具有改良的接合层保护的基板支撑载体

技术领域

本公开内容的实施例总体涉及一种用于基板工艺腔室的具有受保护的接合层的基板支撑基座。

背景技术

基板支撑基座被广泛用于在基板处理期间在半导体处理系统内支撑基板。基板支撑基座通常包括以接合层(bond layer)接合到冷却基部的静电吸盘。静电吸盘通常包括一个或多个嵌入式电极，在处理期间，所述一个或多个嵌入式电极被驱动到一电位以将基板固持抵靠静电吸盘。冷却基部通常包括一个或多个冷却通道，并有助于在处理期间控制基板的温度。此外，静电吸盘可包括一个或多个气流通道，其允许气体在静电吸盘和基板之间流动以在工艺期间辅助控制基板的温度。气体填充静电吸盘与基板之间的区域，从而提高基板与基板支撑件之间的传热速率。然而，当不存在基板时，气流通道也为工艺气体提供路径，使工艺气体流入接合层所在的位于静电吸盘与冷却基部之间的区域。因此，接合层被工艺气体侵蚀。

至少由于两个原因，接合层的侵蚀是有问题的。首先，从接合层侵蚀的材料是一种工艺污染物，其会产生缺陷并降低产品产量。其次，当接合层被侵蚀时，静电吸盘与冷却基部之间的局部速率传热发生变化，从而在基板上产生不必要的温度不均匀性并导致工艺漂移(process drift)。

因此，需要改良的基板支撑基座。

发明内容

在一个实例中，静电吸盘具有主体，所述主体包括顶表面、腔、气流通道和多孔塞(porous plug)。气流通道形成在顶表面与腔之间。多孔塞定位于腔内。密封构件邻近所述多孔塞定位，且所述密封构件经配置形成以下各者中的一个或多个：所述多孔塞与所述腔之间的径向密封以及所述多孔塞与冷却基部之间的轴向密封，所述冷却基部与所述静电吸盘接合。

在一个实例中，提供了一种基板支撑基座，所述基板支撑基座包括静电吸盘、冷却基部、气流通道、多孔塞和密封构件。所述静电吸盘具有包括腔的主体。冷却基部经由接合层耦接到静电吸盘。气流通道形成在静电吸盘的顶表面与冷却基部的底表面之间。气流通道进一步包括腔。多孔塞定位于腔内。所述密封构件邻近所述多孔塞定位，且所述密封构件经配置形成以下各者中的一个或多个：所述多孔塞与所述腔之间的径向密封以及所述多孔塞与所述冷却基部之间的轴向密封。

在一个实例中，工艺腔室包括腔室主体、静电吸盘、冷却基部、气流通道、多孔塞和密封构件。腔室主体具有处理空间。静电吸盘设置在处理空间中，且具有经配置在处理期间支撑基板的顶表面。静电吸盘进一步包括底表面和腔。冷却基部经由接合层耦接到静电吸盘。气流通道形成在静电吸盘的顶表面与冷却基部的底表面之间。此外，气流通道穿过腔。多孔塞定位于腔内。所述密封构件邻近所述多孔塞定位，且所述密封构件经配置形成以下各者中的一个或多个：所述多孔塞与所述腔之间的径向密封以及所述多孔塞与所述冷却基部之间的轴向密封。

附图说明

本公开内容的特征已简要概述于前，并在以下有更详尽的讨论，可以通过参考附图中示出的本公开内容的实施例以作了解。然而，应注意的是，附图仅描绘本公开内容的实施例，且因此不应认为是对其范围的限制，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施例。

