振荡电路

技术领域

本发明涉及一种用于接近开关的振荡电路。

背景技术

一直以来，已知具有振荡电路的接近开关，该振荡电路通过电流镜电路使反馈电流向并联谐振电路流动(例如参照专利文献1)。

例如图7所示，该振荡电路具有：电流源1011、晶体管Q1、晶体管Q2以及电流镜电路1012。

电流源1011使电流流动。在图7中，Ib表示通过电流源1011流动的电流。

在晶体管Q1中，集电极端子和基极端子与电流源1011连接，发射极端子与OSC端子1013连接。

在晶体管Q2中，基极端子与电流源1011连接，发射极端子与OP端子1014连接。

电流镜电路1012由电阻R1、电阻R2、晶体管Q3以及晶体管Q4构成。

在电阻R1中，在一端输入电源电压。在图7中，Vcc表示电源电压。

在电阻R2中，在一端输入电源电压。

在晶体管Q3中，发射极端子与电阻R1的另一端连接，基极端子和集电极端子与晶体管Q2的集电极端子连接。

在晶体管Q4中，发射极端子与电阻R2的另一端连接，基极端子与晶体管Q2的集电极端子连接，集电极端子与晶体管Q1的发射极端子连接。

此外，在OSC端子1013和GND之间连接由线圈芯和谐振电容器构成的并联谐振电路(未图示)。该并联谐振电路的电压经由晶体管Q1和晶体管Q2向OP端子1014传导。

此外，在OP端子1014连接用于决定振荡电路中的振荡幅度的电阻(未图示)。通过该电阻进行了电流电压转换的电流经由电流镜电路1012向OSC端子1013正反馈。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平第04-78212号公报。

发明要解决的问题

在此，振荡电路中的振荡幅度由与OP端子1014连接的电阻的电阻值和电流镜电路1012的增益决定。另一方面，反馈电流利用晶体管的非线性特性实现了软振荡特性。软振荡特性表示振幅相对于并联谐振电路的阻抗变化以模拟的方式进行变化的特性。在此，通过使用具有软振荡特性的振荡电路，接近开关可得到能够具有稳定显示功能这样的优点和可拿出根据距离变化的信号这样的优点。

然而，如上所述，现有的振荡电路利用晶体管的非线性特性实现了软振荡特性，因此温度特性差，容易受到IC工艺的偏差的影响。

此外，高频电流流过与OP端子1014连接的电阻。因此，上述电阻的调节需要考虑高频电流流过，花费工夫。此外，上述电阻的调节需要考虑由于填充剂对于OP端子1014周围的填充而附加寄生电容所导致的工作点的变动量，难以提高调节精度。

发明内容

本发明是为了解决如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种相对于现有结构改善了温度特性且提高了调节精度的振荡电路。

用于解决问题的方案

本发明所涉及的振荡电路，其特征在于，具有：第一比较器电路，其对振荡电压和第一基准电压进行比较，所述振荡电压是连接并联谐振电路的一端的第一端子处的电压，所述第一基准电压是成为正反馈的电压；以及电流镜电路，其基于第一比较器电路的比较结果，在振荡电压比第一基准电压大的情况下，使反馈电流向第一端子流动。

发明效果

根据本发明，因为如上所述地构成，所以相对于现有结构改善了温度特性且提高了调节精度。

附图说明

图1是示出实施方式1所涉及的振荡电路的结构例的图。

图2是示出实施方式1所涉及的振荡电路的工作波形的一例的图。

图3是示出实施方式2所涉及的振荡电路的结构例的图。

图4是示出实施方式2所涉及的振荡电路的工作波形的一例的图。

图5是示出实施方式3所涉及的振荡电路的结构例的图。

图6是示出实施方式4所涉及的振荡电路的结构例的图。

图7是示出现有的振荡电路的结构例的图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行详细说明。

实施方式1

图1是示出实施方式1所涉及的振荡电路1的结构例的图。

振荡电路1用于接近开关(未图示)。如图1所示，振荡电路1具有：比较器电路(第一比较器电路)cmp1、电流镜电路101以及设定部102。

比较器电路cmp1对振荡电压和第一基准电压进行比较。振荡电压是OSC端子(第一端子)103处的电压。在比较器电路cmp1中，在同相输入端子输入第一基准电压，反相输入端子与OSC端子103连接。在图1中，V1表示第一基准电压。第一基准电压是成为正反馈的电压。另外，振荡电路1为了成为正反馈工作，需要以如下的方式工作：反馈电流在振荡电压上升的时刻增加，反馈电流在振荡电压下降的时刻减少。例如，在上升时和下降时以相同的电压使反馈电流量增加和减少的情况下，其切换时的电压为第一基准电压，例如为后述的SG处的电压+10mV。

