半导体装置

技术领域

本公开涉及半导体装置。

背景技术

以往，公知有具备MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)等电力用半导体元件的半导体装置。例如，在专利文献1中公开了具备串联连接的两个半导体元件的半导体装置。这种半导体装置例如安装于电子设备等的电路基板，在电源电路(例如DC/DC转换器、逆变器等)、马达驱动电路等中使用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－158787号公报

发明内容

发明所要解决的课题

近年来，伴随电子设备的高性能化，要求该电子设备所使用的半导体装置的大电流化。

本公开是鉴于上述事情而研究出的方案，其一个目的是提供一种能够实现大电流化的半导体装置。

用于解决课题的方案

在本公开的半导体装置中，具备：第一半导体元件，其具有第一电极、第二电极以及第三电极，通过输入到上述第三电极的第一驱动信号来对上述第一电极以及上述第二电极间进行通断控制；第二半导体元件，其具有第四电极、第五电极以及第六电极，通过输入到上述第六电极的第二驱动信号来对上述第四电极以及上述第五电极间进行通断控制；以及配线基板，其包含具有在厚度方向上隔开间隔的基材主面及基材背面的基材、形成于上述基材主面的主面配线层、形成于上述基材背面的背面配线层、以及插入于上述基材且使上述主面配线层与上述背面配线层导通的金属部件，上述第一半导体元件与上述第二半导体元件通过上述第二电极与上述第四电极连接而被串联连接，在上述第二电极与上述第四电极之间的导通路径中，夹设有上述金属部件。

发明效果

根据本公开的半导体装置，能够实现大电流化。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的立体图。

图2是在图1的立体图中省略了树脂部件的图。

图3是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图，是用想象线(双点划线)示出了树脂部件的图。

图4是在图3的俯视图中省略了多个连接部件的图。

图5是在图4的俯视图中省略了配线基板的一部分(主面配线层)的图。

图6是在图5的俯视图中省略了配线基板的一部分(基材)的图。

图7是在图6的俯视图中省略了配线基板的一部分(背面配线层)的图。

图8是表示第一实施方式的半导体装置的仰视图，是用想象线(双点划线)示出树脂部件8的图。

图9是表示第一实施方式的半导体装置的侧视图(左侧视图)，省略了树脂部件。

图10是表示第一实施方式的半导体装置的侧视图(右侧视图)，省略了树脂部件。

图11是沿图3的XI－XI线的剖视图，是省略了树脂部件的图。

图12是放大了图11的一部分的局部放大图。

图13是放大了图11的一部分的局部放大图。

图14是表示第二实施方式的半导体装置的俯视图，是与图4对应的图。

图15是表示第三实施方式的半导体装置的俯视图，是与图4对应的图。

图16是表示第四实施方式的半导体装置的俯视图，是与图4对应的图。

具体实施方式

参照附图，对本公开的半导体装置的优选的实施方式进行以下说明。对于相同或者类似的要素标注相同符号并省略重复的说明。

图1～图13表示第一实施方式的半导体装置A1。半导体装置A1具备多个第一半导体元件1、多个第二半导体元件2、支撑部件3、配线基板4、一对信号端子61A、61B、一对检测端子62A、62B、多个虚拟端子63、多个连接部件7、以及树脂部件8。在多个连接部件7具有连接部件71、72、73A、73B、74A、74B、75A、75B、76A、76B。

图1是表示半导体装置A1的立体图。图2是在图1的立体图中省略了树脂部件8的图。图3是表示半导体装置A1的俯视图，用想象线(双点划线)示出树脂部件8。图4是在图3的俯视图中省略了多个连接部件7的图。图5是在图4的俯视图中省略了配线基板4的一部分(主面配线层42)的图。图6是在图5的俯视图中省略了配线基板4的一部分(基材41)的图。图7是在图6的俯视图中省略了配线基板4的一部分(背面配线层43)的图。图8是表示半导体装置A1的仰视图，用想象线(双点划线)示出树脂部件8。图9是表示半导体装置A1的侧视图(左侧视图)，省略了树脂部件8。图10是表示半导体装置A1的侧视图(右侧视图)，省略了树脂部件8。图11是沿图3的XI－XI线的剖视图，省略了树脂部件8。图12是放大了图11的一部分的局部放大图。图13是放大了图11的一部分的局部放大图。

为了便于说明，参照相互正交的三个方向、即x方向、y方向、z方向。z方向是半导体装置A1的厚度方向。x方向是半导体装置A1的俯视图(参照图3)中的左右方向。y方向是半导体装置A1的俯视图(参照图3)中的上下方向。将x方向的一方设为x1方向，将x方向的另一方设为x2方向。同样，将y方向的一方设为y1方向，将y方向的另一方设为y2方向，将z方向的一方设为z1方向，将z方向的另一方设为z2方向。在以下的说明中，“俯视”是指在z方向上观察时。x方向是“第二方向”的一例，y方向是“第一方向”的一例。

多个第一半导体元件1以及多个第二半导体元件2分别是例如MOSFET。多个第一半导体元件1以及第二半导体元件2分别不限定于MOSFET，也可以是包含MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor FET，金属绝缘体半导体FET)的电场效应晶体管、或者包含IGBT的双极晶体管等的开关元件。多个第一半导体元件1以及多个第二半导体元件2分别使用以SiC(碳化硅)为主的半导体材料来构成。该半导体材料并不限定于SiC，也可以是Si(硅)、GaAs(砷化镓)、GaN(氮化镓)、或者Ga

如图12所示，多个第一半导体元件1分别具有元件主面1a以及元件背面1b。元件主面1a以及元件背面1b在z方向上相互隔开间隔。元件主面1a朝向z2方向，元件背面1b朝向z1方向。

多个第一半导体元件1分别具有第一电极11、第二电极12以及第三电极13。如图12所示，在各第一半导体元件1中，第一电极11形成于元件背面1b，第二电极12以及第三电极13形成于元件主面1a。在各第一半导体元件1为MOSFET的例子中，第一电极11是漏极电极，第二电极12是源极电极，第三电极13是栅极电极。若向第三电极13(栅极电极)输入第一驱动信号(例如栅极电压)，则各第一半导体元件1根据该第一驱动信号来切换导通状态和断开状态。将切换该导通状态和断开状态的动作称为开关动作。在导通状态下，电流从第一电极11(漏极电极)流向第二电极12(源极电极)，在断开状态下，该电流不流动。也就是，各第一半导体元件1通过输入到第三电极13(栅极电极)的第一驱动信号(例如栅极电压)，来对第一电极11(漏极电极)以及第二电极12(源极电极)间进行通断控制。

