用于沉积钼膜的钼(0)前驱物

技术领域

本公开内容的实施方式涉及用于沉积含钼膜的钼前驱物及方法。具体而言，本公开内容的实施方式涉及含2n电子供体的中性单、双或三齿配体的钼(0)络合物及其使用方法。

背景技术

半导体处理工业持续追求更大的产出率，同时提高在具有较大表面积的基板上沉积的层的均匀性。这些相同的因素与新材料的组合亦提供每单位面积基板的更高电路整合。由于电路整合增加，对于层厚度的更大均匀性及工艺控制的需要增加。因此，已开发以成本有效方式在基板上沉积层，与此同时维持对层特性的控制的各种技术。

化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)是用于在基板上沉积层的最常见的沉积工艺中之一者。CVD是一种通量相关的沉积技术，需要精确控制基板温度及引入至处理腔室中的前驱物，从而产生具有均匀厚度的所需层。随着基板大小增加，这些要求变得更加关键，因此需要更复杂的腔室设计及气流技术以维持足够的均匀性。

展示极佳阶梯覆盖的CVD变体为循环沉积或原子层沉积(atomic layerdeposition,ALD)。循环沉积基于原子层外延(atomic layer epitaxy,ALE)，并且使用化学吸附技术在顺序的循环中将前驱物分子输送至基板表面上。循环使基板表面暴露于第一前驱物、净化气体、第二前驱物及净化气体。第一及第二前驱物反应以在基板表面上形成作为膜的产物化合物。重复循环以使层形成至所需的厚度。

先进微电子装置的不断提高的复杂度对目前使用的沉积技术提出了严格的需求。不幸地，具有稳健热稳定性、高反应性及适合膜生长发生之蒸气压的必要性质的可用且可行的化学前驱物的数量有限。另外，常常满足这些要求的前驱物仍具有不良的长期稳定性并导致薄膜中含有升高浓度的对目标膜应用常常有害的污染物(诸如氧、氮及/或卤化物)。

钼及基于钼的膜具有有吸引力的材料及导电性质。已在来自半导体及微电子组件的前段及后段部分的应用中提出并测试这些膜。处理钼前驱物常常涉及使用卤素及基于羰基的取代基。这些配体提供足够的稳定性，代价是反应性下降，从而提高了工艺温度。因此，本领域中需要不含卤素基的钼前驱物，不含卤素基的钼前驱物反应以形成钼金属及基于钼的膜。

发明内容

本公开内容的一个或多个实施方式涉及金属配位络合物。在一个或多个实施方式中，金属配位络合物包含钼(0)且具有式(I)、式(II)或式(III)的结构：

其中L为2n电子供体中性单齿配体、2n电子供体中性双齿配体及2n电子供体中性三齿配体中的一者或多者，金属配位络合物实质上不含(substantially free)卤素且实质上不含Mo-O键。

本公开内容的一个或多个实施方式涉及一种沉积膜的方法。在一个或多个实施方式中，沉积膜的方法包含：将基板暴露于钼(0)前驱物；以及将基板暴露于反应物以在基板表面上形成含钼膜，该含钼膜实质上不含卤素。

本公开内容的其他实施方式涉及沉积膜的方法。在一个或多个实施方式中，沉积膜的方法包含：在工艺循环中形成含钼膜，该工艺循环包含将基板顺序地暴露于钼(0)前驱物、净化气体、反应物及净化气体。

附图说明

为了详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可参考实施方式更特定地描述上文简要概述的公开内容，其中一些实施方式在附图中图示。然而，应注意，附图仅图示本公开内容的典型实施方式，并且因此不应认为其限制本公开内容的范畴，因为本公开内容可承认其他等效的实施方式。

图1图示根据本公开内容的一个或多个实施方式的方法的工艺流程图。

具体实施方式

在描述发明的若干例示性实施方式之前，应理解发明不限于以下描述中阐述的构造或工艺步骤的细节。发明可包括其他实施方式，并且可按各种方式实践或执行。

本公开内容的实施方式提供用于沉积含钼膜的前驱物及工艺。一个或多个实施方式的这些金属配位络合物实质上不含卤素及钼氧键。配体可为2n电子中性单、双及三齿配体。配体之间的键在ALD及CVD条件下提供额外的稳定性。各种实施方式的工艺使用气相沉积技术(例如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD))提供钼膜。一个或多个实施方式的钼前驱物为挥发性且热稳定的，因此适用于气相沉积。

