显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种具有提高的光效率的显示装置。

背景技术

可以将显示装置归类为自发光型显示装置或光接收型显示装置，在自发光型显示装置中，发光元件本身发射光，而光接收型显示装置控制所接收的光的透射。自发光型显示装置可以是例如有机发光显示装置。在有机发光显示装置的发光层中产生的光不仅可以在正面方向上发射，而且可以在横向方向上发射。光效率可以基于在正面方向上发射的光来确定。也就是说，在横向方向上发射的光可能导致光效率的降低。

发明内容

解决的技术问题

本发明提供一种具有提高的光效率的显示装置。

解决方法

根据本发明实施例的显示装置可以包括具有像素区域的显示面板，以及设置在显示面板上的输入感测传感器，其中输入感测传感器可以包括设置在显示面板上的第一导电层、设置在第一导电层上并且在与像素区域重叠的区域中具有第一开口的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上的第二导电层、设置在第二导电层上并具有限定在与像素区域重叠的区域中的第二开口的第二绝缘层、以及设置在所述第二绝缘层上并填充在第一开口和第二开口中第三绝缘层。

第一绝缘层可以具有第一折射率，第二绝缘层可以具有第二折射率，并且第三绝缘层可以具有高于第一折射率和第二折射率的第三折射率。

在平面上，第一开口的面积可以小于第二开口的面积。

在平面上，第一开口的面积可以等于或大于像素区域的面积。

在平面上，第一绝缘层的限定第一开口的侧表面可以被第二绝缘层的限定第二开口的侧表面围绕。

第一导电层可以包括连接部分，且第二导电层可以包括传感器部分。

传感器部分中的每一个可以具有网格形状，传感器部分可以具有限定在平面上的传感器开口，并且传感器开口可以与第一开口和第二开口重叠。

第一折射率和第二折射率各自可以是1.45至1.55，并且第三折射率可以是1.60至1.70。

显示面板可以包括基础层、设置在基础层上的电路层、设置在电路层上的发光层、以及设置在发光层上的封装层，并且输入感测传感器可以设置成与封装层直接接触。

输入感测传感器还可以包括与封装层直接接触的缓冲层，并且缓冲层可以设置在封装层和第一导电层之间。

根据本发明实施例的显示装置可以包括：显示面板，包括像素区域；第一绝缘层，设置在显示面板上，具有第一折射率，并且具有限定在与像素区域重叠的区域中的第一开口；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上，具有第二折射率，并且在与第一开口对应的区域中具有大于第一开口的第二开口；以及第三绝缘层，覆盖所述显示面板、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，并且具有高于所述第一折射率和所述第二折射率的第三折射率，并且在平面上，所述第三绝缘层可以与所述像素区域重叠。

还可以包括设置在显示面板和第一绝缘层之间的第一导电层，以及设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的第二导电层。

还可以包括设置在第一绝缘层和第二导电层之间并且具有低于第三折射率的折射率的第四绝缘层，其中在第四绝缘层中可以限定有大于第一开口并且小于第二开口的第三开口。

第一导电层可以包括连接部分，且第二导电层可以包括传感器部分。

传感器部分中的每一个可以具有网格形状，并且在平面上，传感器部分可以不与像素区域重叠。

传感器部分中的每一个可以具有网格形状，传感器部分可以具有限定在平面上的传感器开口，并且传感器开口可以与第一开口和第二开口重叠。

还可以包括设置在第二绝缘层和第三绝缘层之间并且具有低于第三折射率的折射率的第四绝缘层，其中在第四绝缘层中可以限定有大于第二开口的第三开口。

在平面上，第一绝缘层的限定第一开口的侧表面可以被第二绝缘层的限定第二开口的侧表面围绕。

第一折射率和第二折射率各自可以是1.45至1.55，并且第三折射率可以是1.60至1.70。

第三绝缘层可以填充在第一开口和第二开口中的每一个中。

有益效果

根据本发明的实施例，显示装置包括具有第一开口的第一绝缘层、具有第二开口的第二绝缘层、以及填充在第一开口和第二开口中的第三绝缘层。第三绝缘层的折射率可以高于第一绝缘层的折射率和第二绝缘层的折射率。从显示装置的发光元件发射的光可以在低折射率层和高折射率层之间的边界处被折射或全反射，并且因此可以具有改变的光路。通过改变的光路，可以提高显示装置的发光效率。此外，第一开口和第二开口限定在不同的绝缘层中。因此，即使当限定第一开口和第二开口中的每一个的侧壁部分与显示区域之间的距离减小时，也可以减小出现如下现象的可能性，即，第三绝缘层没有填充在第一开口和第二开口中的每一个中的现象。

