显示装置和制造显示装置的方法

本申请要求于2022年6月14日提交的第10-2022-0072352号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

实施方式涉及显示装置和制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及其中可减少焊盘部分中发生短路的显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术

显示装置接收关于图像的信息并且显示图像。显示装置可包括用于显示图像等的显示面板和用于提供关于图像等的信息的电子芯片封装体或印刷电路板。为了接收关于图像等的信息，显示面板在其边缘处包括电连接到显示元件的焊盘，并且焊盘电连接到电子芯片封装体的凸块或印刷电路板的焊盘。在这种情况下，期望电子芯片封装体的凸块或印刷电路板的焊盘仅电连接到显示面板的与其对应的预设焊盘。

发明内容

在相关技术的显示装置中，电子芯片封装体的凸块或印刷电路板的焊盘不仅电连接到显示面板的与其对应的焊盘，而且也电连接到与对应的焊盘相邻的焊盘，并且因此可能发生短路。另外，在相关技术的显示装置中，显示面板的相邻的焊盘彼此电连接，并且因此可能发生短路。

实施方式包括其中可减少在焊盘部分中发生短路的显示装置和制造显示装置的方法。然而，这仅仅是实施方式中的一个，并且本公开的范围不限于此。

附加的特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践所呈现的本公开的实施方式而习得。

根据本公开的实施方式，制造显示装置的方法包括：在其中限定有显示区域和位于显示区域外部的外围区域的衬底的外围区域中形成焊盘；在焊盘的表面上布置第一导电粒子；在包括在电子芯片封装体中的凸块的表面上布置第二导电粒子，凸块的表面面对焊盘的表面；以及通过使第一导电粒子与第二导电粒子接触来将焊盘电连接到凸块。

在实施方式中，将焊盘电连接到凸块可包括：将第一导电粒子熔接(welding)到第二导电粒子。

在实施方式中，第一导电粒子可包括与第二导电粒子的材料相同的材料。

在实施方式中，第一导电粒子和第二导电粒子可各自包括锡。

在实施方式中，当第一导电粒子具有球形形状时，第一导电粒子的直径可为约7纳米(nm)至约24nm，以及将焊盘电连接到凸块可包括：在大于或等于约120摄氏度(℃)且小于约210℃的温度下将第一导电粒子熔接到第二导电粒子。

在实施方式中，第一导电粒子的直径可为约7nm至约11nm，以及将焊盘电连接到凸块可包括：在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下将第一导电粒子熔接到第二导电粒子。

在实施方式中，当第二导电粒子具有球形形状时，第二导电粒子的直径可为约7nm至约24nm，以及将焊盘电连接到凸块可包括：在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下将第一导电粒子熔接到第二导电粒子。

在实施方式中，第二导电粒子的直径可为约7nm至约11nm，以及将焊盘电连接到凸块可包括：在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下将第一导电粒子熔接到第二导电粒子。

在实施方式中，当第一导电粒子的剖面具有椭圆形形状并且剖面垂直于衬底时，椭圆形形状的长轴长度可为约7nm至约24nm，以及将焊盘电连接到凸块可包括：在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下将第一导电粒子熔接到第二导电粒子。

在实施方式中，椭圆形形状的长轴长度可为约7nm至约11nm，以及将焊盘电连接到凸块可包括：在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下将第一导电粒子熔接到第二导电粒子。

在实施方式中，当第二导电粒子的剖面具有椭圆形形状并且剖面垂直于衬底时，椭圆形形状的长轴长度可为约7nm至约24nm，以及将焊盘电连接到凸块可包括：在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下将第一导电粒子熔接到第二导电粒子。

在实施方式中，椭圆形形状的长轴长度可为约7nm至约11nm，以及将焊盘电连接到凸块可包括：在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下将第一导电粒子熔接到第二导电粒子。

根据本公开的实施方式，显示装置包括衬底、电子芯片封装体和第一连接导电粒子，衬底包括显示区域、位于显示区域外部的外围区域以及布置在外围区域中的焊盘，电子芯片封装体包括凸块，第一连接导电粒子布置在焊盘与凸块之间以将焊盘电连接到凸块并且第一连接导电粒子在内部具有界面。

在实施方式中，第一连接导电粒子可包括与焊盘接触的第一导电粒子以及与凸块接触的第二导电粒子。第一导电粒子可与第二导电粒子面接触。

在实施方式中，显示装置还可包括作为单个主体布置在焊盘与凸块之间的第二连接导电粒子。

在实施方式中，当从垂直于衬底的方向观察时，第一连接导电粒子的面积可大于第二连接导电粒子的面积。

在实施方式中，第二连接导电粒子可包括与第一导电粒子的材料相同的材料。

在实施方式中，第二连接导电粒子可包括与第二导电粒子的材料相同的材料。

在实施方式中，焊盘可被提供为多个，以及显示装置还可包括布置在衬底的位于多个焊盘之间的区域中的第三导电粒子。

在实施方式中，第三导电粒子可包括与第一导电粒子的材料相同的材料。

在实施方式中，凸块可被提供为多个，以及显示装置还可包括布置在电子芯片封装体的位于多个凸块之间的区域中的第四导电粒子。

在实施方式中，第四导电粒子可包括与第二导电粒子的材料相同的材料。

通过本公开的下面的附图、权利要求书和详细描述，除了上述那些以外的其它特征和优点将变得显而易见。

附图说明

通过结合附图而作出的以下描述，本公开的实施方式的上述和其它的特征和优点将更加显而易见，在附图中：

图1A是示意性地示出显示装置的一部分的实施方式的平面图；

图1B是示意性地示出显示装置的一部分的实施方式的平面图；

图2是示出图1A的区A的放大平面图；

图3是示出包括在显示装置中的像素的实施方式的等效电路图；

图4是示意性地示出显示装置的一部分的实施方式的剖面图；

图5是示意性地示出沿图2的线III-III'截取的显示装置的剖面的实施方式的剖面图；以及

图6至图11是示意性地示出制造图4的显示装置的一部分的工艺的实施方式的示意图。

具体实施方式

现在将详细地参照实施方式，其实例被示出在附图中，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件。在这方面，所示的实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面通过参照附图仅对实施方式进行描述以解释本描述的特征。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变体。

