液晶手写板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶手写板。

背景技术

手写板是一种用于实现文字书写和绘画的电子设备。其中，液晶手写板具有功耗低且笔迹清晰的优势，近年来在占据了较多的市场份额。

为了能够对液晶手写板所显示的书写笔迹进行局部擦除，需要在液晶手写板中设置对目标光线比较敏感的晶体管。在采用擦除工具(例如，能发出光强较强的目标光线的板擦)对液晶手写板显示的书写笔迹进行擦除时，晶体管在目标光线的照射线能够导通，使得与这个晶体管连接的像素电极和液晶手写板中的公共电极之间能够形成电压差，以擦除目标光线照射区域内的书写笔迹。

然而，液晶手写板中的晶体管的感光面积较小，导致晶体管的灵敏度较低，进而导致液晶手写板的擦除效果较差。

发明内容

本申请实施例提供了一种液晶手写板。可以解决现有技术的液晶手写板的擦除效果较差的问题，所述技术方案如下：

一方面，提供了一种液晶手写板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层包括双稳态液晶分子；

所述第一基板包括：第一衬底，以及位于所述第一衬底靠近第二基板一侧的晶体管和像素电极，所述晶体管与所述像素电极电连接；

其中，所述晶体管具有沟道区，所述沟道区的面积与所述晶体管的导通电流的比值，大于参考晶体管的沟道区的面积与所述参考晶体管的导通电流的比值，且所述参考晶体管的沟道区的面积与所述参考晶体管的导通电流的比值为32.5。

可选的，所述晶体管的沟道区的长度为所述参考晶体管的沟道区的长度的N倍，所述晶体管的沟道区的宽度也为所述参考晶体管的沟道区的宽度的N倍，所述N大于1。

可选的，所述N小于或等于2。

可选的，所述晶体管的沟道区包括：相互连接的第一子沟通区和第二子沟道区，所述第一子沟道区的长度大于所述第二子沟道区的长度；

其中，所述第二子沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度；所述第一子沟道区的宽长比与所述第二子沟道区的宽长比之和，等于所述参考晶体管的宽长比。

可选的，所述沟道区的形状为U形，所述第一子沟道区和所述第二子沟道区中的一个具有两个子沟道区，且所述两个子沟道区排布在所述第一子沟道区和所述第二子沟道区中的另一个的两侧。

可选的，所述两个子沟道区的形状均为条形，所述第一子沟道区和所述第二子沟道区中的另一个的形状为U形。

可选的，所述第一子沟道的宽度W1，与所述第二子沟道区的宽度W2满足以下关系：

W1/M+W2＝W3；

其中，W3表示所述参考晶体管的沟道区的宽度，M代表所述第一子沟道区的长度与所述参考晶体管的沟道区的长度的比值，所述M大于1。

可选的，所述晶体管包括：相互串联的K个第一子晶体管，各个所述第一子晶体管均具有第三子沟道区，且K个所述第三子沟道区分离设置，K为大于1的整数；

其中，所述第三子沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度，所述第三子沟道区的宽度是所述参考晶体管的沟道区的宽度的K倍。

可选的，各个所述第三子沟道区的形状均为条形。

可选的，所述晶体管的沟道区的形状为环形，且所述沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度，所述沟道区的宽度等于所述参考晶体管的沟道区的宽度。

可选的，所述晶体管包括：相互并联的J个第二子晶体管，各个所述第二子晶体管均具有环形的第四子沟道区，且J个所述第四子沟道区分离设置，J为大于1的整数；

其中，所述第四子沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度，所述J个第四子沟道区的宽度之和等于所述参考晶体管的沟道区的宽度。