附图说明

图1是根据本发明实施例的显示装置的立体图。

图2a至图2d是根据本发明实施例的显示装置的剖视图。

图3是根据本发明实施例的显示面板的平面图。

图4是根据本发明实施例的像素的等效电路图。

图5是示出根据本发明实施例的显示面板的一些组件的剖视图。

图6是根据本发明实施例的输入感测层的平面图。

图7是放大示出图6的区域AA的平面图。

图8是沿图6的区域I-I'截取的剖视图。

图9是沿图7的区域II-II'截取的剖视图。

图10a是将根据本发明的比较例的显示装置的一部分截取的剖视图。

图10b是放大图10a所示的区域XX的剖视图。

图11是根据本发明实施例的沿对应于图7的区域II-II'的区域截取的剖视图。

图12是根据本发明实施例的沿对应于图7的区域II-II'的区域截取的剖视图。

图13a至图13g是示出根据本发明实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图。

具体实施方式

在本公开中，当元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，这意味着该元件可以直接设置在另一元件上/直接连接到另一元件/直接联接到另一元件，或者第三元件可以设置在它们之间。

相同的附图标记表示相同的元件。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，夸大了元件的厚度、比率和尺寸。

术语“和/或”包括一个或多个相关组件可以定义的所有组合。

应当理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，第一元件可以被称为第二元件，且类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不脱离本发明的示例性实施例的范围。单数形式的术语可以包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。

此外，诸如“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等术语用于描述附图中所示的组件的关系。这些术语用作相对概念，并参照附图中所示的方向进行描述。

除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解，在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且在本文中明确地定义，除非它们以理想或过于正式的含义来解释。

应当理解，术语“包括”或“具有”旨在指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合在本公开中的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或添加。

在下文中，将参考附图描述本发明的示例性实施例。

图1是根据本发明实施例的显示装置的立体图。

参照图1，显示装置DD可以用在诸如电视机、监视器或外部广告板的大型电子装置中，并且还可以用在诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航系统单元、游戏机、便携式电子装置和照相机的小型和中型电子装置中。应当理解，这些仅仅是示例性实施例，并且在不脱离本发明的情况下，可以在其它电子装置中使用显示装置DD。

显示装置DD可以具有显示区域DA和非显示区域NDA。

在其上显示图像IM的显示区域DA平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。显示区域DA的法线方向，即，显示装置DD的厚度方向，由第三方向DR3表示。每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)由第三方向DR3区分。然而，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对概念，并且可以转换为不同的方向。在下文中，第一方向、第二方向和第三方向分别是由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的方向，并且被赋予相同的附图标记。

非显示区域NDA是与显示区域DA相邻的区域，并且是其中不显示图像IM的区域。显示装置DD的边框区域可以由非显示区域NDA限定。

非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。然而，本发明的实施例不限于此。显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状可以相关联地设计。

图2a至图2d是根据本发明实施例的显示装置DD的剖视图。图2a至图2d示出了由第二方向DR2和第三方向DR3限定的截面。图2a至图2d被简单地示出以描述构成显示装置DD的功能构件的堆叠关系。

根据本发明实施例的显示装置DD可以包括显示面板、输入感测传感器、抗反射器和窗。显示面板、输入感测传感器、抗反射器和窗中的至少一些组件可以在连续工艺中提供，或者其中至少一些组件可以通过粘合构件彼此粘接。在图2a至图2d中，光学透明粘合剂(OCA)构件被示例性地示出为粘合构件。下文所述的粘合构件可包括典型的粘合剂或压敏粘合剂。在本发明的实施例中，抗反射器和窗可以由其它组件代替，或者可以省略。

在图2a至图2d中，在输入感测传感器、抗反射器和窗之中，通过与另一组件的连续工艺提供的相应组件被表示为“层”。在输入感测传感器、抗反射器和窗之中，通过粘合构件粘接到另一组件的组件被表示为“面板”。面板包括基础层，该基础层提供了基础表面，例如，合成树脂膜、复合膜、玻璃基板等，但是“层”可以不包括基础层。换句话说，表示为“层”的单元设置在由另一单元提供的基础表面上。

在下文中，取决于基础层的存在，输入感测传感器、抗反射器和窗可以被称为输入感测面板ISP、抗反射面板RPP和窗面板WP，或者输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL。

如图2a所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL、抗反射面板RPP和窗面板WP。输入感测层ISL直接设置在显示面板DP上。在本公开中，“组件B直接设置在组件A上”意味着在组件A和组件B之间不设置单独的粘合层/粘合构件。在设置组件A之后，可以通过连续工艺将组件B设置在由组件A提供的基础表面上。

显示模块DM可以通过包括显示面板DP和直接设置在显示面板DP上的输入感测层ISL来限定。在显示模块DM和抗反射面板RPP之间以及在抗反射面板RPP和窗面板WP之间，设置光学透明粘合剂(OCA)构件。

显示面板DP生成图像，并且输入感测层ISL获得外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。尽管未单独示出，但是根据本发明实施例的显示模块DM还可以包括设置在显示面板DP的下表面上的保护构件。保护构件和显示面板DP可以通过粘合构件粘接。下文将描述的图2b至图2d的显示装置DD还可以包括保护构件。

根据本发明实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，但不特别限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。

