发光器件和包括该发光器件的显示装置

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的显示装置。

背景技术

最近，已经开发了使用具有可靠无机晶体结构的材料制造超小型发光元件和使用该发光元件制造发光器件的技术。例如，已经开发了使用具有与从纳米级尺寸到微米级尺寸的范围对应的小尺寸的超小型发光元件来构造发光器件的光源的技术。这样的发光器件可以用在各种电子装置(诸如，显示装置和照明装置)中。

发明内容

技术问题

本公开的各种实施例涉及一种包括围绕(或包围)每个发射区域的堤的发光器件，以及一种包括该发光器件的显示装置。

技术方案

根据本公开的一个方面，一种显示装置包括：第一基底，包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域；第一子像素，包括设置在第一子像素区域中的第一发光元件；第二子像素，包括设置在第二子像素区域中的第二发光元件；第三子像素，包括设置在第三子像素区域中的第三发光元件；以及堤，设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素之间，并且被配置为围绕第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个的发射区域。堤由包括滤色材料的色堤形成，滤色材料用于阻挡从第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件发射的颜色的光。

在实施例中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件可以发射相同颜色的光。堤可以包括具有与从第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件发射的光的颜色不同的颜色的颜色颜料。

在实施例中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的全部可以发射蓝光。堤可以包括红色类滤色材料或黄色类滤色材料。

在实施例中，显示装置还可以包括：第二基底，位于第一基底的其上设置有第一子像素、第二子像素和第三子像素的一个表面上；第一颜色转换层，设置在第二基底的面对第一子像素的一个表面上，并且包括用于将从第一发光元件发射的光的颜色转换为第一颜色的第一颜色转换颗粒；以及第一滤色器，设置在第二基底与第一颜色转换层之间，并且被配置为允许第一颜色的光选择性地穿过其。

在实施例中，显示装置还可以包括：第二颜色转换层，设置在第二基底的面对第二子像素的一个表面上，并且包括用于将从第二发光元件发射的光的颜色转换为第二颜色的第二颜色转换颗粒；以及第二滤色器，设置在第二基底与第二颜色转换层之间，并且被配置为允许第二颜色的光选择性地穿过其。

在实施例中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的全部可以发射蓝光。第一颜色转换层和第二颜色转换层分别可以包括红色量子点和绿色量子点。第一滤色器和第二滤色器分别可以包括红色滤色器和绿色滤色器。

在实施例中，显示装置还可以包括以下中的至少一个：第三滤色器，设置在第二基底的面对第三子像素的一个表面上，并且被配置为允许从第三发光元件发射的颜色的光选择性地穿过其；以及光散射层，设置在第三子像素与第三滤色器之间并且包括光散射颗粒。

在实施例中，第三发光元件可以是被配置为发射蓝光的蓝色发光元件。第三滤色器可以包括蓝色滤色器。

在实施例中，显示装置还可以包括设置在第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器之间的黑矩阵。

在实施例中，第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个可以包括：第一分隔壁和第二分隔壁，设置在发射区域中并且彼此间隔开；第一电极，设置在第一分隔壁上；第二电极，设置在第二分隔壁上并与第一电极间隔开；第一接触电极，设置在第一发光元件、第二发光元件或第三发光元件的第一端以及第一电极的一个区域之上，并且被配置为将第一端电连接到第一电极；以及第二接触电极，设置在第一发光元件、第二发光元件或第三发光元件的第二端以及第二电极的一个区域之上，并且被配置为将第二端电连接到第二电极。

在实施例中，第一分隔壁和第二分隔壁均可以具有比堤的高度小的高度。

在实施例中，第一电极可以包括在第一基底的高度方向上突出并且具有面对第一端的倾斜表面或弯曲表面的第一反射电极。第二电极可以包括在第一基底的高度方向上突出并且具有面对第二端的倾斜表面或弯曲表面的第二反射电极。

在实施例中，堤可以包括：第一色堤层，设置在第一基底的一个表面上，并且包括第一颜色颜料；以及第二色堤层，设置在第一色堤层之上或之下以与第一色堤层叠置，并且包括具有与第一颜色颜料的颜色不同的颜色的第二颜色颜料。

在实施例中，堤可以包括：第一色堤层，设置在第一基底的一个表面上，并且包括第一颜色颜料；以及聚合物有机堤层，设置在第一色堤层之上或之下以与第一色堤层叠置。

在实施例中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的每个可以包括具有纳米级尺寸到微米级尺寸的棒型发光二极管。

根据本公开的一个方面，一种发光器件包括：第一基底，包括发射区域；第一分隔壁和第二分隔壁，设置在发射区域中并且彼此间隔开；第一电极，设置在第一分隔壁上；第二电极，设置在第二分隔壁上并且与第一电极间隔开；发光元件，连接在第一电极与第二电极之间；以及堤，设置为围绕发射区域。堤由包括滤色材料的色堤形成，滤色材料用于阻挡从发光元件发射的颜色的光。

在实施例中，发光元件可以发射蓝光。堤可以包括基于红色类滤色材料或黄色类滤色材料。

在实施例中，发光器件还可以包括：第二基底，设置在第一基底的一个表面上；颜色转换层，设置在第二基底的一个表面上并且被配置为面对发光元件，并且包括用于将从发光元件发射的光的颜色转换为不同的颜色的颜色转换颗粒；以及滤色器，被配置为允许由颜色转换层转换的颜色的光穿过其。

在实施例中，堤可以包括：第一色堤层，设置在第一基底的一个表面上，并且包括第一颜色颜料；以及第二色堤层，设置在第一色堤层之上或之下以与第一色堤层叠置，并且包括具有与第一颜色颜料的颜色不同的颜色的第二颜色颜料。

在实施例中，堤可以包括：第一色堤层，设置在第一基底的一个表面上，并且包括第一颜色颜料；以及聚合物有机堤层，设置在第一色堤层之上或之下以与第一色堤层叠置。

有益效果

根据本公开的实施例的发光器件和包括该发光器件的显示装置可以包括被配置为围绕其中设置有至少一个发光元件的每个发射区域的堤。具体地，在本公开的实施例中，堤由包括滤色材料的色堤形成，该滤色材料用于阻挡从每个对应的发光元件发射的颜色的光。根据本公开的实施例，可以防止堤的残留物残留，并且堤可以容易地形成为期望的形状。另外，可以有效地防止相邻发光器件或像素之间的光学干涉。

附图说明

图1a和图1b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。

图2a和图2b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。

图3a和图3b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。

图4是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。

图5a至图5c是各自示出根据本公开的实施例的子像素的电路图。

图6是示出根据本公开的实施例的像素的平面图。

图7a和图7b是各自示出根据本公开的实施例的子像素的结构的剖面图(例如，示出与图6的线I-I'对应的剖面的实施例)。

图8是示出根据本公开的实施例的子像素的结构的剖面图(例如，示出与图6的线I-I'对应的剖面的实施例)。

图9a至图9d示出包括黑堤的比较示例的显示装置和根据本公开的实施例的包括色堤的显示装置的电子显微镜图像。

图10是示出根据本公开的实施例的显示装置的结构的剖面图(例如，示出与图6的线II-II'对应的剖面的实施例)。

图11和图12是各自示出根据本公开的实施例的显示装置的结构的剖面图(例如，示出与图6的线II-II'对应的剖面的实施例)。

具体实施方式

现在将详细参照本公开的各种实施例，由于本公开的实施例可以以许多不同的形式进行各种修改，因此在附图中示出并且在下面描述本公开的具体示例。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以被修改为各种形式。

与附图中的本公开的特征不直接相关的一些元件会被省略以清楚地解释本公开。此外，附图中的一些元件的尺寸、比率等可能被稍微夸大。应注意的是，在整个附图中，相同的附图标记用于表示相同或相似的元件，并且将省略重复的解释。

将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。还将理解的是，当术语“包括”、“包含”、“具有”等在本说明书中使用时，说明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部分设置在第二部分上时，所述第一部分不仅可以直接在所述第二部分上，而且第三部分可以介于所述第一部分与所述第二部分之间。此外，在以下描述中使用的术语“位置”、“方向”等以相对术语定义，并且应注意的是，它们可以根据视角或方向改变为相反的位置或方向。

参照附图描述本公开的实施例和所需细节，以便详细描述本公开，使得在本公开所属技术领域中具有普通知识的技术人员可以容易地实践本公开。此外，只要在句子中没有特别提及，单数形式就可以包括复数形式。

图1a、图1b、图2a、图2b、图3a和图3b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件LD的透视图和剖面图。尽管图1a至图3b示出圆柱形棒型发光元件LD，但是根据本公开的发光元件LD的种类和/或形状不限于此。

参照图1a和图1b，根据本公开的实施例的发光元件LD可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和介于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。例如，发光元件LD可以由通过连续堆叠第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13而形成的堆叠体构成。

在实施例中，发光元件LD可以设置为在一个方向上延伸的棒的形式。如果发光元件LD延伸所沿的方向被定义为长度方向(L)，则发光元件LD可以具有相对于长度方向(L)的第一端和第二端。

在实施例中，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在发光元件LD的第一端上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的第二端上。

在实施例中，发光元件LD可以是以棒的形式制造的棒型发光二极管。在本说明书中，术语“棒型”包含棒状形状和条状形状(诸如，在长度方向上延伸(即，延伸为具有大于1的纵横比)的圆柱形形状和棱柱形形状等)，其剖面形状不限于特定形状。例如，发光元件LD的长度L可以比其直径D(或其剖面的宽度)大。