可选的，各个所述第四子沟道区的面积均相等，且各个所述第四子沟道区的宽度等于所述参考晶体管的沟道区的宽度的J分之一。

可选的，所述环形为环状的正方形。

可选的，所述第一基板还包括：栅线和数据线，所述栅线与所述晶体管的栅极电连接，所述数据线与所述晶体管的第一极电连接，所述晶体管的第二极与所述像素电极电连接。

可选的，所述第二基板包括：第二衬底，以及位于所述第二衬靠近第一基板一侧的公共电极，所述第一衬底和第二衬底中的一个为柔性衬底；

所述晶体管被配置为：在目标光线照射作用下导通，使与所述晶体管连接的数据线能够向与所述晶体管连接的像素电极施加像素电压，以使施加了所述像素电压的像素电极与所述公共电极之间形成电压差。

可选的，所述晶体管的沟道区的面积与所述晶体管的导通电流的比值，和所述参考晶体管的沟道区的面积与所述参考晶体管的导通电流的比值的差值大于或等于1.8。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

一种液晶手写板，包括：第一基板、第二基板和液晶层。其中，第一基板中的晶体管与像素电极电连接，且该晶体管对光线较为敏感。这里，由于晶体管的沟道区的面积较大。因此，晶体管在受到目标光线照射后更容易导通，也即是液晶手写板的灵敏度较高，进而使得液晶手写板的擦除效果较好。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术提供的一种液晶手写板中的晶体管的俯视图；

图2是本申请实施例提供的一种液晶手写板的膜层结构示意图；

图3是图2示出的液晶手写板中的第一基板的俯视图；

图4是本申请实施例提供的一种第一基板中晶体管的俯视图；

图5是本申请实施例提供的另一种第一基板中晶体管的俯视图；

图6是本申请实施例提供的一种晶体管的等效结构示意图；

图7是本申请实施例提供的又一种第一基板中晶体管的俯视图；

图8是本申请实施例提供的另一种晶体管的等效结构示意图；

图9是本申请实施例提供的再一种第一基板中晶体管的俯视图；

图10是本申请实施例提供的又再一种第一基板的俯视图；

图11是本申请实施例提供的又一种晶体管的等效结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

请参考图1，图1是相关技术提供的一种液晶手写板中的晶体管的俯视图。液晶手写板中的晶体管的感光面积即为这个晶体管的沟道区01的面积，且晶体管的沟道区01的面积大小会直接影响这个晶体管的灵敏度。

在相关技术中，晶体管的沟道区01的形状通常为U形，且这个晶体管的沟道区01的宽度W为50微米，长度L为4微米，也即是，这个晶体管的沟道区01的宽长比W/L为50/4。则，这个晶体管的沟道区01的面积仅为325平方微米。为此，这个晶体管的沟道区01的面积较小，导致晶体管受到目标光线照射后不容易导通，也即是液晶手写板的灵敏度较低，进而导致液晶手写板的擦除效果较差。

并且，为了能够让在目标光线照射后晶体管仍然能够正常导通，需要增大这个晶体管的栅极上加载的栅极电压的大小。而当晶体管的栅极上加载的栅极电压的较大时，光强较弱的环境光线照射这个晶体管后，也可能会导这个晶体管导通，进而会导致液晶手写板出现误擦的情况。如此，也会导致液晶手写板的擦除效果较差。

请参考图2和图3，图2是本申请实施例提供的一种液晶手写板的膜层结构示意图，图3是图2示出的液晶手写板中的第一基板的俯视图。液晶手写板000可以包括：相对设置的第一基板100和第二基板200，以及位于第一基板100和第二基板200之间的液晶层300。液晶层300可以包括双稳态液晶分子，也即是，这个液晶层300可以为双稳态液晶层。

第一基板100可以包括：第一衬底101，以及位于第一衬底101靠近第二基板200一侧的晶体管102和像素电极103，晶体管102与像素电极103电连接。第二基板200可以包括：第二衬底201，以及位于第二衬底201靠近第一基板100一侧的公共电极202。这里，晶体管102为对光线较为敏感的晶体管。若晶体管102受到光强较强的目标光线的照射，则晶体管102会导通。