由于本公开允许各种改变和许多实施方式，因此说明性实施方式将在附图中示出并且在书面描述中进行详细描述。本公开的效果和特征以及实现它们的方法将参照下面参照附图详细描述的实施方式来澄清。然而，本公开不限于下面的实施方式，并且可以各种形式来实施。

在下文中，将参照附图对本公开的实施方式进行详细描述，其中相同或对应的部件始终由相同的附图标记表示，并且省略其重复描述。

在下面的实施方式中，当诸如层、膜、区、板等的各种部件在其它部件“上”时，这不仅包括它们在其它部件“上”的情况，而且还包括另一部件介于它们之间的情况。另外，为了描述的便利，附图中的部件的尺寸可被放大或缩小。在实施方式中，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了描述的便利而被任意地示出，因此本公开不限于此。

在下面的实施方式中，x轴、y轴和z轴不限于笛卡尔坐标系上的三个轴，并且可在包括它们的广义上进行解释。在实施方式中，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。

在下面的实施方式中，虽然术语“第一”、“第二”等可用于描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一个区分开。

在下面的实施方式中，除非其在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述涵盖复数的表述。

在下面的实施方式中，术语“包括”和/或“包含”指定陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或部件的存在或添加。

在说明书中，表述“A和/或B”指示仅A、仅B或者A和B两者。另外，表述“A和B中的至少一个”指示A、B或者A和B。

考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约”或者“大致”包括所述值，并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的针对特定值的可接受偏差范围内。例如，术语“约”能够意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％内。

图1A和图1B中的每个是示意性地示出显示装置1的一部分的实施方式的平面图。图2是示出图1A的区A的放大平面图。如图1A中所示，显示装置1可包括显示面板10和电子芯片封装体1010。显示面板10可显示图像等，并且电子芯片封装体1010可向显示面板10提供关于图像等的信息。

显示面板10可包括排列有多个像素P的显示区域DA和布置在显示区域DA外部的外围区域PA。详细地，外围区域PA可围绕整个的显示区域DA。由于显示面板10包括衬底100(参照图4)，因此可以说衬底100包括显示区域DA和外围区域PA。在下文中，为方便起见，衬底100被描述为包括显示区域DA和外围区域PA。

显示面板10的每个像素P为可发射预定颜色的光的区域，并且显示面板10可通过从像素P发射的光来提供图像。在实施方式中，例如，每个像素P可发射红色光、绿色光或蓝色光。然而，本公开不限于此，并且每个像素P可发射其它各种颜色。

如图1A中所示，显示区域DA可具有包括四边形形状的多边形形状。在实施方式中，例如，显示区域DA可具有其中水平长度大于垂直长度的矩形形状、其中水平长度小于垂直长度的矩形形状或者正方形形状。在替代性实施方式中，显示区域DA可具有诸如椭圆形形状或圆形形状的各种形状。

外围区域PA可为未排列有像素的非显示区域。用于向像素P提供电信号或电源的驱动器等可布置在外围区域PA中。如图2中所示，作为可电连接有电子芯片封装体1010或印刷电路板的区域的多个焊盘PD可排列在外围区域PA中。焊盘PD可在外围区域PA中彼此分开排列，并且焊盘PD可分别电连接到排列在外围区域PA中的多个连接布线CW。连接布线CW可将排列在显示区域DA中的信号线(例如，数据线DL(参照图3)(或扫描线SL(参照图3)))电连接到焊盘PD。

电子芯片封装体1010可布置在多个焊盘PD上面。电子芯片封装体1010可具有膜上芯片(“COF”)结构。详细地，电子芯片封装体1010可包括电子芯片1200和其上布置(例如，安装)有电子芯片1200的主体1100。电子芯片1200可包括例如集成电路(“IC”)芯片，并且可为用于生成待施加到显示区域DA中的数据线的数据信号的数据驱动驱动器。主体1100可为柔性膜。然而，本公开不限于此。如作为实施方式中的显示装置1的平面图的图1B中所示，电子芯片封装体1010可不包括主体1100。在实施方式中，例如，电子芯片封装体1010可具有面板上芯片(“COP”)结构。在下文中，为方便起见，电子芯片封装体1010被描述为包括电子芯片1200和其上布置(例如，安装)有电子芯片1200的主体1100。

详细地，电子芯片封装体1010可包括布置在主体1100下面的凸块BP，并且电子芯片封装体1010的凸块BP可分别布置在多个焊盘PD上面。凸块BP可电连接到电子芯片1200。多个焊盘PD可电连接到电子芯片封装体1010的分别与其对应的凸块BP，并且相应地，显示面板10可电连接到电子芯片封装体1010。如图1B中所示，当电子芯片封装体1010不包括主体1100时，凸块BP可布置在电子芯片1200下面。在图2中，为了描述的便利，每个焊盘PD的面积大于与其对应的凸块BP的面积，但是本公开不限于此。在实施方式中，例如，焊盘PD的面积可小于与其对应的凸块BP的面积，或者焊盘PD的面积可与对应于其的凸块BP的面积相同。多个焊盘PD可通过第一连接导电粒子和/或第二连接导电粒子电连接到电子芯片封装体1010的分别与其对应的凸块BP，并且下面详细描述第一连接导电粒子和第二连接导电粒子。