图1描绘根据一个或多个实施例的具有基板支撑基座的工艺腔室的示意图。

图2描绘根据一个或多个实施例的基板支撑基座的局部截面图。

图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9是根据一个或多个实施例的基板支撑基座的局部截面图。

为便于理解，在可能的情况下，已使用相同的参考标号代表附图中共有的元件。

具体实施方式

本公开内容中所讨论的系统和方法采用具有冷却基部和静电吸盘的基板支撑基座，所述冷却基部和所述静电吸盘经由接合层接合在一起。多孔塞定位于气流通道中，所述气流通道形成在冷却基部和静电吸盘中。多孔塞的限制保护接合层免受基板处理期间使用的工艺气体的影响。有利地，以下实施例讨论用于将多孔塞固定在气流通道内以通过利用径向密封来防止接合层降解(degradation)的改良技术，所述径向密封实质防止气体在多孔塞的周围流动。

图1描绘了根据一个或多个实施例的工艺腔室100的示意图。工艺腔室100包括至少一个感应线圈天线段112A和导电线圈天线段112B，它们都定位于介电顶板120的外部。感应线圈天线段112A和导电线圈天线段112B分别耦接到产生RF信号的射频(RF)源118。RF源118通过匹配网路119耦接到感应线圈天线段112A以及耦接到导电线圈天线段112B。工艺腔室100也包括基板支撑基座116，所述基板支撑基座116耦接到产生RF信号的RF源122。RF源122通过匹配网路124耦接到基板支撑基座116。工艺腔室100也包括腔室壁130，所述腔室壁130是导电的且连接到电接地134。

控制器140包括中央处理单元(CPU)144、存储器142和支持电路146。控制器140耦接到工艺腔室100的各种部件，以利于对基板处理工艺的控制。

在操作中，将半导体基板114放置在基板支撑基座116上，并且将气态成分从气体面板138通过入口端口126供应至工艺腔室100，以在工艺腔室100的处理空间150中形成气态混合物。通过将来自RF源118、122的RF功率分别施加到感应线圈天线段112A、导电线圈天线段112B以及施加到基板支撑基座116，使处理空间150中的气态混合物点燃(ignite)成等离子体。此外，化学反应离子从等离子体中释放出来并撞击(strike)基板；从而从基板的表面去除暴露的材料。

使用位于工艺腔室100与真空泵136之间的节流阀127控制工艺腔室100内部的压力。使用位于工艺腔室100的腔室壁130中的含液体的导管(未示出)来控制腔室壁130的表面处的温度。

基板支撑基座116包括设置在冷却基部104上的静电吸盘102。基板支撑基座116通常由耦接到冷却基部104的轴107而被支撑在工艺腔室100的底部上方。基板支撑基座116紧固于轴107，使得基板支撑基座116可以从轴107上移除、整修(refurbished)并重新紧固于轴107。轴107密封至(sealed to)冷却基部104，以将设置在其中的各种导管和电导线与工艺腔室100内的工艺环境隔离。或者，静电吸盘102和冷却基部104可设置在附接到接地板或机架(chassis)的绝缘板上。此外，接地板可附接到一个或多个腔室壁130。

通过稳定静电吸盘102的温度来控制半导体基板114的温度。例如，可通过气体源148将背侧气体(如氦或其他气体)提供到气室，气室被界定在半导体基板114与静电吸盘102的支撑表面106之间。背侧气体用于促进半导体基板114和基板支撑基座116之间的热传递，以在处理期间控制基板114的温度。静电吸盘102可包括一个或多个加热器。例如，加热器可以是电加热器或类似物。

图2描绘了根据一个或多个实施例的图1中所示的基板支撑基座116的一部分的垂直截面图。如上所讨论的，基板支撑基座116具有固定至静电吸盘102的冷却基部104。在图2所示的实例中，冷却基部104通过接合层204固定到静电吸盘102。

接合层204包括一种或多种材料，诸如丙烯酸或硅基粘合剂、环氧树脂、氯丁橡胶基接合剂、光学透明粘合剂(诸如透明丙烯酸粘合剂)或其他合适的粘合材料。

冷却基部104通常由金属材料制成，诸如不锈钢、铝、铝合金以及其他合适的材料。此外，冷却基部104包括设置在其中的一个或多个冷却通道212，一个或多个冷却通道212使传热流体循环以维持对基板支撑基座116和基板114的热控制。