在一个或多个实施方式中，钼前驱物不含卤素。在其他实施方式中，钼前驱物不含钼氧(Mo-O)键。在一个或多个实施方式中，钼前驱物不含卤素且不含钼氧(Mo-O)键。

如本文所用，术语“实质上不含”意谓基于原子计，含钼膜中存在少于少于约5％，包括少于约4％、少于约3％、少于约2％、少于约1％和少于约0.5％的卤素。在一些实施方式中，含钼膜实质上不含钼氧(Mo-O)键，并且基于原子计，含钼膜存在少于约10％、少于约9％、少于约8％、少于约7％、少于约6％、少于约5％、包括少于约4％、少于约3％、少于约2％、少于约1％和少于约0.5％的钼氧键。

如本文所用的“基板”是指形成于基板(制造工艺期间在该基板上执行膜处理)上的任何基板或材料表面。举例而言，取决于应用，在上面执行处理的基板表面包括诸如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)、碳掺杂氧化硅、非晶硅、掺杂硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石的材料，及诸如金属、金属氧化物、金属氮化物、金属合金的其他金属材料，及其他导电材料。基板包括而不限于半导体晶片。基板可暴露于预处理工艺，以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟化、退火及/或烘烤基板表面。除直接在基板自身表面上进行膜处理以外，在本发明中，所揭示的膜处理步骤中的任一膜处理步骤亦可在形成于如下文更详细揭示之基板上的底层上执行，并且术语“基板表面”意欲包括如上下文所指明的此底层。由此，举例而言，在膜/层或部分膜/层已沉积于基板表面上的情况下，新沉积膜/层的暴露表面变为基板表面。

根据一个或多个实施方式，方法使用原子层沉积(ALD)工艺。在此类实施方式中，顺序地或实质上顺序地将基板表面暴露于前驱物(或反应气体)。本说明书中使用的术语“实质上顺序地”意谓前驱物暴露的持续时间中之大部分与暴露于共试剂不重叠，但可能存在一些重叠。

如在本说明书及所附权利要求书中所使用，术语“前驱物”、“反应物”、“反应气体”及类似者可互换使用而指能够与基板表面反应的任何气体物种。

本文使用的“原子层沉积”或“循环沉积”是指顺序地暴露两种或更多种反应化合物以在基板表面上沉积材料层。如在本说明书及所附权利要求书中所使用，术语“反应化合物”、“反应气体”、“反应物种”、“前驱物”、“工艺气体”及类似者可互换使用而意谓具有能够在表面反应(例如化学吸附、氧化、还原)中与基板表面或基板表面上的材料反应的物种的物质。将基板或基板的一部分顺序地暴露于引入至处理腔室的反应区中的两种或更多种反应化合物。在时域ALD工艺中，对每一反应化合物的暴露间隔一时间延迟，使每一化合物在基板表面上附着及/或反应。在空间ALD工艺中，将基板表面的不同部分或基板表面上的材料同时暴露于两种或更多种反应化合物，使得基板上的任何给定点实质上不同时暴露于多于一种反应化合物。如本说明书及所附权利要求书所使用，本领域技术人员将理解，在此方面使用的术语“实质上”意谓基板的一小部分可能因扩散而同时暴露于多种反应气体，并且同时暴露为无意的。

在时域ALD工艺的一个方面中，使第一反应气体(亦即，第一前驱物或化合物A)脉冲到反应区中，随后有第一时间延迟。接着，使第二前驱物或化合物B脉冲到反应区中，随后有第二延迟。在每一时间延迟中，将诸如氩气的净化气体引入至处理腔室中，以净化反应区或以其他方式自反应区移除任何剩余的反应化合物或副产物。替代而言，净化气体可在整个沉积工艺中连续流动，使得仅净化气体在反应化合物脉冲之间的时间延迟期间流动。使反应化合物替代地脉冲，直至在基板表面上形成所要的膜或膜厚度。在任一情境中，脉冲化合物A、净化气体或化合物B及净化气体的ALD工艺为循环。循环可开始于化合物A或化合物B，且继续循环的各自的次序，直至实现具有所要厚度的膜。在一些实施方式中，可有两种反应物A及B，可交替脉冲且净化该两种反应物。在其他实施方式中，可有三种或更多种反应物A、B及C，可交替脉冲且净化这些反应物。

