涂布膜形成方法以及涂布膜形成装置

技术领域

本公开涉及一种涂布膜形成方法以及涂布膜形成装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，对作为圆形基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)涂布抗蚀剂等各种涂布液来进行成膜处理。在专利文献1中记载了以下内容：在使涂布于晶圆的抗蚀剂干燥时，在该晶圆上配置沿着晶圆的圆周的环状构件，来对该晶圆上的气流进行整流。

专利文献1：日本特开2017-92392号公报

发明内容

本公开提供一种能够在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜的技术。

本发明的涂布膜形成装置中，执行以下工序：

保持工序，由基板保持部保持基板；

气流形成工序，对所述基板的周围进行排气来在该基板的表面形成气流；

涂布液供给工序，向所述基板表面供给用于形成涂布膜的涂布液；

气流控制工序，使用于覆盖所述基板的覆盖构件相对于被供给了所述涂布液的基板从第一位置向第二位置相对移动，在该第二位置处的覆盖构件与所述基板的表面之间形成的间隙，以流速比覆盖构件位于所述第一位置时的流速大的方式形成所述气流；以及

膜厚分布调整工序，接着使所述基板以比所述第一转数高的第二转数进行旋转，以甩落所述基板的周缘部的涂布液来调整所述涂布膜的膜厚分布，所述第一转数是所述气流控制工序中的基板的转数。

根据本公开能够提供一种能够在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜的技术。

附图说明

图1是作为本公开的一个实施方式的抗蚀剂涂布装置的纵截面侧视图。

图2是所述抗蚀剂涂布装置的俯视图。

图3是示出通过所述抗蚀剂涂布装置处理的晶圆的一例的说明图。

图4是用于说明晶圆的周围的气流的说明图。

图5是用于说明晶圆的周围的气流的说明图。

图6是示出晶圆的转数的变化的一例的时序图。

图7是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。

图8是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。

图9是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。

图10是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。

图11是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。

图12是示出设置于所述抗蚀剂涂布装置的环板的变形例的纵截面侧视图。

图13是示出设置于所述抗蚀剂涂布装置的环板的变形例的纵截面侧视图。

图14是示出评价实验的结果的曲线图。

图15是示出评价实验的结果的曲线图。

图16是示出评价实验的结果的曲线图。

图17是示出评价实验的结果的曲线图。

具体实施方式

参照图1的纵截面侧视图以及图2的俯视图来说明作为本公开的涂布膜形成装置的一个实施方式的抗蚀膜形成装置1。抗蚀膜形成装置1具备作为基板保持部的旋转吸盘11，该旋转吸盘11通过对例如直径300mm的作为圆形的基板的晶圆W的背面中央部进行真空吸附，来水平保持该晶圆W。该旋转吸盘11与旋转机构12连接，通过该旋转机构12绕铅垂轴旋转。另外，以包围保持于旋转吸盘11的晶圆W的方式设置有防止来自晶圆W的各药液的飞散的杯14。在杯14的底部开有排液口15。另外，在杯14的底部设置有排气管16，在晶圆W的处理期间，对杯14内进行排气。通过该杯14内的排气，来从晶圆W的周围进行该晶圆W的表面处的排气。

图中的17为配置于旋转吸盘11周围的垂直的三支升降销，通过升降机构18进行垂直升降，从而在旋转吸盘11与未图示的基板搬送机构之间交接晶圆W。在杯14上方设置有风机过滤单元(FFU)19，用于向载置于旋转吸盘11的晶圆W供给干净的空气。供给到晶圆W的空气被上述的排气管16排出。另外，在设置在旋转吸盘11周围的支承部37，支承并设置有背面清洗喷嘴38。背面清洗喷嘴38向晶圆W的背面的周缘部喷出抗蚀剂的溶剂来进行清洗。

抗蚀膜形成装置1具备例如向垂直下方喷出抗蚀剂的抗蚀剂供给喷嘴21。该抗蚀剂供应喷嘴21与贮存抗蚀剂的抗蚀剂供给机构22连接。抗蚀剂供给机构22具备泵、阀等，向抗蚀剂供给喷嘴21供给抗蚀剂。该抗蚀剂供给机构22中贮存的抗蚀剂的粘度例如为50cP～1000cP。抗蚀剂供给喷嘴21被支承于臂23的前端，臂23的基端侧与移动机构24连接。构成为通过移动机构24并经由臂23使抗蚀剂供给喷嘴21在水平方向移动自如且升降自如。图2中25为使臂23水平移动的导轨，图2中26为使抗蚀剂供给喷嘴21在杯14外侧待机的待机区域。