静电吸盘102的形状通常是圆形的，但是可替代地可以包括其他几何形状以容纳非圆形基板。例如，当用于处理显示器玻璃(诸如用于平板显示器的玻璃)时，静电吸盘102可包括正方形或矩形基板。静电吸盘102通常包括主体206，主体206包括一个或多个电极208。电极208由导电材料(诸如铜、石墨、钨、钼等等)组成。电极结构的各种实施例包括但不限于一对共面D形电极、共面叉指(interdigital)电极、多个同轴环形电极、单数、圆形电极或其他结构。电极208通过设置在基板支撑基座116中的馈通(feed through)209耦接到电源供应125。电源供应125可用正或负电压驱动电极208。例如，电源供应125可用约-1000伏特的电压或约2500伏特的电压驱动电极208。或者，可利用其他负电压或其他正电压。

静电吸盘102的主体206可由陶瓷材料制成。例如，静电吸盘102的主体206可由低电阻率的陶瓷材料(即，具有在约1xE

主体206的支撑表面106包括由密封环(未示出)往内设置的多个台面(mesa)216，且多个台面216形成在支撑表面106上。密封环由与主体206相同的材料构成，但也可由其他介电材料构成。台面216通常由介电常数在约5至约10范围内的一层或多层电绝缘材料形成。这种绝缘材料的实例包括但不限于氮化硅、二氧化硅、氧化铝、五氧化钽、聚酰亚胺等等。或者，台面216可由与主体206相同的材料形成，且接着涂覆有高电阻率的介电膜。

在操作期间，通过驱动电极208所产生的电场通过夹持力(clamping force)将基板114固持在支撑表面106上。在每个台面216处，夹持力最大。此外，可调整台面216的位置和/或尺寸以在整个基板的背侧上实现均匀的电荷分布。

通过气体源148将背侧气体(例如氦、氮或氩)引入气室280，以在基板114被静电吸盘102固持时，帮助控制跨基板114的温度。气室280被界定在静电吸盘102的支撑表面106与基板114之间。此外，气室280内的背侧气体在静电吸盘102与基板114之间提供传热介质。通常通过一个或多个气流通道270将背侧气体提供到气室280，所述一个或多个气流通道270穿过主体206和冷却基部104形成。此外，每个气流通道270终止于穿过主体206的支撑表面106形成的相应的开口210。

气流通道270从主体206的支撑表面106延伸到冷却基部104的底表面284。气流通道270包括静电吸盘102中的开口210、冷却基部104中的开口209以及在静电吸盘102的主体206中形成的腔211。腔211可具有截面(诸如直径)，所述截面大于开口210和开口209中的至少一者的截面。开口209的直径可大于、小于或等于开口210的直径。此外，虽然在图2中示出了单个气流通道270，但基板支撑基座116可包括多个气流通道。

气流通道270耦接到气体源148。另外，每个气流通道270可通过单个端口272耦接到气体源148。或者，每个气流通道270可通过单独的端口272个别地耦接到气体源148。

多孔塞244通常设置在气流通道270内(在腔211内)，使得它形成了气流通道270的一部分。多孔塞244为加压气体提供路径，以在不同电位的两个表面之间流动。例如，多孔塞244为加压气体提供路径，以在静电吸盘102的第一表面与第二表面之间以及在静电吸盘102的第一表面与冷却基部104的第一表面之间流动。此外，多孔塞244包括多个小的通路(passage way)，与不包括多孔塞244的设计相比，其减少了等离子体在静电吸盘102与冷却基部104之间的间隙204A中点燃的可能性。多孔塞244通常由陶瓷材料(诸如氧化铝或氮化铝)构成。或者，多孔塞244可由其他多孔材料构成。此外，多孔塞244可具有约30％至约80％的孔隙率。或者，多孔塞可具有小于30％或大于80％的孔隙率。另外，多孔塞244邻接阶部250，阶部250界定腔211顶部。

