电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)作为液晶显示后的新一代发光显示技术，具有可视角宽、对比度高、色彩鲜艳、可柔性显示等优点，已经被普遍应用于各种手机、可穿戴设备中，具有良好的前景。

当前有机发光二极管通常利用载流子的注入和复合而致发光，但是存在载流子容易堆积于发光层和载流子传输层之间界面处的现象，该现象在一定程度上影响了有机发光二极管器件的寿命和效率。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，用以解决现有技术存在载流子容易堆积于发光层和载流子传输层之间界面处的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种电致发光器件，包括：发光层、电子传输层和阴极层，电子传输层位于发光层和阴极层之间；

电子传输层是包括第一电子传输材料和第二电子传输材料的混合材料层，第一电子传输材料的LUMO能级低于第二电子传输材料的LUMO能级；

第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值，从电子传输层靠近阴极层处向靠近发光层处减小。

第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：如第一个方面提供的电致发光器件。

第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：如第一个方面提供的电致发光器件；或，包括：如第二个方面提供的显示面板。

第四个方面，本申请实施例提供一种电致发光器件的制备方法，包括：

在电致发光器件的发光层的一侧沉积第一电子传输材料和第二电子传输材料，并在制备过程中使第一电子传输材的沉积速率与第二电子传输材的沉积速率之间的比值增大，得到电子传输层；

第一电子传输材料的LUMO能级低于第二电子传输材料的LUMO能级。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：采用包括至少两种不同LUMO能级的电子传输材料混合而成的电子传输层结构，并且在电子传输层结构中从靠近阴极层处向靠近发光层处，LUMO能级较低的电子传输材料的含量占比减小，以使电子传输层的LUMO能级从靠近阴极层处向靠近发光层处提高，使得电子传输层中靠近发光层处的LUMO能级与发光层的LUMO能级更加接近，可有利于减小电子传输层和发光层之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，进而提升电致发光器件的效率和寿命。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种电致发光器件的实施方式一的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种电致发光器件的实施方式二的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种电致发光器件的实施方式三的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种电致发光器件的能级示意图；

图5为效率和亮度的曲线图；

图6为亮度和寿命的曲线图。

图中：

100-电致发光器件；

110-阳极层；

120-空穴注入层；

130-空穴传输层；

140-电子阻挡层；

150-发光层；

160-空穴阻挡层；

170-电子传输层；

180-电子注入层；

190-阴极层。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

首先对本申请涉及的几个名词进行介绍和解释：

LUMO：Lowest Unoccupied Molecular Orbital，最低未占分子轨道，即未占有电子的能级最低的轨道。

能级：电子只能在原子核外特定的、分立的轨道上运动，各个轨道上的电子具有分立的能量，这些能量值即为能级。

本申请的发明人进行研究发现，当前有机发光二极管的红、绿、蓝三基色均采用公共电子传输层，然而，由于红、绿、蓝发光层的能级并不相同，电子传输层和蓝光、绿光发光层间存在着一定的能级势垒，使得载流子堆积在发光层和电子传输层界面，这在一定程度上影响了有机发光二极管器件的寿命和效率。

本申请提供的电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种电致发光器件100，该电致发光器件100的结构示意图如图1所示，包括：发光层150、电子传输层170和阴极层190，电子传输层170位于发光层150和阴极层190之间。

电子传输层170是包括第一电子传输材料和第二电子传输材料的混合材料层，第一电子传输材料的LUMO能级低于第二电子传输材料的LUMO能级。

第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值，从电子传输层170靠近阴极层190处向靠近发光层150处减小。

在本实施例中，电致发光器件100采用包括至少两种不同LUMO能级的电子传输材料混合而成的电子传输层结构，并且在电子传输层结构中从靠近阴极层190处向靠近发光层150处，LUMO能级较低的电子传输材料的含量占比减小。此处的含量占比，即电子传输层170中某一位置处，LUMO能级较低的电子传输材料的量与该位置处的电子传输层170的总材料的量的比值。

这样能够使得电子传输层170的LUMO能级从靠近阴极层190处向靠近发光层150处提高，可有利于减小电子传输层170和发光层150之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，进而提升电致发光器件100的效率和寿命。