在实施例中，发光元件LD可以具有与纳米级尺寸到微米级尺寸对应的小尺寸(例如，与微米级或纳米级范围对应的直径D和/或长度L)。然而，在本公开中，发光元件LD的尺寸不限于此。例如，发光元件LD的尺寸可以根据各种装置(例如，采用使用发光元件LD的发光器件作为光源的显示装置)的设计条件以各种方式改变。

第一导电半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括n型半导体层，该n型半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且掺杂有第一导电掺杂剂(诸如，Si、Ge或Sn)。然而，形成第一导电半导体层11的材料不限于此，并且第一导电半导体层11可以由各种其他材料形成。

活性层12可以设置在第一导电半导体层11上并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。在实施例中，掺杂有导电掺杂剂的覆盖层(未示出)可以形成在活性层12上和/或之下。例如，覆盖层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。在实施例中，可以使用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成活性层12，并且可以使用各种其他材料来形成活性层12。

如果将具有预定电压或更高电压的电场施加到发光元件LD的相对端，则发光元件LD通过活性层12中的电子-空穴对的结合来发射光。由于可以基于前述原理控制发光元件LD的光发射，所以发光元件LD可以用作各种发光器件以及显示装置的像素的光源。

第二导电半导体层13可以设置在活性层12上，并且包括与第一导电半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括p型半导体层，该p型半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且掺杂有第二导电掺杂剂(诸如，Mg)。然而，形成第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13可以由各种其他材料形成。

在实施例中，发光元件LD还可以包括设置在发光元件LD的表面上的绝缘膜INF。在实施例中，绝缘膜INF可以形成在发光元件LD的表面上以包围至少活性层12的外周表面。另外，绝缘膜INF还可以包围第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的每个的至少一个区域。这里，绝缘膜INF可以允许发光元件LD的具有不同极性的相对端暴露于外部。例如，绝缘膜INF可以暴露相对于长度方向(L)设置在发光元件LD的相应相对端上的第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的每个的一端，例如，可以暴露圆柱体的顶表面和底表面中的每个而不是覆盖它。

在实施例中，绝缘膜INF可以包括SiO

在实施例中，发光元件LD除了包括第一导电半导体层11、活性层12、第二导电半导体层13和/或绝缘膜INF之外还可以包括附加的其他组件。例如，发光元件LD还可以包括设置在第一导电半导体层11、活性层12和/或第二导电半导体层13的一端上的一个或更多个荧光层、一个或更多个活性层、一个或更多个半导体层和/或一个或更多个电极层。

例如，如图2a和图2b中所示，发光元件LD还可以包括设置在第二导电半导体层13的一端上的至少一个电极层14。在实施例中，如图3a和图3b中所示，发光元件LD还可以包括设置在第一导电半导体层11的一端上的至少一个电极层15。

电极层14和15中的每个可以是欧姆接触电极，但不限于此。此外，电极层14和15中的每个可以包括金属或金属氧化物。例如，Cr、Ti、Al、Au、Ni、ITO、IZO、ITZO及其氧化物或合金可以单独使用或彼此组合地使用。在实施例中，电极层14和15可以是基本透明或半透明的。由此，从发光元件LD产生的光可以在穿过电极层14和15之后发射到外部。

在实施例中，绝缘膜INF可以至少部分地包围电极层14和15的外表面，或者可以不包围它们。换句话说，绝缘膜INF可以选择性地形成在电极层14和15的表面上。此外，绝缘膜INF可以形成为暴露发光元件LD的具有不同极性的相对端(例如，可以暴露电极层14和15中的每个的至少一个区域)。可选择地，在实施例中，可以不设置绝缘膜INF。

如果绝缘膜INF设置在发光元件LD的表面上，具体地，设置在活性层12的表面上，则可以防止活性层12与未示出的至少一个电极(例如，连接到发光元件LD的相对端的接触电极中的至少一个接触电极)等短路。因此，可以确保发光元件LD的电稳定性。

此外，由于形成在发光元件LD的表面上的绝缘膜INF，因此可以使发光元件LD的表面上的缺陷的发生最小化，由此可以改善发光元件LD的寿命和效率。另外，如果绝缘膜INF形成在每个发光元件LD上，则即使当多个发光元件LD彼此相邻地设置时，也可以防止发光元件LD不期望地短路。

在本公开的实施例中，可以执行表面处理工艺以制造发光元件LD。例如，可以对发光元件LD进行表面处理(例如，通过涂覆工艺进行表面处理)，使得当多个发光元件LD与流体溶液混合然后供应给每个发光区域(例如，每个像素的发光区域)时，发光元件LD可以在溶液中均匀地分布而不是不均匀地聚集。

包括上述发光元件LD的发光器件可以用在包括需要光源的显示装置的各种装置中。例如，多个超小型发光元件LD可以设置在显示面板的每个像素区域中，从而形成每个像素的发光单元。此外，根据本公开的发光元件LD的应用领域不限于显示装置。例如，发光元件LD还可以用于需要光源的各种装置(诸如，照明装置)中。

图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。在实施例中，图4示出显示装置(具体地，设置在显示装置中的显示面板PNL)作为可以使用参照图1a至图3b描述的发光元件LD作为光源的装置的示例。根据该实施例，图4简单地示出显示面板PNL的聚焦于显示区域DA的结构。在一些实施例中，尽管未示出，但是还可以在显示面板PNL中设置至少一个驱动电路组件(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)和/或多条线。

参照图4，根据本公开的实施例的显示面板PNL可以包括第一基底SUB1和设置在第一基底SUB1上的多个像素PXL。详细地，显示面板PNL和用于形成显示面板PNL的第一基底SUB1可以包括用于显示图像的显示区域DA和除显示区域DA之外的非显示区域NDA。

在实施例中，显示区域DA可以设置在显示面板PNL的中心部分中，并且非显示区域NDA可以以围绕显示区域DA的方式设置在显示面板PNL的周边部分中。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，并且其位置可以改变。

第一基底SUB1可以形成显示面板PNL的基础构件。例如，第一基底SUB1可以形成底部面板(显示面板PNL的底板)的基础构件。

在实施例中，第一基底SUB1可以是刚性基底或柔性基底，并且第一基底SUB1的材料或性质没有特别限制。例如，第一基底SUB1可以是由玻璃或强化玻璃制成的刚性基底，或者是通过由塑料或金属制成的薄膜形成的柔性基底。此外，第一基底SUB1可以是透明基底，但不限于此。例如，第一基底SUB1可以是半透明基底、不透明基底或反射基底。

第一基底SUB1上的一个区域被定义为其中设置有像素PXL的显示区域DA，并且第一基底SUB1上的另一区域被定义为非显示区域NDA。例如，第一基底SUB1可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA，显示区域DA包括其中形成有相应像素PXL的多个像素区域。连接到像素PXL的各种线和/或内部电路可以设置在非显示区域NDA中。

像素PXL中的每个可以包括由对应的扫描信号和对应的数据信号驱动的至少一个发光元件LD(例如，根据图1a至图3b中示出的实施例中的任何一个的至少一个棒型发光二极管)。例如，像素PXL各自可以包括多个棒型发光二极管，棒型发光二极管中的每个具有从纳米级到微米级的范围的小尺寸，并且彼此并联连接。所述多个棒型发光二极管可以形成每个像素PXL的光源。

此外，像素PXL中的每个可以包括多个子像素。例如，每个像素PXL可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。在实施例中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以发射不同颜色的光。例如，第一子像素SPX1可以是用于发射红光的红色子像素，第二子像素SPX2可以是用于发射绿光的绿色子像素，并且第三子像素SPX3可以是用于发射蓝光的蓝色子像素。然而，形成每个像素PXL的子像素的颜色、类型和/或数量不受特别限制。例如，可以以各种方式改变从每个子像素发射的光的颜色。尽管在图4中示出了像素PXL以条形形状布置在显示区域DA中的实施例，但是本公开不限于此。例如，显示区域DA可以具有各种公知的像素布置形状。

在实施例中，每个像素PXL(或每个子像素)可以由有源像素形成。然而，能够应用于根据本公开的显示装置的像素PXL的类型、结构和/或驱动方案不受特别限制。例如，每个像素PXL可以由具有各种公知的有源结构或无源结构的发光显示装置的像素形成。

图5a至图5c是各自示出根据本公开的实施例的子像素的电路图，例如，以示出图4中示出的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的任何一个。

详细地，图5a至图5c示出可以设置在有源显示装置(例如，有源发光显示装置)中的子像素SPX的不同实施例。例如，图5a至图5c中示出的每个子像素SPX可以是设置在图4的发光显示面板PNL中的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的任何一个。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的结构可以彼此基本相同或相似。因此，在图5a至图5c中，将第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3统称为子像素SPX。

参照图5a，根据本公开的实施例的子像素SPX可以包括发光单元EMU和像素电路PXC，发光单元EMU被配置为产生具有与数据信号对应的亮度的光，像素电路PXC被配置为驱动发光单元EMU。

在实施例中，发光单元EMU可以包括在第一电源VDD与第二电源VSS之间彼此并联地连接的多个发光元件LD。这里，第一电源VDD和第二电源VSS可以具有不同的电位，以使发光元件LD能够发射光。例如，第一电源VDD可以被设定为高电位电源，并且第二电源VSS可以被设定为低电位电源。这里，在子像素SPX的至少发射时段期间，第一电源VDD与第二电源VSS之间的电势差可以被设定为发光元件LD的阈值电压或更大。

