝色层56B中的任一方、电子输送层57以及第二电极(阴极)58。其中，空穴输送层55、红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B、电子输送层57相当于有机层。红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记为有机EL元件)对应的图案。

另外，第一电极54按照每个发光元件分离地形成。空穴输送层55、电子输送层57以及第二电极58既可以遍及多个发光元件52R、52G、52B而共同形成，也可以按照每个发光元件形成。即，如图12(B)所示，也可以在空穴输送层55遍及多个副像素区域而形成为共用的层之后，红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B按照每个副像素区域分离地形成，进而在其上电子输送层57和第二电极58遍及多个副像素区域而形成为共用的层。

需要说明的是，为了防止在接近的第一电极54之间的短路，在第一电极54之间设置有绝缘层59。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧侵蚀的保护层60。

在图12(B)中，空穴输送层55和电子输送层57用一层示出，但根据有机EL显示元件的结构，也可以由具有空穴阻挡层、电子阻挡层的多层形成。另外，也可以在第一电极54与空穴输送层55之间形成空穴注入层，该空穴注入层具有能够顺畅地进行空穴从第一电极54向空穴输送层55的注入的能带结构。同样地，也可以在第二电极58与电子输送层57之间也形成电子注入层。

红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B的每一个既可以由单一的发光层形成，也可以通过层叠多层而形成。例如，也可以由2层构成红色层56R，由红色的发光层形成上侧的层，由空穴输送层或电子阻挡层形成下侧的层。或者，也可以由红色的发光层形成下侧的层，由电子输送层或空穴阻挡层形成上侧的层。通过这样在发光层的下侧或上侧设置层，调整发光层中的发光位置，调整光路长度，从而具有提高发光元件的色纯度的效果。

需要说明的是，在此，示出了红色层56R的例子，但在绿色层56G、蓝色层56B中也可以采用同样的结构。另外，层叠数也可以为2层以上。并且，既可以如发光层和电子阻挡层那样层叠不同材料的层，也可以层叠相同材料的层，例如层叠2层以上的发光层等。

接着，对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。在此，假定红色层56R由下侧层56R1和上侧层56R2这2层构成，绿色层56G和蓝色层56B由单一的发光层构成的情况。

首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及第一电极54的基板53。需要说明的是，基板53的材质没有特别限定，可以由玻璃、塑料、金属等构成。在本实施方式中，作为基板53，使用在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺的膜的基板。

在形成有第一电极54的基板53上通过棒涂或旋涂来涂敷丙烯酸或聚酰亚胺等树脂层，通过光刻法以在形成有第一电极54的部分形成开口的方式对树脂层进行构图而形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。需要说明的是，在本实施方式中，在绝缘层59形成之前对大型基板进行处理，在绝缘层59形成后执行对基板53进行分割的分割工序。

将构图有绝缘层59的基板53送入第一成膜室303，将空穴输送层55作为共用的层而成膜于显示区域的第一电极54之上。空穴输送层55使用掩模进行成膜，该掩模在最终成为一个一个有机EL显示装置的面板部分的每个显示区域51形成有开口。

接着，将形成至空穴输送层55的基板53送入第二成膜室303。进行基板53与掩模的对准，将基板载置于掩模之上，在空穴输送层55上的、基板53的配置发出红色光的元件的部分(形成红色的副像素的区域)成膜红色层56R。在此，在第二成膜室中使用的掩模是仅在成为有机EL显示装置的副像素的基板53上的多个区域中的、成为红色的副像素的多个区域形成有开口的高精细掩模。由此，包括红色发光层的红色层56R仅在基板53上的成为多个副像素的区域中的成为红色的副像素的区域成膜。换言之，红色层56R在基板53上的成为多个副像素的区域中的成为蓝色的副像素的区域和成为绿色的副像素的区域不进行成膜，而选择性地成膜在成为红色的副像素的区域。

与红色层56R的成膜同样地，在第三成膜室303中成膜绿色层56G，进而在第四成膜室303中成膜蓝色层56B。在红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B的成膜完成之后，在第五成膜室303中，在整个显示区域51成膜电子输送层57。电子输送层57作为共用的层而形成于三种颜色的层56R、56G、56B。

将形成至电子输送层57的基板移动到第六成膜室303，成膜第二电极58。在本实施方式中，在第一成膜室303～第六成膜室303中通过真空蒸镀进行各层的成膜。但是，本发明并不限定于此，例如第六成膜室303中的第二电极58的成膜也可以通过溅射来成膜。之后，将形成至第二电极58的基板移动到密封装置，通过等离子体CVD成膜保护层60(密封工序)，有机EL显示装置50完成。需要说明的是，在此，通过CVD法形成保护层60，但并不限定于此，也可以通过ALD法、喷墨法来形成。

在此，第一成膜室303～第六成膜室303中的成膜使用形成有与要形成的各个层的图案对应的开口的掩模来成膜。在成膜时，在进行基板53和掩模的相对位置调整(对准)之后，在掩模之上载置基板53进行成膜。在此，在各成膜室中进行的对准工序如上述的对准工序那样进行。

<其他实施方式>

在上述实施方式中，存储部3112将基板信息与调整单元173的调整对应起来进行存储。但是，也可以由上位装置300一并管理这些信息。

另外，在上述实施方式中，处理部3111通过通信从上位装置300取得基板信息(步骤S1)。但是，处理部3111的基板信息的取得也可以是其他方式。例如，也可以是，照相机163或另行设置于交接室308的照相机检测定向平面OF的有无，处理部3111基于该检测结果来取得基板信息。另外，也可以是，例如预先对各基板100赋予表示基板信息的代码，通过读取代码，从而处理部3111取得基板信息。

另外，在上述实施方式中，基板信息与基板100的识别信息相关联地由上位装置300管理，但也可以在基板100的识别信息自身中包含基板信息。例如，也可以在构成识别信息的字符串等中包含表示基板信息的部分。在该情况下，处理部3111能够根据从上位装置300接收到的基板100的识别信息来取得基板信息。

另外，在上述实施方式中，也可以使与多个测定用片1005对应地设置有多个传感器单元172的、数量比测定用片1005少的一个或多个传感器单元172向各测定用片1005的下方移动来进行测定。例如，在一边使一个传感器单元172在X-Y方向上移动一边对各测定用片1005执行测定的情况下，存储部3112也可以存储针对每个测定用片1005的传感器单元172的基准位置和针对每个基板信息的从该基准位置起的调整量。处理部3111也可以基于所取得的基板信息和存储部3112中存储的信息来控制传感器单元172的位置。

另外，在上述实施方式中，通过调整单元173进行基板100与传感器单元172的相对位置的调整。即，通过使传感器单元172移动来调整它们的相对位置。但是，也可以调整支承基板100的支承单元161侧的位置。在该情况下，处理部3111也可以控制位置调整机构162来调整支承单元161的位置。即，位置调整机构162也可以作为膜厚测定部17的调整单元发挥功能。另外，也可以与位置调整机构162独立地设置在膜厚测定时使支承单元161移动的机构。或者，调整单元173也可以构成为能够使多个传感器单元172分别独立地仅在Z方向上移动，通过位置调整机构162进行X-Y方向的相对位置的调整，通过调整单元173进行Z方向的相对位置的调整。

本发明也能够通过将实现上述实施方式的一个以上的功能的程序经由网络或存储介质提供给系统或装置，该系统或装置的计算机中的一个以上的处理器读取并执行程序的处理来实现。另外，也能够通过实现一个以上的功能的电路(例如ASIC)来实现。

本发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离发明的精神和范围的情况下进行各种变更以及变形。因此，为了公开发明的范围而添加权利要求。