多孔塞244具有t形(t-shape)。与其他形状的多孔塞相比，t形的多孔塞提供增加的气流，并且更容易安装到腔211中。多孔塞244可包括头部251和轴252。头部251具有直径253，并且轴252具有直径254。此外，直径253大于直径254。另外，头部包括与轴252相接(meet)的底表面255。头部251进一步包括面向腔211的侧壁205的表面256。此外，轴252包括面向腔211的侧壁205的表面257。在各种实施例中，可使用各种技术(诸如压入配合、滑动配合、间隙配合、钉扎(pinning)和接合等)将多孔塞244定位在腔211内。例如，多孔塞244可定位在腔内，使得头部251的表面256与侧壁205接触，或者使得头部251的表面256与侧壁205之间存在间隙。

密封构件245与多孔塞244相邻设置。密封构件245在多孔塞244的表面257与腔211的侧壁205之间形成密封。密封构件245可形成以下各者中的至少一个：在多孔塞244与腔211之间的径向密封以及在多孔塞244与冷却基部104之间的轴向密封。此外，密封构件245可将多孔塞244固定在腔211内。例如，密封构件245可使用各种技术(诸如，压入配合、钉扎和接合等)耦接到多孔塞244和腔211的侧壁205中的至少一个。密封构件245可将多孔塞244机械地固定于腔211的侧壁205。

密封构件245可由弹性聚合材料(例如弹性体)构成。此外，密封构件245可由含氟弹性体材料(例如FKM)、全氟弹性体材料(例如FFKM)和高纯度陶瓷中的一者或多者组成。高纯度陶瓷的纯度可大于99％，并且可以是陶瓷糊或悬浮在溶液中的固体。另外，密封构件245可由对工艺气体具有耐蚀性的材料构成。例如，在工艺气体存在的情况下，耐侵蚀材料不会侵蚀。或者或甚者，选择密封构件245的材料，使得所述材料并不穿透(penetrate)多孔塞244。密封构件245可以是O形环、圆柱形垫片或其他环形密封件。或者，密封构件245可由以液体、糊剂和/或凝胶中的一种应用并且将状态改变成实质固体或凝胶形式的材料形成。此外，密封构件245可由实质非粘性的材料构成。

接合层204将主体206固定于冷却基部104。此外，间隙204A在接合层204中形成并且是气流通道270的部分。由于通常构成接合层204的材料或多种材料在基板处理期间所使用的工艺气体的存在下容易受到侵蚀，因此已探索了各种保护接合层204免受工艺气体影响的方法。有利地，通过采用对工艺气体具有高度抗侵蚀性的密封构件(例如，密封构件245)，可防止工艺气体穿过多孔塞244。因此，增加了接合层204的使用寿命。此外，也增加了基板支撑基座116的使用寿命。

图3是根据一个或多个实施例的基板支撑基座116的一部分201的示意性截面图。如上所述，多孔塞244具有头部251和轴252，形成了多孔塞244的t形。t形多孔塞可提供比其他形状的多孔塞更好的气流，并且可以比其他形状的多孔塞更容易安装到腔211中。此外，多孔塞244防止背侧气体流入静电吸盘102与冷却基部104之间的间隙中，并且防止不利地影响(例如，侵蚀)接合层204。

多孔塞244可从腔211的第一端302延伸到腔211的第二端304。例如，多孔塞244的表面306可接触腔的表面309，并且多孔塞244的表面308与静电吸盘102的表面307可以是共面的，使得表面308确实延伸到静电吸盘102与冷却基部104之间的间隙305中。或者，表面308可延伸到静电吸盘102与冷却基部104之间的间隙305中。此外，表面308可以在表面309与表面307之间。