抗反射面板RPP降低从窗面板WP的上侧入射的外部光的反射率。根据本发明实施例的抗反射面板RPP可以包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂覆型可以包括以预定排列排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可以包括保护膜。相位延迟器和偏振器本身或保护膜可以被定义为抗反射面板RPP的基础层。

根据本发明实施例的抗反射面板RPP可以包括滤色器。滤色器具有预定的排列。滤色器的排列可以考虑包括在显示面板DP中的像素的发光颜色来确定。抗反射面板RPP还可以包括与滤色器相邻的黑矩阵。

根据本发明实施例的抗反射面板RPP可以包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可以包括设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以被破坏性地干涉，且因此，外部光的反射率降低。

根据本发明实施例的窗面板WP包括基础层WP-BS和遮光图案WP-BZ。基础层WP-BS可以包括玻璃基板和/或合成树脂膜等。基础层WP-BS不限于单层。基础层WP-BS可包括两个或更多个通过粘合构件粘接的膜。

遮光图案WP-BZ与基础层WP-BS部分地重叠。遮光图案WP-BZ设置在基础层WP-BS的后表面上，并且遮光图案WP-BZ可以基本上限定显示装置DD的非显示区域NDA。没有设置遮光图案WP-VZ的区域可以限定显示装置DD的显示区域DA。当限于窗面板WP时，其中设置有遮光图案WP-BZ的区域被定义为窗面板WP的遮光区域，并且其中不设置有遮光图案WP-BZ的区域被定义为窗面板WP的透射区域。

遮光图案WP-BZ可以具有多层结构。多层结构可以包括有色的彩色层和黑色的遮光层。有色的彩色层和黑色的遮光层可以通过沉积、印刷、涂覆工艺来提供。尽管没有单独示出，窗面板WP还可以包括设置在基础层WP-BS的前表面上的功能性涂层。功能性涂层可以包括抗指纹层、抗反射层、硬涂层等。在下文中参考的图2b至图2d中，窗面板WP和窗层WL被简单地示出，而没有区分基础层WP-BS和遮光图案WP-BZ。

如图2b和图2c所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测面板ISP、抗反射面板RPP和窗面板WP。输入感测面板ISP和抗反射面板RPP的堆叠顺序发生变化。

如图2d所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL。与图2a所示的显示装置DD相比，省略了光学透明粘合构件OCA，并且在设置于显示面板DP的基础表面上，在连续工艺中设置了输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL。输入感测层ISL和抗反射层RPL的堆叠顺序发生变化。

图3是根据本发明实施例的显示面板的平面图。

参照图3，显示面板DP可以包括驱动电路GDC、多个信号线SGL(以下称为信号线)、多个信号焊盘DP-PD(以下称为信号焊盘)和多个像素PX(以下称为像素)。

显示区域DP-DA可以被定义为其中设置像素PX的区域。像素PX中的每一个包括有机发光二极管和与其连接的像素驱动电路。驱动电路GDC、信号线SGL、信号焊盘DP-PD和像素驱动电路可以包括在图5所示的电路层ML中。

驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。扫描驱动电路生成多个扫描信号(以下称为扫描信号)，并将扫描信号顺序地输出到稍后描述的多个扫描线SL(以下称为扫描线)。扫描驱动电路还可以将另一个控制信号输出到像素PX的驱动电路。

扫描驱动电路可以包括通过像素PX的驱动电路的相同工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)提供的多个薄膜晶体管。

信号线SGL包括扫描线SL、数据线DL、电源线PL、发光控制线ECL和控制信号线CSL。

扫描线SL中的每一个连接到像素PX中的相应像素PX，并且数据线DL中的每一个连接到像素PX中的相应像素PX。电源线PL连接到像素PX。发光控制线ECL中的每一个连接到像素PX中的相应像素PX。控制信号线CSL可以向扫描驱动电路提供控制信号。

信号线SGL与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA重叠。信号线SGL可以包括焊盘单元和线单元。线单元与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA重叠。焊盘单元设置在线单元的端部。焊盘单元设置在非显示区域DP-NDA中，并且与信号焊盘DP-PD中的相应信号焊盘重叠。在非显示区域DP-NDA中，可以将其中设置信号焊盘DP-PD的区域定义为焊盘区域DP-PA。可以将未示出的电路基板连接到焊盘区域DP-PA。

图4是根据本发明实施例的像素PX的等效电路图。图4示例性地示出了连接到第i扫描线SLi和第i发光控制线ECLi的像素PX。

像素PX可以包括有机发光二极管OLED和像素电路CC。像素电路CC可以包括多个晶体管T1至T7和电容器CP。像素电路CC根据数据信号控制在有机发光二极管OLED中流动的电流量。

有机发光二极管OLED可以根据从像素电路CC提供的电流量将光发射为预定亮度。为此，可以将第一电源ELVDD的电平设置为高于第二电源ELVSS的电平。

多个晶体管T1至T7中的每一个可以各自包括输入电极(或源电极)、输出电极(或漏电极)和控制电极(或栅电极)。在本公开中，为了方便起见，输入电极和输出电极中的任何一个可以被称为第一电极，并且其中另一个可以被称为第二电极。