在电流镜电路101中，基于比较器电路cmp1的比较结果，在振荡电压比第一基准电压大的情况下，使反馈电流向OSC端子103流动。电流镜电路101具有：MOS晶体管M1、MOS晶体管M2以及开关SW1。在图1中，Ifb表示反馈电流。另外，电流镜电路101的电流比不需要为1:1。

在MOS晶体管M1中，栅极端子与自身的漏极端子连接。

在MOS晶体管M2中，栅极端子与MOS晶体管M1的栅极端子连接，源极端子与MOS晶体管M1的源极端子连接，漏极端子与OSC端子103连接。

在开关SW1中，一端与MOS晶体管M1的源极端子连接，另一端与MOS晶体管M1的漏极端子连接。在开关SW1中，在比较器电路cmp1的输出信号为高电平的情况下，成为导通(反馈电流不流过)，在输出信号为低电平的情况下，成为关断(反馈电流流过)。

在设定部102中，基于OP端子(第二端子)104处的电压除以外部电阻(后述的电阻ROP)的电阻值而得的电流来设定用于决定电流镜电路101中的反馈电流量的电流。设定部102具有：运算放大器OP1和MOS晶体管M3。

在运算放大器OP1中，在同相输入端子输入设定电压，反相输入端子与OP端子104连接。在图1中，Vop表示设定电压。

在MOS晶体管M3中，栅极端子与运算放大器OP1的输出端子连接，源极端子与OP端子104连接，漏极端子与MOS晶体管M1的漏极端子连接。

另外，并联谐振电路2与OSC端子103连接。并联谐振电路2由线圈芯L1和谐振电容器C1构成。

在线圈芯L1中，一端与OSC端子103连接，另一端与SG(Signal Ground，信号地)连接。SG处的电压是成为振荡电路1中的振荡幅度的中心点的电压。

在谐振电容器C1中，一端与OSC端子103连接，另一端与SG连接。

此外，电阻ROP的一端与OP端子104连接。另外，电阻ROP的另一端接地。

接下来，一边参照图2一边对图1所示的实施方式1所涉及的振荡电路1的效果进行说明。

在图1所示的实施方式1所涉及的振荡电路1中，比较器电路cmp1对振荡电压和第一基准电压进行比较。然后，如图2所示，电流镜电路101在振荡电压(V(OSC))比第一基准电压(V1)大的情况下工作，使反馈电流向OSC端子103流动。由此，在该振荡电路1中，反馈电流量由OP端子104处的电压和电阻ROP的电阻值决定，反馈电流流过的时刻通过比较振荡电压和第一基准电压来决定，因此能够成为几乎不具有温度特性的结构。另外，反馈电流的大小能够通过OP端子104处的电压和电阻ROP的电阻值来调节。在图2中，V(OSC)表示OSC端子103处的电压，V(SG)表示SG处的电压，Iop表示上述电流(OP端子104处的电流)。

然后，在该振荡电路1中，OP端子104处的电压通过运算放大器OP1成为与设定电压相等的电压，其成为DC电压。因而，在该振荡电路1中，即使在OP端子104的周围附加了由填充剂等造成的寄生电容，也不影响振荡幅度。

进而，在该振荡电路1中，能够通过DAC等以数字的方式对设定电压进行设定，由此能够以数字方式实施工作点的调节。因而，在该振荡电路1中，振荡幅度的调节的稳定性增加，调节变容易。

此外，SG处的电压是成为振荡电路1中的振荡幅度的中心点的电压。因而，在该振荡电路1中，通过将SG处的电压设定成在振荡状态中OSC端子103处的电压为0V以上的电压，能够排除非线性。

另外，虽然在上述中是以OSC端子103处的电压处于振荡电路1的工作电压范围内为目的的设定，但是SG处的电压不限于上述。即使SG处的电压不是上述电压，例如通过使用电平移位电路也能够避免。此外，SG并非必要。