尽管在图5a中示出形成发光单元EMU的发光元件LD在第一电源VDD与第二电源VSS之间在相同方向上(例如，在正向方向上)彼此并联地连接的实施例，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，发光元件LD中的一些可以在第一电源VDD与第二电源VSS之间在正向方向上彼此连接，并且其他发光元件LD可以在相反方向上彼此连接。可选择地，在实施例中，至少一个子像素SPX可以包括单个发光元件LD。

在实施例中，形成每个发光单元EMU的发光元件LD的第一端可以通过第一电极共同连接到对应的像素电路PXC，并且可以经由像素电路PXC连接到第一电源VDD。发光元件LD的第二端可以通过第二电极共同连接到第二电源VSS。

每个发光单元EMU可以发射具有与经由对应的像素电路PXC向其供应的驱动电流对应的亮度的光。由此，可以在显示区域DA中显示预定的图像。

像素电路PXC可以连接到相应的子像素SPX的扫描线Si和数据线Dj。例如，如果子像素SPX设置在显示区域DA的第i行和第j列上，则子像素SPX的像素电路PXC可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。像素电路PXC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。

第一晶体管(驱动晶体管)T1连接在第一电源VDD与发光单元EMU的第一电极之间。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制要供应给发光单元EMU的驱动电流。

第二晶体管(开关晶体管)T2可以连接在数据线Dj与第一节点N1之间。第二晶体管T2的栅电极连接到扫描线Si。

当从扫描线Si供应栅极导通电压(例如，低电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第一节点N1电连接到数据线Dj。在每个帧周期期间，相应帧的数据信号被提供给数据线Dj。数据信号经由第二晶体管T2传输到第一节点N1。由此，与数据信号对应的电压被充入到存储电容器Cst。

存储电容器Cst的一个电极连接到第一电源VDD，并且存储电容器Cst的另一电极连接到第一节点N1。存储电容器Cst可以在每个帧周期期间充入与供应给第一节点N1的数据信号对应的电压，并且保持充入的电压直到供应后一帧的数据信号。

尽管在图5a中包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换句话说，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的任何一者可以被改变为N型晶体管。

例如，如图5b中所示，第一晶体管T1和第二晶体管T2两者都可以由N型晶体管形成。除了根据晶体管的类型的改变而改变一些电路元件的连接位置的事实之外，图5b中示出的子像素SPX的构造和操作与图5a的子像素SPX的构造和操作基本相似。因此，将省略图5b的子像素SPX的详细描述。

像素电路PXC的结构不限于图5a和图5b中示出的实施例。换句话说，像素电路PXC可以由可以具有各种结构并且/或者通过各种驱动方案操作的公知的像素电路形成。例如，像素电路PXC可以以与图5c中示出的实施例的方式相同的方式来构造。

参照图5c，像素电路PXC不仅可以连接到对应的水平行的扫描线Si，而且可以连接到至少一条其他扫描线(或控制线)。例如，设置在显示区域DA的第i行上的子像素SPX的像素电路PXC还可以连接到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。在实施例中，像素电路PXC不仅可以连接到第一电源VDD和第二电源VSS，而且可以连接到其他电源。例如，像素电路PXC还可连接到初始化电源Vint。在实施例中，像素电路PXC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。

第一晶体管T1连接在第一电源VDD与发光单元EMU的第一电极之间。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制要供应给发光单元EMU的驱动电流。

第二晶体管T2连接在数据线Dj与第一晶体管T1的一个电极之间。第二晶体管T2的栅电极连接到对应的扫描线Si。当从扫描线Si供应栅极导通电压的扫描信号时，第二晶体管T2可以导通以将数据线Dj电连接到第一晶体管T1的所述一个电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从数据线Dj供应的数据信号可以被传输到第一晶体管T1。

第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的另一电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极连接到对应的扫描线Si。当从扫描线Si供应栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3可以导通以以二极管的形式将第一晶体管T1电连接。

第四晶体管T4可以连接在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到前一扫描线(例如，第i-1扫描线Si-1)。当栅极导通电压的扫描信号被供应给第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以被传输到第一节点N1。这里，初始化电源Vint的电压可以为数据信号的最小电压或更小。

第五晶体管T5连接在第一电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极连接到对应的发射控制线(例如，第i发射控制线Ei)。第五晶体管T5可以在栅极截止电压(例如，高电压)的发射控制信号被供应给发射控制线Ei时截止，并且可以在其他情况下导通。

第六晶体管T6连接在第一晶体管T1与发光单元EMU的第一电极之间。第六晶体管T6的栅电极连接到对应的发射控制线(例如，第i发射控制线Ei)。第六晶体管T6可以在栅极截止电压的发射控制信号被供应给发射控制线Ei时截止，并且可以在其他情况下导通。

第七晶体管T7连接在发光单元EMU的第一电极与初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极连接到后一级的扫描线中的任何一条(例如，连接到第i+1扫描线Si+1)。当栅极导通电压的扫描信号被供应给第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以供应给发光单元EMU的第一电极。

存储电容器Cst连接在第一电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与在每个帧周期期间施加到第一节点N1的数据信号和第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。

尽管在图5c中包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以被改变为N型晶体管。

此外，可以应用于本公开的子像素SPX的结构不限于图5a至图5c中示出的实施例，并且每个子像素SPX可以具有各种公知的结构。例如，包括在每个子像素SPX中的像素电路PXC可以由可以具有各种结构并且/或者通过各种驱动方案操作的公知的像素电路形成。在本公开的实施例中，每个子像素SPX可以被配置在无源发光显示装置等中。在这种情况下，可以省略像素电路PXC，并且发光单元EMU的第一像素电极和第二像素电极中的每个可以直接连接到扫描线Si、数据线Dj、电力线和/或控制线。

图6是示出根据本公开的实施例的像素PXL的平面图(例如，示出与图4中示出的像素PXL中的任何一个对应的像素区域PXA的平面图)。在实施例中，图6示出每个像素PXL的聚焦于其中设置有像素PXL的发光元件LD的显示元件层的结构。

参照图4至图6，像素PXL形成在限定在第一基底SUB1上的每个像素区域PXA中。每个像素区域PXA可以包括与构成每个像素PXL的多个子像素SPX对应的多个子像素区域SPA。

例如，每个像素区域PXA可以包括其中形成有第一子像素SPX1的第一子像素区域SPA1、其中形成有第二子像素SPX2的第二子像素区域SPA2以及其中形成有第三子像素SPX3的第三子像素区域SPA3。每个子像素区域SPA可以包括至少一对第一电极ELT1和第二电极ELT2以及其中设置有连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的至少一个发光元件LD的发射区域EMA。

在实施例中，第一子像素SPX1包括在与第一子像素SPX1对应的第一子像素区域SPA1中设置在彼此间隔开的位置处的第一电极ELT1和第二电极ELT2，以及连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的至少一个第一发光元件LD1。例如，第一子像素SPX1可以包括在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间彼此并联地连接的多个第一发光元件LD1。

在实施例中，第二子像素SPX2包括在与第二子像素SPX2对应的第二子像素区域SPA2中设置在彼此间隔开的位置处的第一电极ELT1和第二电极ELT2，以及连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的至少一个第二发光元件LD2。例如，第二子像素SPX2可以包括在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间彼此并联地连接的多个第二发光元件LD2。

在实施例中，第三子像素SPX3包括在与第三子像素SPX3对应的第三子像素区域SPA3中设置在彼此间隔开的位置处的第一电极ELT1和第二电极ELT2，以及连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的至少一个第三发光元件LD3。例如，第三子像素SPX3可以包括在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间彼此并联地连接的多个第三发光元件LD3。

在实施例中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的结构可以彼此基本相同或相似。为了方便的目的，在下文中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的任何一个将被统称为“子像素SPX”，其中形成子像素SPX的区域将被统称为“子像素区域SPA”，设置在子像素区域SPA中的至少一个第一发光元件LD1、第二发光元件LD2或第三发光元件LD3将被统称为“发光元件LD”，并且将详细描述每个子像素SPX的结构。

在实施例中，每个子像素SPX可以包括在每个子像素区域SPA中设置在彼此间隔开的位置处的至少一对第一电极ELT1和第二电极ELT2、与第一电极ELT1的一个区域叠置的第一分隔壁PW1和第一接触电极CNE1、与第二电极ELT2的一个区域叠置的第二分隔壁PW2和第二接触电极CNE2以及连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的至少一个发光元件LD(例如，多个发光元件LD)。

在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在每个子像素区域SPA中设置在彼此间隔开的位置处，使得第一电极ELT1和第二电极ELT2的至少部分彼此面对。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在每个发射区域EMA中在相对于第一方向DR1彼此间隔开预定距离的位置处彼此平行地设置，并且各自可以在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸。然而，本公开不限于此。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2的形状和/或相互布置关系可以以各种方式改变。

在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个可以具有单层结构或多层结构。例如，每个第一电极ELT1可以具有包括第一反射电极REF1和第一导电覆盖层CPL1的多层结构。每个第二电极ELT2可以具有包括第二反射电极REF2和第二导电覆盖层CPL2的多层结构。