如图3等所示，多个第一半导体元件1沿y方向配置。如图12所示，各第一半导体元件1经由导电性接合材料19而与导电板31A接合。导电性接合材料19例如是焊锡、金属糊料、或者烧结金属。

如图13所示，多个第二半导体元件2分别具有元件主面2a以及元件背面2b。元件主面2a以及元件背面2b在z方向上相互隔开间隔。元件主面2a朝向z2方向，元件背面2b朝向z1方向。

多个第二半导体元件2分别具有第四电极21、第五电极22以及第六电极23。如图13所示，在各第二半导体元件2中，第四电极21形成于元件背面2b，第五电极22以及第六电极23形成于元件主面2a。在各第二半导体元件2为MOSFET的例子中，第四电极21是漏极电极，第五电极22是源极电极，第六电极23是栅极电极。若向第六电极23(栅极电极)输入第二驱动信号(例如栅极电压)，则各第二半导体元件2根据该第二驱动信号来进行开关动作(切换导通状态和断开状态)。在导通状态下，电流从第四电极21(漏极电极)流向第五电极22(源极电极)，在断开状态下，该电流不流动。也就是，各第二半导体元件2根据输入到第六电极23(栅极电极)的第二驱动信号(例如栅极电压)，来对第四电极21(漏极电极)与第五电极22(源极电极)间进行通断控制。

如图3等所示，多个第二半导体元件2沿y方向配置。多个第二半导体元件2沿x方向观察时与多个第一半导体元件1重叠。如图13所示，各第二半导体元件2经由导电性接合材料29而与导电板31B接合。导电性接合材料29例如是焊锡、金属糊料、或者烧结金属。

半导体装置A1例如作为半桥型的开关电路而构成。多个第一半导体元件1构成半导体装置A1的上臂电路，多个第二半导体元件2构成半导体装置A1的下臂电路。在半导体装置A1中，多个第一半导体元件1相互电性地并联连接，多个第二半导体元件2相互电性地并联连接。并且，各第一半导体元件1与各第二半导体元件2串联连接，构成电桥。在图3所示的例子中，半导体装置A1具备四个第一半导体元件1和四个第二半导体元件2。第一半导体元件1以及第二半导体元件2的各个数并不限定于本结构，根据半导体装置A1所要求的性能而适当变更。

如图7以及图11所示，支撑部件3支撑多个第一半导体元件1以及多个第二半导体元件2。如图7以及图9～图13所示，支撑部件3具有一对导电板31A、31B以及一对绝缘板32A、32B。

如图7、图11以及图12所示，导电板31A支撑多个第一半导体元件1。导电板31A与各第一半导体元件1的第一电极11(漏极电极)导通。导电板31A例如是长方体状。导电板31A的沿z方向的尺寸比主面配线层42、背面配线层43的沿z方向的尺寸大。如图11以及图12所示，导电板31A具有与各第一半导体元件1接合的接合面310A。接合面310A朝向z2方向。在接合面310A，除了各第一半导体元件1以外，还接合有配线基板4的一部分(后述的背面配线层43的第一背面配线部431)。导电板31A经由接合材料319而与绝缘板32A接合。接合材料319可以是导电性、也可以是绝缘性。

如图7、图11以及图13所示，导电板31B支撑多个第二半导体元件2。导电板31B与各第二半导体元件2的第四电极21(漏极电极)导通。导电板31B例如是长方体状。导电板31B的沿z方向的尺寸比主面配线层42、背面配线层43的沿z方向的尺寸大。如图11以及图13所示，导电板31B具有与各第二半导体元件2接合的接合面310B。接合面310B朝向z2方向。在接合面310B接合有配线基板4的一部分(后述的背面配线层43的第二背面配线部432)。导电板31B经由接合材料319而与绝缘板32B接合。

如图12以及图13所示，一对导电板31A、31B分别在z方向上层叠有多个第一金属层311和多个第二金属层312。多个第一金属层311例如分别由铜构成。多个第二金属层312例如分别由钼构成。导电板31A在z方向上的表层以及导电板31B在z方向上的表层分别是第一金属层311。如图12以及图13所示，在各导电板31A、31B中，各第二金属层312的z方向的尺寸比各第一金属层311的z方向的尺寸小。各导电板31A、31B并不限定于多个第一金属层311和多个第二金属层312层叠而成的结构，也可以由单一的金属构成。

一对绝缘板32A、32B分别由绝缘性材料构成，该绝缘性材料例如是Al

配线基板4与支撑部件3(导电板31A、31B)以及多个连接部件7一起构成半导体装置A1中的导通路径。配线基板4包含基材41、主面配线层42、背面配线层43、以及多个金属部件44。

基材41由绝缘性材料构成，在一例中，由导热性优异的陶瓷构成。作为这样的陶瓷，例如可列举AlN(氮化铝)、SiN(氮化硅)、Al

如图9～图13所示，基材41具有基材主面41a以及基材背面41b。基材主面41a以及基材背面41b在z方向上相互隔开间隔。基材主面41a朝向z2方向，基材背面41b朝向z1方向。

如图5、图11以及图13所示，基材41包含多个贯通孔411。如图11以及图13所示，多个贯通孔411在z方向上将基材41从基材主面41a贯通至基材背面41b。在各贯通孔411中插入金属部件44。如图5、图11以及图13所示，各贯通孔411的内表面不与金属部件44相接。也可以与该结构不同，各贯通孔411的内表面与金属部件44相接。因而，在本公开中，“插入”(或者“被插入”等)是某部件(例如金属部件44)进入某孔(例如贯通孔411)中的状态，该部件是否与该孔的内表面相接没有限定。作为一例，也可以在金属部件44与贯通孔411之间的间隙设有与基材41不同的绝缘部件。

如图11等所示，主面配线层42形成于基材主面41a。主面配线层42例如是由铜或者铜合金构成的板材。主面配线层42的厚度(z方向的尺寸)在一例中为0.4mm左右。此外，主面配线层42的厚度并不限定于该值，根据半导体装置A1的规格(额定电流、容许电流、额定电压、耐压、装置整体的内部电感以及装置的尺寸等)适当变更。例如，作为上述一例的0.4mm是基于额定电流为600A、装置整体的内部电感为4.0nH左右等的规格而设定的。在主面配线层42的俯视时的尺寸相同的情况下，主面配线层42的厚度越大、则越能够实现装置整体的寄生电感、寄生电阻的减少、散热性的提高以及容许电流的增大。