另外，抗蚀膜形成装置1具备例如向垂直下方喷出溶剂的溶剂供给喷嘴31。该溶剂供给喷嘴31与贮存溶剂的溶剂供给机构32连接，溶剂被从该溶剂供给机构32供给到溶剂供给喷嘴31。溶剂供给喷嘴31用于去除晶圆W的周缘部的不需要的抗蚀膜。溶剂供给喷嘴31被支承于臂33的前端，臂33的基端侧与移动机构34连接。构成为通过移动机构34并经由臂33使溶剂供给喷嘴31沿水平方向移动自如且升降自如。图2中35为使臂33水平移动的导轨，图2中36为在杯14外侧使溶剂供给喷嘴31在杯14外侧待机的待机区域。

并且，在抗蚀膜形成装置1中，以位于载置于旋转吸盘11的晶圆W的上方的方式设置有作为圆形的环状构件的环板41。在环板41的中心部形成有圆形的开口部42。而且，环板41的下表面与载置于旋转吸盘11的晶圆W相向地覆盖该晶圆W。俯视观察时，环板41的中心即开口部42的中心对准载置于旋转吸盘11的晶圆W的中心。因而，环板41沿着晶圆W的圆周形成。

图2示出的开口部42的直径A1例如为30mm～80mm。而且，从开口部42的中心至环板41的周端的长度A2例如为120mm～145mm。因而，晶圆W的中心部及周缘部不会被环板41覆盖到。为了便于说明，有时将晶圆W中被构成覆盖构件的环板41所覆盖的区域记载为中间部。环板41经由支承构件43来与升降机构44连接，并在图1中以点划线示出的上升位置(第一位置)与位于上升位置下方的在图1中以实线示出的下降位置(第二位置)之间进行升降。

在抗蚀膜形成装置1中设置有作为计算机的控制部10。在控制部10安装例如保存于光盘、硬盘、MO(光磁盘)以及存储卡、DVD等存储介质的程序。安装的程序嵌入有命令(各步骤)，以向抗蚀膜形成装置1的各部发送控制信号来控制其动作。具体来说，通过程序来控制以下动作：通过旋转机构12进行的晶圆W的转数的变更、抗蚀剂供给喷嘴21及溶剂供给喷嘴31的移动、从抗蚀剂供给机构22向抗蚀剂供给喷嘴21的抗蚀剂的供给断开及环板41的升降等。

接下来，参照图3来说明该抗蚀膜形成装置1所处理的晶圆W。在晶圆W的表面形成有凹凸图案。将图3示出的晶圆W的表面上由点划线包围而成的区域在点划线的箭头的尖端放大示出，在该放大图中显示凹凸图案的一例。在该例子中，以将晶圆W表面划分成矩阵状的方式在纵向、横向分别形成多个槽(凹部)51。被槽51包围的凸部表示为52，凸部52例如在俯视时为正方形。在图3的空心箭头的尖端示出晶圆W的纵截面侧视图。槽51的深度(凸部52的高度)B1例如为1μm～15μm，更具体地说例如是8μm。槽51的宽度B2例如为10μm～5000μm，更具体地说例如是200μm。凸部52的一边的宽度B3例如为10μm～5000μm，更具体地说例如是2800μm。此外，凹凸图案不限于形成为该图3所示的形状，在处理未形成凹凸图案的基板的情况下也能够应用本公开的技术。

接下来，对由该抗蚀膜形成装置1进行的处理的概要进行说明。该抗蚀膜形成装置1通过旋涂的方式对如上述那样形成了凹凸图案的晶圆W涂布抗蚀剂，通过晶圆W的旋转使该抗蚀剂干燥来形成抗蚀膜。但是，假如当以较高的转数使晶圆W旋转来使抗蚀剂干燥时，在径向观察晶圆W时，关于构成凹凸图案的凹部内的膜厚，晶圆W中心部侧的膜厚比周缘部侧的膜厚大。也就是说，存在如下情况：在晶圆W的面内，凹部内的抗蚀膜的厚度的均匀性变得比较低。