此外，第一反射电极REF1和第二反射电极REF2中的每个可以具有单层结构或多层结构。例如，每个第一反射电极REF1可以包括至少一个反射导电层，并且选择性地还包括设置在反射导电层之上和/或之下的至少一个透明导电层。同样，每个第二反射电极REF2可以包括至少一个反射导电层，并且选择性地还包括设置在反射导电层之上和/或之下的至少一个透明导电层。

在实施例中，第一电极ELT1可以连接到第一连接电极CNL1。例如，第一电极ELT1可以一体地连接到第一连接电极CNL1。例如，第一电极ELT1可以由从第一连接电极CNL1分叉的至少一个分支形成。在第一电极ELT1和第一连接电极CNL1彼此一体地形成的情况下，第一连接电极CNL1可以被认为是第一电极ELT1的一个区域。然而，本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，第一电极ELT1和第一连接电极CNL1可以单独形成并且通过未示出的至少一个接触孔、通孔等彼此电连接。

在实施例中，第一电极ELT1和第一连接电极CNL1可以在对应的子像素区域SPA中在不同方向上延伸。例如，当第一连接电极CNL1在第一方向DR1上延伸时，第一电极ELT1可以在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸。

在实施例中，第一连接电极CNL1可以具有单层结构或多层结构。例如，第一连接电极CNL1可以包括与第一反射电极REF1一体地连接的第1_1连接电极CNL1_1和与第一导电覆盖层CPL1一体地连接的第1_2连接电极CNL1_2。在实施例中，第一连接电极CNL1可以具有与第一电极ELT1的剖面结构(堆叠结构)相同的剖面结构，但是本公开不限于此。

在实施例中，第一电极ELT1和第一连接电极CNL1可以通过第一接触孔CH1连接到每个子像素SPX的像素电路PXC(例如，具有图5a至图5c中的任何一幅中示出的构造的像素电路PXC)。在实施例中，第一接触孔CH1可以设置在每个子像素SPX的发射区域EMA的外部。例如，第一接触孔CH1可以设置在对应的发射区域EMA周围，使得第一接触孔CH1与堤BNK叠置。在这种情况下，第一接触孔CH1被堤BNK覆盖，使得可以防止图案在发射区域EMA中反射。然而，本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，至少一个第一接触孔CH1可以设置在发射区域EMA中。

在实施例中，每个像素电路PXC可以设置在在对应的子像素区域SPA中设置的发光元件LD之下。例如，每个像素电路PXC可以形成在发光元件LD之下的像素电路层中，并且通过第一接触孔CH1连接到第一电极ELT1。

在实施例中，第二电极ELT2可以连接到第二连接电极CNL2。例如，第二电极ELT2可以一体地连接到第二连接电极CNL2。例如，第二电极ELT2可以由从第二连接电极CNL2分叉的至少一个分支形成。在第二电极ELT2和第二连接电极CNL2彼此一体地形成的情况下，第二连接电极CNL2可以被认为是第二电极ELT2的一个区域。然而，本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，第二电极ELT2和第二连接电极CNL2可以单独形成并且通过未示出的至少一个接触孔、通孔等彼此电连接。

在实施例中，第二电极ELT2和第二连接电极CNL2可以在对应的子像素区域SPA中在不同方向上延伸。例如，当第二连接电极CNL2在第一方向DR1上延伸时，第二电极ELT2可以在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸。

在实施例中，第二连接电极CNL2可以具有单层结构或多层结构。例如，第二连接电极CNL2可以包括与第二反射电极REF2一体地连接的第2_1连接电极CNL2_1和与第二导电覆盖层CPL2一体地连接的第2_2连接电极CNL2_2。在实施例中，第二连接电极CNL2可以具有与第二电极ELT2的剖面结构(堆叠结构)相同的剖面结构，但是本公开不限于此。

在实施例中，第二电极ELT2和第二连接电极CNL2可以连接到第二电源VSS。例如，第二电极ELT2和第二连接电极CNL2可以通过第二接触孔CH2以及与第二接触孔CH2连接的电力线(未示出)连接到第二电源VSS。在实施例中，第二接触孔CH2可以设置在每个子像素SPX的发射区域EMA的外部。例如，第二接触孔CH2可以设置在对应的发射区域EMA周围，使得第二接触孔CH2与堤BNK叠置。在这种情况下，第二接触孔CH2被堤BNK覆盖，使得可以防止图案在发射区域EMA中反射。然而，本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，至少一个第二接触孔CH2可以设置在发射区域EMA中。

在实施例中，用于供应第二电源VSS的电力线的区域可以设置在发光元件LD之下的像素电路层中。例如，电力线设置在发光元件LD之下的像素电路层中，并且通过第二接触孔CH2连接到第二电极ELT2。然而，本公开不限于前述结构，并且电力线的位置可以以各种方式改变。

在实施例中，第一分隔壁PW1可以设置在第一电极ELT1之下，使得第一分隔壁PW1与第一电极ELT1的区域叠置。第二分隔壁PW2可以设置在第二电极ELT2之下，使得第二分隔壁PW2与第二电极ELT2的区域叠置。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在每个发射区域EMA中设置在彼此间隔开的位置处，并且分别使第一电极ELT1和第二电极ELT2的区域向上突出。例如，第一电极ELT1可以设置在第一分隔壁PW1上，并且通过第一分隔壁PW1在第一基底SUB1的高度方向上突出。第二电极ELT2可以设置在第二分隔壁PW2上并且在第一基底SUB1的高度方向上突出。

在实施例中，至少一个发光元件LD(例如，多个发光元件LD)可以布置在每个子像素SPX的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。例如，至少一个第一发光元件LD1可以设置在第一子像素SPX1的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。至少一个第二发光元件LD2可以设置在第二子像素SPX2的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。至少一个第三发光元件LD3可以设置在第三子像素SPX3的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。例如，在每个子像素区域SPA中，多个发光元件LD可以在其中第一电极ELT1和第二电极ELT2被设置为彼此面对的区域中彼此并联地连接。

尽管在图6中所有发光元件LD已经被示出为在第一方向DR1上(例如，在横向方向上)布置，但是发光元件LD的布置方向不限于此。例如，发光元件LD中的至少一个可以在对角线方向上设置。

在实施例中，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可以发射相同颜色或不同颜色的光。例如，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的所有可以由发射蓝光的蓝色发光二极管形成。

发光元件LD电连接在每个子像素SPX的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。例如，发光元件LD的第一端EP1可以电连接到相应的子像素SPX的第一电极ELT1，并且发光元件LD的第二端EP2可以电连接到相应的子像素SPX的第二电极ELT2。

在实施例中，发光元件LD的第一端可以通过至少一个接触电极(例如，第一接触电极CNE1)电连接到对应的第一电极ELT1，而不是直接设置在第一电极ELT1上。然而，本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，发光元件LD的第一端EP1可以与相应的第一电极ELT1直接接触并且电连接到第一电极ELT1。

同样地，发光元件LD的第二端EP2可以通过至少一个接触电极(例如，第二接触电极CNE2)电连接到对应的第二电极ELT2，而不是直接设置在第二电极ELT2上。然而，本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，发光元件LD的第二端EP2可以与第二电极ELT2直接接触并且电连接到第二电极ELT2。

在实施例中，发光元件LD中的每个可以由发光二极管形成，该发光二极管由具有无机晶体结构的材料制成并且具有超小型尺寸(例如，从纳米级到微米级的范围)。例如，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的每个可以是具有从纳米级到微米级的范围的尺寸的超小型棒型发光二极管，该超小型棒型发光二极管在图1a、图1b、图2a、图2b、图3a和图3b中的任何一个中示出。

在实施例中，发光元件LD可以在预定溶液中以扩散的形式制备，然后通过喷墨打印方案或狭缝涂覆方案供应给每个子像素SPX的发射区域EMA。例如，发光元件LD可以与挥发性溶剂混合并供应给每个发射区域EMA。这里，如果通过每个子像素SPX的第一电极ELT1和第二电极ELT2供应预定电压，则电场形成在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间，由此发光元件LD在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间自对准。在已对准发光元件LD之后，可以通过挥发方案或其他方案去除溶剂。以这种方式，发光元件LD可以可靠地布置在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。此外，由于第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2分别形成在发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2上，因此发光元件LD可以可靠地连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。

在实施例中，每个第一接触电极CNE1可以形成在发光元件LD的第一端EP1和第一电极ELT1的与第一端EP1对应的至少一个区域上，由此发光元件LD的第一端EP1可以物理地连接和/或电连接到第一电极ELT1。同样地，每个第二接触电极CNE2可以形成在发光元件LD的第二端EP2和第二电极ELT2的与第二端EP2对应的至少一个区域上，由此发光元件LD的第二端EP2可以物理地连接和/或电连接到第二电极ELT2。

设置在每个子像素区域SPA中的发光元件LD可以聚集，因此形成对应的子像素SPX的光源。例如，如果驱动电流在每个帧周期期间流过至少一个子像素SPX，则在子像素SPX的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间在正向方向上连接的发光元件LD可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。

在实施例中，每个发射区域EMA可以被堤BNK围绕(或包围)。例如，根据本公开的实施例的显示装置可以包括设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3之间的堤BNK，以围绕第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个的发射区域EMA。

在本公开的实施例中，堤BNK可以是包括至少一个色堤层的色堤CBNK。根据本公开的前述实施例，可以防止堤BNK的残留物残留在发射区域EMA中，并且可以容易地以期望的形状形成堤BNK。下面将进行与堤BNK相关的详细描述。