如图3、图4以及图11等所示，主面配线层42包含第一主面配线部421、第二主面配线部422、一对第三主面配线部423A、423B以及一对第四主面配线部424A、424B。第一主面配线部421、第二主面配线部422、一对第三主面配线部423A、423B以及一对第四主面配线部424A、424B相互隔开间隔。

如图3以及图11所示，第一主面配线部421经由多个连接部件72而与各第二半导体元件2的第五电极22(源极电极)导通。

如图3以及图11所示，第二主面配线部422经由多个连接部件71而与各第一半导体元件1的第二电极12(源极电极)导通。如图3以及图4所示，第二主面配线部422位于第一主面配线部421的x1方向。

如图4、图11以及图13所示，第二主面配线部422包含多个贯通孔422a。如图11以及图13所示，多个贯通孔422a在z方向上贯通第二主面配线部422。金属部件44嵌入于各贯通孔422a。如图4、图11以及图13所示，各贯通孔422a的内表面与金属部件44相接。在本公开中，“嵌入”是指某部件(例如金属部件44)进入某孔(例如贯通孔422a)的状态，而且该部件与该孔的内表面相接。也就是，“嵌入”状态是“插入”状态中限定于与孔的内表面相接的状态。

如图3所示，第三主面配线部423A经由连接部件73A而与多个第一半导体元件1的各第三电极13(栅极电极)导通。如图3所示，第三主面配线部423B经由连接部件73B而与多个第二半导体元件2的各第六电极23(栅极电极)导通。一对第三主面配线部423A、423B是分别在y方向上延伸的带状。

如图3所示，第四主面配线部424A经由连接部件74A而与多个第一半导体元件1的各第二电极12(源极电极)导通。如图3所示，第四主面配线部424B经由连接部件74B而与多个第二半导体元件2的各第五电极22(源极电极)导通。一对第四主面配线部424A、424B是分别在y方向上延伸的带状。如图3以及图4所示，在俯视时，第四主面配线部424A与第三主面配线部423A大致平行地配置。在图3以及图4所示的例子中，在x方向上，第三主面配线部423A与多个第一半导体元件1隔着第四主面配线部424A位于彼此相反的一侧。另外，在俯视时，第四主面配线部424B与第三主面配线部423B大致平行地配置。在图3以及图4所示的例子中，在x方向上，第三主面配线部423B与多个第二半导体元件2隔着第四主面配线部424B位于彼此相反的一侧。

如图11等所示，背面配线层43形成于基材背面41b。背面配线层43例如是由铜或者铜合金构成的板材。背面配线层43的厚度(z方向的尺寸)例如与主面配线层42相同，在一例中为0.4mm左右。此外，背面配线层43的厚度并不限定于该值，根据半导体装置A1的规格(额定电流、容许电流、额定电压、耐压、装置整体的内部电感以及装置的尺寸等)适当变更。例如，作为上述一例的0.4mm与主面配线层42相同，基于额定电流为600A、装置整体的内部电感为4.0nH左右等的规格而设定。

如图6以及如图11所示，背面配线层43包含第一背面配线部431以及第二背面配线部432。第一背面配线部431以及第二背面配线部432相互隔开间隔。

如图11以及图12所示，第一背面配线部431与导电板31A的接合面310A接合。第一背面配线部431经由导电板31A而与多个第一半导体元件1的各第一电极11(漏极电极)导通。如从图3、图6以及图11理解的那样，第一背面配线部431在俯视时与第一主面配线部421重叠。

如图11以及图13所示，第二背面配线部432与导电板31B的接合面310B接合。第二背面配线部432经由导电板31B而与多个第二半导体元件2的各第四电极21(漏极电极)导通。如从图3、图6以及图11理解的那样，第二背面配线部432在俯视时与第二主面配线部422重叠。如图6所示，第二背面配线部432位于第一背面配线部431的x1方向上。

如图6、图11以及图13所示，第二背面配线部432包含多个贯通孔432a。如图11以及图13所示，多个贯通孔432a在z方向上贯通第二背面配线部432。各贯通孔432a在俯视时与各贯通孔411以及各贯通孔422a重叠。各金属部件44嵌入于各贯通孔432a，如图6、图11以及图13所示，各贯通孔432a的内表面与各金属部件44相接。

多个金属部件44分别嵌入于配线基板4，且使主面配线层42与背面配线层43导通。在半导体装置A1中，流动于各金属部件44的电流在z方向上大致平行地流动。各金属部件44是俯视时的形状为圆形的柱状。各金属部件44的俯视时的形状并不限定于圆形，也可以是楕圆状或者多边形状。各金属部件44的结构材料例如是铜或者铜合金。各金属部件44的长度L

各金属部件44嵌入于第二主面配线部422的贯通孔422a以及第二背面配线部432的贯通孔432a，并且插入于基材41的贯通孔411。各金属部件44与贯通孔422a的内表面以及贯通孔432a的内表面相接。各金属部件44通过嵌入于第二主面配线部422的贯通孔422a以及第二背面配线部432的贯通孔432a来支撑。此时，在各金属部件44与贯通孔422a的内表面以及贯通孔432a的内表面之间分别产生间隙的情况下，可以向该间隙流入焊锡。由此，在该间隙填充焊锡，各金属部件44固定于配线基板4。此外，在流入焊锡的情况下，在各金属部件44与基材41的贯通孔411的内表面之间的间隙也填充有焊锡。另外，各金属部件44使主面配线层42中的第二主面配线部422与背面配线层43中的第二背面配线部432导通。

多个金属部件44配置在图4所示的区域R1，在俯视时，位于多个第一半导体元件1与多个第二半导体元件2之间。因而，在俯视时，区域R1位于多个第一半导体元件1与多个第二半导体元件2之间。在区域R1的x方向的大致中央，多个金属部件44沿y方向排列成一列。在半导体装置A1中，区域R1例如是沿x方向的尺寸W(参照图4)为5mm左右，沿y方向的尺寸L

M∝L

D≥2L

另外，为了能够将多个金属部件44配置在区域R1(x方向尺寸W×y方向尺寸L

L

D≤(L

配线基板4包含第一电力端子部401、第二电力端子部402以及两个第三电力端子部403。第一电力端子部401、第二电力端子部402以及两个第三电力端子部403相互隔开间隔。

在半导体装置A1中，第一电力端子部401是第一背面配线部431的一部分。在图3以及图10所示的例子中，第一电力端子部401包含第一背面配线部431中的y1方向的端缘。第一背面配线部431经由导电板31A而与各第一半导体元件1的第一电极11(漏极电极)导通，因此第一电力端子部401与各第一半导体元件1的第一电极11导通。在第一电力端子部401的表面实施有镀敷。第一电力端子部401的一部分从树脂部件8露出。