第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5连接到第一电源ELVDD，并且第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。在本公开中，第一晶体管T1可以被称为驱动晶体管。

第一晶体管T1根据施加到第一晶体管T1的控制电极的电压控制在有机发光二极管OLED中流动的电流量。

第二晶体管T2连接在数据线DL和第一晶体管T1的第一电极之间。此外，第二晶体管T2的控制电极连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号被提供给第i扫描线SLi时，第二晶体管T2导通，并且将数据线DL和第一晶体管T1的第一电极电连接。

第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极和第一晶体管T1的控制电极之间。第三晶体管T3的控制电极连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号被提供给第i扫描线SLi时，第三晶体管T3导通，并且将第一晶体管T1的第二电极和第一晶体管T1的控制电极电连接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管的形式连接。

第四晶体管T4连接在节点ND和初始化电力产生单元(未示出)之间。此外，第四晶体管T4的控制电极连接到第i-1扫描线SLi-1。当第i-1扫描信号被提供给第i-1扫描线SLi-1时，第四晶体管T4导通，并向节点ND提供初始化电压Vint。

第五晶体管T5连接在电源线PL和第一晶体管T1的第一电极之间。第五晶体管T5的控制电极连接到第i发光控制线ECLi。

第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的第二电极和有机发光二极管OLED的阳极电极之间。此外，第六晶体管T6的控制电极连接到第i发光控制线ECLi。

第七晶体管T7连接在初始化电力产生单元(未示出)和有机发光二极管OLED的阳极电极之间。此外，第七晶体管T7的控制电极连接到第i+1扫描线SLi+1。当第i+1扫描信号被提供给第i+1扫描线SLi+1时，诸如上述的第七晶体管T7导通，并且将初始化电压Vint提供给有机发光二极管OLED的阳极电极。

第七晶体管T7可以提高像素PX表现黑色的能力。具体地，当第七晶体管T7导通时，有机发光二极管OLED的寄生电容器(未示出)放电。然后，当实现黑色亮度时，有机发光二极管OLED不会由于来自第一晶体管T1的漏电流而发光，且因此，可以提高表现黑色的能力。

此外，图4示出了第七晶体管T7的控制电极连接到第i+1扫描线SLi+1，但是本发明的实施例不限于此。在本发明的实施例中，第七晶体管T7的控制电极可以连接到第i扫描线SLi或第i-1扫描线SLi-1。

尽管图4示出了PMOS作为参考，但是本发明的实施例不限于此。在本发明的实施例中，像素电路CC可以由NMOS构成。在本发明的实施例中，像素电路CC可以由NMOS和PMOS的组合构成。

电容器CP设置在电源线PL和节点ND之间。电容器CP存储对应于数据信号的电压。当第五晶体管T5和第六晶体管T6导通时，可以根据存储在电容器CP中的电压来确定在第一晶体管T1中流动的电流量。

在本发明中，像素PX的等效电路不限于图4中所示的等效电路。在本发明的实施例中，像素PX可以以用于使有机发光二极管OLED发光的各种形式来实现。

图5是示出根据本发明实施例的显示面板的一些组件的剖视图。

参照图5，显示面板DP可以包括基础层BL、电路层ML、发光元件层EL和封装层TFE。电路层ML可以包括晶体管TR和多个绝缘层BFL、L1、L2、L3和L4。

绝缘层BFL可以设置在基础层BL上，并且晶体管TR可以设置在绝缘层BFL上。图5的晶体管TR可以是图4中所示的第一晶体管T1。晶体管TR可以包括半导体层ACL、控制电极GED、第一电极ED1和第二电极ED2。

半导体层ACL可以设置在绝缘层BFL上。绝缘层BFL可以是缓冲层，其向半导体层ACL提供修改的表面。在这种情况下，半导体层ACL可以对于绝缘层BFL具有比基础层BL更高的粘合力。此外，绝缘层BFL可以是保护半导体层ACL的下表面的阻挡层。在这种情况下，绝缘层BFL可以阻挡基础层BL本身或通过基础层BL引入到半导体层ACL中的污染物或湿气的渗透。替代地，绝缘层BFL可以是遮光层，其阻挡通过基础层BL入射的外部光入射到半导体层ACL上。在这种情况下，绝缘层BLF还可以包括遮光材料。

半导体层ACL可以包含多晶硅或非晶硅。除上述之外，半导体层ACL可以包括金属氧化物半导体。半导体层ACL可以包括用作电子或空穴可以在其中移动的路径的沟道区，以及中间夹置着沟道区而设置的第一离子掺杂区和第二离子掺杂区。

第一绝缘层L1设置在绝缘层BFL上，并且可以覆盖半导体层ACL。第一绝缘层L1可以包括无机材料。无机材料可以包括氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝中的至少一种。

在第一绝缘层L1上，可以设置控制电极GED。第二绝缘层L2设置在第一绝缘层L1上，并且可以覆盖控制电极GED。第二绝缘层L2可以包括无机材料。

在第二绝缘层L2上，可以设置第三绝缘层L3。在第三绝缘层L3上，可以设置第一电极ED1和第一电极ED2。第一电极ED1和第二电极ED2可以通过穿过第一绝缘层L1、第二绝缘层L2和第三绝缘层L3的通孔连接到半导体层ACL。