图3是示出包括在显示装置1中的像素P的实施方式的等效电路图。如图3中所示，像素P可包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。

像素电路PC可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。第二晶体管T2可为开关晶体管，可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可根据通过扫描线SL输入的开关电压将通过数据线DL输入的数据电压传输到第一晶体管T1。存储电容器Cst可连接到第二晶体管T2和驱动电压线PL，并且可存储与从第二晶体管T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。

第一晶体管T1可为驱动晶体管，可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL向有机发光二极管OLED流动的驱动电流。有机发光二极管OLED可根据驱动电流来发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极530(参照图4)可接收第二电源电压ELVSS。

在图3中，像素电路PC包括两个晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。在实施方式中，例如，晶体管的数量或存储电容器的数量可根据像素电路PC的设计进行各种改变。

图4是示意性地示出显示装置1的一部分的剖面图。详细地，图4是示意性地示出沿图1A的线I-I'和图2的线II-II'截取的显示装置1的剖面的剖面图。如图4中所示，所示的实施方式中的显示装置1的显示面板10包括衬底100。衬底100可包括各种柔性或可弯曲的材料。在实施方式中，例如，衬底100可包括玻璃、金属或聚合物树脂。另外，衬底100可包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。可对衬底100进行各种修改。在实施方式中，例如，衬底100可具有包括两个层和布置在两个层之间的阻挡层的多层结构，两个层各自包括上述聚合物树脂，并且阻挡层包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料。

显示元件和电连接到显示元件的晶体管TFT可布置在衬底100上。在图4中，有机发光二极管OLED作为显示元件布置在衬底100上面。有机发光二极管OLED电连接到晶体管TFT的描述可指示像素电极510电连接到晶体管TFT。

晶体管TFT可包括半导体层221、栅电极222、第一连接电极430和第二连接电极440，半导体层221包括非晶硅、多晶硅、有机半导体材料或氧化物半导体材料。在实施方式中，例如，第一连接电极430可为源电极，并且第二连接电极440可为漏电极。在替代性实施方式中，根据晶体管TFT的极性，第一连接电极430可为漏电极，并且第二连接电极440可为源电极。栅电极222可包括各种导电材料并且具有各种层结构。在实施方式中，例如，栅电极222可包括钼(Mo)层和铝(Al)层。在替代性实施方式中，栅电极222可包括氮化钛(TiN

为了确保半导体层221与栅电极222之间的绝缘，栅极绝缘层223可布置在半导体层221与栅电极222之间，栅极绝缘层223包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。另外，第二绝缘层IL2可布置在栅电极222上，并且第一连接电极430和第二连接电极440可布置在第二绝缘层IL2上。第二绝缘层IL2包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。第一连接电极430和第二连接电极440中的每个可通过限定在第二绝缘层IL2中的接触孔电连接到半导体层221。

然而，本公开不限于此。在实施方式中，例如，晶体管TFT可仅包括第一连接电极430和第二连接电极440中的一个，或者可不包括第一连接电极430和第二连接电极440这两者。在实施方式中，例如，一个晶体管TFT可不包括第二连接电极440，并且与该一个晶体管TFT连接的另一个晶体管TFT可不包括第一连接电极430，并且两个晶体管TFT的半导体层221可彼此连接。上述连接结构可具有与当一个晶体管TFT包括第一连接电极430，另一个晶体管TFT包括第二连接电极440，并且该一个晶体管TFT的第一连接电极430连接到该另一个晶体管TFT的第二连接电极440时实现的效果相同的效果。

包括无机材料的这些绝缘层可通过化学气相沉积(“CVD”)或原子层沉积(“ALD”)形成。这也适用于下面描述的实施方式及其变型。

存储电容器Cst可包括第一电极310和第二电极420。存储电容器Cst的第一电极310可通过与栅电极222的工艺相同的工艺形成，并且可包括与栅电极222的材料相同的材料。包括与栅极绝缘层223的材料相同的材料的绝缘层312可布置在第一电极310下面。由于位于第一电极310下面的绝缘层312通过与第一电极310的掩模工艺相同的掩模工艺一起形成，因此绝缘层312的平面形状可与第一电极310的平面形状实质上相同。存储电容器Cst的第二电极420可通过与晶体管TFT的第一连接电极430和第二连接电极440的工艺相同的工艺形成，并且可包括与第一连接电极430和第二连接电极440的材料相同的材料。

晶体管TFT可包括布置在半导体层221下面的下金属层210，并且下金属层210可电连接到第一连接电极430和第二连接电极440中的一个。在实施方式中，在图4中，下金属层210电连接到第一连接电极430，并且下金属层210可为一种类型的下第一连接电极。

下金属层210可包括Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、Mo和Cu中的至少一种。下金属层210可改善晶体管TFT的特性。

第一绝缘层IL1可布置在下金属层210上。详细地，第一绝缘层IL1可形成或布置在衬底100的整个表面上以覆盖下金属层210。第一绝缘层IL1可布置在存储电容器Cst和焊盘PD下面。第一绝缘层IL1可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。第一绝缘层IL1可增加衬底100的上表面的平滑度，或者可防止或减少杂质从衬底100渗透到晶体管TFT的半导体层221中。

第二绝缘层IL2可布置在栅电极222上。详细地，第二绝缘层IL2可形成或布置在衬底100的整个表面上以覆盖栅电极222。相应地，第一连接电极430和第二连接电极440可布置在第二绝缘层IL2上。第二绝缘层IL2可覆盖第一电极310，并且第二电极420和焊盘PD可布置在第二绝缘层IL2上。第二绝缘层IL2可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。在替代性实施方式中，第二绝缘层IL2可包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(“BCB”)或六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)的有机材料。在这种情况下，第二绝缘层IL2的(在+z方向上的)上表面可为平坦的。