在空间ALD工艺的方面中，将第一反应气体及第二反应气体(例如氢自由基)同时输送至反应区，但第一反应气体及第二反应气体由惰性气体幕及/或真空幕分隔。基板相对于气体输送装置移动，使得基板上的任何给定点暴露于第一反应气体及第二反应气体。

不受理论限制，设想钼(Mo)前驱物的结构中存在卤素可造成挑战，因为卤素污染物可能影响装置效能且因此需要额外的移除步骤。

对于许多应用，可借由原子层沉积或化学气相沉积生长钼(Mo)。本公开内容的一个或多个实施方式有利地提供原子层沉积或化学气相沉积的工艺以形成含钼膜。如在本说明书及所附权利要求书中所使用的，术语“含钼膜”是指包含钼原子且具有大于或等于约1原子％的钼、大于或等于约2原子％的钼、大于或等于约3原子％的钼、大于或等于约4原子％的钼、大于或等于约5原子％的钼、大于或等于约10原子％的钼、大于或等于约15原子％的钼、大于或等于约20原子％的钼、大于或等于约25原子％的钼、大于或等于约30原子％的钼、大于或等于约35原子％的钼、大于或等于约40原子％的钼、大于或等于约45原子％的钼、大于或等于约50原子％的钼、大于或等于约60原子％的钼、大于或等于约70原子％的钼、大于或等于约80原子％的钼、大于或等于约90原子％的钼或大于或等于约95原子％的钼的膜。在一些实施方式中，含钼膜包含钼金属(元素钼)、氧化钼(MoO

本领域技术人员将认识到使用诸如MoSi

参考图1，本公开内容的一个或多个实施方式涉及沉积膜的方法100。图1所示的方法表示原子层沉积(ALD)工艺，其中以防止或最小化反应气体之气相反应的方式将基板或基板表面顺序地暴露于反应气体。在一些实施方式中，方法包含化学气相沉积(CVD)工艺，其中在处理腔室中混合反应气体以允许反应气体的气相反应及薄膜沉积。

在一些实施方式中，方法100视情况包括预处理操作105。预处理可为本领域技术人员已知的任何合适的预处理。合适的预处理包括但不限于预加热、清洁、浸渍、移除自然氧化物或沉积黏着层(例如氮化钛(TiN))。在一个或多个实施方式中，在操作105中沉积诸如氮化钛的黏着层。在其他实施方式中，不沉积黏着层。

在沉积110处，执行工艺以在基板(或基板表面)上沉积含钼膜。沉积工艺可包括在基板上形成膜的一个或多个操作。在操作112中，将基板(或基板表面)暴露于钼前驱物以在基板(或基板表面)上沉积膜。钼前驱物可为任何合适的含钼化合物，该含钼化合物可与基板表面反应(亦即吸附或化学吸附于基板表面上)以在基板表面上留下含钼物种。

目前用于金属膜的ALD的钼前驱物使用卤素及羰基取代基，卤素及羰基取代基提供足够的稳定性，代价是反应性下降，工艺温度提高。其他钼前驱物包括阴离子氮配体，阴离子氮配体可导致形成氮杂质。因此，一个或多个实施方式使用2n电子供体中性单、双或三齿配体配体以形成热稳定络合物。配体之间的氢键提供额外的稳定性。此组合提供具有提高的热稳定性同时保留高挥发性的钼前驱物。

在一个或多个实施方式中，钼前驱物(具体而言为钼(0)前驱物)具有式(I)、式(II)或式(III)的结构：

其中L为2n电子供体中性单齿配体、2n电子供体中性双齿配体及2n电子供体中性三齿配体中之一者或多者。在一些实施方式中，L独立地选自由烯、胺、羰基、膦及冠硫(crown sulfur)组成的群组。金属配位络合物可实质上不含卤素且实质上不含Mo-O键。

除非另外指出，否则如本文单独使用或作为另一基团一部分的术语“低级烷基”、“烷基(alkyl)”或“烷基(alk)”包括在正链中含有1至20个碳或1至10个碳原子的直链烃及支链烃，例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、三级丁基、异丁基、戊基、己基、异己基、庚基、4,4-二甲基戊基、辛基、2,2,4-三甲基戊基、壬基、癸基、十一基、十二基、它们的各种支链异构物及类似者。这些基团可视情况包括1至4个取代基。烷基可为取代或未取代的。

在一个或多个实施方式中，金属配位络合物包含具有式(I)、式(II)或式(III)的结构。式(I)、式(II)及式(III)的结构可选自由以下组成的群组：Mo(CO)