示例的，如图2所示，晶体管102可以包括：栅极1021、第一极1022、第二极1023和有源层1024。在晶体管012中，第一极1022和第二极1023均与有源层1024搭接，且有源层1024和栅极1021之间通过栅极绝缘层1025绝缘。这里，第一极1022可以为源极和漏极中的一个，第二极1023可以为源极和漏极中的另一个。晶体管102的源极和漏极中的一个可以与像素电极103电连接。

在本申请中，第一基板100中的晶体管102的有源层1024具有沟道区102a。这个沟道区102a是指：有源层1024中位于有源层1024与第一极1022接触的第一区域，和有源层1024与第二极1023接触的第二区域之间的区域。

在晶体管102受到目标光线照射后，这个晶体管102的沟道区102a内可以产载流子，且通过这些载流子能够将晶体管102的第一极1022和第二极1023导通。需要说明的是，本申请实施例是以晶体管102为底栅型薄膜晶体管为例进行示意性说明的。在其他的可选的实现方式中，该薄膜晶体管还可以为顶栅型薄膜晶体管，本申请实施例对此不作限定。

在本申请实施例中，当液晶手写板000处于书写模式时，液晶手写板000中的第二基板200受到外部施加的压力，液晶手写板000中的液晶层300内的部分双稳态液晶分子受到压力的作用由焦锥织构转变为平面织构。这样，转变为平面织构的液晶分子能够对射入的环境光线中的一定波长的光线(例如，绿色光线)进行反射，使得液晶手写板可以显示书写笔迹。

当液晶手写板000处于擦除模式时，擦除工具(能发出光强较强的目标光线的板擦)可以向液晶手写板000中存在书写笔迹的区域发出目标光线，液晶手写板000中的受到目标光线照射的晶体管102会导通。这样，与这个晶体管102连接的像素电极103和液晶手写板000中的公共电极202之间能够形成电压差。如此，受到目标光线照射的区域内的双稳态液晶分子在该电压差的作用下重新排列，也即双稳态液晶分子可以由平面织构转变为焦锥织构，以擦除目标光线照射区域内的书写笔迹。

在本申请实施例中，晶体管102的沟道区102a的面积S2与晶体管102的导通电流的比值，大于参考晶体管的沟道区的面积S1与参考晶体管的导通电流的比值。需要说明的是，本申请实施例中的晶体管的沟道区的面积是指：沟道区在这个晶体管所在的衬底上的正投影的面积。

还需要说明的是，这里的参考晶体管可以为上述相关技术中的晶体管，也即，这个参考晶体管的结构可以为图1示出的晶体管的结构。晶体管的导通电流是指：晶体管在没有受到光照，且晶体管导通后，晶体管的第一极与第二极之间的电流大小。

在本申请中，可以让第一基板100内的晶体管102的导通电流大小与参考晶体管的导通电流大小一致，例如，这两个晶体管的导通电流均可以为10微安。则可以保证本申请中的晶体管102的电学性能与参考晶体管的电学性能一致。又由于这个参考晶体管的沟道区的面积仅为325平方微米，因此，参考晶体管的沟道区的面积与参考晶体管的导通电流的比值为32.5。

这样，当晶体管102的沟道区102a在第一衬底101上的正投影的面积与晶体管102的导通电流的比值大于32.5时，即可以保证在本申请中的晶体管102的电学性能与参考晶体管的电学性能一致的前提下，增大晶体管102的沟道区102a在第一衬底101上的正投影的面积。也即是，晶体管102的沟道区102a在第一衬底101上的正投影的面积S2，会大于参考晶体管的沟道区的面积S1。

在这种情况下，由于本申请中的晶体管102的沟道区102a的面积S2较大，因此，晶体管102在受到目标光线照射后，沟道区102a内的有源层1024产生的载流子较多，晶体管102更容易导通，也即是液晶手写板000的灵敏度较高，进而使得液晶手写板000的擦除效果较好。