图7a和图7b是各自示出根据本公开的实施例的子像素SPX的结构的剖面图(例如，示出与图6的线I-I'对应的剖面的实施例)。详细地，图7a和图7b示出与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2以及堤BNK的形状相关的不同实施例。

在实施例中，图7a和图7b示出形成在显示面板PNL的底部面板(或下面板)BP中的任何一个子像素区域SPA。在实施例中，上述第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的剖面结构可以彼此基本相同或相似。因此，为了方便的目的，参照示出与图6的线I-I'对应的第一子像素区域SPA1的剖面的图7a和图7b，将全面地描述每个子像素SPX的结构。

参照图7a和图7b以及图1至图6，像素电路层PCL和显示元件层LDL在第一基底SUB1上依次布置在每个子像素区域SPA中。在实施例中，像素电路层PCL和显示元件层LDL可以形成在显示面板PNL的整个显示区域DA中。

在实施例中，像素电路层PCL可以包括构成子像素SPX的像素电路PXC的电路元件。显示元件层LDL可以包括子像素SPX的发光元件LD。

例如，在第一基底SUB1上的第一子像素区域SPA1中，包括构成对应的第一子像素SPX1的像素电路PXC的电路元件的像素电路层PCL和包括设置在第一子像素SPX1中的至少一个发光元件LD(例如，多个第一发光元件LD1)的显示元件层LDL可以依次设置在第一基底SUB1的一个表面上。同样地，在第一基底SUB1上的第二子像素区域SPA2中，包括构成对应的第二子像素SPX2的像素电路PXC的电路元件的像素电路层PCL和包括设置在第二子像素SPX2中的多个第二发光元件LD2的显示元件层LDL可以依次设置在第一基底SUB1的一个表面上。在第一基底SUB1上的第三子像素区域SPA3中，包括构成对应的第三子像素SPX3的像素电路PXC的电路元件的像素电路层PCL和包括设置在第三子像素SPX3中的多个第三发光元件LD3的显示元件层LDL可以依次设置在第一基底SUB1的一个表面上。

这样，像素电路层PCL和显示元件层LDL可以在第一基底SUB1上依次设置在显示区域DA中。例如，像素电路层PCL可以形成在第一基底SUB1的表面上，并且显示元件层LDL可以形成在第一基底SUB1的其上形成有像素电路层PCL的表面之上。

在实施例中，像素电路层PCL可以包括设置在显示区域DA中的多个电路元件。例如，像素电路层PCL可以包括形成在子像素区域SPA中的每个中的多个电路元件，以形成对应的子像素SPX的像素电路PXC。例如，像素电路层PCL可以包括设置在每个子像素区域SPA中的多个晶体管(例如，图5a和图5b的第一晶体管T1和第二晶体管T2)。尽管在图7a和图7b中未示出，但是像素电路层PCL可以包括设置在每个子像素区域SPA中的存储电容器Cst、连接到每个像素电路PXC的各种信号线(例如，图5a和图5b中示出的扫描线Si和数据线Dj)以及连接到像素电路PXC和/或发光元件LD的各种电力线(例如，被配置为分别传输第一电源VDD和第二电源VSS的第一电力线(未示出)和第二电力线PL)。

在实施例中，设置在每个像素电路PXC中的多个晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)可以具有基本相同或相似的剖面结构。然而，本公开不限于此。在实施例中，所述多个晶体管中的至少一些可以具有不同的类型和/或结构。

另外，像素电路层PCL可以包括多个绝缘层。例如，像素电路层PCL可以包括依次堆叠在第一基底SUB1的一个表面上的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和钝化层PSV。

在实施例中，缓冲层BFL可以防止杂质扩散到每个电路元件中。缓冲层BFL可以由单层形成，或者可以由具有两层或更多层的多层形成。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，各个层可以由相同的材料或不同的材料形成。在实施例中，可以省略缓冲层BFL。

在实施例中，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个可以包括半导体层SCL、栅电极GE、第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2。尽管图7a和图7b示出其中第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个包括与半导体层SCL分开形成的第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2的实施例，但是本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，设置在在每个子像素区域SPA中设置的至少一个晶体管中的第一晶体管电极ET1和/或第二晶体管电极ET2可以与对应的半导体层SCL一体地形成。

半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。例如，半导体层SCL可以设置在栅极绝缘层GI与其上形成有缓冲层BFL的第一基底SUB1之间。半导体层SCL可以包括与第一晶体管电极ET1接触的第一区域、与第二晶体管电极ET2接触的第二区域以及设置在第一区域与第二区域之间的沟道区。在实施例中，第一区域和第二区域中的一个可以是源区，并且另一个可以是漏区。

在实施例中，半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。半导体层SCL的沟道区可以是作为未掺杂的半导体图案的本征半导体。半导体层SCL的第一区域和第二区域中的每个可以是掺杂有预定杂质的半导体图案。

栅电极GE可以设置在半导体层SCL上，并且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体层SCL之间。例如，栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI与层间绝缘层ILD之间，并且与半导体层SCL的至少一部分叠置。

第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以设置在半导体层SCL和栅电极GE之上，并且至少一个层间绝缘层ILD置于第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2与栅电极GE之间。例如，第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以设置在层间绝缘层ILD与钝化层PSV之间。第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以电连接到半导体层SCL。例如，第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以通过穿过栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的对应的接触孔分别连接到半导体层SCL的第一区域和第二区域。

在实施例中，设置在像素电路PXC中的至少一个晶体管(例如，图5a和图5b的第一晶体管T1)的第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2中的任何一个可以通过穿过钝化层PSV的第一接触孔CH1电连接到设置在钝化层PSV上的发光单元EMU的第一电极ELT1。

在实施例中，连接到每个子像素SPX的至少一条信号线和/或电力线可以设置在与形成像素电路PXC的电路元件中的每个的一个电极的层相同的层上。例如，用于供应第二电源VSS的电力线PL可以设置在与第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅电极GE的层相同的层上，并且通过设置在与第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2的层相同的层上的桥接图案BRP以及穿过钝化层PSV的至少一个第二接触孔CH2两者电连接到设置在钝化层PSV上的发光单元EMU的第二电极ELT2。然而，电力线PL等的结构和/或位置可以以各种方式改变。

在实施例中，显示元件层LDL可以包括在每个子像素区域SPA中设置在像素电路层PCL之上的多个发光元件LD。例如，显示元件层LDL可以包括设置在每个第一子像素区域SPA1中的第一发光元件LD1、设置在每个第二子像素区域SPA2中的第二发光元件LD2和设置在每个第三子像素区域SPA3中的第三发光元件LD3。此外，显示元件层LDL还可以包括设置在发光元件LD周围的至少一个绝缘层和/或绝缘图案。

例如，显示元件层LDL可以包括设置在每个子像素区域SPA中的第一电极ELT1和第二电极ELT2、设置在彼此对应的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的发光元件LD以及分别设置在发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2上的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。另外，显示元件层LDL还可以包括例如至少一个导电层和/或至少一个绝缘层(或绝缘图案)。例如，显示元件层LDL还可以包括第一分隔壁PW1、第二分隔壁PW2、堤BNK、第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4中的至少一者。

在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在像素电路层PCL上。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在每个子像素区域SPA的发射区域EMA中设置在彼此间隔开预定距离的位置处。

在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以包括具有无机材料或有机材料的绝缘材料。此外，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有单层结构或多层结构。换句话说，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的材料和/或堆叠结构可以以各种方式改变，而不被特别限制。

在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有各种形状。例如，如图7a中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有从其底部到顶部的宽度减小的梯形的剖面形状。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在至少一侧上具有倾斜表面。可选择地，如图7b中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有其宽度向上逐渐减小的半圆形剖面或半椭圆形剖面。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在至少一侧上具有弯曲的表面。换句话说，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状可以以各种方式改变，而不被特别限制。

在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2以及第一连接电极CNL1和第二连接电极CNL2可以设置在设置有第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的每个子像素区域SPA中。

在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在其上形成有像素电路层PCL以及/或者第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的第一基底SUB1上设置在彼此间隔开预定距离的位置处。第一连接电极CNL1和第二连接电极CNL2可以分别与第一电极ELT1和第二电极ELT2一体地连接。

在实施例中，第一电极ELT1可以设置在相应的第一分隔壁PW1上，并且第二电极ELT2可以设置在相应的第二分隔壁PW2上。在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的任何一个可以是阳极电极，并且另一个可以是阴极电极。

第一电极ELT1和第二电极ELT2可以分别具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应的形状。例如，每个第一电极ELT1可以通过对应的第一分隔壁PW1在第一基底SUB1的高度方向上突出，并且具有与第一分隔壁PW1的剖面对应的倾斜表面或弯曲表面。例如，每个第一电极ELT1可以包括第一反射电极REF1和选择性地设置在第一反射电极REF1上的第一导电覆盖层CPL1，第一反射电极REF1通过设置在第一反射电极REF1之下的第一分隔壁PW1在第一基底SUB1的高度方向上突出，并且具有面对相邻的发光元件LD的第一端EP1的倾斜表面或弯曲表面。

同样地，每个第二电极ELT2可以通过对应的第二分隔壁PW2在第一基底SUB1的高度方向上突出，并且具有与第二分隔壁PW2的剖面对应的倾斜表面或弯曲表面。例如，每个第二电极ELT2可以包括第二反射电极REF2和选择性地设置在第二反射电极REF2上的第二导电覆盖层CPL2，第二反射电极REF2通过设置在第二反射电极REF2之下的第二分隔壁PW2在第一基底SUB1的高度方向上突出，并且具有面对相邻的发光元件LD的第二端EP2的倾斜表面或弯曲表面。