可选地，第一电子传输材料的LUMO能级为-3.4eV(电子伏特)，第二电子传输材料的LUMO能级-2.9eV。

可选地，电子传输层170的厚度可以是10-80nm(纳米)，例如：可以是10nm、或30nm、或50nm、或80nm。当然，电子传输层170还可以是其他满足产品需求的厚度。

可选地，电子传输层170可通过真空蒸镀、化学气相沉积、涂布、喷墨或丝网印刷等方式形成。电子传输层170的实际成膜工艺可根据材料的类型及其化学性质和物理特性选择。电子传输层170的具体制备方法将在下文详细说明，在此不赘述。

在一些可能的实施方式中，第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值，从电子传输层170靠近阴极层190处向靠近发光层150处逐渐减小。

在本实施例中，LUMO能级较低的第一电子传输材料与LUMO能级较大的第二电子传输材料的含量比值，从电子传输层170靠近阴极层190处向靠近发光层150处逐渐减小，可利于电子传输层170的LUMO能级从靠近阴极层190处向靠近发光层150处逐渐提高，可有利于减小电子传输层170和发光层150之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，进而提升电致发光器件100的效率和寿命。

可选地，电子传输层170内靠近阴极层190一侧处的第一电子传输材料的含量占比不小于40％且不大于80％，电子传输层170内靠近发光层150一侧处的第一电子传输材料的含量占比不小于20％且不大于60％。这样能够使电子传输层170的LUMO能级从靠近阴极层处向靠近发光层处提高，可有利于减小电子传输层170和发光层150之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，又不至于因电子传输层间差异过大和/或能级势垒过高使得部分电子被损耗。

可选地，电子传输层170内第一电子传输材料的含量占比，由电子传输层170的靠近阴极层190一侧向靠近发光层150一侧每靠近1纳米，第一电子传输材料的含量占比减小1％。采用逐级减小的渐变材料结构有利于形成渐变能级，使得电子的传输更容易。

可以理解的是，当变化层级足够小的时候，电子传输层170的LUMO能级变化可以视为线性变化，即该变化更加细腻。

在一些可能的实施方式中，电子传输层170包括层叠的第一电子传输子层和第二电子传输子层，第二电子传输子层位于第一电子传输子层的靠近发光层150一侧。

第一电子传输子层中的第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值不大于6:4且不小于1:1。

第二电子传输子层中的第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值不大于4:6且不小于3:7。

在本实施例中，电子传输层170采用包括层叠的第一电子传输子层和第二电子传输子层的分层结构，每一电子传输子层中的第一电子传输材料与第二电子传输材料的含量比值固定，这样有利于简化每一电子传输子层的制备工艺，而且可以利于实现每一电子传输子层的独立制备、以及电子传输子层之间的贴合组装。

第一电子传输子层和第一电子传输子层采用上述含量比值，能够使电子传输层170的LUMO能级从靠近阴极层处向靠近发光层处提高，可有利于减小电子传输层170和发光层150之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，又不至于因电子传输层间差异过大和/或能级势垒过高使得部分电子被损耗。

可选地，第一电子传输材料包括金属配合物电子传输材料、噁二唑类电子传输材料、含氮五元杂环(如咪唑类)电子传输材料、含氮六元杂环(如邻菲罗啉类)电子传输材料中的至少一种。

可选地，第二电子传输材料包括金属配合物电子传输材料、噁二唑类电子传输材料、含氮五元杂环(如咪唑类)电子传输材料、含氮六元杂环(如邻菲罗啉类)电子传输材料中的至少另一种。

例如，第一电子传输材料可以是邻菲罗啉类电子传输材料，如4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)，其LUMO能级为-3.00eV；第二电子传输材料可以是金属配合物电子传输材料，如8-羟基喹啉铝(Alq3)，其LUMO能级为-2.85eV。

在采用有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)结构的电致发光器件100中，如图2所示，除了包括发光层150、电子传输层170和阴极层190以外，还包括阳极层110和空穴传输层130。

阳极层110的材料可以是有助于空穴注入至发光层150的材料，可以是金属、金属氧化物或组合物，例如：银、金等或它们的合金；也可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、掺杂氟的SnO