如以上关于图2所述，多孔塞244的直径253大于开口210的直径332。此外，多孔塞244与开口210是同心的。或者或甚者，多孔塞244与开口209是同心的。

腔211包括倒角(chamfered)边缘310，倒角边缘310在侧壁205与静电吸盘102的底表面307相交的地方形成。此外，多孔塞244可具有倒角边缘，其中表面306在所述倒角边缘处与表面256相交。腔211的倒角边缘310和多孔塞244的倒角边缘320有助于将多孔塞244插入腔211中。此外，倒角边缘310减少了当将密封构件245插入多孔塞244周围的腔中时或者密封构件245在基板处理期间膨胀时可能对密封构件245造成的可能的损坏。

密封构件245与多孔塞244相邻。密封构件245在多孔塞244与腔211之间形成径向密封。例如，密封构件245可接触多孔塞244的表面257和腔211的侧壁205，从而防止工艺气体沿着多孔塞244的侧面流动。此外，密封构件245可将多孔塞244固定在腔211内。例如，密封构件245可在腔211的侧壁205和多孔塞244的表面257上施加力，使得多孔塞244被固持在腔211内。另外，密封构件245包括表面356和357。表面356和357中的一个或多个可具有实质弯曲的形状。实质弯曲的形状可以是凸的或凹的。此外，表面356和357中的一个或多个可以具有实质平坦的形状。

密封构件245可完全处于(reside)腔211内，或密封构件245可至少部分地延伸到静电吸盘102与冷却基部104之间的间隙305中。此外，可调整密封构件245的尺寸使得密封构件245不超过在多孔塞244的表面255、轴252的表面257、静电吸盘102的表面307和腔211的侧壁205之间界定的腔211的开口。或者或甚者，接合层204可延伸到间隙305中，从而使得接合层204至少部分地接触密封构件245。

图4是具有不同的密封构件445的基板支撑基座116的部分201的示意性截面图。与图3的密封构件245相比，图4的密封构件445在轴252的表面257与腔211的侧壁205之间形成径向密封，并且在多孔塞244的表面255与冷却基部104的表面404之间形成轴向密封。例如，密封构件245可接触多孔塞244的表面257和表面255、腔211的侧壁205及冷却基部104的表面404。密封构件445经定位成与多孔塞244相邻。例如，密封构件445定位于多孔塞244与腔211的侧壁之间。此外，密封构件定位于多孔塞244与冷却基部104之间。另外，密封构件445可形成为类似于密封构件245的密封构件。例如，密封构件445可以是O形环、圆柱形垫片或其他环形密封件。此外，密封构件245可由在如上所述的关于密封构件245的基板处理期间使用的工艺气体的存在下具有抗侵蚀性的材料形成。另外，密封构件445包括表面456和457。表面456和457中的一个或多个可具有实质弯曲的形状。实质弯曲的形状可以是凸的或凹的。此外，表面456和457中的一个或多个可具有实质平坦的形状。此外，接合层204可至少部分地接触密封构件445。

图5是基板支撑基座116的部分201的示意性横截面，其具有不同的密封构件545和多孔塞544。多孔塞544经配置类似于图2和图3的多孔塞244，然而，所述多孔塞544不是包括t形，而是包括圆柱形。密封构件545经定位成与多孔塞544相邻。例如，密封构件545定位于多孔塞544与腔211的侧壁之间。此外，密封构件可定位于腔211的表面309与冷却基部104之间。多孔塞544具有直径530、顶表面506、底表面508和表面550。顶表面506接触腔211的表面309。此外，表面508可凹入腔211内，与静电吸盘102的表面307共面，或者延伸到在静电吸盘的表面307与冷却基部104的表面404之间形成的间隙305中。多孔塞544的直径530大于开口210的直径532。