在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有相同的高度，使得第一电极ELT1和第二电极ELT2可以具有相同的高度。如此，如果第一电极ELT1和第二电极ELT2具有相同的高度，则发光元件LD可以更可靠地连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。然而，本公开不限于此。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2的形状、结构和/或相互设置关系可以以各种方式改变。

在实施例中，第一反射电极REF1和第二反射电极REF2中的每个可以包括至少一种导电材料。例如，第一反射电极REF1和第二反射电极REF2中的每个可以包括金属(诸如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti或其合金)、导电氧化物(诸如，ITO、IZO、ZnO或ITZO)和导电聚合物(诸如，PEDOT)中的至少一种；然而，本发明不限于此。此外，第一反射电极REF1和第二反射电极REF2可以具有相同或不同的单层结构或多层结构。

例如，第一反射电极REF1和第二反射电极REF2中的每个可以包括由具有预定反射率的导电材料形成的至少一个反射导电层。此外，在实施例中，第一反射电极REF1和第二反射电极REF2中的每个还可以包括设置在反射导电层之上和/或之下的至少一个透明导电层。

在实施例中，反射导电层可以包括诸如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和其合金的金属中的至少一种；然而，本公开不限于此。换句话说，对能够形成第一反射电极REF1和第二反射电极REF2的反射导电层的材料没有特别的限制。

在实施例中，透明导电层可以由各种透明电极材料形成。例如，每个透明电极层可以包括ITO、IZO或ITZO，但是本公开不限于此。换句话说，对能够设置在第一反射电极REF1和第二反射电极REF2中的透明导电层的材料没有特别的限制。

在实施例中，第一反射电极REF1和第二反射电极REF2中的每个可以具有呈ITO/Ag/ITO的堆叠结构的三层结构。此外，与第一反射电极REF1和第二反射电极REF2连接的第1_1连接电极CNL1_1和第2_1连接电极CNL2_1中的每个也可以以与第一反射电极REF1和第二反射电极REF2的方式同样的方式具有多层结构。如此，如果第一反射电极REF1和第二反射电极REF2中的每个和/或第1_1连接电极CNL1_1和第2_1连接电极CNL2_1中的每个具有两层或更多层的多层结构，则可以使由于信号延迟引起的电压降最小化。

第一反射电极REF1和第二反射电极REF2可以使从发光元件LD中的每个的相对端(即，发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2)发射的光能够在显示图像的方向上(例如，在显示面板PNL的正面方向上)行进。具体地，如果第一反射电极REF1和第二反射电极REF2分别具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应的倾斜表面或弯曲表面，则从发光元件LD中的每个的第一端EP1和第二端EP2发射的光可以被第一反射电极REF1和第二反射电极REF2反射，由此光可以在显示面板PNL的正面方向上(例如，在第一基底SUB1的向上方向上)更可靠地行进。因此，可以增强从发光元件LD发射的光的效率。

在本公开的实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个也可以用作反射组件。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2与设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的第一反射电极REF1和第二反射电极REF2一起可以用作用于提高从发光元件LD中的每个发射的光的效率的反射组件。第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2可以分别选择性地设置在第一反射电极REF1和第二反射电极REF2之上。例如，第一导电覆盖层CPL1可以设置在第一反射电极REF1之上以覆盖第一反射电极REF1。第二导电覆盖层CPL2可以设置在第二反射电极REF2之上以覆盖第二反射电极REF2。

第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2中的每个可以由透明导电材料(诸如，ITO或IZO)形成，以使从发光元件LD发射的光的损失最小化。然而，本公开不限于此。例如，可以以各种方式改变第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2的材料。

第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2可以防止第一反射电极REF1和第二反射电极REF2由于在制造显示面板PNL的工艺期间可能发生的故障等而损坏。此外，第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2可以增强设置有像素电路层PCL等的第一基底SUB与第一反射电极REF1和第二反射电极REF2之间的粘合力。在实施例中，可以省略第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2中的至少一个。

在实施例中，第一绝缘层INS1可以设置在其中设置有第一电极ELT1和第二电极ELT2的每个子像素区域SPA中。在实施例中，第一绝缘层INS1可以设置在像素电路层PCL与发光元件LD之间。第一绝缘层INS1可以起稳定地支撑发光元件LD并防止发光元件LD从其正确位置移位的作用。在实施例中，第一绝缘层INS1可以以单独的图案被形成在发射区域EMA的一个区域中；然而，本公开不限于此。

在实施例中，可以在其中设置有第一绝缘层INS1的每个子像素区域SPA中设置并对准至少一个发光元件LD(例如，多个发光元件LD)。例如，可以在第一子像素区域SPA1的发射区域EMA中设置并对准多个第一发光元件LD1。

在实施例中，当将预定电压被施加到第一电极ELT1和第二电极ELT2时，发光元件LD可以通过在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间形成的电场自对准。因此，发光元件LD可以设置在对应的子像素区域SPA的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。

发光元件LD中的每个的形状和/或结构不限于图7a和图7b中示出的实施例。例如，每个发光元件LD可以具有各种公知的形状、剖面结构和/或连接结构。

在实施例中，覆盖发光元件LD的相应上表面的部分的第二绝缘层INS2可以设置在其中设置有发光元件LD的每个子像素区域SPA中。在实施例中，第二绝缘层INS2可以选择性地仅设置在发光元件LD的上部上，而不覆盖发光元件LD的至少相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)。第二绝缘层INS2可以以单独的图案形成在发射区域EMA的一个区域中；然而，本公开不限于此。

在实施例中，第一接触电极CNE1可以设置在其中设置有第二绝缘层INS2的每个子像素区域SPA中。在实施例中，第一接触电极CNE1可以设置在在对应的子像素区域SPA中设置的第一电极ELT1上，使得第一接触电极CNE1与第一电极ELT1的一个区域接触。此外，第一接触电极CNE1可以设置在在对应的子像素区域SPA中设置的至少一个发光元件LD的第一端EP1上，使得第一接触电极CNE1与第一端EP1接触。由于第一接触电极CNE1，设置在每个子像素区域SPA中的至少一个发光元件LD的第一端EP1可以电连接到设置在对应的子像素区域SPA中的第一电极ELT1。

在实施例中，第三绝缘层INS3可以设置在其中设置有第一接触电极CNE1的每个子像素区域SPA中。在实施例中，第三绝缘层INS3可以形成为覆盖设置在对应的子像素区域SPA中的第二绝缘层INS2和第一接触电极CNE1。

在实施例中，第二接触电极CNE2可以设置在其中设置有第三绝缘层INS3的每个子像素区域SPA中。在实施例中，第二接触电极CNE2可以设置在在对应的子像素区域SPA中设置的第二电极ELT2上，使得第二接触电极CNE2与第二电极ELT2的一个区域接触。此外，第二接触电极CNE2可以设置在在对应的子像素区域SPA中设置的至少一个发光元件LD的第二端EP2上，使得第二接触电极CNE2与第二端EP2接触。由于第二接触电极CNE2，设置在每个子像素区域SPA中的至少一个发光元件LD的第二端EP2可以电连接到设置在对应的子像素区域SPA中的第二电极ELT2。

堤BNK可以设置在其上形成有第一电极ELT1和第二电极ELT2的第一基底SUB1上。例如，堤BNK可以形成在子像素SPX之间以围绕子像素SPX的相应发射区域EMA，使得可以形成用于限定每个子像素SPX的发射区域EMA的像素限定层。

在实施例中，堤BNK可以形成为具有比第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的高度H1大的高度H2。在向每个发射区域EMA供应发光元件LD的步骤中，堤BNK可以用作坝结构，该坝结构被配置为防止混合有发光元件LD的溶液被引入相邻子像素SPX的发射区域EMA中，或者控制溶液的量使得向每个发射区域EMA供应恒定量的溶液。

在实施例中，堤BNK可以具有各种形状。在实施例中，如图7a中所示，堤BNK可以具有宽度向上减小的梯形剖面。例如，堤BNK可以在与每个子像素SPX的发射区域EMA接界的区域中具有宽度向上减小的倾斜表面。在实施例中，堤BNK可以在与每个子像素SPX的发射区域EMA接界的区域中具有如图7b中所示的宽度向上减小的弯曲表面。换句话说，在实施例中，堤BNK可以具有宽度向上减小的形状，并且其形状可以以各种方式改变。

此外，可以形成堤BNK以防止从每个发射区域EMA发射的光进入相邻的发射区域EMA并导致光学干涉。为此，可以形成堤BNK以防止从每个子像素SPX的发光元件LD发射的光穿过堤BNK。

例如，堤BNK可以由包括滤色材料的色堤CBNK形成，所述滤色材料用于阻挡从第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3发射的颜色的光和/或波长的光。在实施例中，色堤CBNK可以包括具有与从第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3发射的光的颜色不同的颜色的颜色颜料(或颜色染料)。例如，堤BNK可以由至少一个色堤层形成，该色堤层包括用于阻挡从第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3发射的颜色的光和/或波长的光的滤色材料。因此，堤BNK可以用作遮光层，该遮光层被配置为防止从第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3发射的光泄漏到相邻的发射区域EMA中。