阴极层190可采用有助于电子注入至发光层150的材料，可以是银、铝、镁、钙等或它们的合金。可选地，阴极层190的材料可以是铝或镁银合金。

发光层150可设于阴极层190和阳极层110之间，可通过真空蒸镀、涂布、喷墨、丝网印刷等方式在阳极层110上形成发光层150，该发光层150可以是一层，也可以是多层。需要说明的是，可根据材料的类型及其化学性质和物理特性选择成膜工艺。发光层150的发光材料可以是有机材料，也可以是钙钛矿材料或量子点材料。

可选地，发光层150的材料可以是有机小分子发光材料，如：恶二唑及其衍生物类、三唑及其衍生物类、罗丹明及其衍生物类、1,8-萘酰亚胺类衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺类衍生物、卟啉类化合物、咔唑、吡嗪、噻唑类衍生物或苝类衍生物、噻咯和四苯基乙烯及其衍生物等等。

可选地，发光层150的材料可以是有机高分子材料，如：聚苯撑乙烯、聚噻吩、聚芴、聚乙炔、聚咔唑、聚吡啶、聚呋喃类电致发光材料。

可选地，发光层150的材料可以是钙钛矿类材料，如铯铅溴(CsPbBr

可选地，发光层150的材料可以是量子点发光材料，如磷化铟/硫化锌(InP/ZnS)，硒化镉/硫化锌(CdSe/ZnS)，硫化铅(PbS)量子点等。

空穴传输层130可设于阳极层110和发光层150之间，可用于将空穴传输至发光层150，可提高空穴迁移率，并使更多的空穴能够传输至发光层150。

电子传输层170可设于阴极层190和发光层150之间，可用于将阴极层190的电子及时地传输至发光层150，提高电子迁移率，使更多的电子能够传输至发光层150，最终电子和空穴在发光层150辐射复合发光，并显示图像。

在一些可能的实施方式中，如图3所示，电致发光器件100在前述结构的基础上，还可包括：空穴注入层120、电子阻挡层140、空穴阻挡层160和电子注入层180。

空穴注入层120可设于阳极层110和空穴传输层130之间，用于提升阳极表面功函数并提升空穴注入。

电子阻挡层140可设于空穴注入层120和发光层150之间，用于将发光层150内的空穴限制在发光层150内。

空穴阻挡层160可设于发光层150和电子阻挡层140之间，用于将发光层150内的电子限制在发光层150内。

电子注入层180可设于阴极层190和电子传输层170之间，用于修饰阴极层190和电子传输层170界面，提高电子注入。

在本实施例中，如图4所示，可通过向阴极层190和阳极层110施加电压，使得电子(e

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：如前述各实施例提供的任一种电致发光器件100。

在本实施例中，由于显示面板采用了前述各实施例提供的任一种电致发光器件100，其原理和技术效果请参阅前述各实施例，在此不再赘述。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：如前述各实施例提供的任一种电致发光器件100；或，包括：如前述实施例提供的显示面板。

显示装置可以为电视、数码相框、手机、智能手表、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件中至少一种。

在本实施例中，由于显示装置采用了前述各实施例提供的任一种电致发光器件100，或是前述各实施例提供的显示面板，其原理和技术效果请参阅前述各实施例，在此不再赘述。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种电致发光器件100的制备方法，包括：

在电致发光器件100的发光层150的一侧沉积第一电子传输材料和第二电子传输材料，并在制备过程中使第一电子传输材的沉积速率与第二电子传输材的沉积速率之间的比值增大，得到电子传输层170。

第一电子传输材料的LUMO能级低于第二电子传输材料的LUMO能级。

在本实施例中，采用沉积法制备电子传输层170，有利于实现不同LUMO能级的第一电子传输材料和第二电子传输材料的充分混合。并且，通过控制第一电子传输材料和第二电子传输材料的沉积速度，以实现控制第一电子传输材料和第二电子传输材料的沉积量，进而控制成型的电子传输层170中第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值，从靠近发光层150处向靠近阴极层190处增大(即从电子传输层170靠近阴极层190处向靠近发光层150处减小)。使得制得的电子传输层170的LUMO能级从靠近阴极层190处向靠近发光层150处提高，可有利于减小电子传输层170和发光层150之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，进而提升电致发光器件100的效率和寿命。

可选地，本申请实施例提供的一种电致发光器件100的制备方法，具体可采用真空蒸镀法制备电子传输层170，有利于控制第一电子传输材料和第二电子传输材料的沉积比例，提高电子传输层170材质的精度。例如：第一电子传输材料的蒸镀速率为0.04nm/s，第二电子传输材料的蒸镀速率为0.06nm/s，则第一电子传输材料占总电子传输材料(第一电子传输材料和第二电子传输材料)的比例为40％。