综上所述，本申请实施例提供的一种液晶手写板，包括：第一基板、第二基板和液晶层。其中，第一基板中的晶体管与像素电极电连接，且该晶体管对光线较为敏感。这里，由于晶体管的沟道区的面积较大。因此，晶体管在受到目标光线照射后更容易导通，也即是液晶手写板的灵敏度较高，进而使得液晶手写板的擦除效果较好。

需要说明的是，如图3所示，液晶手写板000中的第一基板100还可以包括：栅线104和数据线105。栅线104可以与晶体管102的栅极1021电连接，数据线015可以与晶体管102的第一极1022电连接，晶体管102的第一极1023与像素电极103电连接。其中，晶体管102被配置为：在目标光线照射作用下导通，使与晶体管102连接的数据线105能够向与晶体管102连接的像素电极103施加像素电压，以使施加了像素电压的像素电极103与公共电极202之间形成电压差。

在这种情况下，当液晶手写板000处于擦除模式时，液晶手写板000中全部的栅线104上会加载电压，数据线105上会加载电信号。这里，由于晶体管102的沟道区102a的面积S2较大大于参考晶体管的沟道区的面积S1，因此，可以在栅线104上加载的电压较小，也即晶体管102的栅极1021上加载的栅极电压较小的前提下，保证晶体管102在受到光线较强的目标光线的照射后，晶体管102仍然能够导通。如此，当晶体管102的栅极1021上加载的栅极电压较小时，在光强较弱的环境光线射向液晶手写板000中的晶体管102后，晶体管102不会在环境光线的照射下导通。这样，有效的降低了液晶手写板000出现误擦的概率，并使得液晶手写板000的擦除效果较好。

还需要说明的是，液晶手写板000中的第一衬底101和第二衬底201中的一个为柔性衬底。柔性衬底位于液晶手写板000的书写侧。这里，液晶手写板000的书写侧是指液晶手写板000进行显示的一面。这样，用户在液晶手写板000的书写侧，向柔性衬底施加压力，以使液晶层300中的双稳态液晶分子由焦锥织构转变为平面织构，进而使得液晶手写板000能够呈现书写笔迹。

在本申请实施例中，有多种可选的方式可以让晶体管102的沟道区102a的面积大于参考晶体管的沟道区的面积。本申请实施例仅以以下五种可选的实现方式进行示意性的说明：

需要说明的是，为了方便下述实施例对晶体管102的沟道区102a的面积S2进行更详细的说明，同时为了便于理解后续实施例中的内容，以下实施例先对本申请涉及到的专业名称进行了解释说明。

本申请中，晶体管的沟道区是指：有源层中位于有源层与第一极接触的第一区域，和有源层与第二极接触的第二区域之间的区域。其中，沟道区的长度L是指：第一区域与第二区域之间的距离，沟道区的宽度W是指：第一区域靠近沟道区一侧的长度与第二区域靠近沟道区一侧的长度中的较小的长度。晶体管的沟道区的宽长比W/L是指晶体管的沟道区的宽度W和晶体管的沟道区的长度L之间的比值，且该沟道区的宽长比W/L的值越大，则晶体管中第一极和第二极之间的电阻较小，二者之间导通电流的大小越大；反之，沟道区的宽长比W/L的值越小，晶体管中第一极和第二极之间导通电流的大小越小。也即是，晶体管第一极和第二极之间导通电流的大小与沟道区的宽长比W/L呈正比例关系。并且，晶体管的导通电流还与晶体管中的有源层的材料相关，而本申请示例中的晶体管102中的有源层1024材料，可以与参考晶体管中的有源层的材料相同。这样，本申请示例中的晶体管102的沟道区102a中每W/L的导通电流的大小，与参考晶体管的沟道区中每W/L的导通电流的大小相同，例如，二者均为0.8微安。

第一种可选的实现方式，请参考图4，图4是本申请实施例提供的一种第一基板中晶体管的俯视图。第一基板100中的晶体管102的沟道区102a的长度L为参考晶体管的沟道区的长度的N倍，晶体管102的沟道区102a的宽度W也为参考晶体管的沟道区的宽度的N倍，N大于1。这样，晶体管102的沟道区102a的面积S2等于参考晶体管的沟道区的面积S1的N