这是由于当晶圆W转数较高时作用于晶圆W中心部侧的离心力与作用于周缘部侧的离心力之间产生较大的差、抗蚀剂的粘度较高以及形成有上述凹凸图案而引起的。详细地说，由于抗蚀剂的粘度较高，因此抗蚀剂的流动性受离心力的影响较大。也就是说，抗蚀剂在晶圆W上在周缘部侧比较容易向外侧移动，但是在晶圆W的中心部侧抗蚀剂较难向晶圆W的外侧移动。换言之，在晶圆W的中心部侧抗蚀剂容易残留，在晶圆W的周缘部侧抗蚀剂难以残留。而且，由于形成有上述凹凸图案，抗蚀剂为了移动到晶圆W的外侧而需要越过该凹凸，因此在离心力小的晶圆W中心部侧更容易残留抗蚀剂，作为结果，如上所述径向上的膜厚变得不均匀。因此，在抗蚀膜形成装置1中，在将抗蚀剂涂布到晶圆W整个表面后，使晶圆W以较低的转数旋转来对晶圆W表面的抗蚀剂进行干燥。

但是，在像这样以较低转数使晶圆W旋转的情况下，由于晶圆W表面的气流的流速小，因此抗蚀剂干燥的速度会变慢，导致生产率下降。因此，在抗蚀膜形成装置1中，在如上述那样以较低转数使抗蚀剂干燥时，使环板41位于所述下降位置。图4、图5为环板41分别位于上升位置、下降位置时的气流示意图，也参照这些图4、图5来说明像这样配置环板41的理由。在图4、图5中用空白箭头表示气流。另外，图中的20为抗蚀剂。

在环板41位于上升位置时，由于晶圆W表面与环板41之间的间隔较大，因此从FFU19供给的空气在环绕到环板41的下方后朝向下方以较高的均匀性供给到晶圆W上。然后，像这样供给到晶圆W上的空气流向晶圆W的外侧来被排出。

另一方面，在环板41位于下降位置时，晶圆W的表面与环板41下表面之间形成高度较小的间隙G。在这样的状态下，从FFU 19供给的空气的一部分被环板41阻断，朝向晶圆W中心部流入环板41的开口部42。然后，该空气与从FFU 19直接向晶圆W中心部供给的空气合流。

因而，与环板41位于上升位置的状态相比，向晶圆W中心部供给的空气的流量增大，由此该晶圆W中心部上的气流的速度变大。并且，集中在晶圆W的中心部的空气由于对杯14内进行排气而从晶圆W的中间部向外侧流动。在该中间部在环板41与晶圆W之间形成有高度较小的间隙G，即流路狭窄，由此在该中间部上通过的空气以比环板41位于上升位置时的速度高的速度流动。通过像这样暴露在速度较高的气流下，在晶圆W中心部以及中间部较快地进行抗蚀剂的干燥。

另外，在如上述那样使晶圆W以较低转数旋转来使抗蚀剂干燥的情况下，作用于晶圆W边缘部的离心力较低，并且如上述那样抗蚀剂的粘度较高，因此该抗蚀剂的表面张力高。因而，在像这样使晶圆W以较低转数旋转的期间，抗蚀剂难以被从晶圆W的周缘部甩落。另一方面，通过离心力从晶圆W中心部向该周缘部供给抗蚀剂，由此在晶圆W的周缘部聚集了较多的量的抗蚀剂，晶圆W的周缘部的膜厚有可能比晶圆W中心部、中间部的膜厚大。为了防止像这样的周缘部的膜厚的上升，将环板41设为不覆盖晶圆W的周缘部的结构、即从晶圆W观察时上方开放的结构。

详细地说，对于在该晶圆W的表面上从中心部向周缘部流动的气流，晶圆W表面上的空间高度越小，即流动路径越狭窄，该气流的速度越大。因而，与晶圆W中间部相比，在晶圆W的周缘部气流较慢，抗蚀剂难以干燥。在像这样晶圆W的周缘部的抗蚀剂未干燥的状态下使晶圆W的转数上升，将晶圆W的周缘部的抗蚀剂甩落来从晶圆W上去除抗蚀剂。由此，抑制晶圆W的周缘部的膜厚变高，控制膜厚分布以在晶圆W的整个表面成为均匀性高的膜厚。在像这样使晶圆W的转数上升时，若环板41位于下降位置则晶圆W上的气流紊乱，有可能无法使膜厚分布的均匀性充分上升，因此使环板41移动到上升位置。因而，在甩落抗蚀剂时，环板41与晶圆W之间的间隙大于为了使抗蚀剂干燥而以较低转数旋转晶圆W时的环板41与晶圆W之间的间隙。