在半导体装置A1中，第二电力端子部402是第一主面配线部421的一部分。在图8以及图10所示的例子中，第二电力端子部402包含第一主面配线部421中的y1方向的端缘。第一主面配线部421与各第二半导体元件2的第五电极22(源极电极)导通，因此第二电力端子部402与各第二半导体元件2的第五电极22导通。在第二电力端子部402的表面实施有镀敷。第一电力端子部401与第二电力端子部402在俯视时相互重叠。第二电力端子部402的一部分从树脂部件8露出。

在半导体装置A1中，两个第三电力端子部403的一方是第二主面配线部422的一部分，两个第三电力端子部403的另一方是第二背面配线部432的一部分。在图3、图8以及图9所示的例子中，各第三电力端子部403包含第二主面配线部422以及第二背面配线部432各自的y1方向的端缘。第二主面配线部422以及第二背面配线部432分别与各第一半导体元件1的第二电极12(源极电极)以及各第二半导体元件2的第四电极21(漏极电极)导通，因此两个第三电力端子部403分别与各第一半导体元件1的第二电极12(源极电极)以及各第二半导体元件2的第四电极21导通。在各第三电力端子部403的表面实施有镀敷。两个第三电力端子部403在俯视时相互重叠。在半导体装置A1中，示出了配线基板4包含两个第三电力端子部403的例子，但也可以与该结构不同，仅具备两个第三电力端子部403的任一方。各第三电力端子部403的一部分分别从树脂部件8露出。

第一电力端子部401以及第二电力端子部402例如与外部的直流电源连接，施加有电源电压(直流电压)。例如，第一电力端子部401是与直流电源的正极连接的P端子，第二电力端子部402是与直流电源的负极连接的N端子。对第一电力端子部401以及第二电力端子部402施加的直流电压通过多个第一半导体元件1的各开关动作以及多个第二半导体元件2的各开关动作而变换成交流电压。各第三电力端子部403输出变换后的电压(交流电压)。

如图3所示，配线基板4包含多个第一开口部45以及多个第二开口部46。

多个第一开口部45分别在z方向上从主面配线层42贯通至背面配线层43。多个第一开口部45分别一个一个地收纳多个第一半导体元件1。各第一开口部45在俯视时包围各第一半导体元件1。

如图4～图6、图11以及图12所示，多个第一开口部45分别包含上方贯通部451、中间贯通部452以及下方贯通部453。在各第一开口部45中，上方贯通部451、中间贯通部452以及下方贯通部453在俯视时相互重叠。

上方贯通部451形成于第一主面配线部421，在z方向上贯通第一主面配线部421。在图4所示的例子中，上方贯通部451是俯视时呈L字状的切口、或者俯视时呈コ字状的切口。

中间贯通部452形成于基材41，在z方向上贯通基材41。在图5所示的例子中，中间贯通部452是俯视时呈コ字状的切口、或者俯视时呈矩形形状的贯通孔。

下方贯通部453形成于第一背面配线部431，在z方向上贯通第一背面配线部431。在图6所示的例子中，下方贯通部453是俯视时呈コ字状的切口、或者俯视时呈矩形形状的贯通孔。在与z方向正交的方向(例如y方向)上观察时，各第一半导体元件1的元件主面1a与下方贯通部453重叠。由此，各第一半导体元件1不会比配线基板4更向z方向上方(z2方向)突出。

多个第二开口部46分别在z方向上从主面配线层42贯通至背面配线层43。多个第二开口部46收纳各第二半导体元件2，在俯视时包围各第二半导体元件2。各第二半导体元件2收纳于各第二开口部46。

如图4～图6、图11以及图13所示，多个第二开口部46分别包含上方贯通部461、中间贯通部462以及下方贯通部463。在各第二开口部46中，上方贯通部461、中间贯通部462以及下方贯通部463在俯视时相互重叠。

上方贯通部461形成于第二主面配线部422，在z方向上贯通第二主面配线部422。在图4所示的例子中，上方贯通部461是俯视时呈コ字状的切口。

中间贯通部462形成于基材41，在z方向上贯通基材41。在图5所示的例子中，中间贯通部462是俯视时呈矩形形状的贯通孔。

下方贯通部463形成于第二背面配线部432，在z方向上贯通第二背面配线部432。在图6所示的例子中，下方贯通部463是俯视时呈矩形形状的贯通孔。在与z方向正交的方向(例如y方向)上观察时，各第二半导体元件2的元件主面2a与下方贯通部463重叠。由此，各第二半导体元件2不会比配线基板4更向z方向上方(z2方向)突出。

一对信号端子61A、61B、一对检测端子62A、62B、以及多个虚拟端子63为大致相同的形状。如从图9以及图10理解的那样，在x方向上观察时，一对信号端子61A、61B、一对检测端子62A、62B、以及多个虚拟端子63分别呈L字状。一对信号端子61A、61B、一对检测端子62A、62B、以及多个虚拟端子63在俯视时在x方向上大致平行地配置。一对信号端子61A、61B、一对检测端子62A、62B、以及多个虚拟端子63各自的一部分由树脂部件8覆盖，由此支撑于树脂部件8。

信号端子61A与各第一半导体元件1的第三电极13(栅极电极)导通，输入对各第一半导体元件1的开关动作进行控制的第一驱动信号。信号端子61B与各第二半导体元件2的第六电极23(栅极电极)导通，输入对各第二半导体元件2的开关动作进行控制的第二驱动信号。

一对信号端子61A、61B分别包含焊盘部611以及端子部612。如图3所示，各信号端子61A、61B的焊盘部611被树脂部件8覆盖。在信号端子61A的焊盘部611连接有连接部件73A，经由该连接部件73A而与第三主面配线部423A导通。在信号端子61B的焊盘部611连接有连接部件73B，经由该连接部件73B而与第三主面配线部423B导通。如图3所示，各信号端子61A、61B的端子部612从树脂部件8露出。各信号端子61A、61B的端子部612与外部的控制装置(例如栅极驱动器)连接，从该控制装置输入第一驱动信号以及第二驱动信号(栅极电压)。

检测端子62A与各第一半导体元件1的第二电极12(源极电极)导通，输出施加于各第一半导体元件1的第二电极12的电压(与源极电流对应的电压)。检测端子62B与各第二半导体元件2的第五电极22(源极电极)导通，输出施加于各第二半导体元件2的第五电极22的电压(与源极电流对应的电压)。