第三绝缘层IL3可布置在第一连接电极430和第二连接电极440上。详细地，第三绝缘层IL3可形成或布置在衬底100的整个表面上以覆盖第一连接电极430和第二连接电极440。第三绝缘层IL3可覆盖第二电极420。第三绝缘层IL3可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。

有机绝缘层OL可布置在第三绝缘层IL3上。在实施方式中，例如，如图4中所示，当有机发光二极管OLED布置在晶体管TFT上面时，有机绝缘层OL可实质上平坦化覆盖晶体管TFT的保护层的上部。有机绝缘层OL可包括诸如丙烯酸、BCB或HMDSO的有机材料。在图4中，有机绝缘层OL具有单层结构，但是可对有机绝缘层OL进行各种修改。在实施方式中，例如，有机绝缘层OL可具有多层结构。

显示元件可布置在有机绝缘层OL上。如图4中所示的有机发光二极管OLED可用作显示元件。例如，有机发光二极管OLED可包括像素电极510、相对电极530和布置在它们之间并且包括发射层(“EML”)的中间层520。如图4中所示，像素电极510可通过限定在有机绝缘层OL中的开口接触第一连接电极430和第二连接电极440中的一个，以电连接到晶体管TFT。像素电极510可包括透光导电层和反射层，透光导电层包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟(In

有机发光二极管OLED的中间层520可包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层520包括低分子量材料时，中间层520可具有单层结构或其中堆叠有空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、EML、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等的多层结构，并且可包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(“NPB”)或三-8-羟基喹啉铝(Alq

当中间层520包括聚合物材料时，中间层520可具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可包括诸如聚对苯撑乙烯(PPV)基材料或聚芴基材料的聚合物材料。中间层520可通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(“LITI”)等形成。

然而，中间层520不限于此，并且可具有各种结构。另外，中间层520可包括作为遍及多个像素电极510的单个主体的层，或者可包括被图案化为对应于多个像素电极510中的每个的层。

如图4中所示，相对电极530可布置在显示区域DA上面，并且可覆盖显示区域DA。即，相对电极530可形成或提供为遍及多个有机发光二极管OLED的单个主体以对应于多个像素电极510。相对电极530可包括包含ITO、In

像素限定层UIL可布置在有机绝缘层OL上。像素限定层UIL通过包括与像素中的每个对应的开口(即，至少暴露像素电极510的中心部分的开口)来限定像素。另外，如图4中所示，像素限定层UIL通过增加像素电极510的边缘与相对电极530之间的距离来防止在像素电极510的边缘处出现电弧等。例如，像素限定层UIL可包括诸如聚酰亚胺或HMDSO的有机材料。

由于有机发光二极管OLED可能容易因外部湿气或氧气而损坏，因此封装层600可覆盖并且保护有机发光二极管OLED。封装层600可覆盖显示区域DA，并且可延伸到显示区域DA的外部。如图4中所示，封装层600可包括第一无机封装层610、有机封装层620和第二无机封装层630。

第一无机封装层610可覆盖相对电极530，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。当需要时，在第一无机封装层610与相对电极530之间可排列有其它层，诸如覆盖层。由于如图4中所示，第一无机封装层610沿其下面的结构形成或提供，因此第一无机封装层610可具有不平坦的上表面。有机封装层620可覆盖第一无机封装层610，并且与第一无机封装层610不同，有机封装层620可具有大致平坦的上表面。详细地，有机封装层620可在与显示区域DA对应的部分中具有大致平坦的上表面。有机封装层620可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和HMDSO中的至少一种。第二无机封装层630可覆盖有机封装层620，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层630可在第二无机封装层630的布置在显示区域DA外部的边缘处接触第一无机封装层610，并且因此可防止有机封装层620暴露于外部。

如上所述，由于封装层600包括第一无机封装层610、有机封装层620和第二无机封装层630，因此即使在封装层600中出现裂纹时，由于上述多层结构，裂纹也可以不连接在第一无机封装层610与有机封装层620之间或者不连接在有机封装层620与第二无机封装层630之间。相应地，可防止或减少外部湿气或氧气通过其渗透到显示区域DA中的路径的形成。

焊盘PD可布置在外围区域PA中。如图4中所示，焊盘PD可布置在衬底100上面，并且在形成焊盘PD之前，至少一个绝缘层可布置在衬底100上。详细地，第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2可布置在衬底100上，并且焊盘PD可布置在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上。焊盘PD可包括与第一连接电极430的材料相同的材料。详细地，焊盘PD可包括诸如Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可具有包括上述材料的单层结构或多层结构。在实施方式中，例如，焊盘PD可具有Ti/Al/Ti的多层结构。

电子芯片封装体1010的凸块BP可布置在焊盘PD上面。详细地，当从与衬底100垂直的方向观察时，凸块BP可布置在焊盘PD上面以与焊盘PD重叠。在图4中，凸块BP与焊盘PD完全重叠，但是本公开不限于此。在实施方式中，例如，当从与衬底100垂直的方向观察时，凸块BP的一部分可与焊盘PD重叠。

第一连接导电粒子1310和第二连接导电粒子1320可排列在焊盘PD与凸块BP之间。第一连接导电粒子1310可在内部具有界面。详细地，第一连接导电粒子1310可包括彼此接合的第一导电粒子1210(参照图5)和第二导电粒子1220(参照图5)。在这种情况下，第一导电粒子1210可通过面接触接合到第二导电粒子1220。相应地，可在第一导电粒子1210与第二导电粒子1220之间形成界面。也就是说，第一连接导电粒子1310可在内部具有界面。