第四绝缘层L4设置在第三绝缘层L3上，并且可以覆盖第一电极ED1和第二电极ED2。第四绝缘层L4可以由单层或多层构成。例如，单层可以包括有机层。多层可以通过堆叠有机层和无机层来提供。第四绝缘层L4可以是向上部提供平坦表面的平面化层。

在第四绝缘层L4上，可以设置发光元件层EL和像素限定膜PDP。

发光元件层EL可以包括第一电极E1、发光层EM和第二电极E2。第一电极E1设置在第四绝缘层L4上，并且可以通过限定在第四绝缘层L4中的通孔电连接到第二电极ED2。发光元件层EL可以对应于参照图4描述的有机发光二极管OLED。

像素限定膜PDP可以设置在电路层ML上并限定像素区域PXA。像素限定膜PDP可以设置在第四绝缘层L4上，同时覆盖第一电极E1的至少一部分。第一电极E1的一部分可以不被像素限定膜PDP覆盖，并且该部分可以对应于像素区域PXA。

发光层EM可以设置在第一电极E1和第二电极E2之间。发光层EM可以具有包括由单一材料形成的单个层的单层结构、包括由多种不同材料形成的单个层的单层结构、或者包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。

发光层EM可以包括有机材料。有机材料不受特别限制，只要它是通常使用的材料即可。例如，发光层EM可以由发射红色、绿色或蓝色的材料中的至少一种材料构成，并且可以包括荧光材料或磷光材料。

第二电极E2可以设置在发光层EM和像素限定膜PDP上。第二电极E2可以接收第二电源ELVSS(参见图4)。

在第二电极E2上，设置封装层TFE。封装层TFE可以直接覆盖第二电极E2。在本发明的实施例中，在封装层TFE和第二电极E2之间，可以进一步设置覆盖第二电极E2的盖层。在这种情况下，封装层TFE可以直接覆盖盖层。盖层可以包括有机材料。盖层保护第二电极E2免受诸如溅射工艺的随后的工艺的影响，并提高发光元件层EL的发光效率。盖层可以具有比稍后将描述的第一无机层ECL1更大的折射率。

封装层TFE可以包括第一无机层ECL1和有机层ECL2和第二无机层ECL3。有机层ECL2可以设置在第一无机层ECL1和第二无机层ECL3之间。可以通过沉积无机材料来提供第一无机层ECL1和第二无机层ECL3，并且可以通过沉积、印刷或涂覆有机材料来提供有机层ECL2。

第一无机层ECL1和第二无机层ECL3保护发光元件层EL免受湿气和氧气的影响，并且有机层ECL2保护发光元件层EL免受诸如尘埃粒子的外来物质的影响。第一无机层ECL1和第二无机层ECL3可以包括氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝中的至少一种。有机层ECL2可以包括聚合物，例如，丙烯酸有机层。然而，这仅是示例性的，并且本发明的实施例不限于此。

图5示例性地示出了封装层TFE包括两个无机层和一个有机层，但是本发明的实施例不限于此。例如，封装层TFE可以包括三个无机层和两个有机层，并且在这种情况下，无机层和有机层可以具有交替堆叠的结构。

图6是根据本发明实施例的输入感测层的平面图。下文将描述的输入感测层ISL可以同等地适用于输入感测面板ISP(参见图2b)。

输入感测层ISL可以包括对应于图3所示的显示面板DP的显示区域DP-DA的感测区域IS-DA和对应于非显示区域DP-NDA的线区域IS-NDA。

输入感测层ISL可以包括第一感测电极EG1、第二感测电极EG2、电连接到第一感测电极EG1中的一些相应电极的第一信号线组SG1、电连接到第一感测电极EG1中的其它电极的第二信号线组SG2、以及电连接到第二感测电极EG2的第三信号线组SG3。

图6示例性地示出了第一信号线组SG1和第二信号线组SG2中间插置着感测区域IS-DA而设置。然而，在本发明的实施例中，第一信号线组SG1和第二信号线组SG2可以设置在感测区域IS-DA的同一侧上。此外，在本发明的实施例中，第一信号线组SG1和第二信号线组SG2中的每一个都可以以双路径结构连接到第一感测电极EG1。

第一感测电极EG1和第二感测电极EG2设置在感测区域IS-DA中。第一信号线组SG1、第二信号线组SG2和第三信号线组SG3位于线区域IS-NDA中。

在本实施例中，输入感测层ISL可以是以互电容方式感测外部输入的电容式触摸传感器。第一感测电极EG1和第二感测电极EG2中的任何一个接收检测信号，并且其中的另一个输出第一感测电极EG1和第二感测电极EG2之间的电容的变化量作为输出信号。