一对检测端子62A、62B分别包含焊盘部621以及端子部622。如图3所示，各检测端子62A、62B的焊盘部621被树脂部件8覆盖。在检测端子62A的焊盘部621连接有连接部件74A，经由该连接部件74A而与第四主面配线部424A导通。在检测端子62B的焊盘部621连接有连接部件74B，经由该连接部件74B而与第四主面配线部424B导通。如图3所示，各检测端子62A、62B的端子部622从树脂部件8露出。各检测端子62A、62B的端子部622与外部的控制装置(例如栅极驱动器)连接，向该控制装置输出各检测信号(源极信号)。

多个虚拟端子63分别与半导体装置A1的其它结构要素的任一个都不导通。多个虚拟端子63的一部分被树脂部件8覆盖，其它部分从树脂部件8露出。

多个连接部件7使相互隔开间隔的两个部位导通。如图2以及图3所示，各连接部件7例如是接合引线。也可以与该例不同，一部分连接部件7不是接合引线而是金属制的板材。多个连接部件7的各构成材料也可以是金、铝或者铜的任一个。如上所述，多个连接部件7具有连接部件71、72、73A、73B、74A、74B、75A、75B、76A、76B。

如图3所示，多个连接部件71与多个第一半导体元件1的各第二电极12(源极电极)和第二主面配线部422接合，并使它们导通。在图3所示的例子中，一部分连接部件71有时不与第二主面配线部422接合，而是与多个金属部件44的任一个接合。

如图3所示，多个连接部件72与多个第二半导体元件2的各第五电极22(源极电极)和第一主面配线部421接合，并使它们导通。

如图3所示，多个连接部件73A与多个第一半导体元件1的各第三电极13(栅极电极)和第三主面配线部423A接合，并使它们导通。如图3所示，多个连接部件73B与多个第二半导体元件2的各第六电极23(栅极电极)和第三主面配线部423B接合，并使它们导通。

如图3所示，多个连接部件74A与多个第一半导体元件1的各第二电极12(源极电极)和第四主面配线部424A接合，并使它们导通。如图3所示，多个连接部件74B与多个第二半导体元件2的各第五电极22(源极电极)和第四主面配线部424B接合，并使它们导通。

如图3所示，连接部件75A与第三主面配线部423A和信号端子61A的焊盘部611接合，并使它们导通。如图3所示，连接部件75B与第三主面配线部423B和信号端子61B的焊盘部611接合，并使它们导通。

如图3所示，连接部件76A与第四主面配线部424A和检测端子62A的焊盘部621接合，并使它们导通。如图3所示，连接部件76B与第四主面配线部424B和检测端子62B的焊盘部621接合，并使它们导通。

树脂部件8覆盖多个第一半导体元件1、多个第二半导体元件2、支撑部件3、配线基板4的一部分、一对信号端子61A、61B的各一部分、一对检测端子62A、62B的各一部分、多个虚拟端子63的各一部分、以及多个连接部件7。树脂部件8例如由环氧树脂等绝缘性的树脂材料构成。如图3所示，树脂部件8在俯视时是矩形形状。树脂部件8在y1方向的侧面且在z1方向侧以及z2方向侧这双方形成有切口。如图1、图3以及图8所示，通过该切口，配线基板4中的第一电力端子部401、第二电力端子部402以及第三电力端子部403分别从树脂部件8露出。

半导体装置A1的作用以及效果如下文所述。

半导体装置A1具备第一半导体元件1、第二半导体元件2以及配线基板4。配线基板4包含基材41、主面配线层42、背面配线层43以及金属部件44。主面配线层42形成于基材41的基材主面41a，背面配线层43形成于基材41的基材背面41b。金属部件44插入于基材41，并使主面配线层42与背面配线层43导通。以往，公知有以下方法：在绝缘基板的上表面以及下表面形成有配线图案的双面基板中，为了使形成于上表面的配线图案与形成于下表面的配线图案导通而使用贯通孔。贯通孔通过在贯通基板的贯通孔的表面例如实施金属镀敷而形成。金属镀敷的厚度由贯通孔的大小等来限制，因此在通过该贯通孔来使主面配线层42与背面配线层43导通的结构中，对于使夹设于该贯通孔中的电流路径的容许电流变大存在限制。另一方面，在半导体装置A1中，通过插入到基材41的金属部件44来实现主面配线层42与背面配线层43的导通。根据该结构，在使主面配线层42与背面配线层43的导通中，与使用贯通孔相比，能够使容许电流变大。尤其是，在半导体装置A1中，在第一半导体元件1的第二电极12(例如源极电极)与第二半导体元件2的第四电极21(例如漏极电极)的导通路径中夹设有金属部件44。也就是，能够使第一半导体元件1的第二电极12(源极电极)与第二半导体元件2的第四电极21(漏极电极)之间的电流变大。因此，半导体装置A1通过在主面配线层42与背面配线层43的导通中使用金属部件44，从而能够实现主电流路径中的容许电流的增大化。半导体装置A1中的主电流是流动于第一电力端子部401、第二电力端子部402以及各第三电力端子部403间的电流。也就是，半导体装置A1能够实现大电流化。

在半导体装置A1中，配线基板4包含多个金属部件44。多个金属部件44中在俯视时相邻的两个金属部件44配置成在俯视时中心间的距离D为预定值以上。根据该结构，能够使相邻的两个金属部件44中的相互电感值大致为0(零)。在半导体装置A1中，上述路径长度L

在半导体装置A1中，多个金属部件44在俯视时位于多个第一半导体元件1以及多个第二半导体元件2之间。在半导体装置A1中，例如向第二主面配线部422流动主电流。该主电流在第二主面配线部422中集中于区域R1。因此，通过将多个金属部件44配置于区域R1，从而能够确保主电流路径。如图4所示，区域R1在俯视时位于多个第一半导体元件1以及多个第二半导体元件2之间。也就是，通过使多个金属部件44在俯视时位于多个第一半导体元件1以及多个第二半导体元件2之间，从而能够确保主电流路径。因此，半导体装置A1不在主电流不太流动的区域(区域R1以外的区域)配置金属部件44，因此能够抑制不必要地追加金属部件44。