然而，本公开不限于此。在实施方式中，例如，第一连接导电粒子1310可在内部不具有界面。如下所述，在通过第一导电粒子1210和第二导电粒子1220形成第一连接导电粒子1310的工艺中，可向焊盘PD和凸块BP施加热量。即使在第一导电粒子1210与第二导电粒子1220在制造工艺期间面接触的情况下，当焊盘PD和凸块BP不具有均匀的温度时，即，当对于焊盘PD和凸块BP的每个位置的温度不同时，熔化第一导电粒子1210和第二导电粒子1220的过多热量可能被施加到焊盘PD和凸块BP。在这种情况下，由于第一导电粒子1210和第二导电粒子1220熔化以形成单个主体，因此通过上述工艺形成的第一连接导电粒子1310可在内部不具有界面。

第一连接导电粒子1310可将焊盘PD电连接到凸块BP。详细地，包括在第一连接导电粒子1310中的第一导电粒子1210可接触焊盘PD，并且包括在第一连接导电粒子1310中的第二导电粒子1220可接触凸块BP。相应地，焊盘PD可通过包括彼此面接触的第一导电粒子1210和第二导电粒子1220的第一连接导电粒子1310电连接到凸块BP。由于第一连接导电粒子1310和第二连接导电粒子1320与焊盘PD和凸块BP同时接触，因此焊盘PD可电连接到凸块BP。

第二连接导电粒子1320可在内部不具有界面。也就是说，第二连接导电粒子1320可为单个主体。第二连接导电粒子1320可包括与第一导电粒子1210的材料相同的材料。在替代性实施方式中，第二连接导电粒子1320可包括与第二导电粒子1220的材料相同的材料。也就是说，第二连接导电粒子1320可为未与第二导电粒子1220熔接的第一导电粒子1210，或者可为未与第一导电粒子1210熔接的第二导电粒子1220。这将在下面详细描述。与在内部不具有界面的第一连接导电粒子1310不同，当从与衬底100垂直的方向观察时，第二连接导电粒子1320可具有比在内部不具有界面的第一连接导电粒子1310的面积小的面积。这将在下面详细描述。

如作为示意性地示出沿图2的线III-III'截取的显示装置1的剖面的剖面图的图5中所示，第三导电粒子1230可布置在衬底100的位于焊盘PD之间的区域中。如下所述，第三导电粒子1230可由与包括在第一连接导电粒子1310中的第一导电粒子1210的材料相同的材料同时形成。相应地，第三导电粒子1230可包括与第一导电粒子1210的材料相同的材料。也就是说，第三导电粒子1230可为未熔接到第二导电粒子1220的第一导电粒子1210，并且可为布置在衬底100的位于焊盘PD之间的区域中的第一导电粒子1210。

第四导电粒子1240可布置在主体1100的位于凸块BP之间的区域中。如下所述，第四导电粒子1240可由与包括在第一连接导电粒子1310中的第二导电粒子1220的材料相同的材料同时形成。相应地，第四导电粒子1240可包括与第二导电粒子1220的材料相同的材料。也就是说，第四导电粒子1240可为未熔接到第一导电粒子1210的第二导电粒子1220，并且可为布置在主体1100的位于凸块BP之间的区域中的第二导电粒子1220。

上面已描述显示装置1，但是本公开不限于此。可以说制造显示装置1的方法也落入本公开的范围内。在下文中，对制造显示装置1的方法进行描述。

图6至图11是示意性地示出制造图4的显示装置1的一部分的工艺的示意图。详细地，图6至图11是示意性地示出图4的显示装置1的焊盘PD与凸块BP之间的接合工艺的示意图。

首先，如图6中所示，可在衬底100的外围区域PA中形成或提供焊盘PD。焊盘PD可由与第一连接电极430、第二连接电极440和第二电极420的材料相同的材料同时形成。在实施方式中，可通过在室中通过溅射等在衬底100的整个表面上沉积焊盘形成材料来在衬底100上形成或布置焊盘形成层(未示出)。此后，可图案化焊盘形成层以与第一连接电极430、第二连接电极440和第二电极420一起形成焊盘PD。相应地，焊盘PD可与第一连接电极430、第二连接电极440和第二电极420包括相同的材料并且具有相同的层结构。在图6中，焊盘PD具有单层结构，但是本公开不限于此。在实施方式中，例如，焊盘PD可具有包括多个子层的多层结构。

在替代性实施方式中，焊盘PD可包括第一焊盘层和第二焊盘层，第一焊盘层由与第一连接电极430、第二连接电极440和第二电极420的材料相同的材料同时形成，并且第二焊盘层由与像素电极510的材料相同的材料同时形成并且布置在第一焊盘层上。焊盘PD还可包括由与栅电极222的材料相同的材料同时形成并且布置在第一焊盘层下面的第三焊盘层。在图6中，为方便起见，焊盘PD仅包括第一焊盘层，但是本公开不限于此。

随后，如图7A和图7B中所示，第一导电粒子1210可布置在焊盘PD的上表面PDUS上。图7B是图7A的放大区B的剖面图。在实施方式中，例如，通过在室中通过作为一种类型的真空沉积的溅射等将第一导电粒子形成材料放置在焊盘PD上，第一导电粒子1210可布置在焊盘PD的上表面PDUS上。