此外，在专利文献1中，为了抑制在使晶圆W以1800rpm这样的较高的转数旋转时在晶圆W的表面上产生紊流，而将环板配置为接近晶圆W。但是，没有记载在如该抗蚀膜形成装置1那样使晶圆W以较低速度旋转时为了促进抗蚀剂的干燥而配置环板的内容。

参照图6的时序图以及7～图11的作用图，按顺序说明上述的抗蚀膜形成装置1的动作。时序图的纵轴设定为晶圆W的转数(单位：rpm)。首先，进行来自FFU 19的空气供给以及杯14的排气，并且，在环板41位于上升位置的状态下将晶圆W载置于旋转吸盘11，并对该晶圆W的背面中央部进行吸附。接下来，抗蚀剂供给喷嘴21位于晶圆W上方，向该晶圆W的中心部供给抗蚀剂。晶圆W以例如1500rpm的转数进行旋转(时刻t1)，抗蚀剂20向晶圆W的周缘部伸展(图7)。

当抗蚀剂20遍及晶圆W的整个表面时，晶圆W的转数降低至例如200rpm(时刻t2)，之后环板位于下降位置(时刻t3，图8)。如上所述，在晶圆W的中心部以及中间部，表面的气流的流速变高，迅速进行抗蚀剂20的干燥。之后，使环板14向上升位置移动，并且使晶圆W的转数提高至例如1200rpm，未干燥的处于晶圆W的周缘部的抗蚀剂被甩落，通过残留在晶圆W的表面的抗蚀剂20形成抗蚀膜30(图9)。

然后，从溶剂供给喷嘴31向晶圆W的周缘部供给溶剂40，并从背面清洗喷嘴19向晶圆W的背面供给溶剂，来去除晶圆W的周缘部的不需要的抗蚀膜30并且清洗晶圆W的背面(图10)。之后，停止从溶剂供给喷嘴31以及背面清洗喷嘴19供给溶剂40，使晶圆W停止旋转，抗蚀膜形成装置1中的晶圆W的处理结束(图11)。

根据该抗蚀膜形成装置1，在环板41位于下降位置的状态下使晶圆W以较低转数进行旋转，之后使转数上升。由此，能够迅速地使抗蚀剂干燥来形成抗蚀膜30以实现生产率的提高，并且能够以使晶圆W的面内各部处的膜厚的均匀性变高的方式形成该抗蚀膜30。另外，为了提高晶圆W的面内的抗蚀剂的量的均匀性，作为上述时刻t2～t4的晶圆W的转数(第一转数)，例如是10rpm～500rpm，优选的是10rpm～200rpm。另外，作为时刻t4之后的转数(第二转数)，只要能够从晶圆W的周缘部甩落抗蚀剂即可，例如是1000rpm以上。另外，作为用于使抗蚀剂向晶圆W的周缘部伸展的时刻t1～t2的转数，为比在t2～t4时刻的转数大的转数(第三转数)，以进行如上所述的伸展。时刻t2～t4例如为10秒～300秒，更具体地说例如是60秒。时刻t4～t5为例如3秒～30秒，更具体地说例如是20秒。

另外，也可以是，在时刻t4使转数上升后使转数下降，并在像这样下降后的转数下从溶剂供给喷嘴31以及背面清洗喷嘴19供给溶剂。具体地说，设为用于甩落抗蚀剂的适当的转数比用于去除晶圆W的周缘部的抗蚀膜和清洗晶圆W的周缘部的背面的适当的转数高。在这种情况下，能够以适当的转数来进行抗蚀剂的甩落，然后，以适当的转数进行溶剂的处理。另外，为了可靠地防止晶圆W的表面的气流的紊乱，在时刻t2降低转数之后，在t3时刻使环板41移动到下降位置，但也可以在时刻t2将环板41移动到下降位置。另外，在上述处理中，在时刻t4进行了转数的变换以及环板41的移动的开始，但也可以在时刻t3之后且时刻t4之前，开始环板41的移动，在该移动开始后进行转数的变换。

环板41也可以构成为在杯14外侧与晶圆W上方之间横向移动，在上述时刻t3～t4位于晶圆W上方，在除此以外的时间段位于杯14的外侧。在这种情况下，杯14的外侧为第一位置，与前文所述的实施方式同样晶圆W上方为第二位置。另外，在甩落抗蚀剂时晶圆W的转数变高时，以使环板41位于杯14的外侧的方式使环板41移动。即，使环板41从晶圆W上退避。另外，也可以通过杯14、旋转吸盘11以及旋转机构12进行升降来替代环板41升降，来调整晶圆W与环板41之间的距离。也就是说，对于环板41，只要在晶圆W在时刻t2～t4以较低的速度进行旋转时覆盖晶圆W的位置(覆盖位置)与覆盖位置以外的位置间进行相对地移动即可。覆盖位置为使晶圆W的表面的气流的速度比环板41被配置于该覆盖位置以外的位置时的气流的速度高的位置。