在半导体装置A1中，与各第二半导体元件2的第五电极22(源极电极)导通的第一主面配线部421和与各第一半导体元件1的第一电极11(漏极电极)导通的第一背面配线部431隔着基材41配置在z方向上。第一背面配线部431包含第一电力端子部401，而且第一主面配线部421包含第二电力端子部402。第一电力端子部401和第二电力端子部402与基材41在俯视时相互重叠。根据该结构，能够将施加有电源电压的第一电力端子部401(第一背面配线部431)与第二电力端子部402(第一主面配线部421)层叠配线，能够实现第一电力端子部401与第二电力端子部402之间的低电感化。因此，半导体装置A1能够降低内部电感。另外，在对第一电力端子部401以及第二电力端子部402连接外部的电源装置、母线或者电容器等时，能够通过夹入第一电力端子部401和第二电力端子部402来连接。

在半导体装置A1中，各第一半导体元件1搭载于导电板31A。导电板31A作为使来自各第一半导体元件1的热扩散的散热器发挥功能。根据该结构，与将各第一半导体元件1接合于配线基板4(例如主面配线层42)的情况相比，能够提高散热性。同样，各第二半导体元件2搭载于导电板31B。导电板31B作为使来自各第二半导体元件2的热扩散的散热器发挥功能。根据该结构，与将各第二半导体元件2接合于配线基板4(例如主面配线层42)的情况相比，能够提高散热性。

在半导体装置A1中，导电板31A层叠有由铜构成的第一金属层311和由钼构成的第二金属层312。钼与铜相比，线膨胀系数较小。根据该结构，能够抑制导电板31A的热膨胀率。因此，能够缓和由来自与导电板31A接合的各第一半导体元件1的热而附加的对导电性接合材料19的热应力。同样，导电板31B也是层叠有第一金属层311和第二金属层312的结构，因此能够抑制导电板31B的热膨胀率。因此，能够缓和由来自与导电板31B接合的各第二半导体元件2的热而附加的对导电性接合材料29的热应力。由此，半导体装置A1能够抑制各第一半导体元件1以及各第二半导体元件2的剥离。

在半导体装置A1中，由配线基板4构成主电流路径的一部分。配线基板4包含基材41、主面配线层42以及背面配线层43，是双面基板。根据该结构，与以往(例如专利文献1)的半导体装置相比，半导体装置A1能够实现俯视时的小型化。

在半导体装置A1中，各第一半导体元件1收纳于各第一开口部45，在与z方向正交的方向(例如y方向)上观察，与配线基板4重叠。另外，各第二半导体元件2收纳于各第二开口部46，在与z方向正交的方向(例如y方向)上观察，与配线基板4重叠。根据该结构，能够不与各第一半导体元件1以及各第二半导体元件2干涉地在各导电板31A、31B上接合配线基板4。因此，半导体装置A1能够实现低背化(抑制z方向的尺寸)。

图14表示第二实施方式的半导体装置A2。图14是表示半导体装置A2的俯视图，与第一实施方式的图4对应。即，图14省略了多个连接部件7以及树脂部件8。与半导体装置A1比较，半导体装置A2的不同点在于，金属部件44的个数较多。

如图14所示，半导体装置A2的配线基板4包含八个金属部件44。在图14所示的例子中，八个金属部件44沿y方向以等间距配置成一列。在半导体装置A2中，多个金属部件44例如以4.5mm间距配置。也就是，相邻的两个金属部件44的俯视中心间距离D为4.5mm左右。此外，在半导体装置A2中，各金属部件44的长度以及粗细也与半导体装置A1的各金属部件44相同。另外，区域R1的沿x方向的尺寸W以及沿y方向的尺寸L

在半导体装置A2中，多个金属部件44的各自感值的合成电感值为半导体装置A2整体的内部电感值的5％以内。例如，在将半导体装置A2整体的内部电感值设为4nH的情况下，其5％为0.2nH(＝4[nH]×(5/100)[％])。与此相对，若将各金属部件44的自感值设为1nH，则通过将各金属部件44配置五个以上，能够使多个金属部件44的自感值的合成电感值为半导体装置A2整体的内部电感值的5％以内。此外，多个金属部件44是相互电性地并联连接的结构，因此多个金属部件44的合成电感值是计算各金属部件44的自感值的倒数的和并且取该和的倒数而得到的值。在半导体装置A2中，金属部件44的个数为八个，因此多个金属部件44的合成电感值成为半导体装置A2整体的内部电感值的5％以内。此外，多个金属部件44的个数根据半导体装置A2整体的内部电感值、合成电感值与内部电感值的比率、以及各金属部件44的自感值而适当变更。

在半导体装置A2中，也同样，为了将多个金属部件44配置于区域R1，基于上述(1)式以及上述(2)式，来设定相邻的两个金属部件44的俯视中心间距离D的上限。因此，在区域R1的y方向尺寸L

在半导体装置A2中，也能够起到与半导体装置A1相同的效果。

在半导体装置A2中，与半导体装置A1相比，金属部件44的个数较多。根据该结构，由于多个金属部件44的合成电感值降低，因此与半导体装置A1相比，半导体装置A2能够抑制内部电感值。尤其是，在半导体装置A2中，多个金属部件44的各自感值的合成电感值为半导体装置A2整体的内部电感值的5％以内。此外，金属部件44的个数越多，则越能够降低合成电感值。然而，在将多个金属部件44配置于区域R1的方面，存在物理上的限制。具体而言，基于从上述(3)式获得的下述(5)式，限制为下述(5)式的右边的运算值以下。也就是，基于下述(5)式，来决定金属部件44的个数n的上限。此外，在半导体装置A2中，上述俯视中心间距离D也可考虑相互电感M大致成为0(零)。

N≤((L

图15表示第三实施方式的半导体装置A3。图15是表示半导体装置A3的俯视图，与第一实施方式的图4对应。即，图15省略了多个连接部件7以及树脂部件8。与半导体装置A1比较，半导体装置A3的不同点在于，多个金属部件44不以等间距排列。

如图15所示，与半导体装置A1、A2相同，半导体装置A3中的多个金属部件44沿y方向排列成一列。但是，在半导体装置A3中，如图15所示，在y1方向侧相邻的两个金属部件44的俯视中心间距离D1比在y2方向侧相邻的两个金属部件44的俯视中心间距离D2小。也就是，多个金属部件44在俯视时y1方向侧的配置间隔比y2方向侧的配置间隔短，区域R1的y1方向侧的金属部件44的配置密度比y2方向侧的金属部件44的配置密度高。此时，多个金属部件44也可以排列成在俯视时配置间隔随着从y1方向侧朝向y2方向侧而逐渐变短。此外，俯视中心间距离D1为用于使两个金属部件44间的相互电感M大致为0(零)的上述预定值以上。