在本申请中，参考晶体管的导通电流E1等于参考晶体管的沟道区的宽长比W/L，和参考晶体管的单位沟道区的宽长比的电流的乘积。晶体管102的导通电流E2等于晶体管102的沟道区的宽长比W/L，和晶体管102的单位沟道区的宽长比的电流的乘积。示例的，当N等于2时，若参考晶体管的沟道区的宽度为50微米，参考晶体管的沟道区的长度为4微米，则晶体管102的沟道区102a的宽度为100微米，晶体管102的沟道区102a的长度为8微米。这样，参考晶体管的导通电流E1和晶体管102的导通电流E2满足如下关系：

E1＝(50/4)*0.8；

E2＝(100/8)*0.8；

E1＝E2。

在这种情况下，参考晶体管的沟道区的面积S1等于参考晶体管的沟道区的长度，和参考晶体管的沟道区的宽度的乘积。晶体管102的沟道区的面积S2等于晶体管的沟道区的长度，和晶体管的沟道区的宽度的乘积。示例的，参考晶体管的沟道区的面积S1和晶体管102的沟道区的面积S2满足如下关系：

S1＝50*40；

S2＝100*8；

S2＞S1。

在本申请中，N小于或等于2。这里，第一基板100中的任意相邻的两条数据线105与任意相邻的两条栅线104所围成的区域为像素区域100a。这样，N越大，晶体管102的沟道区的面积S2越大，使得晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积越大。如此，如图3所示，由于晶体管102和像素电极103均位于同一个像素区域100a内。因此，晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积不能过大，才能有效的避免像素电极103在第一衬底101上的正投影的面积较小，导致液晶手写板000的像素开口较小，进而影响液晶手写板000的书写和擦除的情况。

第二种可选的实现方式，请参考图5，图5是本申请实施例提供的另一种第一基板中晶体管的俯视图。晶体管102的沟道区102a可以包括：相互连接的第一子沟通区102a1和第二子沟道区102a2，第一子沟道区102a1的长度大于第二子沟道区102a2的长度。

其中，第二子沟道区102a2的长度等于参考晶体管的沟道区的长度，第一子沟道区102a1的宽长比与第二子沟道区102a2的宽长比之和，等于参考晶体管的宽长比。这样，第一子沟道区102a1的长度大于参考晶体管的沟道区的长度。晶体管102的沟道区102a的面积S2等于第一子沟通区102a1的面积和第二子沟道区102a2的面积之和。如此，晶体管102的沟道区102a的面积S2相比与参考晶体管的沟道区的面积S1较大。

在本申请中，如图5所示，晶体管102的沟道区的形状为U形，第一子沟道区102a1和第二子沟道区102a2中的一个具有两个子沟道区，且两个子沟道区排布在第一子沟道区102a1和第二子沟道区102a2中的另一个的两侧。这里，图5是以第一子沟道区102a1具有两个字沟道区为例进行示意性说明的。

在本申请实施例中，两个子沟道区的形状均为条形，第一子沟道区102a1和第二子沟道区102a2中的另一个的形状为U形。

在这种情况下，请参考图6，图6是本申请实施例提供的一种晶体管的等效结构示意图。晶体管102中第一子沟道区102a1、第一子沟道区102a1对应的部分第一极1022、第一子沟道区102a1对应的部分第二极1023和第一子沟道区102a1对应的部分栅极1021，可以组成一个子晶体管。晶体管102中第二子沟道区102a2、第二子沟道区102a2对应的部分第一极1022、第二子沟道区102a2对应的部分第二极1023和第二子沟道区102a2对应的部分栅极1021，可以组成另一个子晶体管。并且，这两个子晶体管为并联的关系。