另外，反馈电流量为对反馈电流的波形进行了傅立叶变换的值，由下式(1)、式(2)表示。在式(1)、式(2)中，A表示振荡幅度，Ip表示反馈电流的峰值。振荡幅度例如为2V。

Ifb＝2×Ip×cos(x1) (1)

x1＝asin(V1/A) (2)

从式(1)、式(2)可知，在V1足够小的情况下，成为cos(x1)＝1，反馈电流与振荡幅度无关而成为大致固定的值。即，能够具有振荡幅度与并联谐振电路2的阻抗大致成比例的特性，软振荡成为可能。

另外，在图1中，作为设定部102，示出了使用运算放大器OP1和MOS晶体管M3的情况。然而，不限于此，设定部102只要是用于决定电流镜电路101中的反馈电流量的电路且能够设定电流镜电路101的输入电流的结构即可。

如上所述，根据该实施方式1，振荡电路1具有：比较器电路cmp1，其对振荡电压和第一基准电压进行比较，所述振荡电压是连接并联谐振电路2的一端的OSC端子103处的电压，所述第一基准电压是成为正反馈的电压；以及电流镜电路101，其基于比较器电路cmp1的比较结果，在振荡电压比第一基准电压大的情况下，使反馈电流向OSC端子103流动。由此，实施方式1所涉及的振荡电路1相对于现有的结构温度特性变好且调节精度提高。

实施方式2

在实施方式1所涉及的振荡电路1中，反馈电流量与振荡幅度(并联谐振电路2的阻抗)无关而大致固定。因此，在具有振荡电路1的接近开关中，在检测体位于附近从而谐振阻抗降低的情况下，有时不满足振荡条件。因此，在实施方式2所涉及的振荡电路1中，对具有在谐振阻抗降低的情况下增加反馈电流量的功能的结构进行说明。

相对于图1所示的实施方式1所涉及的振荡电路1，图3所示的实施方式2所涉及的振荡电路1追加了比较器电路(第二比较器电路)cmp2、逻辑电路(第一逻辑电路)105以及励磁部(第一励磁部)106。其他的结构相同，标注同一附图标记，仅对不同的部分进行说明。

比较器电路cmp2对振荡电压和第二基准电压进行比较。第二基准电压比第一基准电压高且是最大振荡幅度的5～20％以内的电压。最大振荡幅度由振荡电路1的电路结构和线圈芯的特性决定。在比较器电路cmp2中，在同相输入端子输入第二基准电压，反相输入端子与OSC端子103连接。在图3中，V2表示第二基准电压。第二基准电压例如为0.2～0.35V(假设最大振荡幅度为SG±2V)。

在逻辑电路105中，基于比较器电路cmp1和比较器电路cmp2的比较结果来判定振荡电压是否处于第一基准电压和第二基准电压的范围内。然后，逻辑电路105在判定为振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下，输出使开关SW1成为导通的输出信号和使后述的开关SW2成为导通的输出信号。

此外，逻辑电路105也可以为能够选择在振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内且为下降的情况下是否供给后述的第一励磁电流。在图3中，SEL表示用于选择在振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内且为下降的情况下是否供给后述的第一励磁电流的信号。

在励磁部106中，在通过逻辑电路105判定为振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下，使第一励磁电流向OSC端子103流动。第一励磁电流是比OP端子104处的电流大的电流。在图3中，I1表示第一励磁电流。励磁部106具有：电流源1061和开关SW2。

电流源1061使第一励磁电流流动。

在开关SW2中，一端与电流源1061的输出连接，另一端与OSC端子103连接。开关SW2根据逻辑电路105的输出信号来切换导通关断。

接下来，一边参照图4一边对图3所示的实施方式2所涉及的振荡电路1的效果进行说明。

在图3所示的实施方式2所涉及的振荡电路1中，比较器电路cmp2对振荡电压和第二基准电压进行比较。然后，逻辑电路105判定振荡电压是否处于第一基准电压和第二基准电压的范围内，励磁部106在通过逻辑电路105判定为振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下，使第一励磁电流向OSC端子103流动。第一励磁电流是比OP端子104处的电流大的电流。另外，在振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下，反馈电流不从电流镜电路101向OSC端子103流动，在振荡电压比第二基准电压大的情况下，反馈电流从电流镜电路101向OSC端子103流动。由此，如图4所示，在振荡幅度小的情况下能够增加反馈电流量。