在半导体装置A3中，也能够起到与各半导体装置A1、A2相同的效果。

在半导体装置A3中，多个金属部件44在俯视时y1方向侧的配置间隔比y2方向侧的配置间隔短。也就是，在y1方向侧相邻的两个金属部件44的俯视中心间距离D1比在y2方向侧相邻的两个金属部件44的俯视中心间距离D2小。在半导体装置A3中，第一电力端子部401以及第二电力端子部402配置在比区域R1更靠y1方向侧。在这样的结构中，区域R1中、被相对地位于y1方向侧的一对第一半导体元件1和第二半导体元件2所夹的部分与被相对地位于y2方向侧的一对第一半导体元件1和第二半导体元件2所夹的部分相比，主电流集中。因此，通过使上述俯视中心间距离D1比上述俯视中心间距离D2小，能够较多地配置处于主电流集中的部分的金属部件44的个数。由此，半导体装置A3能够实现主电流路径中的容许电流的增大化。也就是，半导体装置A3在实现大电流化方面优选。

在第三实施方式中，示出了上述俯视中心间距离D1比上述俯视中心间距离D2小的例子，但并不限定于此，也可以使相对地位于y1方向侧的金属部件44的俯视时的粗细比相对地位于y2方向侧的金属部件44的俯视时的粗细大。此时，也可以构成为，在俯视时，随着从y1方向侧朝向y2方向侧，各金属部件44的俯视时的粗细逐渐变小。金属部件44由于粗细越粗则容许电流越大，因此在该结构中，能够实现主电流路径中的容许电流的增大化。

在第三实施方式中，示出了上述俯视中心间距离D1比上述俯视中心间距离D2小的例子，但也可以相反，使上述俯视中心间距离D2比上述俯视中心间距离D1小。也就是，也可以使区域R1的y2方向侧的金属部件44的配置密度比y1方向侧的金属部件44的配置密度高。如上所述，在半导体装置A3中，区域R1中、被相对地位于y1方向侧的一对第一半导体元件1和第二半导体元件2所夹的部分与被相对地位于y2方向侧的一对第一半导体元件1和第二半导体元件2所夹的部分相比，主电流集中。因此，通过使上述俯视中心间距离D2比上述俯视中心间距离D1小，确保区域R1中通往位于y2方向侧的金属部件44的电流路径，从而能够缓和区域R1内的电流集中。由此，可抑制流动于各第一半导体元件1以及各第二半导体元件2的电流的偏颇，因此能够抑制各第一半导体元件1以及各第二半导体元件2的劣化变得不均匀。此外，在本变形例中，也可以不在各俯视中心间距离D1、D2设置差而改变金属部件44的俯视时的粗细。也就是，也可以使相对地位于y2方向侧的金属部件44的俯视时的粗细比相对地位于y1方向侧的金属部件44的俯视时的粗细大。

在第一实施方式至第三实施方式中，示出了多个金属部件44在区域R1的x方向的大致中央沿y方向配置成一列的例子，但并不限定于此，也可以偏靠区域R1的x1方向侧(或者x2方向侧)的端缘。在区域R1(第二主面配线部422以及第二背面配线部432)，通过各第一半导体元件1以及各第二半导体元件2的开关动作来流动交流电流。根据趋肤效应，交流电流的频率越高则越容易向导体的表面流动。因此，能够在区域R1(第二主面配线部422以及第二背面配线部432)中容易流动交流电流的位置配置多个金属部件44。

图16表示第四实施方式的半导体装置A4。图16是表示半导体装置A4的俯视图，与第一实施方式的图4对应。即，图16省略了多个连接部件7以及树脂部件8。与半导体装置A1比较，半导体装置A4的不同点在于，多个金属部件44并非在y方向上排成一列、而是以多个列排列。在图16所示的例子中，在y方向上排列的多个金属部件44在x方向上排成二列。此外，排列成二列的多个金属部件44的各列在区域R1中既可以在x方向上均等地配置、也可以考虑上述的趋肤效应而配置在x方向的偏靠各端缘。

在半导体装置A1中，区域R1的沿x方向的尺寸W为5mm左右，各金属部件44的俯视时的粗细(半径)为1.5mm左右，因此在x方向上只能配置一列。因此，上述尺寸W相同，在半导体装置A4中，通过使各金属部件44的俯视时的粗细(半径)比半导体装置A1中的各金属部件44小，从而在x方向上配置多个列。此外，在半导体装置A4中，考虑相邻的两个金属部件44间的相互电感M时，使在y方向上相邻的两个金属部件44的俯视中心间距离D为预定值以上，并且使在x方向上相邻的两个金属部件44的俯视中心间距离Dx为预定值以上。

在半导体装置A4中，也能够起到与半导体装置A1相同的效果。

在第一实施方式至第四实施方式中，示出了各金属部件44不与贯通孔411的内表面相接的例子，但并不限定于此，也可以与贯通孔411的内表面相接。也就是，各金属部件44也可以嵌入于贯通孔411。根据该结构，各金属部件44不仅支撑于主面配线层42以及背面配线层43而且还支撑于基材41，因此能够抑制各金属部件44脱落。另外，在各金属部件44嵌入于贯通孔411的结构中，各金属部件44也可以是不嵌入于主面配线层42(第二主面配线部422)，各金属部件44的上表面(朝向z2方向的面)与主面配线层42相接的结构。同样，各金属部件44也可以是不嵌入于背面配线层43(第二背面配线部432)，各金属部件44的下表面(朝向z1方向的面)与背面配线层43相接的结构。

本公开的半导体装置并不限定于上述的实施方式。本公开的半导体装置的各部的具体的结构自由地进行各种设计变更。例如，本公开的半导体装置包含以下的附记所记载的实施方式。

附记1.

一种半导体装置，具备：

第一半导体元件，其具有第一电极、第二电极以及第三电极，通过输入到上述第三电极的第一驱动信号来对上述第一电极以及上述第二电极间进行通断控制；

第二半导体元件，其具有第四电极、第五电极以及第六电极，通过输入到上述第六电极的第二驱动信号来对上述第四电极以及上述第五电极间进行通断控制；以及

配线基板，其包含具有在厚度方向上隔开间隔的基材主面及基材背面的基材、形成于上述基材主面的主面配线层、形成于上述基材背面的背面配线层、以及插入于上述基材且使上述主面配线层与上述背面配线层导通的金属部件，

上述第一半导体元件与上述第二半导体元件通过上述第二电极与上述第四电极连接而被串联连接，

在上述第二电极与上述第四电极之间的导通路径中，夹设有上述金属部件。

附记2.