其中n为1至3，以及

其中n为1至3。

如本文所用，“基板表面”是指上面可形成层的任何基板表面。基板表面可具有形成于基板表面中的一个或多个特征、形成于基板表面中的一个或多个层，或此两者相结合。可在沉积含钼层之前(例如)借由抛光、蚀刻、还原、氧化、卤化、羟化、退火、烘烤或类似处理预处理基板(或基板表面)。

基板可以是能够有材料沉积于上面的任何基板，例如硅基板、III-V族化合物基板、硅锗(SiGe)基板、外延基板、绝缘体上硅(SOI)基板、诸如液晶显示器(liquid crystaldisplay；LCD)的显示基板、等离子体显示器、电致发光(electro luminescence；EL)灯显示器、太阳能电池阵列、太阳能面板、发光二极管(light emitting diode；LED)基板、半导体晶片或类似者。在一些实施方式中，可将一个或多个额外的层设置于基板上，使含钼层至少部分地形成于该一个或多个额外的层上。举例而言，在一些实施方式中，可在基板上设置包含金属、氮化物、氧化物或类似者或它们的组合的层，且该层或这些层上可形成含钼层。

在操作114处，视情况净化处理腔室以移除未反应的钼前驱物、反应产物及副产物。按这种方式使用时，术语“处理腔室”亦包括处理腔室的邻近(adjacent)基板表面的部分，不包括处理腔室的完整内部空间。举例而言，在空间上分隔的处理腔室的分区中，借由任何合适的技术净化处理腔室的邻近基板表面的部分中的钼前驱物，此任何合适的技术包括但不限于通过气幕将基板移动至处理腔室的不含有或实质不含有钼前驱物的部分或分区中。在一个或多个实施方式中，净化处理腔室包含施加真空。在一些实施方式中，净化处理腔室包含使净化气体在基板上方流动。在一些实施方式中，处理腔室的部分指处理腔室中的微空间或小空间工艺站。关于基板表面的术语“邻近”意谓基板表面旁的、能够提供充足空间以使得表面反应(例如前驱物吸附)发生的实体空间。在一个或多个实施方式中，净化气体选自氮气(N

在操作116中，将基板(或基板表面)暴露于反应物以在基板上形成钼膜中的一者或多者。反应物可与基板表面上的含钼物种反应以形成含钼膜。在一些实施方式中，反应物包含还原剂。在一个或多个实施方式中，还原剂可包含本领域技术人员已知的任何还原剂。在其他实施方式中，反应物包含氧化剂。在一个或多个实施方式中，氧化剂可包含本领域技术人员已知的任何氧化剂。在其他实施方式中，反应物包含氧化剂及还原剂中的一者或多者。

在具体的实施方式中，反应物选自1,1-二甲基肼(DMH)、烷胺、肼、烷肼、烯丙肼、氢(H

在操作118处，在暴露于反应物之后视情况净化处理腔室。在操作118中净化处理腔室可与操作114中的净化为同一工艺或不同工艺。净化处理腔室、处理腔室的部分、邻近基板表面的区域等可自邻近基板表面的区域中移除未反应的反应物、反应产物及副产物。

在决策120处，考虑所沉积膜的厚度或钼前驱物及反应物的循环数。如果所沉积膜达到了预定的厚度或已执行预定的工艺循环数，则方法100进行至可选的后处理操作130。如果所沉积膜的厚度或工艺循环数未达到预订的阈限，方法100返回至操作110以在操作112中将基板表面再次暴露于钼前驱物，并且继续。

可选的后处理操作130可以是(例如)修改膜特性的工艺(例如退火)或进一步的膜沉积工艺(例如额外的ALD或CVD工艺)以生长额外的膜。在一些实施方式中，可选的后处理操作130可以是修改所沉积膜特性的工艺。在一些实施方式中，可选的后处理操作130包含退火沉积态的膜。在一些实施方式中，在约300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900℃或1000℃范围中的温度下进行退火。一些实施方式的退火环境包含惰性气体(例如分子氮(N

可取决于(例如)钼前驱物、反应物或装置的热预算在任何合适的温度下执行方法100。在一个或多个实施方式中，对于温度敏感基板(例如逻辑装置)，使用高温处理可为不良的。在一些实施方式中，暴露于钼前驱物(操作112)及暴露于反应物(操作116)在同一温度下发生。在一些实施方式中，将基板维持于约20℃至约400℃或约50℃至约650℃的范围中的温度下。