密封构件545可形成为类似于密封构件245的密封构件。例如，密封构件545可以是O形环、圆柱形垫片或其他环形密封件。此外，密封构件545可以由在如上所述的关于密封构件245所描述的基板处理期间使用的工艺气体的存在下具有抗侵蚀性的材料形成。密封构件545在多孔塞544的表面550与腔211的侧壁205之间形成径向密封。例如，密封构件545接触多孔塞544的表面550和腔211的侧壁205，如图4所示的密封构件445。另外，密封构件545可在腔211的表面309与冷却基部104的表面404之间形成轴向密封。例如，密封构件545可接触腔211的表面309并且接触冷却基部104的表面404。密封构件545包括表面556和557。表面556和557中的一个或多个可具有实质弯曲的形状。实质弯曲的形状可以是凸的或凹的。表面556和557中的一个或多个可具有实质平坦的形状。此外，接合层204可突出(protrude)到间隙305中，使得接合层204至少部分地接触密封构件545。

图6是根据一个或多个实施例的具有不同的密封构件645的基板支撑基座116的部分201的示意性截面图。与图3的密封构件245相比，图6的密封构件645由以液体、糊剂或凝胶形式应用将状态改变成实质固体或凝胶形式的材料形成。例如，密封构件645可以由氟弹性体材料、全氟弹性体材料和高纯度陶瓷封装材料等中的一种形成，其可以流动或以其他方式设置在围绕多孔塞244的腔211中，其将状态改变为更固体和实质上不动的形式。密封构件645经设置与多孔塞244相邻，使得材料设置在多孔塞244的表面257和表面255与腔211的侧壁205之间。此外，材料可暴露于预定的压力、温度和/或能量源，以将材料改变为实质不动的(immobile)形式并产生密封构件645。用于将材料改变成实质不动的档案(file)的温度可以小于约300摄氏度。或者，可利用其他温度。另外，密封构件645将多孔塞244固定在腔211中，而在多孔塞244的表面257与腔211的侧壁205之间形成径向密封。此外，接合层204可突出到间隙305中，使得接合层204至少部分地接触密封构件645。

图7是根据一个或多个实施例的具有不同的密封构件745的基板支撑基座116的部分201的示意性截面图。与图5的密封构件545相比，图7的密封构件745由以液体、糊剂或凝胶形式应用将状态改变成实质固体或凝胶形式的材料形成。例如，密封构件745可以由含氟弹性体材料、全氟弹性体材料和高纯度陶瓷封装材料等中的一种形成，其可以流动或以其他方式设置在围绕多孔塞544的腔211中，其将状态改变为更固体和实质上不动的形式。所述材料可设置在多孔塞544的表面550与侧壁205和腔211的表面309之间。此外，材料暴露于预定的压力、温度和/或能量源，以将材料改变为实质不动的形式并且产生密封构件745。另外，密封构件745接触多孔塞544的表面550以及腔211的表面309和侧壁205，而将多孔塞544固定在腔211中。此外，密封构件745在多孔塞544的表面550与腔211的侧壁205之间形成径向密封。此外，接合层204可突出到间隙305中，使得接合层204至少部分地接触密封构件745。

图8是与图2的实施例相比具有不同的多孔塞844和不同的密封构件845的基板支撑基座116的部分201的示意性横截面。例如，与图2的多孔塞244相比，多孔塞844包括圆柱形状。此外，与图5的多孔塞544相比，多孔塞844的直径830大于多孔塞544的直径530，使得多孔塞844填充腔211比填充多孔塞544更多。多孔塞844的直径大于开口210的直径832。顶表面806接触腔211的表面309。表面808可以与静电吸盘102的表面307共面。多孔塞844可沿着表面806具有倒角边缘，其类似于图3的多孔塞244的倒角边缘。

