一种贵金属纳米颗粒复合材料及其制备方法

技术领域

本发明涉及催化剂制备领域，具体涉及一种贵金属纳米颗粒复合材料及其制备方法。

背景技术

纳米材料因其优异的物化特性得到广泛关注，但是纳米粒子易团聚、稳定性低等问题是影响其性能的关键因素，如何控制贵金属纳米颗粒的尺寸、形貌和稳定性一直是人们探究的主要问题。此外，贵金属纳米颗粒作为催化剂使用过程中仍然存在着一些缺点，比如催化剂分离、回收过程繁琐费时费力，在分离过程中，也会导致催化剂的流失，导致回收率下降，从而影响催化性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种贵金属纳米颗粒复合材料及其制备方法，以克服现有技术的不足，本发明方法制备贵金属纳米颗粒复合材料，具有简单、绿色，稳定性优良，粒径可控，并且快速回收的特点。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种贵金属纳米颗粒复合材料的制备方法，包括以下步骤：

(1)将Fe

(2)将Fe

进一步地，所述步骤(1)中Tris缓冲液的pH＝8.5，超声处理时间为30min。

进一步地，所述步骤(1)中Fe

进一步地，所述步骤(1)中搅拌反应具体为：在20℃条件下连续磁力搅拌4小时。

进一步地，所述步骤(1)中用去离子水将产物A洗涤若干次后干燥具体为：用去离子水将产物A洗涤三次，然后在50℃下真空干燥12小时。

进一步地，所述步骤(2)中采用AgNO

所述步骤(2)中采用HAuCl

进一步地，所述步骤(2)中搅拌使复合物分散具体为：以1000r/min的转速搅拌10min；所述步骤(2)中搅拌反应时间为2h。

进一步地，所述步骤(2)中用汞灯照射悬浮液B具体为：用300W汞灯照射悬浮液B1小时。

进一步地，所述步骤(2)中用去离子水将产物B洗涤若干次后干燥具体为：用去离子水将产物B洗涤3次，并在70℃下干燥12小时。

一种贵金属纳米颗粒复合材料，采用上述的一种贵金属纳米颗粒复合材料的制备方法制得。

与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：

本发明公开的一种制备金、银纳米粒子与磁性载体复合材料的制备方法，首先，分别选用多巴胺和多金属氧酸盐(K

本发明公开的一种多巴胺/多酸包袱四氧化三铁原位合成贵金属纳米颗粒复合材料及其制备方法，首先，选用了PDA作为粘附剂，它的万能粘附性能有利于四氧化三铁和SiW

经本发明方法制得的贵金属纳米粒子，具有简单、绿色，稳定性优良，粒径可控，并且快速回收的特点。

附图说明

说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。

图1为Fe

图2为Fe

图3为Fe

图4为Fe

图5为Fe

图6为Fe

具体实施方式

下面本发明的做进一步详细描述：

一种多巴胺/多酸包袱四氧化三铁原位合成贵金属纳米颗粒复合材料的制备方法，包括以下步骤：

1)将Fe

2)将Fe

其中AgNO

用HAuCl

随着AgNO

其中，Fe

K

下面将结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

以下详细说明均是实施例的说明，旨在对本发明提供进一步的详细说明。除非另有指明，本发明所采用的所有技术术语与本申请所属领域的一般技术人员的通常理解的含义相同。本发明所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而并非意图限制根据本发明的示例性实施方式。

实施例1

1)将Fe

2)将Fe

本实施例所沉积的Ag纳米粒子粒径为23.17nm，如图5中(a)所示。

实施例2

1)将Fe

2)将Fe

本实施例所沉积的Ag纳米粒子平均粒径为23.80nm，如图5中(b)所示。

实施例3

1)将Fe

2)将Fe

本实施例所沉积的Ag纳米粒子平均粒径为22.43nm，如图5中(c)所示。

实施例4

1)将Fe

2)将Fe

本实施例所沉积的Ag纳米粒子平均粒径为24.70nm，如图5中(d)所示。

实施例5

1)将Fe

2)将Fe

本实施例沉积的Au纳米粒子的平均粒径分别为8.15nm，如图6中(a)所示。

实施例6

1)将Fe

2)将Fe

本实施例沉积的Au纳米粒子的平均粒径分别为14.40nm，如图6中(b)所示。

实施例7

1)将Fe

2)将Fe

本实施例沉积的Au纳米粒子的平均粒径分别为24.23nm，如图6中(c)所示。

实施例8

1)将Fe

2)将Fe

本实施例沉积的Au纳米粒子的平均粒径分别为34.76nm，如图6中(d)所示。

以上所述的实施例仅为本发明的优选技术方案，而不应视为对于本发明的限制，本申请中的实施例及实施例中的特征在不冲突的情况下，可以相互任意组合。本发明的保护范围应以权利要求记载的技术方案，包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进，也在本发明的保护范围之内。