一种延时控制定时电路及控制方法

技术领域

本发明属于电子电路制造技术领域，具体涉及一种延时控制定时电路及控制方法。

背景技术

目前，数字电路因延时精确、电路简洁以及延时范围广的特点，在武器装备中被广泛应用。定时电路输入控制电路和输出功率电路作为延时电路的重点组成部分，主要由晶闸管控制数字电路和功率管的开通，达到功率输出的目的。

但是现有的数字电路技术为延时电路上电就开始延时工作，这种类型的电路没办法控制开始延时的时间，并且不能进行功率输出，如果需要功率输出，还需要额外的功率放大电路，这样会使电路结构复杂，成本较高。

发明内容

本发明提供一种延时控制定时电路及控制方法，以解决现有技术无法控制开始延时的时间，且不能进行功率输出的问题。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种延时控制定时电路，包括：控制模块、振荡模块、延时主控模块、功率输出模块、电源VCC和电源VS；

控制模块，连接电源VCC和延时主控模块，用于控制晶闸管T1的导通；控制模块包括：晶闸管T1；

振荡模块，连接延时主控模块，用于产生稳定的周期性信号；

功率输出模块，连接控制模块、延时主控模块和电源VS，用于控制晶闸管T2的导通和场效应管Q1的功率输出；功率输出模块包括晶闸管T2和场效应管Q1；

延时主控模块包括延时主控芯片，所述延时主控芯片的VDD引脚连接电源VCC和控制模块，所述延时主控芯片的RESET引脚连接电源VCC和控制模块，所述延时主控芯片的CLV引脚、

进一步地，所述控制模块还包括电阻R1，晶闸管T1的阳极连接电阻R1和所述延时主控芯片的RESET引脚，晶闸管T1的阴极接地，电阻R1连接电源VCC。

进一步地，所述振荡模块包括：电阻R2、电阻R3和电容C1，电阻R2连接所述延时主控芯片的CLV引脚，电阻R3连接所述延时主控芯片的

进一步地，所述功率输出模块还包括：电阻R4、电阻R5和电阻R6，电阻R4连接所述延时主控芯片的Q14引脚和晶闸管T2的门极，晶闸管T2的阴极接地并连接晶闸管T1的阴极，晶闸管T2的阳极连接电阻R6，电阻R6连接场效应管Q1的栅极和电阻R5，电阻R5连接场效应管Q1的源极，场效应管Q1的源极连接电源VS。

进一步地，所述功率输出模块还包括：稳压管Dz1和电容C2，稳压管Dz1的阳极连接电容C2，稳压管Dz1的阴极连接电阻R5、电源VS和场效应管Q1的源极，电容C2接地并连接晶闸管T1的阴极。

一种延时控制定时电路的控制方法，基于所述的延时控制定时电路，包括：

向晶闸管T1的门极输入高电平电压，随着所述高电平电压升高，晶闸管T1开始导通，此时延时主控芯片的RESET引脚电压下降，且处于逻辑低状态后，所述延时主控芯片进入工作模式；

在延时主控芯片进入工作模式后，所述振荡模块产生自振荡，并通过所述延时主控芯片的Q14引脚进行分频输出；

所述Q14引脚分频输出的初始输出为低电平状态，等待半个周期后输出高电平，晶闸管T2开始导通，实现定时电路的延时控制。

进一步地，所述功率输出模块包括：电阻R4、晶闸管T2、电阻R5、电阻R6、稳压管Dz1、电容C2和场效应管Q1，电阻R4连接所述延时主控芯片的Q14引脚和晶闸管T2的门极，晶闸管T2的阴极接地并连接晶闸管T1的阴极，晶闸管T2的阳极连接电阻R6，电阻R6连接场效应管Q1的栅极和电阻R5，电阻R5连接场效应管Q1的源极，场效应管Q1的源极连接电源VS，稳压管Dz1的阳极连接电容C2，稳压管Dz1的阴极连接电阻R5、电源VS和场效应管Q1的源极，电容C2接地并连接晶闸管T1的阴极；

当电源VS的供电电压低时，稳压管Dz1上的电流小于稳压电流，稳压管Dz1不导通，此时场效应管Q1的导通电压采用电阻R5和电阻R6进行分压，使场效应管Q1导通，进行功率输出，实现定时电路的延时控制。