需要说明的是，在图4中，A点表示振荡电压的上升部分，B点表示振荡电压的下降部分。在此，当励磁部106使第一励磁电流在B点处流动时成为负反馈。因此，在逻辑电路105中，也可以为能够切换是否使第一励磁电流在B点处流动。预先设定并输入图4所示的SEL表示的信号。

此时，在使与A点相同的电平的第一励磁电流在B点处流动的情况下，反馈电流的相位理想上为0。另一方面，在不使第一励磁电流在B点处流动的情况下，相位偏移。因此，在相位偏移成为问题的情况下，励磁部106最好使第一励磁电流在B点处也流动。

如上所述，根据该实施方式2，振荡电路1具有：比较器电路cmp2，其对振荡电压和第二基准电压进行比较，所述第二基准电压比第一基准电压高且是最大振荡幅度的5～20％以内的电压；逻辑电路105，其基于比较器电路cmp1和比较器电路cmp2的比较结果来判定振荡电压是否处于第一基准电压和第二基准电压的范围内；以及励磁部106，其在通过逻辑电路105判定为振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下，使第一励磁电流向OSC端子103流动，所述第一励磁电流是比OP端子104处的电流大的电流。由此，除了实施方式1中的效果以外，实施方式2所涉及的振荡电路1还能够在谐振阻抗降低的情况下增加反馈电流量。

另外，在上述中示出了振荡电路1在振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下使第一励磁电流流动，在振荡电压比第二基准电压大的情况下使反馈电流流动的情况。然而，不限于此，振荡电路1也可以在振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下使反馈电流和第一励磁电流流动，在振荡电压比第二基准电压大的情况下使反馈电流流动，可得到与上述相同的效果。

即，在该情况下，逻辑电路105在判定为振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下，输出用于使开关SW2成为导通的输出信号。此外，第一励磁电流只要是比0大的值即可。

另外，在图3中示出了励磁部106由电流源1061和开关SW2构成的情况。然而，不限于此，励磁部106只要是在通过逻辑电路105判定为振荡电压处于第一基准电压和第二基准电压的范围内的情况下使第一励磁电流向OSC端子103流动的结构即可。例如，励磁部106也可以由电流镜电路和对电流输出进行导通关断的开关构成。

实施方式3

在实施方式1所涉及的振荡电路1中，存在稳定状态，所述稳定状态是指当振荡电压稳在与SG处的电压大致相等时，反馈电流不流过，振荡停止。因此，在实施方式3所涉及的振荡电路1中，对具有在固定期间振荡停止了的情况下使反馈电流强制地流动的功能(强制励磁功能)的结构进行说明。

相对于图1所示的实施方式1所涉及的振荡电路1，图5所示的实施方式3所涉及的振荡电路1追加了比较器电路(第三比较器电路)cmp3、逻辑电路(第二逻辑电路)107以及励磁部(第二励磁部)108。其他的结构相同，标注同一附图标记，仅对不同的部分进行说明。

比较器电路cmp3对振荡电压和第三基准电压进行比较。第三基准电压与SG处的电压相同(也包含大致相同的意思)。在比较器电路cmp3中，在同相输入端子输入第三基准电压，反相输入端子与OSC端子103连接。在图5中，V3表示第三基准电压。

在逻辑电路107中，基于比较器电路cmp3的比较结果来判定OSC端子103是否在固定期间没有振荡。然后，逻辑电路107在判定为OSC端子103在固定期间没有振荡的情况下，输出使开关SW3成为导通的输出信号。需要说明的是，该输出信号是以固定的周期重复的脉冲信号，逻辑电路107在开始振荡从而比较器电路cmp3的比较结果变化了的情况下，停止向开关SW3的输出信号的输出以使后述的第二励磁电流不流过。

在励磁部108中，在通过逻辑电路107判定为OSC端子103在固定期间没有振荡的情况下，使第二励磁电流向OSC端子103流动。第二励磁电流是第二励磁电流的电流值与并联谐振电路2中的阻抗之积为第一基准电压以上的电流。在图5中，Ix表示第二励磁电流。励磁部108具有：电流源1081和开关SW3。