在一些可能的实施方式中，在电致发光器件100的发光层150的一侧沉积第一电子传输材料和第二电子传输材料，并在制备过程中使第一电子传输材的沉积速率与第二电子传输材的沉积速率之间的比值增大，包括：

在制备过程中，第一电子传输材料的沉积速率从第一沉积速率逐步调整为第三沉积速率，第二电子传输材料的沉积速率从第二沉积速率逐步调整为第四沉积速率。第三沉积速率与第四沉积速率之间的比值大于第一沉积速率与第二沉积速率之间的比值。

在本实施例中，可利于制得的电子传输层170的LUMO能级从靠近阴极层190处向靠近发光层150处逐渐提高，可有利于减小电子传输层170和发光层150之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，进而提升电致发光器件100的效率和寿命。

可选地，第一沉积速率小于第二沉积速率，第二沉积速率小于第三沉积速率，第二沉积速率等于第四沉积速率。即，使得第一电子传输材料的沉积速率逐渐增大，第二电子传输材料的速率不变，进而使成型的电子传输层170中第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值，从电子传输层170靠近阴极层190处向靠近发光层150处减小。

可选地，第一沉积速率等于第三沉积速率，第二沉积速率大于第一沉积速率，第三沉积速率大于第四沉积速率。即，使得第二电子传输材料的沉积速率逐渐降低，第一电子传输材料的速率不变，进而使成型的电子传输层170中第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值，从电子传输层170靠近阴极层190处向靠近发光层150处减小。

可选地，第一沉积速率小于第三沉积速率，第二沉积速率大于第四沉积速率。即，第一电子传输材料的沉积速率逐渐增大，第二电子传输材料的沉积速率逐渐减小，进而使成型的电子传输层170中第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值，从电子传输层170靠近阴极层190处向靠近发光层150处减小。

在一些可能的实施方式中，在电致发光器件100的发光层150的一侧沉积第一电子传输材料和第二电子传输材料，并在制备过程中使第一电子传输材的沉积速率与第二电子传输材的沉积速率之间的比值增大，包括：

在第一设计时间段内，以第一沉积速率在电致发光器件100的发光层150上沉积第一电子传输材料，以第二沉积速率在电致发光器件100的发光层150上沉积第二电子传输材料。

在第二设计时间段内，以第三沉积速率在电致发光器件100的发光层150上沉积第一电子传输材料，以第四沉积速率在电致发光器件100的发光层150上沉积第二电子传输材料。

第三沉积速率与第四沉积速率之间的比值大于第一沉积速率与第二沉积速率之间的比值。

在本实施例中，经过第一设计时间段的沉积，可以在电致发光器件100的发光层150的一侧沉积得到第一电子传输子层结构。该第一电子传输子层结构中第一电子传输材料与第二电子传输材料的含量比值固定，且第一电子传输材料与第二电子传输材料的含量比值就是第一沉积速率与第二沉积速率之间的比值。

同样地，经过第二设计时间段的沉积，可以在电致发光器件100的发光层150的一侧沉积得到第二电子传输子层结构。该第二电子传输子层结构中第一电子传输材料与第二电子传输材料的含量比值也固定，且第一电子传输材料与第二电子传输材料的含量比值就是第三沉积速率与第四沉积速率之间的比值。

采用上述技术方案，有利于简化每一电子传输子层的制备工艺，而且可以利于实现每一电子传输子层的独立制备、以及电子传输子层之间的贴合组装。

可选地，第一沉积速率小于第二沉积速率，第二沉积速率小于第三沉积速率，第二沉积速率等于第四沉积速率。即，在制备第一电子传输子层结构和制备第二电子传输子层结构的过程中，仅第一电子传输材料的沉积量减小，第二电子传输材料的沉积量不变。

可选地，第一沉积速率等于第三沉积速率，第二沉积速率大于第一沉积速率，第三沉积速率大于第四沉积速率。即，在制备第一电子传输子层结构和制备第二电子传输子层结构的过程中，仅第二电子传输材料的沉积量增多，第一电子传输材料的沉积量不变。