第一导电粒子1210可为具有导电性的材料。在实施方式中，例如，第一导电粒子1210可包括锡(Sn)。如上所述，可通过溅射等形成第一导电粒子1210。

当在足够的时间内溅射Sn或者当在足够高的温度下溅射Sn时，具有均匀厚度的层覆盖焊盘PD。然而，在所示的实施方式中的制造显示装置的方法中，通过在短时间内溅射导电粒子形成材料，或者通过在低的温度下溅射导电粒子形成材料，可在焊盘PD上将第一导电粒子1210布置成彼此分开，而不是形成具有大致均匀厚度的层以覆盖焊盘PD。如上所述，例如，当溅射Sn时，用于溅射Sn的时段可为几秒，例如，约2秒至约9秒，并且溅射Sn时的温度可为室温。另外，例如，氩气的流速可为约200标准立方厘米每分钟(sccm)，并且功率可为约700瓦(W)。

如上所述地形成的第一导电粒子1210可具有球形或椭圆形形状。当第一导电粒子1210具有球形形状时，第一导电粒子1210的直径D1可为约7纳米(nm)至约24nm。在实施方式中，例如，第一导电粒子1210的直径D1可为约7nm至约11nm。当第一导电粒子1210具有椭圆形形状时，即，当第一导电粒子1210的与衬底100垂直的剖面具有椭圆形形状时，椭圆形形状的长轴长度L1可为约7nm至约24nm。在实施方式中，例如，椭圆形形状的长轴长度L1可为约7nm至约11nm。

第一导电粒子1210可形成或布置在衬底100的外围区域PA中的排列有多个焊盘PD的整个区域上面。在这种情况下，如作为示意性地示出在实施方式中正制造的显示装置1的一部分的平面图的图8中所示，多个导电粒子也可形成在衬底100的位于焊盘PD之间的区域中。详细地，多个第三导电粒子1230可排列在第二绝缘层IL2的位于焊盘PD之间的区域中。焊盘PD的厚度可为几微米(μm)至几十μm，并且焊盘PD之间的距离也可为几μm至几十μm。相应地，焊盘PD的厚度或焊盘PD之间的距离可显著大于第一导电粒子1210的直径D1或长轴长度L1。相应地，即使当第三导电粒子1230排列在焊盘PD之间时，相邻的成对焊盘PD也可彼此不电连接。因此，可防止在相邻的成对焊盘PD之间发生短路。

随后，如图9A和图9B中所示，第二导电粒子1220可布置在包括在电子芯片封装体1010中的凸块BP的底表面BPBS上。图9B是图9A的放大区C的剖面图。如上所述，电子芯片封装体1010包括主体1100和布置在其底表面上的凸块BP。在图9A和图9B中，电子芯片封装体1010倒置以使得电子芯片封装体1010的凸块BP面朝上。当电子芯片封装体1010倒置时，即，当电子芯片封装体1010布置成使得包括在电子芯片封装体1010中的凸块BP的底表面BPBS面向+z方向时，第二导电粒子1220可布置在凸块BP的底表面BPBS上。第二导电粒子1220可为具有导电性的材料。在实施方式中，例如，第二导电粒子1220可包括Sn。也就是说，第一导电粒子1210和第二导电粒子1220可包括彼此相同的材料。相应地，第一导电粒子1210和第二导电粒子1220可各自包括Sn。如同第一导电粒子1210，第二导电粒子1220可通过溅射等形成在包括在电子芯片封装体1010中的凸块BP的底表面BPBS上。也就是说，第二导电粒子1220可布置在包括在电子芯片封装体1010中的凸块BP的底表面BPBS上。

如上面关于第一导电粒子1210所述的，在所示的实施方式中的制造显示装置的方法中，通过在短时间内溅射导电粒子形成材料，或者通过在低的温度下溅射导电粒子形成材料，可在凸块BP上将第二导电粒子1220布置成彼此分开，而不是形成具有大致均匀厚度的层以覆盖凸块BP。在实施方式中，当溅射Sn时，例如，用于溅射Sn的时段可为约2秒至约9秒，并且例如，溅射Sn时的温度可为室温。另外，例如，氩气的流速可为约200sccm，并且功率可为约700W。

如上所述地形成的第二导电粒子1220可具有球形或椭圆形形状。当第二导电粒子1220具有球形形状时，第二导电粒子1220的直径D2可为约7nm至约24nm。在实施方式中，例如，第二导电粒子1220的直径D2可为约7nm至约11nm。当第二导电粒子1220具有椭圆形形状时，即，当第二导电粒子1220的与衬底100垂直的剖面具有椭圆形形状时，椭圆形形状的长轴长度L2可为约7nm至约24nm。在实施方式中，例如，椭圆形形状的长轴长度L2可为约7nm至约11nm。

第二导电粒子1220可形成在电子芯片封装体1010的主体1100中的排列有多个凸块BP的整个区域上面。在这种情况下，如作为示意性地示出在实施方式中正制造的显示装置1的一部分的平面图的图10中所示，多个导电粒子也可形成在电子芯片封装体1010的位于凸块BP之间的区域中。详细地，多个第四导电粒子1240可排列在主体1100的位于凸块BP之间的区域中。凸块BP的厚度可为几μm至几十μm，并且凸块BP之间的距离也可为几μm至几十μm。相应地，凸块BP的厚度或凸块BP之间的距离可显著大于第二导电粒子1220的直径D2或长轴长度L2。相应地，即使当第四导电粒子1240排列在凸块BP之间时，相邻的成对凸块BP也可彼此不电连接。因此，可防止在相邻的成对凸块BP之间发生短路。

随后，如图11中所示，电子芯片封装体1010(参照图9B)可布置在显示面板10(参照图1A至图2)上使得凸块BP的底表面BPBS面向焊盘PD的上表面PDUS。详细地，电子芯片封装体1010可布置在显示面板10上使得凸块BP的底表面BPBS面向-z方向。另外，电子芯片封装体1010可布置在显示面板10上使得布置在凸块BP的底表面BPBS上的第二导电粒子1220中的至少一些布置在焊盘PD的上表面PDUS上所布置的第一导电粒子1210中的至少一些上面。此后，可使第一导电粒子1210中的至少一些与第二导电粒子1220中的至少一些接触以将焊盘PD电连接到凸块BP。详细地，通过熔接彼此接触的第一导电粒子1210和第二导电粒子1220以形成第一连接导电粒子，焊盘PD可电连接到凸块BP。