在本公开的实施例中，第一发光元件LD、第二发光元件LD和第三发光元件LD可以发射相同颜色的光。例如，第一发光元件LD、第二发光元件LD和第三发光元件LD中的全部可以由被配置为发射蓝光的蓝色发光元件形成。在这种情况下，堤BNK可以包括滤色材料，该滤色材料被配置为阻挡具有蓝色波段的光并允许具有与蓝色波段不同的波段的光(例如，具有预定颜色和与蓝色的波段不同的波段的光)选择性地穿过堤BNK。

例如，堤BNK可以包括用于允许在可见光区域中具有相对远离蓝色波段的波段的光(例如，红光)选择性地通过其的红色类滤色材料。然而，堤BNK的材料不限于前述材料。例如，在本公开的实施例中，第一发光元件LD、第二发光元件LD和第三发光元件LD中的全部可以发射蓝光，并且堤BNK可以包括黄色类滤色材料。可选择地，在本公开的实施例中，堤BNK可以包括至少两种颜色的滤色材料。例如，堤BNK可以由包括红色颜料和黄色颜料的组合的橙色色堤CBNK形成。

以这种方式，如果堤BNK被形成为包括用于阻挡从每个子像素SPX的发光元件LD发射的颜色的光的滤色材料，则堤BNK可以在不使用黑矩阵材料(诸如，炭黑)的情况下形成，并且也有效地防止光在相邻子像素SPX之间泄漏。在本公开的实施例中，可以防止在使用黑矩阵材料的比较示例的显示装置中可能引起的堤BNK的残留物的发生。此外，由于使用与黑矩阵材料的图案化工艺相比可以便于图案化工艺的滤色材料形成堤BNK，所以堤BNK可以更容易地形成为期望的形状和/或期望的高度(例如，2.5μm或更高的高度)。

在实施例中，第四绝缘层INS4可以设置在其上设置有第一电极ELT1、第二电极ELT2、发光元件LD、第一接触电极CNE1、第二接触电极CNE2、堤BNK等的第一基底SUB1上。例如，第四绝缘层INS4可以形成在整个显示区域DA中，以覆盖其上设置有第一电极ELT1、第二电极ELT2、发光元件LD、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的第一基底SUB1的上表面。在实施例中，第四绝缘层INS4不仅可以包括用于保护显示元件层LDL的组件的至少一个无机层和/或有机层，而且还可以包括各种功能层等。

图8是示出根据本公开的实施例的子像素SPX的结构的剖面图(例如，示出与图6的线I-I'对应的剖面的实施例)。详细地，图8示出图6至图7b中示出的子像素SPX的修改实施例。在图8的实施例的描述中，同样的附图标记用于表示与上述实施例(例如，图6至图7b的实施例)的组件相似或相同的组件，并且将省略其详细说明。

参照图8，根据本公开的实施例的子像素SPX还可以包括设置在发射区域EMA的边界上以与堤BNK叠置的屏蔽层SHL，以及置于屏蔽层SHL与第一电极ELT1和第二电极ELT2之间的第五绝缘层INS5。例如，在平面图中，屏蔽层SHL可以以围绕(或包围)发射区域EMA的形状设置在发射区域EMA的外围区域中，因此与堤BNK叠置。此外，屏蔽层SHL可以形成在与发射区域EMA的外围相邻的区域中，以覆盖第一电极ELT1和第二电极ELT2的上部。

在实施例中，屏蔽层SHL可以是包括至少一种导电材料的导电图案。例如，屏蔽层SHL可以由包括透明导电材料(诸如，IZO)的至少一个透明导电层形成，但是本公开不限于此。换句话说，屏蔽层SHL可以由各种导电材料形成，并且其组成材料没有特别限制。

由于设置了屏蔽层SHL，因此发光元件LD可以在发射区域EMA中适当地对准。详细地，屏蔽层SHL可以抵消在相邻子像素SPX之间产生的电场。因此，可以防止发光元件LD在子像素SPX的周围中对准，并且可以引导发光元件LD在每个子像素SPX的发射区域EMA中适当地对准。

在实施例中，屏蔽层SHL可以浮置以被电隔离，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，屏蔽层SHL可以连接到预定的参考电源。

在实施例中，堤BNK可以形成在第一基底SUB1的其上形成有屏蔽层SHL等的一个表面上。例如，堤BNK可以直接形成在屏蔽层SHL上。

在上述实施例中，堤BNK可以由包括滤色材料的色堤CBNK形成。如此，当堤BNK由色堤CBNK形成时，即使堤BNK直接形成在屏蔽层SHL上，也可以有效地防止堤BNK的残留物出现在屏蔽层SHL上和/或发射区域EMA中。另一方面，在由黑矩阵材料(诸如，炭黑)制成的黑堤形成在屏蔽层SHL上的比较示例的情况下，会过度地出现残留物。

图9a至图9d示出包括黑堤BBNK的比较示例的显示装置和根据本公开的实施例的包括色堤CBNK的显示装置的电子显微镜图像。详细地，图9a和图9b分别示出比较示例和根据本公开的实施例的显示装置的区域的平面图。图9c和图9d分别示出比较示例和根据本公开的实施例的显示装置的区域的剖面图。

参照图9a和图9b以及图6至图8，可以看到的是，在比较示例的包括由黑矩阵材料(诸如，碳黑)形成的黑堤BBNK的显示装置中，在每个发射区域EMA中出现大量的堤BNK的残留物。这样的残留物可能导致每个子像素SPX中的短路缺陷或引起黑点缺陷，从而使图像质量劣化。另一方面，可以检查到的是，在根据本公开的实施例的包括由红色滤色材料形成的色堤CBNK的显示装置中，清楚地形成了堤BNK而没有残留物。

参照图9c和图9d以及图6至图8，可以看到的是，与比较示例的黑堤BBNK相比，根据本公开的使用红色滤色材料的色堤CBNK可以具有呈改善的角度的锥度，并且具有优异的轮廓。

换句话说，如果如本公开的实施例中所示形成色堤CBNK，则可以防止堤BNK的残留物出现，并且可以容易地以期望的形状形成堤BNK。

图10是示出根据本公开的实施例的显示装置的结构的剖面图(例如，示出与图6的线II-II'对应的剖面的实施例)。在图10的实施例中，示出了通过将顶部面板(或上面板)和底部面板彼此结合而形成的显示面板PNL中的其中设置有每个像素PXL的任何一个像素区域PXA。为了方便的目的，基于在图7a至图8中详细描述的底部面板BNL的一些组件，图10示意性地示出在图7a至图8中详细描述的底部面板BNL的结构，并且将省略其详细描述。

参照图10，根据本公开的实施例的显示装置可以包括第二基底SUB2和光转换图案层LCP，第二基底SUB2位于第一基底SUB1的其上设置有第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第二子像素SPX3的一个表面上，光转换图案层LCP设置在第二基底SUB2的一个表面上以面对第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第二子像素SPX3中的每个。

在实施例中，第二基底SUB2可以设置在第一基底SUB1之上以覆盖其上设置有至少像素PXL的显示区域DA。第二基底SUB2可以形成显示面板PNL的上基底(例如，封装基底或薄膜封装层)和/或窗组件。

在实施例中，第二基底SUB2可以是刚性基底或柔性基底，并且第二基底SUB2的材料或性质没有特别限制。此外，第二基底SUB2可以由与第一基底SUB1的材料相同的材料形成，或者可以由与第一基底SUB1的材料不同的材料形成。

在实施例中，光转换图案层LCP可以包括被设置为面对第一子像素SPX1的第一光转换图案层LCP1、被设置为面对第二子像素SPX2的第二光转换图案层LCP2以及被设置为面对第三子像素SPX3的第三光转换图案层LCP3。在实施例中，第一光转换图案层LCP1、第二光转换图案层LCP2和第三光转换图案层LCP3中的至少一些可以包括颜色转换层CCL和/或滤色器CF。

例如，第一光转换图案层LCP1可以包括第一颜色转换层CCL1和第一滤色器CF1，第一颜色转换层CCL1包括与第一颜色对应的第一颜色转换颗粒，第一滤色器CF1被配置为允许第一颜色的光选择性地穿过。同样地，第二光转换图案层LCP2可以包括第二颜色转换层CCL2和第二滤色器CF2，第二颜色转换层CCL2包括与第二颜色对应的第二颜色转换颗粒，第二滤色器CF2被配置为允许第二颜色的光选择性地穿过。第三光转换图案层LCP3可以包括光散射层LSL和第三滤色器CF3中的至少一个，光散射层LSL包括光散射颗粒SCT，第三滤色器CF3被配置为允许第三颜色的光选择性地穿过。

在本公开的实施例中，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可以发射相同颜色的光。此外，颜色转换层CCL可以设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的至少一些上。例如，第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2可以分别设置在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2上。因此，根据本公开的实施例的显示装置可以显示全色图像。

在实施例中，第一颜色转换层CCL1可以设置在第二基底SUB2的面对第一子像素SPX1的一个表面上，并且包括将从第一发光元件LD1发射的光的颜色转换为第一颜色的第一颜色转换颗粒。例如，在第一发光元件LD1是被配置为发射蓝光的蓝色发光元件并且第一子像素SPX1是红色子像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可以包括将从第一发光元件LD1发射的蓝光转换为红光的红色量子点QDr。例如，第一颜色转换层CCL1可以包括分布在预定的基质材料(诸如，透明树脂)中的多个红色量子点QDr。红色量子点QDr可以吸收蓝光并根据能量跃迁使光的波长移位，从而发射具有从620nm至780nm的波长范围的红光。在第一子像素SPX1是不同颜色的子像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可以包括与第一子像素SPX1的颜色对应的第一量子点。