在本申请中，参考晶体管的导通电流E1等于参考晶体管的沟道区的宽长比W/L，和参考晶体管的单位沟道区的宽长比的电流的乘积。晶体管102的导通电流E2等于第一子沟道区102a1的宽长比与第二子沟道区102a2的宽长比之和，与晶体管102的单位沟道区的宽长比的电流的乘积，也即是晶体管102的导通电流E2等于上述的两个子晶体管的导通电流之和。示例的，当参考晶体管的沟道区的宽度W3为50微米，参考晶体管的沟道区的长度为4微米时，晶体管102的第一子沟道区102a1的长度为8微米，晶体管102的第一子沟道区102a1的宽度W1为20微米，晶体管102的第二子沟道区102a2的长度为4微米，晶体管102的第二子沟道区102a2的宽度W2为40微米。这样，参考晶体管的导通电流E1和晶体管102的导通电流E2满足如下关系：

E1＝(50/4)*0.8；

E2＝((20/8)+(40/4))*0.8；

E1＝E2。

在这种情况下，参考晶体管的沟道区的面积S1等于参考晶体管的沟道区的长度，和参考晶体管的沟道区的宽度的乘积。晶体管102的沟道区的面积S2等于晶体管的第一子沟道区102a1的长度乘于第一子沟道区102a1的宽度，加上，第二子沟道区102a2的长度乘于第二子沟道区102a2的宽度之和。示例的，参考晶体管的沟道区的面积S1和晶体管102的沟道区的面积S2满足如下关系：

S1＝50*40；

S2＝20*8+40*4；

S2＞S1。

在本申请中，如图6所示，第一子沟道102a1的宽度W1，与第二子沟道区102a2的宽度W2也满足以下关系：

W1/M+W2＝W3；

其中，W3表示参考晶体管的沟道区的宽度，M代表第一子沟道区102a1的长度与参考晶体管的沟道区的长度的比值，M大于1。

在本申请实施例中，当第一子沟道区102a1的长度与参考晶体管的沟道区的长度的比值为2时，第一子沟道区102a1的长度为8微米，参考晶体管的沟道区的长度可以为4微米。如此，在第一子沟道102a1的宽度W1和第二子沟道区102a2的宽度W2满足上述关系后，可以保证参考晶体管的导通电流E1等于晶体管102的导通电流E2。

第三种可选的实现方式，请参考图7和图8，图7是本申请实施例提供的又一种第一基板中晶体管的俯视图，图8是本申请实施例提供的另一种晶体管的等效结构示意图。晶体管102可以包括：相互串联的K个第一子晶体管1026，各个第一子晶体管1026均具有第三子沟道区1026a，且K个第三子沟道区1026a分离设置，K为大于1的整数。

其中，第三子沟道区1026a的长度等于参考晶体管的沟道区的长度，第三子沟道区1026a的宽度是参考晶体管的沟道区的宽度的K倍。这样，晶体管102的沟道区102a的面积S2等于K个第三子沟道区1026a的面积之和。如此，由于第三子沟道区1026a的宽度是参考晶体管的沟道区的宽度的K倍，因此，晶体管102的沟道区102a的面积S2较大。

在本申请中，各个第三子沟道区1026a的形状均为条形。这样，K个第三子沟道区1026a可以形成K个串联的第一子晶体管1026。

在本申请实施例中，参考晶体管的导通电流E1等于参考晶体管的沟道区的宽长比W/L，和参考晶体管的单位沟道区的宽长比的电流的乘积。晶体管102的导通电流E2等于第三子沟道区1026a的宽长比，与晶体管102的单位沟道区的宽长比的电流的乘积的K分之一。示例的，当参考晶体管的沟道区的宽度W3为50微米，参考晶体管的沟道区的长度为4微米时，K个第三子沟道区1026a的长度为4微米，K个第三子沟道区1026a的宽度W为100微米。这样，参考晶体管的导通电流E1和晶体管102的导通电流E2满足如下关系：