电流源1081使第二励磁电流流动。

在开关SW3中，一端与电流源1081的输出连接，另一端与OSC端子103连接。开关SW3根据逻辑电路107的输出信号来切换导通关断。

接下来，对图5所示的实施方式3所涉及的振荡电路1的效果进行说明。

在图5所示的实施方式3所涉及的振荡电路1中，比较器电路cmp3对振荡电压和第三基准电压进行比较。在比较器电路cmp3中，在正在进行振荡的情况下其输出变化，在没有在进行振荡的情况下其输出不变化。然后，用逻辑电路107判定其输出，在比较器电路cmp3的输出在固定期间没有变化的情况下判定为振荡停止状态，为了使第二励磁电流向OSC端子103流动，使开关SW3在固定周期以脉冲状的方式导通。即，在该振荡电路1中，当开始振荡时，比较器电路cmp3的输出以与振荡频率相同的频率变化。因此，励磁部108在比较器电路cmp3的输出在振荡周期的数倍以上的期间没有变化的情况下使第二励磁电流流动。由此，在该振荡电路1中，即使在振荡电压与SG处的电压一致从而稳定的情况下，也能够恢复振荡。

此外，在图5中示出了励磁部108由电流源1081和开关SW3构成的情况。然而，不限于此，励磁部108只要是在通过逻辑电路107判定为OSC端子103在固定期间没有振荡的情况下使第二励磁电流向OSC端子103流动的结构即可。例如，励磁部108也可以由电流镜电路和对导通和对电流输出进行导通关断的开关构成。

如上所述，根据该实施方式3，振荡电路1具有：比较器电路cmp3，其对振荡电压和第三基准电压进行比较，所述第三基准电压与连接并联谐振电路2的另一端的SG处的电压相同；逻辑电路107，其基于比较器电路cmp3的比较结果来判定是否在固定期间没有振荡；以及励磁部108，其在通过逻辑电路107判定为在固定期间没有振荡的情况下，使第二励磁电流向OSC端子103流动，所述第二励磁电流是与并联谐振电路2中的阻抗之积为第一基准电压以上的电流。由此，除了实施方式1中的效果以外，实施方式3所涉及的振荡电路1即使在振荡电压与SG处的电压大致相等从而停止了的情况下也能够恢复振荡。

另外，在上述中示出了相对于实施方式1所涉及的振荡电路1追加了比较器电路cmp3和励磁部108的情况。然而，不限于此，也可以相对于实施方式2所涉及的振荡电路1追加比较器电路cmp3和励磁部108。

此外，虽然在上述中示出了使用第三基准电压的情况，但是也可以不使用第三基准电压。在该情况下，比较器电路cmp3与比较器电路cmp1共用第一基准电压，通过对振荡电压和第一基准电压进行比较来判定是否在固定期间没有振荡。

实施方式4

实施方式1～3所涉及的振荡电路1具有电流镜电路101。在该电流镜电路101中，晶体管的输出阻抗低，因此输出电流根据输出电压变化，电流精度变差。因此，在该电流镜电路101中，特别是在向输出电压变化的电路供给电流的情况下误差变大。因此，在实施方式4中，对用于解决上述问题的结构进行说明。

相对于图1所示的实施方式1所涉及的振荡电路1，图6所示的实施方式4所涉及的振荡电路1将电流镜电路101和设定部102变更为共源共栅电流镜电路109和设定部110。其他的结构相同，标注同一附图标记，仅对不同的部分进行说明。

设定部110基于OP端子104处的电压(与设定电压相等的电压)除以电阻ROP的电阻值而得的电流来设定用于决定共源共栅电流镜电路109中的反馈电流量的电流。设定部110具有：运算放大器OP2、多个并联连接的MOS晶体管M20(第二十MOS晶体管)以及多个并联连接的MOS晶体管M21(第二十一MOS晶体管)。

在运算放大器OP2中，在同相输入端子输入第一基准电压，反相输入端子与OP端子104连接。

在MOS晶体管M20中，栅极端子与运算放大器OP2的输出端子连接，源极端子与OP端子104连接。

在MOS晶体管M21中，栅极端子与运算放大器OP2的输出端子连接，源极端子与OP端子104连接。

在图6的例子中，MOS晶体管M20的并联数为m＝2，MOS晶体管M21的并联数为m＝20，即MOS晶体管M20的并联数与MOS晶体管M21的并联数的关系为1：10，这是为了减少消耗电流而取的大的比率，并不限于此。