在实施方式中，例如，显示面板10与电子芯片封装体1010可被加热到预设温度。相应地，显示面板10的第一导电粒子1210与电子芯片封装体1010的第二导电粒子1220可被加热到预设温度。当包含金属的粒子的尺寸小于或等于预定尺寸时，粒子在比一般金属(例如，块状的金属)的熔点低的温度下可具有类似液体的性质。在实施方式中，例如，粒子可被软化。如本文中所使用的，表述“A被软化”可指示虽然A处于固态，但是A具有一些液体性质，并且在没有完全熔化的情况下变软。

当第一导电粒子1210包括Sn并且第一导电粒子1210的尺寸小于预定尺寸时，第一导电粒子1210可在比一般的Sn(例如，块状的Sn)的熔点低的温度下软化。在实施方式中，例如，当第一导电粒子1210具有球形形状并且第一导电粒子1210的直径D1为约7nm至约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120摄氏度(℃)且小于约210℃的温度下软化。详细地，当第一导电粒子1210具有球形形状并且第一导电粒子1210的直径D1为约7nm至约11nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下软化。当第一导电粒子1210具有球形形状并且第一导电粒子1210的直径D1大于约11nm且小于或等于约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约170℃且小于约210℃的温度下软化。

当第一导电粒子1210的与衬底100垂直的剖面具有椭圆形形状，并且椭圆形形状的长轴长度L1为约7nm至约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下软化。详细地，当第一导电粒子1210的与衬底100垂直的剖面具有椭圆形形状，并且椭圆形形状的长轴长度L1为约7nm至约11nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下软化。当第一导电粒子1210的与衬底100垂直的剖面具有椭圆形形状，并且椭圆形形状的长轴长度L1大于约11nm且小于或等于约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约170℃且小于约210℃的温度下软化。

由于上面关于第一导电粒子1210的直径D1或长轴长度L1与第一导电粒子1210的软化温度之间的关系提供的描述可适用于第二导电粒子1220的直径D2或长轴长度L2与第二导电粒子1220的软化温度之间的关系，因此省略在这方面的冗余描述。

详细地，当具有球形形状的第二导电粒子1220的直径D2为约7nm至约24nm时，第二导电粒子1220可在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下软化，并且当具有球形形状的第二导电粒子1220的直径D2为约7nm至约11nm时，第二导电粒子1220可在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下软化。当第二导电粒子1220的与衬底100垂直的剖面具有椭圆形形状，并且第二导电粒子1220的椭圆形形状的长轴长度L2为约7nm至约24nm时，第二导电粒子1220可在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下软化。另外，当第二导电粒子1220的椭圆形形状的长轴长度L2为约7nm至约11nm时，第二导电粒子1220可在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下软化。

当第一导电粒子1210软化时，包含在第一导电粒子1210中的材料可扩散到包含在第二导电粒子1220中的材料中，使得第一导电粒子1210可熔接到第二导电粒子1220。当第二导电粒子1220软化时，包含在第二导电粒子1220中的材料可扩散到包含在第一导电粒子1210中的材料中，使得第一导电粒子1210可熔接到第二导电粒子1220。当第一导电粒子1210和第二导电粒子1220软化时，包含在第一导电粒子1210中的材料可扩散到包含在第二导电粒子1220中的材料中，并且包含在第二导电粒子1220中的材料可扩散到包含在第一导电粒子1210中的材料中。相应地，第一导电粒子1210可熔接到第二导电粒子1220。

相应地，当第一导电粒子1210具有球形形状并且第一导电粒子1210的直径D1为约7nm至约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。详细地，当第一导电粒子1210的直径D1为约7nm至约11nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。当第一导电粒子1210的直径D1大于约11nm且小于或等于约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约170℃且小于约210℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。

当第一导电粒子1210的与衬底100垂直的剖面具有椭圆形形状，并且第一导电粒子1210的椭圆形形状的长轴长度L1为约7nm至约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。详细地，当第一导电粒子1210的椭圆形形状的长轴长度L1为约7nm至约11nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。当第一导电粒子1210的椭圆形形状的长轴长度L1大于约11nm且小于或等于约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约170℃且小于约210℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。

当第二导电粒子1220具有球形形状并且第二导电粒子1220的直径D2为约7nm至约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。详细地，当第二导电粒子1220的直径D2为约7nm至约11nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。当第二导电粒子1220的直径D2大于约11nm且小于或等于约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约170℃且小于约210℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。

当第二导电粒子1220的与衬底100垂直的剖面具有椭圆形形状，并且第二导电粒子1220的椭圆形形状的长轴长度L2为约7nm至约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约210℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。详细地，当第二导电粒子1220的椭圆形形状的长轴长度L2为约7nm至约11nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约120℃且小于约170℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。当第二导电粒子1220的椭圆形形状的长轴长度L2大于约11nm且小于或等于约24nm时，第一导电粒子1210可在大于或等于约170℃且小于约210℃的温度下熔接到第二导电粒子1220。