另外，在上述例子中，环板41的下表面为水平面，但不限于像这样的水平面，例如也可以构成为倾斜面。也就是说，图1的间隙G的高度也可以在环板41的下表面的各部处不同，该间隙G的高度例如为1mm～20mm。另外，不限于将如环板41这样的环状构件作为覆盖构件配置于晶圆W上来控制气流。例如，也可以是下表面与晶圆W相向的板状的覆盖构件，形成为在该覆盖构件的与晶圆W的中央部相向的区域开有多个孔。从FFU 19供给的空气经由该多个孔呈喷淋状供给到晶圆W表面。

不限于使环板如上述那样构成以使抗蚀剂在晶圆W的周缘部相较于在比该周缘部靠内侧的区域干燥得慢，能够设为如图12所示的环板61那样的结构。以环板61中的与环板41的差异点为中心进行说明。环板61的周缘部侧相对于中心部侧弯曲。环板61的周缘部侧构成与晶圆W的周缘部相向的第一部位62，其下表面构成随着朝向周端而上升的倾斜面。环板61的中心部侧构成与晶圆W的中间部相向的第二部位63，其下表面形成为水平，并与晶圆W的中间部相向。通过像这样构成环板61，在晶圆W的周缘部，间隙G随着朝向晶圆W的周端而扩展。由于如上述那样间隙G越小则向晶圆W的周缘的气流的流速越大，因此在晶圆W的周缘部气流的流速比晶圆W的中间部的气流的流速小。因而，能够抑制晶圆W的周缘部的抗蚀剂20的干燥。

另外，图13中示出了作为环板的其它结构例的环板64。对于环板64，以其与环板41的差异点为中心进行说明。环板64具备主体部45，该主体部45是形成有开口部42并通过升降机构44进行升降的圆环板。主体部45构成为作为圆形环板的接装板(adapter)46可自如装卸于该主体部45。接装板46的外径比主体部45的外径大，并且接装板46安装在主体部45的周缘侧。因而，在安装接装板46时和未安装接装板46时，晶圆W的周缘部的被覆盖的区域不同。也就是说，接装板46是用于调节在晶圆W的周缘部露出的区域的宽度的构件。图中点划线表示安装于主体部45的接装板46，图中的实线表示从主体部45拆下的接装板46。

作为接装板46，能够用作消除各装置的抗蚀剂干燥性差异的目的，例如用作在启动装置时难以通过调整转数等处理制程来调整抗蚀剂的干燥的情况下的对策。此外，也可以是，接装板46也与主体部45同样通过升降机构而升降自如。而且，也可以是，在使用该接装板46时，将其移动到与主体部45连接的位置(图中点划线的位置)，在不使用接装板46时将其移动到主体部45上方与主体部45分离的位置(图中实线的位置)。也就是说，可以由作业人员进行接装板46相对于主体部45的装卸，也可以设置上述的接装板46用升降机构那样的用于接装板46相对于主体部45的装卸的装卸机构。

在上述例子中，虽然使用抗蚀剂来作为涂布液，但在使用防反射膜形成用药液、绝缘膜形成用药液等用于形成其它涂布膜的涂布液的情况下也能够应用本公开的技术。此外，应该认为本次公开的实施方式在所有方面都是示例，而非限制性的。上述实施方式也可以在不脱离所附权利要求书及其主旨的范围内以各种形式进行省略、置换、变更。

(评估试验)

下面，说明与本发明相关联地进行的评估试验。

评估试验1

作为评估试验1(1-1～1-4)，在使用上述的抗蚀膜形成装置1对多个晶圆W涂布了抗蚀剂后，以互不相同的方式使抗蚀剂干燥。然后，测定晶圆W的直径上的各位置处的抗蚀膜的膜厚。作为评估试验1-1，在与前文所述实施方式同样地使抗蚀剂遍及晶圆W的周缘部后，将晶圆W的转数设为1000rpm，且使环板位于上升位置来使抗蚀剂干燥。作为评估试验1-2，与评估试验1-1相同地将晶圆W的转数设为了1000rpm，但是使环板41位于下降位置以形成上述的间隙G来对抗蚀剂进行了干燥。作为评估试验1-3，除了将晶圆W的转数设为了100rpm外，与评估试验1-1同样地进行了试验。作为评估试验1-4，除了将晶圆W的转数设为了100rpm外，与评估试验1-2同样地进行了试验。此外，在包含评估试验1的各评估试验中所用到的环板与前文所述的环板41不同，构成为也覆盖晶圆W的周缘部。