第一感测电极EG1中的每一个沿第二方向DR2延伸。多个第一感测电极EG1在第一方向DR1上间隔开地设置。第二感测电极EG2中的每一个沿第一方向DR1延伸。多个第二感测电极EG2在第二方向DR2上间隔开地设置。

第一感测电极EG1可以包括第一传感器部分SP1和第一连接部分CP1。多个第一传感器部分SP1沿第二方向DR2排列。第一连接部分CP1中的每一个可以连接第一传感器部分SP1中的两个相邻的第一传感器部分SP1。

第二感测电极EG2可以包括第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。多个第二传感器部分SP2沿第一方向DR1排列。第二连接部分CP2中的每一个可以连接第二传感器部分SP2中的两个相邻的第二传感器部分SP2。

第一信号线组SG1、第二信号线组SG2和第三信号线组SG3可以电连接到相应的信号焊盘IS-PD。在线区域IS-NDA中，其中设置信号焊盘IS-PD的区域可以被定义为焊盘区域IS-PA。未示出的电路基板可以连接到焊盘区域IS-PA。

图7是放大示出图6的区域AA的平面图。

示出了显示面板DP(参见图5)的第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G的排列关系。第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G被定义为与参照图5所述的像素区域PXA相同。

参照图6和图7，在本实施例中，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以具有不同的面积。第一像素区域PXA-R可以具有第一面积、第二像素区域PXA-B可以具有第二面积、并且第三像素区域PXA-G可以具有第三面积。第二面积可以大于第一面积，并且第一面积可以大于第三面积。

参照图3描述的多个像素PX可以包括产生红光的红色像素、产生蓝光的蓝色像素和产生绿光的绿色像素。在本实施例中，第一像素区域PXA-R可以对应于红色像素，第二像素区域PXA-B可以对应于蓝色像素，并且第三像素区域PXA-G可以对应于绿色像素。

第一像素区域PXA-R和第二像素区域PXA-B可以沿第一方向DR1和第二方向DR2交替地排列。设置为多个的第三像素区域PXA-G可以沿第一方向DR1和第二方向DR2排列。第一像素区域PXA-R和第三像素区域PXA-G可以沿第四方向DR4交替地排列。第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以沿第四方向DR4交替地排列。第四方向DR4是与第一方向DR1和第二方向DR2相交的方向，并且可以被称为对角线方向。

图7示出了其中第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G以PenTile形状排列的示例，但是本发明不限于此。例如，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以以条带形状排列。条带形状可以意味着第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G沿第二方向DR2交替排列，并且相同的像素区域排列在第一方向DR1上。

第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的每一个可以具有网格形状。在第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的每一个上，可以限定多个传感器开口OP-MR、OP-MG和OP-MB。因此，在平面上，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以不与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G重叠。例如，在对应于第一像素区域PXA-R的区域中，可以限定第一传感器开口OP-MR，在对应于第二像素区域PXA-B的区域中，可以限定第二传感器开口OP-MB，并且在对应于第三像素区域PXA-G的区域中，可以限定第三传感器开口OP-MG。

图8是沿图6的区域I-I'截取的剖视图。图9是沿图7的区域II-II'截取的剖视图。

参照图7、图8和图9，输入感测层ISL可以包括缓冲层BFL-1、第一导电层CL1、第二导电层CL2、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3。

缓冲层BFL-1可以设置在封装层TFE上。缓冲层BFL-1可以包括无机材料。例如，无机材料可以是氮化硅。缓冲层BFL-1的厚度可以是2000埃。然而，这仅是示例性的。缓冲层BFL-1的材料和厚度不限于此。此外，在本发明的实施例中，可以省略缓冲层BFL-1。

在缓冲层BFL-1上，可以设置第一导电层CL1。第一导电层CL1可以包括第一连接部分CP1。

在第一导电层CL1上，可以设置第一绝缘层IL1。第一绝缘层IL1的厚度可以是1.5微米至3微米，但是本发明的实施例不限于此。

第一绝缘层IL1具有第一折射率，并且可以包括有机材料。有机材料可包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂或二萘嵌苯基树脂中的至少任何一种。然而，这仅是示例性的，并且有机材料不限于上述示例。

在第一绝缘层IL1的与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G重叠的区域中，可以限定多个第一开口。图9示出了一个第一开口OP1-R。第一开口OP1-R可以限定在对应于第一像素区域PXA-R的区域中。例如，在平面上，第一开口OP1-R可以与第一像素区域PXA-R重叠。在平面上，第一开口OP1-R的面积可以与第一像素区域PXA-R的面积相同，或者可以大于第一像素区域PXA-R的面积。在本公开中，将开口的附图标记的一些指示线示出为指示限定开口的组件的侧表面。

在第一绝缘层IL1上，可以设置第二导电层CL2。第二导电层CL2可以包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。

在第一传感器部分SP1中，彼此相邻的两个第一传感器部分SP1可以连接到一个第一连接部分CP1。两个第一传感器部分SP1可以通过限定在第一绝缘层IL1上的通孔HL-I连接到第一连接部分CP1。

在本发明的实施例中，第一导电层CL1可以包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2，并且第二导电层CL2可以包括第一连接部分CP1。