E1＝(50/4)*0.8；

E2＝((100/4)*0.8)*1/K；

E1＝E2。

在这种情况下，参考晶体管的沟道区的面积S1等于参考晶体管的沟道区的长度，和参考晶体管的沟道区的宽度的乘积。晶体管102的沟道区的面积S2等于K个第一子晶体管1026的第三子沟道区1026a的面积之和。第三子沟道区1026a的面积等于第三子沟道区1026a的长度乘于第三子沟道区1026a的宽度。示例的，参考晶体管的沟道区的面积S1和晶体管102的沟道区的面积S2满足如下关系：

S1＝50*40；

S2＝K*(100*4)；

S2＞S1。

第四种可选的实现方式，请参考图9，图9是本申请实施例提供的再一种第一基板中晶体管的俯视图。晶体管102的沟道区102a的形状为环形，且沟道区102a的长度等于参考晶体管的沟道区的长度，晶体管102的沟道区102a的宽度等于参考晶体管的沟道区的宽度。这里，环形为环状的正方形。这样，由于晶体管102的沟道区102a为环形，晶体管102的沟道区102a的面积S2等于第二区域的长度与晶体管102的沟道区102a的长度的乘积，加上四个晶体管102的沟道区102a的长度大小的正方形的面积，因此，晶体管102的沟道区102a的面积S2相比与参考晶体管的沟道区的面积S1较大。这里，第二区域的长度是指：第二极1023的靠近有源层1024一侧的长度，也即是沟道区102a的宽度。这样，沟道区102a的宽度是由四个长度相等的部分围成。示例的，沟道区102a的宽度等于4乘于12.5微米。

在本申请中，由于沟道区102a的长度等于参考晶体管的沟道区的长度，晶体管102的沟道区102a的宽度等于参考晶体管的沟道区的宽度。因此，参考晶体管的导通电流E1等于晶体管102的导通电流E2。示例的，当参考晶体管的沟道区的宽度W3为50微米，参考晶体管的沟道区的长度为4微米时，环形沟道区102a的宽度为50微米，晶体管102的沟道区102a的长度为4微米。需要说明的是，晶体管102的沟道区102a的导通电流E2大小的计算方法可以参考上述实施例中的对应内容，本申请实施例对此不再赘述。

在这种情况下，参考晶体管的沟道区的面积S1等于325平方微米。晶体管102的沟道区的面积S2等于343平方微米。

第五种可选的实现方式，请参考图10，图10是本申请实施例提供的又再一种第一基板的俯视图。晶体管102可以包括：相互并联的J个第二子晶体管1027，各个第二子晶体管1027均具有环形的第四子沟道区1027a，且J个第四子沟道区1027a分离设置，J为大于1的整数。这里，环形为环状的正方形。

其中，第四子沟道区1027a的长度等于参考晶体管的沟道区的长度，J个第四子沟道区1027a的宽度之和等于参考晶体管的沟道区的宽度。这里，J个第二子晶体管1027的第四子沟道区1027a均为环形，因此晶体管102的沟道区102a的面积S2等于J个第二子晶体管1027的沟道区的面积之和。其中，第二子晶体管1027的沟道区的面积可以参考上述第四种可选的实现方式本申请实施例对此不再赘述。这样，晶体管102的沟道区102a的面积S2相比于参考晶体管的沟道区的面积S1较大。

在本申请实施例中，各个第四子沟道区1027a在第一衬底101上的正投影的面积均相等，且各个第四子沟道区1027a的宽度等于参考晶体管的沟道区的宽度的J分之一。这样，J个第二子晶体管1027的高度相同。每个第二子晶体管1027中的第四子沟道区1027a的宽度由4个长度相等的部分围成。示例的，各个第四子沟道区1027a的宽度等于4乘于4.2微米。