可选地，第一沉积速率小于第三沉积速率，第二沉积速率大于第四沉积速率。即，在制备第一电子传输子层结构和制备第二电子传输子层结构的过程中，不仅第一电子传输材料的沉积量减小，而且第二电子传输材料的沉积量增多。

可选地，第一沉积速率与第二沉积速率的比值不大于4:6且不小于3:7。

可选地，第三沉积速率与第四沉积速率的比值不大于6:4且不小于1:1。

下面提供一种具体实施例：采用如图3所示的电致发光器件结构，即包括依次层叠的阳极层110、空穴注入层120、空穴传输层130、电子阻挡层140、发光层150、空穴阻挡层160、电子传输层170、电子注入层180和阴极层190。电子传输层170由两种LUMO能级不同的电子传输材料混合蒸镀而成，其中，第一电子传输材料的LUMO能级为-3.2eV，第二电子传输材料的LUMO能级为-2.6eV，在此基础上，根据电子传输材料比例和厚度不同，有以下两个结构：

Structure(结构)1：电子传输层170中位于靠近阴极层190一侧的第一电子传输子层的厚度为15nm，其中第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值为6:4；电子传输层170中位于靠近发光层150一侧的第二电子传输子层的厚度为15nm，其中第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值为4:6。

Structure 2：电子传输层170的厚度为30nm，并且电子传输层170中的第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值为恒定的6:4。

两个结构的电致发光器件性能如图5和图6所示。

具体地，图5中横轴是亮度，纵轴是效率。此处的效率为蓝光因子(BI)，即电流效率和色坐标(CIE y)的比值，常用来评价蓝光器件的效率。“-■-”表示采用Structure 1的电致发光器件的效率与亮度的曲线，“-▲-”表示采用Structure 2的电致发光器件的效率与亮度的曲线。从图5可以看出，采用Structure 1的电致发光器件的效率高于采用Structure2的电致发光器件的效率。

图6中横轴是寿命，纵轴是效率。此处的寿命为电致发光器件在相同恒电流下的寿命。“-■-”表示采用Structure 1的电致发光器件的亮度和寿命的曲线，“-▲-”表示采用Structure 2的电致发光器件的亮度和寿命的曲线。从图6可以看出，采用Structure 1的电致发光器件的寿命衰减程度低于采用Structure 2的电致发光器件的寿命衰减程度，即采用Structure 1的电致发光器件的寿命高于采用Structure 2的电致发光器件的寿命。

因此，采用Structure 1的电致发光器件的效率和寿命均高于采用Structure 2的电致发光器件的效率和寿命。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

1、电致发光器件100采用包括至少两种不同LUMO能级的电子传输材料混合而成的电子传输层结构，并且在电子传输层结构中从靠近阴极层190处向靠近发光层150处，LUMO能级较低的电子传输材料的含量占比减小。此处的含量占比，即电子传输层170中某一位置处，LUMO能级较低的电子传输材料的量与该位置处的电子传输层170的总材料的量的比值。这样能够使得电子传输层170的LUMO能级从靠近阴极层190处向靠近发光层150处提高，可有利于减小电子传输层170和发光层150之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，进而提升电致发光器件100的效率和寿命。

2、电子传输层170采用包括层叠的第一电子传输子层和第二电子传输子层的分层结构，每一电子传输子层中的第一电子传输材料与第二电子传输材料的含量比值固定，这样有利于简化每一电子传输子层的制备工艺，而且可以利于实现每一电子传输子层的独立制备、以及电子传输子层之间的贴合组装。

3、采用沉积法制备电子传输层170，有利于实现不同LUMO能级的第一电子传输材料和第二电子传输材料的充分混合。并且，通过控制第一电子传输材料和第二电子传输材料的沉积速度，以实现控制第一电子传输材料和第二电子传输材料的沉积量，进而控制成型的电子传输层170中第一电子传输材料与第二电子传输材料之间的含量比值，从靠近发光层150处向靠近阴极层190处增大(即从电子传输层170靠近阴极层190处向靠近发光层150处减小)。使得制得的电子传输层170的LUMO能级从靠近阴极层190处向靠近发光层150处提高，可有利于减小电子传输层170和发光层150之间界面处的势垒，减小界面处的载流子堆积，提升电子注入能力，进而提升电致发光器件100的效率和寿命。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。