在一些实施方式中，发生暴露于钼前驱物(操作112)的温度不同于发生暴露于反应物(操作116)的温度。在一些实施方式中，将基板维持于约20℃至约400℃或约50℃至约650℃的范围中的第一温度下以暴露于前驱物，或保持于约20℃至约400℃或约50℃至约650℃的范围中的第二温度下以暴露于反应物。

在图1图示的实施方式中，在沉积操作110中，将基板(或基板表面)顺序暴露于钼前驱物及反应物。在另一未图示的实施方式中，在CVD反应中将基板(或基板表面)同时暴露于钼前驱物及反应物。在CVD反应中，可将基板(基板表面)暴露于钼前驱物及反应物的气态混合物，以沉积具有预定厚度的含钼膜。在CVD反应中，可在一次暴露于混合反应气体中，或在多次暴露于混合反应气体中沉积含钼膜，在每次暴露间进行净化。

在一些实施方式中，形成的含钼膜包含元素钼。换言之，在一些实施方式中，含钼膜包含含有钼的金属膜。在一些实施方式中，金属膜基本上由钼组成(consistsessentially of molybdenum)。以此方式使用的“基本上由钼组成”意谓含钼膜基于原子计为大于或等于约80％、85％、90％、95％、98％、99％或99.5％的钼。测量含钼膜的成分指膜的主体部分，不包括可能发生元素自相邻膜扩散的界面区域。

在其他实施方式中，含钼膜包含基于原子计氧含量大于或等于约5％、7.5％、10％、12.5％或15％的氧化钼(MoO

在其他实施方式中，含钼膜包含基于原子计碳含量大于或等于约5％、7.5％、10％、12.5％或15％的碳化钼(MoC

可重复沉积操作110，以形成具有预定厚度的氧化钼膜、碳化钼膜、硅化钼膜、二硫化钼膜及氮化钼膜中的一者或多者。在一些实施方式中，重复沉积操作110，以提供厚度在约0.3nm至约100nm的范围中或约

本公开内容的一个或多个实施方式涉及在高深宽比特征中沉积含钼膜的方法。高深宽比特征是高度与宽度的比大于或等于约10、20或50或更大的沟槽、通孔或柱。在一些实施方式中，在高深宽比特征上保形地沉积含钼膜。以此方式使用的保形膜中，靠近特征顶部的厚度处于特征底部的厚度的约80-120％的范围中。

本公开内容的一些实施方式涉及特征的由下而上间隙填充的方法。相比于自底部及侧面填充特征的保形工艺，由下而上间隙填充的工艺自底部填充特征。在一些实施方式中，特征在底部具有第一材料(例如氮化物)，且在侧壁具有第二材料(例如氧化物)。相对于第二材料，含钼膜选择性沉积于第一材料上，使得钼膜以由下而上的方式填充特征。

根据一个或多个实施方式，在形成层之前及/或形成层之后，基板经受处理。可在同一腔室中或在一个或多个独立的处理腔室中执行此处理。在一些实施方式中，基板自第一腔室移动至独立的第二腔室以用于进一步处理。基板可自第一腔室直接移动至独立的处理腔室，或可自第一腔室移动至一个或多个转移腔室，且然后移动至独立的处理腔室。因此，处理装置可包含与转移站相通的多个腔室。此种类别的装置可称为“群集工具”或“群集系统”及类似者。

大体而言，群集工具是包含多个腔室的模块化系统，这些腔室执行包括基板中心寻找及定向、除气、退火、沉积及/或蚀刻。根据一个或多个实施方式，群集工具包括至少第一腔室及中心转移腔室。中心转移腔室可容纳机器人，机器人可在处理腔室及装载锁定腔室之间运送基板。转移腔室通常维持于真空条件下，且提供将基板自一个腔室运送至另一个腔室及/或设置于群集工具前端的装载锁定腔室的中间阶段。可应用于本公开内容的两个熟知的群集工具为

根据一个或多个实施方式，基板连续处于真空或“装载锁定”条件下，且在自一基板移动至下一基板时不暴露于环境空气。转移腔室由此处于真空中，并且在真空压力下“泵回”。惰性气体可存在于处理腔室或转移腔室中。在一些实施方式中，惰性气体用作移除反应物(例如反应物)中的一些或全部的净化气体。根据一个或多个实施方式，在沉积腔室的出口处注入净化气体，以防止反应物(例如反应物)自沉积腔室移动至转移腔室及/或附加处理腔室。由此，惰性气体流在腔室的出口处形成幕。