在实施例中，第一滤色器CF1可以设置在第一颜色转换层CCL1与第二基底SUB2之间，并且包括允许由第一颜色转换层CCL1转换的第一颜色的光选择性地穿过其的滤色材料。例如，在第一颜色转换层CCL1包括红色量子点QDr的情况下，第一滤色器CF1可以是被配置为允许红光选择性地穿过其的红色滤色器。

在实施例中，第二颜色转换层CCL2可以设置在第二基底SUB2的面对第二子像素SPX2的一个表面上，并且包括将从第二发光元件LD2发射的光的颜色转换为第二颜色的第二颜色转换颗粒。例如，在第二发光元件LD2是被配置为发射蓝光的蓝色发光元件并且第二子像素SPX2是绿色子像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可以包括将从第二发光元件LD2发射的蓝光转换为绿光的绿色量子点QDg。例如，第二颜色转换层CCL2可以包括分布在预定的基质材料(诸如，透明树脂)中的多个绿色量子点QDg。绿色量子点QDg可以吸收蓝光并根据能量跃迁使光的波长移位，从而发射具有从500nm至570nm的波长范围的绿光。在第二子像素SPX2是不同颜色的子像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可以包括与第二子像素SPX2的颜色对应的第二量子点。

第一量子点和第二量子点(或红色量子点QDr和绿色量子点QDg)中的每个可以从II-IV族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合之中选择。

第II-VI族化合物可以从由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组中选择，二元化合物从由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组中选择，三元化合物从由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组中选择，四元化合物从由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组中选择。

III-V族化合物可以从由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组中选择，二元化合物从由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组中选择，三元化合物从由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP及其混合物组成的组中选择，四元化合物从由GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组中选择。

IV-VI族化合物可以从由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组中选择，二元化合物从由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组中选择，三元化合物从由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组中选择，四元化合物从由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组中选择。IV族元素可以从由Si、Ge及其混合物组成的组中选择。IV族化合物可以是从由SiC、SiGe及其混合物组成的组中选择的二元化合物。

第一量子点和第二量子点可以具有约45nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且通过第一量子点和第二量子点发射的光可以在所有方向上发射。因此，可以增强发光显示装置的视角。

第一量子点和第二量子点中的每个可以是以具有球形形状、角锥形形状、多臂形状或立方体形状的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片状颗粒的形式，但不限于此。换句话说，第一量子点和第二量子点的形状可以以各种方式改变。

在本公开的实施例中，当在可见光区域中具有相对短波长的蓝光入射在红色量子点QDr和绿色量子点QDg中的每个上时，红色量子点QDr和绿色量子点QDg的吸收系数可以增大。由此，最终，可以提高从第一子像素SPX1和第二子像素SPX2发射的光的效率，并且可以确保令人满意的颜色再现性。此外，分别设置在第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3中的第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可以具有相同的颜色(例如，蓝色)。因此，可以提高显示装置的生产效率。

在实施例中，第二滤色器CF2可以设置在第二颜色转换层CCL2与第二基底SUB2之间，并且包括允许由第二颜色转换层CCL2转换的第二颜色的光选择性地穿过其的滤色材料。例如，在第二颜色转换层CCL2包括绿色量子点QDg的情况下，第二滤色器CF2可以是被配置为允许绿光选择性地穿过其的绿色滤色器。

在实施例中，光散射层LSL可以设置在第二基底SUB2的面对第三子像素SPX3的一个表面上。例如，光散射层LSL可以设置在第三子像素SPX3和第三滤色器CF3上。

在实施例中，当第三发光元件LD3是被配置为发射蓝光的蓝色发光元件并且第三子像素SPX3是蓝色子像素时，可以选择性地提供光散射层LSL以有效地使用从第三发光元件LD3发射的光。光散射层LSL可以包括至少一种光散射颗粒SCT。例如，光散射层LSL可以包括光散射颗粒SCT(诸如，TiO

在实施例中，第三滤色器CF3可以设置在第二基底SUB2的面对第三子像素SPX3的一个表面上，并且包括允许从第三发光元件LD3发射的第三颜色的光选择性地穿过其的滤色材料。例如，在第三发光元件LD3是被配置为发射蓝光的蓝色发光元件的情况下，第三滤色器CF3可以是被配置为允许蓝光选择性地穿过其的蓝色滤色器。

在实施例中，黑矩阵BM可以设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间。例如，黑矩阵BM可以设置在第二基底SUB2上以与第一基底SUB1上的堤BNK叠置。

在前述实施例中，可以容易地制造使用相同颜色的发光元件LD的每个像素PXL和包括该像素PXL的显示装置。由于颜色转换层CCL设置在子像素SPX中的至少一些上，因此可以制造全色像素PXL和包括该全色像素PXL的显示装置。

图11和图12是各自示出根据本公开的实施例的显示装置的结构的剖面图(例如，示出与图6的线II-II'对应的剖面的实施例)。详细地，图11和图12示出图6至图10中示出的堤BNK的不同修改实施例。在图11和图12的实施例的描述中，同样的附图标记用于表示与上述实施例(例如，图10的实施例)的组件类似或相同的组件，并且将省略其详细说明。

参照图11和图12，堤BNK可以由多个层形成。例如，如图11中所示，堤BNK可以包括设置在第一基底SUB1的一个表面上以彼此叠置的第一色堤层CBNK1和第二色堤层CBNK2。

在实施例中，第一色堤层CBNK1可以设置在第一基底SUB1上的一个区域中(例如，设置在发射区域EMA之间)，并且包括第一颜色颜料。第二色堤层CBNK2可以设置在第一色堤层CBNK1之上或之下以与第一色堤层CBNK1叠置，并且包括具有与第一颜色颜料的颜色不同的颜色的第二颜色颜料。在实施例中，第一色堤层CBNK1和第二色堤层CBNK2各自可以包括至少一种颜色的颜色颜料，并且根据实施例可以包括多种颜色的颜色颜料的组合。

在实施例中，如图12中所示，堤BNK可以包括设置在第一基底SUB1的一个表面上以彼此叠置的第一色堤层CBNK1和聚合物有机堤层PBNK。例如，堤BNK可以包括包含第一颜色颜料的第一色堤层CBNK1，以及设置在第一色堤层CBNK1之上或之下并且包含聚合物有机材料(诸如，聚酰亚胺PI)的聚合物有机堤层PBNK。

在本公开中，堤BNK的结构和/或组成材料可以各种方式改变。例如，堤BNK可以包括包含至少一种颜色的颜色颜料的至少一个色堤层(例如，第一色堤层CBNK1)，并且堤BNK的结构、形状等可以以各种方式改变。

如上所述，根据本公开的各种实施例的显示装置包括围绕其中设置有至少一个发光元件LD的每个发射区域EMA的堤BNK。具体地，在本公开的实施例中，堤BNK由包括滤色材料的色堤CBNK形成，该滤色材料可以阻挡从每个发光元件LD发射的颜色的光。例如，如图10中所示，堤BNK可以是由单个色堤层形成的色堤CBNK。可选择地，如图11和图12中所示，堤BNK可以具有至少包括第一色堤层CBNK1的多层结构。

根据本公开的这些实施例，可以防止堤BNK的残留物残留，并且可以容易地以期望的形状形成堤BNK。此外，堤BNK可以防止光在侧向方向上从发射区域EMA泄漏，使得可以防止在相邻的子像素SPX之间发生混色现象。

另外，在本公开的实施例中，至少一种颜色转换层设置在至少一些发射区域EMA中。例如，第一颜色转换层CCL1可以设置在第一子像素SPX1的发射区域EMA中，并且第二颜色转换层CCL2可以设置在第二子像素SPX2的发射区域EMA中。

在本公开的这些实施例中，可以制造使用被配置为发射单色光(例如，蓝光)的发光元件LD的全色显示装置。在这种情况下，存在用于形成色堤CBNK的颜色颜料的各种选择，使得可以更有效地防止相邻子像素SPX之间的光学干涉。

在上述实施例中，为了清楚地解释设置在第一基底SUB1和第二基底SUB2上的组件中的每个，已经将每个子像素SPX和设置在子像素SPX上的光转换图案层LCP描述为单独的组件，但是本公开不限于此。换句话说，在实施例中，每个光转换图案层LCP可以被认为包括在每个子像素SPX中。

在本公开的实施例中，每个子像素SPX可以形成每个发光器件。例如，与红色子像素对应的第一子像素SPX1可以形成红色发光器件，与绿色子像素对应的第二子像素SPX2可以形成绿色发光器件，并且与蓝色子像素对应的第三子像素SPX3可以形成蓝色发光器件。包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的全色像素PXL可以形成全色发光器件。换句话说，本公开的实施例不仅限于显示装置，并且可以广泛地应用于需要光源的其他类型的装置。

虽然通过详细的实施例描述了本公开的范围，但是应注意的是，上述实施例仅仅是描述性的，而不应被认为是限制性的。本领域技术人员应理解的是，在不脱离由权利要求限定的公开的范围的情况下，可以在这里进行各种改变、替换和更改。

本公开的范围不受本说明书的详细描述的限制，并且应由所附权利要求限定。此外，从权利要求及其等同物的含义和范围导出的本公开的所有改变或修改应被解释为包括在本公开的范围内。