在第二导电层CL2上，可以设置第二绝缘层IL2。第二绝缘层IL2可以具有第二折射率。第二绝缘层IL2可以包括有机材料。

在第二绝缘层IL2中，在对应于多个第一开口的区域中，可以限定多个第二开口。图9示出了一个第二开口OP2-R。第二开口OP2-R可以限定在对应于第一像素区域PXA-R的区域中。

第一开口OP1-R的最大宽度WT1可以小于第二开口OP2-R的最大宽度WT2。在平面上，第一开口OP1-R的面积可以小于第二开口OP2-R的面积。因此，在平面上，第一绝缘层IL1的限定第一开口OP1-R的侧表面可以被第二绝缘层IL2的限定第二开口OP2-R的侧表面围绕。

参照图7，示出了第一开口OP1-B、第二开口OP2-B、第一开口OP1-G和第二开口OP2-G。第一开口OP1-B和第一开口OP1-G是限定在第一绝缘层IL1中的开口，第二开口OP2-B和第二开口OP2-G是限定在第二绝缘层IL2中的开口。第一开口OP1-B和第二开口OP2-B可以限定在对应于第二像素区域PXA-B的区域中，并且第一开口OP1-G和第二开口OP2-G可以限定在对应于第三像素区域PXA-G的区域中。

第一开口OP1-B和第一开口OP1-G可对应于参照图9描述的第一开口OP1-R，并且第二开口OP2-B和第二开口OP2-G可对应于参照图9描述的第二开口OP2-R。因此，将省略其详细描述。

在第二绝缘层IL2上，可以设置第三绝缘层IL3。第三绝缘层IL3可以具有第三折射率。第三折射率可以是高于第一折射率和第二折射率的值。例如，第一折射率和第二折射率可以是1.45至1.55。第三折射率可以是1.65至1.70。第三折射率和第一折射率之间的差，以及第三折射率和第二折射率之间的差可以是0.1或更大。第一折射率、第二折射率和第三折射率的范围是示例性提出的。因此，只要第三折射率高于第一折射率和第二折射率，第一折射率、第二折射率和第三折射率的范围则不限于上述示例。

第三绝缘层IL3可以填充第一开口OP1-R和第二开口OP2-R。此外，第三绝缘层IL3可以提供平坦的上表面。

从发光元件层EL提供的光不仅可以在正面方向(例如，第三方向DR3)上发射，而且可以在横向方向上发射。光效率可以基于沿正面方向发射的光来确定。根据本发明的实施例，在横向方向上发射的光LT1和LT2可以在第一绝缘层IL1和第三绝缘层IL3之间的边界处或者在第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3之间的边界处被全反射。因此，光LT1和LT2的光路可以改变为第三方向DR3或接近第三方向DR3的方向。结果，可以提高显示装置DD(参见图1)的光效率。

图10a是将根据本发明的比较例的显示装置的一部分截取的剖视图。图10b是放大图10a所示的区域XX的剖视图。

参照图10a和图10b，根据本发明比较例的输入感测层ISLc可以包括缓冲层BFL-1、设置在缓冲层BFL-1上的第一导电层(未示出)、设置在第一导电层上的第一绝缘层IL1c、设置在第一绝缘层IL1c上的第二导电层CL2c、设置在第二导电层CL2c上的第二绝缘层IL2c，以及设置在第二绝缘层IL2c上的第三绝缘层IL3c。

第一绝缘层IL1c可以包括无机材料。例如，无机材料可以是氮化硅。第一绝缘层IL1c的厚度可以是3000埃。

第二绝缘层IL2c和第三绝缘层IL3c包括有机材料，并且第三绝缘层IL3c的折射率可以高于第二绝缘层IL2c的折射率。

第二绝缘层IL2c可以具有第一开口OP1-C和围绕第一开口OP1-C的第二开口OP2-C。第二开口OP2-C可以由第一侧壁SWa和第二侧壁SWb限定。第一侧壁SWa可以是比第二侧壁SWb更靠近第一开口OP1-C的侧壁。

从显示面板DP提供的一些光可以在第二侧壁SWb处被全反射，并且因此可以具有改变的光路，从而可以提高光效率。第二侧壁SWb离第一像素区域PXA-R越近，发光效率越好。也就是说，为了提高发光效率，第一侧壁SWa和第二侧壁SWb之间应该具有短距离WTDc，这可能导致工艺失效。在图10b中示出了发生工艺失效的位置的剖视图。

参考图10b，由于没有适当地设置第一侧壁SWa和第二侧壁SWb，因此在对应于第二开口OP2-C的区域中可能产生未填充第三绝缘层IL3c的失效区域EAR。在失效区域EAR中，折射率没有差异。因此，在横向方向上发射的光的光路未被控制，从而可能降低光效率。

然而，根据图9所示的本发明的实施例，第一开口OP1和第二开口OP2限定在不同的绝缘层中，例如，限定在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中。因此，即使当限定第一开口OP1-R的第一侧壁SW1和限定第二开口OP2-R的第二侧壁SW2之间的距离WTD减小时，也可能不会出现第二侧壁SW2没有适当设置的现象。