在这种情况下，请参考图11，图11是本申请实施例提供的又一种晶体管的等效结构示意图。参考晶体管的导通电流E1等于参考晶体管的沟道区的宽长比W/L，和参考晶体管的单位沟道区的宽长比的电流的乘积。晶体管102的导通电流E2等于J个第二子晶体管1027的导通电流之和。示例的，当参考晶体管的沟道区的宽度W3为50微米，参考晶体管的沟道区的长度为4微米时，3个第四子沟道区1027a的长度为4微米，3个第四子沟道区1027a的宽度W为50微米。每个第四子沟道区1027a的宽度W为16.8微米。

在本申请实施例中，针对上述五种可选的实现方式，上述参考晶体管的沟道区的面积S1和晶体管102的沟道区的面积S2的计算公式，仅是示意性的计算。这样，仅从上述简易的公式即可看出晶体管102的沟道区的面积S2相比于参考晶体管的沟道区的面积S1是增大的。需要说明的是，上述参考晶体管的沟道区的面积与参考晶体管的导通电流的比值为32.5。这是考虑到参考晶体管为图3示出的U型的晶体管，其沟道区的面积为325平方微米，这个面积大小是实际生产出来的参考晶体管的沟道区的真实面积。

在本申请中，晶体管102的沟道区的面积S2与晶体管102的导通电流E2的比值，和参考晶体管的沟道区的面积S1与参考晶体管的导通电流E1的比值的差值大于或等于1.8。在本申请实施例中，晶体管102的沟道区的面积S2与晶体管102的导通电流E2的比值，和参考晶体管的沟道区的面积S1与参考晶体管的导通电流E1的比值的差值小于或等于80。示例的，晶体管102的沟道区的面积S2与晶体管102的导通电流E2的比值，和参考晶体管的沟道区的面积S1与参考晶体管的导通电流E1的比值的差值可以为30。如此，当晶体管的导通电流E2和参考晶体管的导通电流E1等与10微安时，晶体管102的沟道区的面积S2比参考晶体管的沟道区的面积S1大300平方微米。需要说明的是，在其他可能的实现方式中，体管102的沟道区的面积S2与晶体管102的导通电流E2的比值，和参考晶体管的沟道区的面积S1与参考晶体管的导通电流E1的比值的差值可以为40、60等，本申请实施例对此不做赘述。

在这种情况下，当晶体管的导通电流E2和参考晶体管的导通电流E1等与10微安时，晶体管102的沟道区的面积S2比参考晶体管的沟道区的面积S1至少大18平方微米。如此，晶体管102在受到目标光线照射后更容易导通，液晶手写板000的擦除效果更好。

在本申请实施例中，由于晶体管102和像素电极103均位于同一个像素区域100a内。因此，晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积不能过大。这里，针对上述五种可选的实现方式，第三种可选的实现方式中的晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积，大于第一种可选的实现方式中的晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积。第一种可选的实现方式中的晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积，大于第四种可选的实现方式中的晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积。第四种可选的实现方式中的晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积，大于第二种可选的实现方式中的晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积。第二种可选的实现方式中的晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积，大于第五种可选的实现方式中的晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积。这样，像素电极103在第一衬底101上的正投影的面积的大小关系与上述晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积的关系成负相关。并且，针对上述五种可选的实现方式，各种实现方式中的晶体管102的沟道区的面积与上述晶体管102在第一衬底101上的正投影的面积的关系成正相关。

在这种情况下，当液晶手写板000采用第三种可选的实现方式中的晶体管102结构时，液晶手写板000的灵敏度最高。当液晶手写板000采用第五种可选的实现方式中的晶体管102结构时，液晶手写板000能够保证灵敏度较好的前提下，其像素电极103的开口较大。

综上所述，本申请实施例提供的一种液晶手写板，包括：第一基板、第二基板和液晶层。其中，第一基板中的晶体管与像素电极电连接，且该晶体管对光线较为敏感。这里，由于晶体管的沟道区的面积较大。因此，晶体管在受到目标光线照射后更容易导通，也即是液晶手写板的灵敏度较高，进而使得液晶手写板的擦除效果较好。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

以上所述仅为本申请的可选的实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。