共源共栅电流镜电路109具有：MOS晶体管M10～MOS晶体管M14以及开关SW4。

在MOS晶体管M10(第十MOS晶体管)中，栅极端子和漏极端子与MOS晶体管M20的漏极端子连接，在源极端子输入电源电压。在图6中，Vcc表示电源电压。

在MOS晶体管M11(第十一MOS晶体管)中，栅极端子与MOS晶体管M21的漏极端子连接，在源极端子输入电源电压。

在MOS晶体管M12(第十二MOS晶体管)中，栅极端子与MOS晶体管M20的漏极端子连接，源极端子与MOS晶体管M11的漏极端子连接，漏极端子与MOS晶体管M21的漏极端子连接。

在MOS晶体管M13(第十三MOS晶体管)中，栅极端子与MOS晶体管M21的漏极端子连接，在源极端子输入电源电压。

在MOS晶体管M14(第十四MOS晶体管)中，栅极端子与MOS晶体管M20的漏极端子连接，源极端子与MOS晶体管M13的漏极端子连接，漏极端子与OSC端子103连接。

在开关SW4中，一端与MOS晶体管M11的源极端子连接，另一端与MOS晶体管M20的漏极端子连接。开关SW4根据比较器电路cmp1的输出信号来切换导通关断。

另外，MOS晶体管M11与MOS晶体管M13的尺寸比和MOS晶体管M12与MOS晶体管M14的尺寸比相同(包含大致相同的意思)。

接下来，对图6所示的实施方式4所涉及的振荡电路1的效果进行说明。

在图6所示的实施方式4所涉及的振荡电路1中，多个并联连接的MOS晶体管M20和多个并联连接的MOS晶体管M21与电阻ROP连接，这些MOS晶体管M20和MOS晶体管M21与共源共栅电流镜电路109连接。此外，MOS晶体管M11与MOS晶体管M13的尺寸比和MOS晶体管M12与MOS晶体管M14的尺寸比相同。

共源共栅电流镜电路109需要以MOS晶体管M11和MOS晶体管M12在饱和区工作的方式决定MOS晶体管M10的尺寸及其漏极电流值(＝MOS晶体管M20的漏极电流值)。一般而言，以下式(3)的关系成立的方式进行设计。在式(3)中，ID(M20)表示MOS晶体管M20的漏极电流，ID(M21)表示MOS晶体管M21的漏极电流。此外，W10表示MOS晶体管M10的沟道宽度，L10表示MOS晶体管M10的沟道长度。此外，W11表示MOS晶体管M11的沟道宽度，L11表示MOS晶体管M11的沟道长度。此外，W12表示MOS晶体管M12的沟道宽度，L12表示MOS晶体管M12的沟道长度。在式(3)中，在Δ大的情况下，MOS晶体管M11和MOS晶体管M13在饱和区的裕度增加，MOS晶体管M12和MOS晶体管M14的栅极电压降低。因此，在该情况下，由于振动电路1的输出电压范围变窄，Δ优选为在0以上且接近0的值。

另一方面，在图6所示的实施方式4所涉及的振荡电路1中，MOS晶体管M20和MOS晶体管M21被相对精度好地配置。因此，即使电阻ROP的设定电流值在宽的范围内变化，ID(M20)和ID(M21)的比也是固定的。由此，能够在宽的设定电流范围内使Δ的值小，能够使输出电压范围宽。此外，在图6所示的实施方式4所涉及的振荡电路1中，使用了共源共栅电流镜电路109，因此能够保持高的反馈电流精度。

另外，本发明在其发明的范围内能够变更各实施方式的自由组合或各实施方式的任意的结构要素，或者省略各实施方式的任意的结构要素。

附图标记说明

1：振荡电路

2：并联谐振电路

101：电流镜电路

102：设定部

103：OSC端子(第一端子)

104：OP端子(第二端子)

105：逻辑电路

106：励磁部(第一励磁部)

107：逻辑电路

108：励磁部(第二励磁部)

109：共源共栅电流镜电路

110：设定部

1061：电流源

1081：电流源