图11是根据本发明实施例的沿对应于图7的区域II-II'的区域截取的剖视图。在描述图11时，与图9中基本相同的组件由相同的附图标记表示，并且省略了对其的描述。

参照图11，输入感测层ISLa还可以包括第四绝缘层IL4。第四绝缘层IL4可以设置在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2之间。例如，第四绝缘层IL4可以设置在第一绝缘层IL1和第二导电层CL2之间(参见图9)。在这种情况下，通孔HL-I(参见图8)可以限定在第一绝缘层IL1和第四绝缘层IL4上。在本发明的实施例中，第四绝缘层IL4可以设置在第二导电层CL2和第二绝缘层IL2之间。也就是说，第四绝缘层IL4可以覆盖第二导电层CL2。

在第四绝缘层IL4上，可以限定第三开口OP3。在平面上，第三开口OP3可以与第一像素区域PXA-R重叠。第三开口OP3可以大于第一开口OP1，并且可以小于第二开口OP2。因此，在截面上，限定第一开口OP1、第三开口OP3和第二开口OP2的第一绝缘层IL1的侧壁、第四绝缘层IL4的侧壁和第二绝缘层IL2的侧壁以及与上述侧壁相邻的一些上表面可以具有台阶形状。

第三绝缘层IL3可以填充在第三开口OP3中。第四绝缘层IL4可以具有比第三绝缘层IL3的第三折射率低的第四折射率。在横向方向上从显示面板DP发射的光可以在第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4之间的边界处被全反射。因此，全反射光的光路可以改变为第三方向DR3或接近第三方向DR3的方向。结果，可以提高显示装置DD(参见图1)的光效率。

图12是根据本发明实施例的沿对应于图7的区域II-II'的区域截取的剖视图。在图12的描述中，与图9中基本相同的组件由相同的附图标记表示，并且省略了对其的描述。

参照图12，输入感测层ISLb还可以包括第四绝缘层IL4-1。第四绝缘层IL4-1可以设置在第二绝缘层IL2上。此外，第四绝缘层IL4-1可以被第三绝缘层IL3覆盖。

在第四绝缘层IL4-1上，可以限定第三开口OP3-1。在平面上，第三开口OP3-1可以与第一像素区域PXA-R重叠。第三开口OP3-1可以大于第一开口OP1和第二开口OP2。

第三绝缘层IL3可以填充在第三开口OP3-1中。第四绝缘层IL4-1可以具有比第三绝缘层IL3的第三折射率低的第四折射率。在横向方向上从显示面板DP发射的光可以在第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4-1之间的边界处被全反射。

图13a至图13g是示出根据本发明实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图。

参考图13a，提供包括多个像素区域PXA1、PXA2和PXA3的显示面板DP。

提供显示面板DP的步骤可以包括以下步骤：提供基础层BL；在基础层BL上提供电路层ML；在电路层ML上提供发光元件层EL；以及在发光元件层EL上提供封装层TFE。

多个像素区域PXA1、PXA2和PXA3中的每一个可对应于参考图7描述的第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G中的每一个。

参照图13b，在显示面板DP上提供缓冲层BFL-1。在缓冲层BFL-1上提供第一导电层CL1。

在第一导电层CL1上，提供第一预备层PRL1。第一预备层PRL1可以是光刻胶层。第一预备层PRL1可以是负光刻胶层或正光刻胶层。参考图13b，将描述其中第一预备层PRL1是负光刻胶层的示例。

在第一预备层PRL1上，设置掩模MK。掩模MK可以是包括透射部分和遮光部分的二元掩模。在设置了掩模MK之后，照射光。当光敏化的第一预备层PRL1显影时，第一预备层PRL1的未被光照射的部分可以被去除。

参照图13c，第一预备层PRL1可被图案化以提供第一绝缘层IL1。在第一绝缘层IL1上，可以提供第一开口OP1和通孔HL-I。第一开口OP1可对应于图7所示的第一开口OP1-R、OP1-G和OP1-B。

参照图13d，在第一绝缘层IL1上提供第二导电层CL2。

参考图13e，在第二导电层CL2上，提供第二预备层PRL2。第二预备层PRL2可以是光刻胶层。

参考图13f，第二预备层PRL2可以被图案化以提供第二绝缘层IL2。在第二绝缘层IL2上，可以提供第二开口OP2。第二开口OP2可对应于图7所示的第二开口OP2-R、OP2-G和OP2-B。

参照图13g，在第二绝缘层IL2上提供第三绝缘层IL3。第三绝缘层IL3的折射率可以高于第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2的折射率。第三绝缘层IL3可以填充在第一开口OP1和第二开口OP2中。

尽管已经参考本发明的优选实施例描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种修改和改变。因此，本发明的技术范围不旨在限于在本公开的详细描述中阐述的内容，而是旨在由所附权利要求来限定。

工业实用性

提高显示装置的光效率的本发明在工业上高度适用。