可在单独的基板沉积腔室中处理基板，其中在处理另一基板之前装载、处理及卸除单独的基板。类似于输送系统，亦可按连续的方式处理基板，其中将多个基板单独装载于腔室的第一部分中，移动穿过腔室，并且自腔室的第二部分加以卸除。腔室及相关的输送系统的形状可形成直路径或弯曲路径。另外，处理腔室可为转盘，其中多个基板围绕中心轴移动，并且在整个转盘路径上暴露于沉积、蚀刻、退火、清洗等工艺。

在处理期间，可加热或冷却基板。可借由任何合适的手段完成此加热或冷却，此任何合适的手段包括但不限于改变基板支撑物的温度及使加热或冷却气体流向基板表面。在一些实施方式中，基板支撑物包括可经控制以导电地改变基板温度的加热器/冷却器。在一个或多个实施方式中，所使用的气体(反应气体或惰性气体)经加热或冷却以局部改变基板温度。在一些实施方式中，加热器/冷却器设置于邻近基板表面的腔室内，以对流地改变基板温度。

基板在处理期间亦可为固定的或旋转的。旋转基板可连续地或以离散的步骤旋转(围绕基板轴)。举例而言，基板可在整个工艺中旋转，或基板可在暴露于不同反应或净化气体之间进行少量旋转。在处理期间旋转基板(连续地或逐步地)可有助于借由最小化(例如)气体流动几何形状中的局部变化的影响来产生更均匀的沉积或蚀刻。

现参考以下实例描述本公开内容。在描述本公开内容的若干例示性实施方式之前，应理解本公开内容不限于以下描述中阐述的构造或工艺步骤的细节。本公开内容能够具有其他实施方式，并且可按各种方式实践或执行。

实例

实例1：Mo(CO)

借由在90℃下使Mo(CO)

1

13

31

实例2：另外的钼前驱物之制备

类似于Mo(CO)

实例3：含钼膜的原子层沉积

一般步骤：将硅基板放置于处理腔室中。在硅基板上方的氮(N

为便于描述，本文可使用诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者的空间相对性术语，以描述如图所示的一个元素或特征与另一或另一些元素或特征的关系。将理解除图中所描绘的定向外，空间相对性术语意欲涵盖使用中或运行中装置的不同定向。举例而言，如果翻转图中的装置，则描述为其他元素或特征“下方”、“之下”的元素可位于其他元素或特征“上方”。由此，例示性术语“下方”可包含上方及下方的定向。装置可按其他方式被定向(旋转90度或其他定向)，因此可解读本文中使用的空间相对性描述词。

除非本文另外指明或与上下文显然矛盾，在描述本文中所讨论的材料及方法的上下文中(特别在以下权利要求书的上下文中)，使用术语“一(a/an)”及“该/所述(the)”应解释为涵盖单数及多数。除非在本文中另外指明，本文中对值的范围的叙述仅意欲为用于单独指处于范围中之每一单独值的简记方法，并且每一单独值如其在本文中所单独叙述而并入本说明书。除非本文另外指明或与上下文显然矛盾，可按任何合适的次序执行本文中描述的所有方法。使用本文中提供的所有实例或例示性语言(例如“诸如”)中的任一者及全部仅意欲更好地说明材料及方法，且除非另外主张，不限制范畴。本说明书中的任何语言都不应解释为表示任何非主张的元素对所揭示材料及方法的实践必不可少。

在整个本说明书中指“一个实施方式”、“某些实施方式”、“一个或多个实施方式”或“实施方式”意谓本公开内容的至少一个实施方式中包括结合实施方式描述的特定特征、结构、材料或特性。由此，诸如“在一个或多个实施方式中”、“在某些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在一实施方式中”的词组在整个本说明书中多个位置出现不一定指本公开内容的同一实施方式。在一个或多个实施方式中，以任何合适的方式组合特定的特征、结构、材料或特性。

虽然已参考特定实施方式描述本文中的本公开内容，应理解这些实施方式仅说明本公开内容的原理及应用。对本领域技术人员显而易见的是，可在不脱离本公开内容的精神及范畴的情况下对本公开内容的方法及装置作出修改和变化。由此，本公开内容意欲包括在所附权利要求书及其等效项之范畴内的修改和变化。