当第一导电粒子1210的直径D1或长轴长度L1大于约24nm时，用于软化第一导电粒子1210的温度过高。相应地，在对第一导电粒子1210施加过多热量以软化第一导电粒子1210的工艺中，显示面板10可能损坏。当第一导电粒子1210的直径D1或长轴长度L1小于约7nm时，第一导电粒子1210与第二导电粒子1220之间的接触面积过小。相应地，焊盘PD与凸块BP之间的接合可能不充分，或者焊盘PD可能没有电连接到凸块BP。由于上面关于第一导电粒子1210的直径D1或长轴长度L1提供的描述可适用于第二导电粒子1220的直径D2或长轴长度L2与第二导电粒子1220的软化温度之间的关系，因此省略在这方面的冗余描述。

由于当第一导电粒子1210接触第二导电粒子1220时第一导电粒子1210熔接到第二导电粒子1220，因此第一连接导电粒子1310可在内部具有界面。界面可为包含在第一连接导电粒子1310中并且彼此接合的第一导电粒子1210与第二导电粒子1220之间的边界。然而，本公开不限于此。在实施方式中，例如，当已加热的焊盘PD和凸块BP不具有均匀的温度时，即，当对于焊盘PD和凸块BP的每个位置的温度不同时，熔化第一导电粒子1210和第二导电粒子1220的过多热量可能施加到第一导电粒子1210和第二导电粒子1220。在这种情况下，由于第一导电粒子1210和第二导电粒子1220熔化以形成单个主体，因此通过上述工艺形成的第一连接导电粒子1310可在内部不具有界面。

在多个第一导电粒子1210中的一些上面可不布置有第二导电粒子1220，并且在多个第二导电粒子1220中的一些下面可不布置有第一导电粒子1210。在这种情况下，没有将第二导电粒子1220布置在其上面的第一导电粒子1210可不熔接到第二导电粒子1220，并且没有将第一导电粒子1210布置在其下面的第二导电粒子1220可不熔接到第一导电粒子1210。换言之，上述第二连接导电粒子1320可为未熔接到第二导电粒子1220的第一导电粒子1210，或者可为未熔接到第一导电粒子1210的第二导电粒子1220。相应地，第二连接导电粒子1320可在内部不具有界面，并且可为单个主体。相应地，第二连接导电粒子1320可包括与第一导电粒子1210的材料相同的材料。在替代性实施方式中，第二连接导电粒子1320可包括与第二导电粒子1220的材料相同的材料。

当从垂直于衬底100的方向观察时，第一连接导电粒子1310的面积可大于第二连接导电粒子1320的面积。如上所述，在通过使第一导电粒子1210与第二导电粒子1220接触而将焊盘PD电连接到凸块BP的操作中，第一导电粒子1210和第二导电粒子1220可随着热量施加到它们而软化，并且彼此接触的第一导电粒子1210和第二导电粒子1220可因电子芯片封装体1010的重量而被挤压并且在衬底100上在水平方向(例如，横向方向)上扩散。相应地，第一连接导电粒子1310在垂直于衬底100的方向上的长度可与第二连接导电粒子1320在垂直于衬底100的方向上的长度相似。如上所述，第一连接导电粒子1310通过将第一导电粒子1210熔接到第二导电粒子1220而形成，并且第二连接导电粒子1320可为第一导电粒子1210或第二导电粒子1220。相应地，当从垂直于衬底100的方向观察时，第一连接导电粒子1310的面积可大于第二连接导电粒子1320的面积。

在比较例中，包括导电粒子的各向异性导电膜可布置在焊盘PD与凸块BP之间以将焊盘PD电连接到凸块BP，并且焊盘PD和凸块BP可通过在高温和高压的环境中对其施加热量和/或压力而彼此接合。在这种情况下，显示面板10可能因高温和高压的环境而损坏，并且显示装置的制造成本由于需要各向异性导电膜而会增加。

然而，在所示的实施方式中的制造显示装置的方法中，通过使第一导电粒子1210与第二导电粒子1220在比使用各向异性导电膜时更低的温度下接触，焊盘PD可电连接到凸块BP。另外，可不需要高压环境。相应地，可防止显示面板10被损坏，并且由于不需要各向异性导电膜，因此可降低显示装置1的制造成本。

另外，当焊盘PD通过各向异性导电膜电连接到凸块BP时，导电粒子可能不均匀地排列在各向异性导电膜内部。相应地，由于各向异性导电膜的其中分布有许多导电粒子的部分，显示面板10的相邻的成对焊盘PD可能彼此电连接，并且因此可能发生短路。在替代性实施方式中，电子芯片封装体1010的凸块BP不仅可电连接到显示面板10的分别与其对应的焊盘PD，而且还可电连接到与对应的焊盘PD相邻的焊盘PD，并且因此，可能发生短路。

然而，在所示的实施方式中的制造显示装置的方法中，由于导电粒子均匀地布置在焊盘PD和凸块BP上，因此显示面板10的相邻的成对焊盘PD可彼此不电连接，并且电子芯片封装体1010的凸块BP可不电连接到显示面板10的除了与其分别对应的焊盘PD以外的焊盘PD。也就是说，可减少焊盘部分中发生短路。

虽然上面已描述了有机发光二极管OLED作为显示元件布置在显示区域DA中的情况，但是本公开不限于此。在实施方式中，例如，可以说液晶显示元件或另一元件被提供作为显示元件的情况也落入本公开的范围内。另外，虽然上面已描述了电子芯片封装体1010的凸块BP电连接到焊盘PD，但是本公开不限于此，并且可具有各种变型。在实施方式中，例如，印刷电路板的焊盘也可电连接到焊盘PD。

如上所述，在实施方式中，可实现其中可减少在焊盘部分中发生短路的显示装置和制造显示装置的方法。然而，本公开的范围不受这些效果的限制。

应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑，并且不用于限制的目的。每个实施方式内的特征或优点的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或优点。虽然已参照附图对实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不背离如由随附的权利要求书限定的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的各种改变。