密封构件845可形成为类似于密封构件245的密封构件。例如，密封构件845可以是O形环、圆柱形垫片或其他环形密封件。此外，密封构件845可以由在如上所述的关于密封构件245所描述的基板处理期间使用的工艺气体的存在下具有抗侵蚀性的材料形成。密封构件845在多孔塞844的表面808、静电吸盘102的表面307与冷却基部104的表面809之间形成轴向密封。例如，密封构件845接触多孔塞844的表面809和静电吸盘102的表面307。此外，密封构件845接触冷却基部104的表面809。

密封构件845经定位成与多孔塞844相邻。例如，密封构件845定位于多孔塞844与冷却基部104之间。

冷却基部104可包括凹槽810。冷却基部104的表面809形成凹槽810的底部。密封构件845定位于凹槽810中并且定位在冷却基部104与静电吸盘102之间。凹槽810至少部分地与腔211的一部分和静电吸盘102的一部分重叠，从而允许凹槽810有效地将密封构件845定位在多孔塞844与静电吸盘102之间界定的间隙上并密封所述间隙。与不包括凹槽810的实施例相比，凹槽810允许更大的横截面密封而不增加接合层的厚度。此外，凹槽810减小了制造公差的影响，并允许在更宽的温度范围内密封。在一个或多个实施例中，冷却基部104不包括凹槽810，且密封构件845在与静电吸盘102和腔211的一部分重叠的区域中与表面809接触。

密封构件845可将多孔塞844固定在腔211内。例如，密封构件845可在多孔塞844的表面808和冷却基部104的表面809上施力，使得多孔塞844固持在腔211内。

密封构件845包括表面856和857。表面856和857中的一个或多个可具有实质弯曲的形状。实质弯曲的形状可以是凸的或凹的。此外，表面856和857中的一个或多个可具有实质平坦的形状。此外，接合层204可至少部分地接触密封构件845。

图9是根据一个或多个实施例的具有多孔塞944和密封构件845的基板支撑基座116的部分201的示意性截面图。关于图8更详细地描述了密封构件845。如关于图8所描述的，冷却基部104包括凹槽810，密封构件845的至少一部分与凹槽810一起定位。

与图8的实施例的多孔塞844相比，多孔塞944包括延伸到静电吸盘102与冷却基部104之间的间隙305中的表面908。延伸到间隙305中的多孔塞944的部分的直径931小于定位于腔211内的多孔塞944的部分的直径930。直径930大于开口210的直径832。或者，直径930小于或等于直径832。此外，多孔塞944的顶表面906接触腔211的表面309。多孔塞944可沿着表面906具有倒角边缘，其类似于图3的多孔塞244的倒角边缘。

密封构件845经定位成与多孔塞944相邻。例如，密封构件845定位于多孔塞944与冷却基部104之间。密封构件845接触静电吸盘102的表面307、多孔塞944的表面907和冷却基部104的表面809，而在静电吸盘102与冷却基部104之间形成轴向密封。密封构件845可将多孔塞944固定在腔211内。例如，密封构件845可在多孔塞944的表面907和冷却基部104的表面809上施力，使得多孔塞944固持在腔211内。此外，密封构件845可接触多孔塞944的表面909。

本文所述的密封构件和多孔塞适用于基板支撑基座，以保护将冷却基部与静电吸盘接合的接合层不受工艺气体的影响。有利的是，保护接合层不受工艺气体的影响，减少了接合层的侵蚀，并在基板上维持实质均匀的温度。例如，可以使用对工艺气体具有抗侵蚀性的密封构件来在静电吸盘的多孔塞之间形成径向密封和/或垂直密封。这种密封构件防止工艺气体流入静电吸盘与冷却基部之间的间隙，并减少接合层的侵蚀。因此，维持了冷却基部与静电吸盘之间的实质均匀的热传递以及基板上的均匀的温度。

虽然前面所述针对本公开内容的实施例，但在不背离本公开内容的基本范围和所附权利要求书所界定的范围下，可设计其他与进一步的实施例。