根据附记1所记载的半导体装置，

上述配线基板包含相互隔开间隔的第一电力端子部、第二电力端子部以及第三电力端子部，

上述第一电力端子部与上述第一电极导通，

上述第二电力端子部与上述第五电极导通，

上述第三电力端子部与上述第二电极和上述第四电极导通。

附记3.

根据附记2所记载的半导体装置，

具备树脂部件，该树脂部件覆盖上述配线基板的一部分、上述第一半导体元件以及上述第二半导体元件，

上述配线基板中的上述第一电力端子部、上述第二电力端子部、以及上述第三电力端子部从上述树脂部件露出。

附记4.

根据附记2或3任一项中所记载的半导体装置，

上述主面配线层包含相互隔开间隔的第一主面配线部以及第二主面配线部，

上述第一主面配线部与上述第五电极导通，

上述第二主面配线部与上述第二电极和上述第四电极导通，

上述第二电力端子部是上述第一主面配线部的一部分。

附记5.

根据附记4所记载的半导体装置，

上述背面配线层包含相互隔开间隔的第一背面配线部以及第二背面配线部，

上述第一背面配线部与上述第一电极导通，

上述第二背面配线部与上述第二电极和上述第四电极导通，

上述第一电力端子部是上述第一背面配线部的一部分。

附记6.

根据附记5所记载的半导体装置，

上述第二主面配线部与上述第二背面配线部经由上述金属部件而导通。

附记7.

根据附记6所记载的半导体装置，

上述第二主面配线部包含沿上述厚度方向贯通的主面贯通孔，

上述第二背面配线部包含沿上述厚度方向贯通的背面贯通孔，

上述金属部件嵌入于上述主面贯通孔和上述背面贯通孔，并支撑于上述配线基板。

附记8.

根据附记6或7任一项中所记载的半导体装置，

上述第一电力端子部与上述第二电力端子部在上述厚度方向上观察时相互重叠。

附记9.

根据附记8所记载的半导体装置，

上述第三电力端子部是上述第二主面配线部的一部分或上述第二背面配线部的一部分。

附记10.

根据附记9所记载的半导体装置，

上述第一半导体元件具有在上述厚度方向上朝向与上述基材主面相同的方向的第一元件主面以及在上述厚度方向上朝向与上述基材背面相同的方向的第一元件背面，

上述第一电极设置在上述第一元件背面，

上述第二电极设置在上述第一元件主面，

上述第二半导体元件具有在上述厚度方向上朝向与上述基材主面相同的方向的第二元件主面以及在上述厚度方向上朝向与上述基材背面相同的方向的第二元件背面，

上述第四电极设置在上述第二元件背面，

上述第五电极设置在上述第二元件主面。

附记11.

根据附记10所记载的半导体装置，还具备：

第一导电板，其具有与上述第一电极接合的第一接合面，且支撑上述第一半导体元件；以及

第二导电板，其具有与上述第四电极接合的第二接合面，且支撑上述第二半导体元件，

上述第一导电板以及上述第二导电板在上述厚度方向上观察时与上述配线基板重叠，

上述第一背面配线部与上述第一接合面接合，经由上述第一导电板而与上述第一电极导通，

上述第二背面配线部与上述第二接合面接合，经由上述第二导电板而与上述第五电极导通。

附记12.

根据附记11所记载的半导体装置，

上述配线基板包含分别在上述厚度方向上从上述主面配线层贯通至上述背面配线层的第一开口部以及第二开口部，

上述第一开口部在上述厚度方向上观察时包围上述第一半导体元件，

上述第二开口部在上述厚度方向上观察时包围上述第二半导体元件。

附记13.

根据附记12所记载的半导体装置，还具备：

第一连接部件，其将上述第二电极和上述第二主面配线部连接；以及

第二连接部件，其将上述第五电极和上述第一主面配线部连接。

附记14.

根据附记1至13任一项中所记载的半导体装置，

上述金属部件是多个金属部件，

上述多个金属部件中的在上述厚度方向上观察时相邻的两个金属部件配置为，在上述厚度方向上观察到的中心间的距离为预定值以上。

附记15.

根据附记14所记载的半导体装置，

上述第一半导体元件以及上述第二半导体元件是多个第一半导体元件以及多个第二半导体元件，

上述多个第一半导体元件相互电性地并联连接，而且沿与上述厚度方向正交的第一方向排列，

上述多个第二半导体元件相互电性地并联连接，而且沿上述第一方向排列。

附记16.

根据附记15所记载的半导体装置，

在与上述厚度方向以及上述第一方向正交的第二方向上观察时，上述多个第一半导体元件与上述多个第二半导体元件重叠，

在上述厚度方向上观察时，上述多个金属部件位于上述多个第一半导体元件与上述多个第二半导体元件之间。

附记17.

根据附记16所记载的半导体装置，

上述多个金属部件沿上述第一方向排列。

附记18.

根据附记17所记载的半导体装置，

在上述厚度方向上观察时，上述多个金属部件的上述第一方向的一方侧的配置间隔比另一方侧的配置间隔短。

附记19.

根据附记14至附记18任一项中所记载的半导体装置，

上述多个金属部件的合成电感值为上述半导体装置整体的电感值的5％以内。

符号的说明

A1～A4—半导体装置，1—第一半导体元件，1a—元件主面，1b—元件背面，11—第一电极，12—第二电极，13—第三电极，19—导电性接合材料，2—第二半导体元件，2a—元件主面，2b—元件背面，21—第四电极，22—第五电极，23—第六电极，29—导电性接合材料，3—支撑部件，31A、31B—导电板，311—第一金属层，312—第二金属层，319—接合材料，310A、310B—接合面，32A、32B—绝缘板，321—镀层，4—配线基板，401—第一电力端子部，402—第二电力端子部，403—第三电力端子部，41—基材，41a—基材主面，41b—基材背面，411—贯通孔，42—主面配线层，421—第一主面配线部，422—第二主面配线部，422a—贯通孔，423A、423B—第三主面配线部，424A、424B—第四主面配线部，43—背面配线层，431—第一背面配线部，432—第二背面配线部，432a—贯通孔，44—金属部件，45—第一开口部，451—上方贯通部，452—中间贯通部，453—下方贯通部，46—第二开口部，461—上方贯通部，462—中间贯通部，463—下方贯通部，61A、61B—信号端子，611—焊盘部，612—端子部，62A、62B—检测端子，63—虚拟端子，621—焊盘部，622—端子部，7、71、72、73A、73B—连接部件，74A、74B、75A、75B—连接部件，76A、76B—连接部件，8—树脂部件。