图14、15为示出该评估试验1的结果的曲线图。这些曲线图的纵轴表示测定出的抗蚀剂的膜厚(单位：nm)，横轴表示距晶圆W中心的距离(mm)。关于距晶圆W中心的距离，一端侧表示为+的值，另一端侧表示为-的值。在图14中，通过实线的曲线表示评估试验1-1的结果，并通过虚线的曲线表示评估试验1-2的结果。在图15中，通过实线的曲线表示评估试验1-3的结果，并通过虚线的曲线表示评估试验1-4的结果。

当从图14观察评估试验1-1和评估试验1-2的结果时，可知：在使晶圆W以1000rpm进行旋转的情况下，与不形成该间隙G的情况相比，在通过环板41在晶圆W上形成较小的间隙G的情况下，膜厚的均匀性下降。当将膜厚的最大值-膜厚的最小值设定为膜厚范围时，则形成间隙G的情况下的膜厚范围为不形成间隙G的情况下的膜厚范围的大约两倍。

当观察评估试验1-3、1-4的结果时，在使晶圆W以100rpm旋转的情况下，关于晶圆W的膜厚的均匀性，膜厚范围在形成间隙G的情况下与不形成间隙G的情况下没有较大的差异，形成间隙G的一方的膜厚范围稍小。因而，在该评估试验1中能够确认出，通过由环板41形成间隙G并在对抗蚀剂进行干燥时以较低的转数进行旋转，能够使晶圆W的面内的抗蚀膜的膜厚的均匀性变高。

评估试验2

作为评估试验2-1，在晶圆W表面涂布作为液体的乳酸乙酯，使用抗蚀膜形成装置1以100rpm旋转来使该乳酸乙酯挥发。在该旋转时，通过环板形成间隙G。然后，在晶圆W的径向上的各部测定了乳酸乙酯的挥发速度。作为评估试验2-2，与评估试验2-1大致同样地进行了试验，但该评估试验2-2是通过未设置环板的抗蚀剂涂布装置进行的。因而，在该评估试验2-2中没有形成前文所述的较小的间隙G。

图16是示出评估试验2的结果的曲线图。曲线图的纵轴表示乳酸乙酯的挥发速度(单位：m/秒)、横轴表示距晶圆W中心的距离(mm)。在该图16中，通过实线表示评估试验2-1的结果并通过虚线表示评估试验2-2的结果。根据评估试验2-1、评估试验2-2确认出，在设置环板以及不设置环板的两种情况下，晶圆W的周缘部的挥发速度都比晶圆W中心部侧的挥发速度大。

评估试验3

以下说明评估试验3。作为评估试验3-1，通过抗蚀膜形成装置1涂布抗蚀剂，并以100rpm旋转规定时间来进行干燥。然后，测定在晶圆W的径向上的膜厚分布。在该评估试验3-1中，在使抗蚀剂干燥时通过环板形成了前文所述的间隙G。另外，作为评估试验3-2，进行了与评估试验3-1大致同样的试验。在该评估试验3-2中，使用了与在评估试验3-1中使用的环板形状不同的环板。

图17为示出评估试验3的结果的曲线图，与评估试验1中的图14、图15同样地示出了膜厚与距晶圆W中心的距离的关系。在图17中，圆圈标记表示评估试验3-1的结果，方形标记表示评估试验3-2的结果。根据该图17的曲线图可知晶圆W的周缘部的膜厚较大。根据评估试验3的结果及上述的评估试验2的结果可知乳酸乙酯的挥发速度的分布与抗蚀剂的膜厚分布具有相关性。因而，预测为通过例如如前文所述的各例那样构成环板来抑制晶圆W的周缘部的干燥，能够更可靠地抑制晶圆W的周缘部的膜厚的上升。

W：晶圆；1：抗蚀膜形成装置；10：控制部；11：旋转吸盘；12：旋转机构；14：杯；21：抗蚀剂供给喷嘴；41：环板。