进一步地，所述场效应管Q1的导通电压为：

其中，V

进一步地，当电源VS的供电电压高时，稳压管Dz1上的电流大于稳压电流，稳压管Dz1导通，使场效应管Q1的导通电压保持恒定值，从而进行功率输出，实现定时电路的延时控制。

进一步地，所述稳压管Dz1上的电流为：

其中，I

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明提供一种延时控制定时电路，包括控制模块、振荡模块、延时主控模块和功率输出模块，通过控制模块中晶闸管的导通，来有效控制开始延时的时间，从而实现精准延时。本发明通过分离器件来控制开始延时的时间、宽范围供电和输出，采用的电路结构简单，不需要额外的输入控制电路和稳压电路，就能够实现精确延时和宽范围供电及输出。

进一步地，本发明通过分压电阻R5和R6，以及稳压管Dz1调节场效应管Q1的栅源电压，从而使得本发明能够适应宽范围供电输入和电压输出。

附图说明

图1为本发明提供的延时控制定时电路的电路原理图。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本发明方案，下面将结合附图和实施例，对本发明的技术方案进行进一步地详细描述，所述内容是对本发明的解释而不是限定。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、系统、产品或设备固有的其他步骤或单元。

本发明提供一种延时控制定时电路，包括：控制模块、振荡模块、延时主控模块和功率输出模块。如图1所示，T1为控制电路的晶闸管，T2是输出控制晶闸管，Q1为输出功率管，IC1为延时主控芯片。

具体的，控制模块包括晶闸管T1和电阻R1，晶闸管T1的阳极连接电阻R1和所述延时主控芯片的RESET引脚，晶闸管T1的阴极接地，电阻R1连接电源VCC，控制模块主要用于控制晶闸管T1的导通。

具体的，振荡模块包括电阻R2、电阻R3和电容C1，电阻R2连接延时主控芯片IC1的CLV引脚，电阻R3连接所述延时主控芯片IC1的

具体的，功率输出模块包括电阻R4、晶闸管T2、电阻R5、电阻R6、场效应管Q1、稳压管Dz1和电容C2，电阻R4连接延时主控芯片IC1的Q14引脚和晶闸管T2的门极，晶闸管T2的阴极接地并连接晶闸管T1的阴极，晶闸管T2的阳极连接电阻R6，电阻R6连接场效应管Q1的栅极和电阻R5，电阻R5连接场效应管Q1的源极，场效应管Q1的源极连接电源VS，稳压管Dz1的阳极连接电容C2，稳压管Dz1的阴极连接电阻R5、电源VS和场效应管Q1的源极，电容C2接地并连接晶闸管T1的阴极，功率输出模块主要用于控制晶闸管T2的导通和场效应管Q1的功率输出。

当VIN输入高电平时，随着VIN电压的升高，晶闸管T1的V

T1＝2.2*R3*C1

延时主控芯片IC1产生自振荡，其通过Q14引脚进行分频输出，其输出端周期T2为：

T2＝T1*2

延时主控芯片IC1开始正常工作，经振荡分频输出TTL波，初始输出为低电平状态，此时晶闸管T2不导通，经半个周期后输出高电平，此时晶闸管T2的V

当Vs供电电压低，流过稳压管Dz1上的电流小于稳压管的稳压电流，不足以使稳压管Dz1导通时，场效应管Q1的V

当Vs供电电压高，流过Dz1稳压管上的电流I

当晶闸管T1导通后，电阻R5和电阻R6为T2提供维持电流，保证晶闸管处于常通状态，场效应管Q1亦处于常通状态，此时延时主控芯片IC1的3脚状态不影响晶闸管导通状态。

需注意的是，在选择电阻R1、电阻R5、电阻R6的阻值时，需考虑可供晶闸管导通的维持电流大小，电流值过小会影响晶闸管正常导通；同时Q1需选择导通电阻小的场效应管，能够有效降低产品损耗。

本发明能够通过控制晶闸管导通，从而有效控制开始延时的时间，实现精准延时，同时通过电阻分压及稳压管调节场效应管的栅源电压，可以适应宽范围供电输入和电压输出。

由技术常识可知，本发明可以通过其它不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的，所有在本发明范围内或在等同于本发明的范围内的改变均被本发明包含。