一种无极性电容自放电线路

技术领域

本发明提供一种无极性电容自放电线路，一种利用双向可控硅控制电容自放电电路，因为采用双向可控硅具有损耗低发热量低、安全工作区域宽、自动反应反应时间快、受温度及辐射影响小的特点。

背景技术

本发明提供一种无极性电容自放电线路，高压电容器停运时，残留电荷会威胁人身安全，在电容器停运后恢复送电时，残留电荷会引起电容器过电压，在延时电路中若不放电，电容就失去了作用导致延时错误，目前电容放电一般采用并联电阻的方式放电，这种直接并联的放电电阻的方式会消耗能量，且导致电容所处环境温度高，电阻过高又导致放电时间过长不满足要求，特殊电路中并联的电阻会影响电路特性不满足设计要求，目前有电容自放电电路但均是为有极性电容设计，为克服以上缺点设计了一种无极性电容自放电线路，既在电容使用过程中以及充电过程中，电容器两端的电阻极高，在外部电源撤下时候，电容器快速放电。

发明内容

本发明提供一种由双向可控硅控制的无极性电容自放电电路，通过无极性电容与双向可控硅并联而成，包括第一无极性电容；第一无极性电容一脚；第二无极性电容；双向可控硅G脚；双向可控硅T二脚；双向可控硅；双向可控硅T一脚；限流电阻；放电负载；第一无极性电容二脚，第一无极性电容一脚与双向可控硅T二脚相连接，第一无极性电容二脚通过放电负载与双向可控硅T一脚相连，双向可控硅G脚通过限流电阻连接到双向可控硅T二脚，双向可控硅G脚通过第二无极性电容连接到双向可控硅T一脚，当第一无极性电容上同上交流电时，双向可控硅T一脚与双向可控硅T二脚之间为交流电，第二无极性电容在交流环境中相当于一根导线，通过限流电阻上的电流不会经过双向可控硅G脚流向双向可控硅或不会经过双向可控硅流向双向可控硅G脚，双向可控硅T二脚与双向可控硅T一脚之间不导通，因为双向可控硅触发电压很小，限流电阻电阻很大，放电负载上只有微小电流通过，即在第一无极性电容使用过程中，放电负载能耗低，发热小，当第一无极性电容上外部交流电断开时候，第一无极性电容储存的电为直流电，在直流环境中第二无极性电容相当于断开，通过限流电阻上的电流会经过双向可控硅G脚流向双向可控硅或从双向可控硅流向双向可控硅G脚，双向可控硅T二脚与双向可控硅T一脚之间导通，第一无极性电容上的电流通过放电负载快速放电，本线路当双向可控硅T一脚与双向可控硅T二脚之间为交流电时，双向可控硅T二脚与双向可控硅T一脚之间不导通，当双向可控硅T一脚与双向可控硅T二脚之间为直流电时，双向可控硅T二脚与双向可控硅T一脚之间导通，构成阻断交流电通直流电路，当第二无极性电容换成电感，则当双向可控硅T一脚与双向可控硅T二脚为交流电时，双向可控硅T二脚与双向可控硅T一脚之间导通，当双向可控硅T一脚与双向可控硅T二脚之间为直流电时，双向可控硅T二脚与双向可控硅T一脚之间不导通，构成阻断直流电通交流电电路。

双向可控硅G脚与双向可控硅通过双向触发二极管相连，确定双向可控硅的触发电压，双向可控硅G脚与双向可控硅之间或不接双向触发二极管，双向可控硅G脚与双向可控硅(6)通过电阻相连或不通过电阻相连。

限流电阻的上接线端或下接线端串联接上电位器，扩大本电路适用的电容的范围，限流电阻的上接线端或下接线端或不串联接上电位器，第二无极性电容8改成可调电容，扩大本电路适用的电容的范围，第二无极性电容8为可调电容或固定容量电容。

第一无极性电容一脚与双向可控硅T二脚相连接，第一无极性电容二脚通过放电负载与双向可控硅T一脚相连，或第一无极性电容二脚与双向可控硅T一脚直接相连，第一无极性电容一脚与双向可控硅T二脚通过放电负载相连接。

限流电阻的上接线端或下接线端串联接上电感，起到阻挡交流电作用继而能缩小限流电阻的阻值的作用，限流电阻的上接线端或下接线端或不串联接上电感。

第一无极性电容接上的交流电换成脉动直流电，本电路依然起到相同作用。

双向可控硅由两只反极性并联的可控硅替代，或直接使用双向可控硅。

双向可控硅G脚通过限流电阻连接到双向可控硅T二脚，双向可控硅G脚通过第二无极性电容连接到双向可控硅T一脚，或双向可控硅G脚通过第二无极性电容连接到双向可控硅T二脚，双向可控硅G脚通过限流电阻连接到双向可控硅T一脚。

附图说明

在为了更清楚地说明本发明具体实施方案，下面将对方案具体的附图加以说明。

图1是本发明的剖面结构主视图。

图中：第一无极性电容1；第一无极性电容一脚2；限流电阻3；双向可控硅G脚4；双向可控硅T二脚5；双向可控硅6；双向可控硅T一脚7；第二无极性电容8；放电负载9；第一无极性电容二脚10。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述：

第一无极性电容一脚2与双向可控硅T二脚5相连接，第一无极性电容二脚10通过放电负载9与双向可控硅T一脚7相连，双向可控硅G脚4通过第二无极性电容8连接到双向可控硅T二脚5，双向可控硅G脚4通过第二无极性电容8连接到双向可控硅T一脚7，当第一无极性电容1上同上交流电时，双向可控硅T一脚7与双向可控硅T二脚5之间为交流电，第二无极性电容8在交流环境中相当于一根导线，通过限流电阻3上的电流不会经过双向可控硅G脚4流向双向可控硅6或不会经过双向可控硅6流向双向可控硅G脚4，双向可控硅T二脚5与双向可控硅T一脚7之间不导通，因为双向可控硅6触发电压很小，限流电阻3电阻很大，放电负载9上只有微小电流通过，即在第一无极性电容1使用过程中，放电负载9能耗低，发热小，当第一无极性电容1上外部交流电断开时候，第一无极性电容1储存的电为直流电，在直流环境中第二无极性电容8相当于断开，通过限流电阻3上的电流会经过双向可控硅G脚4流向双向可控硅6或从双向可控硅6流向双向可控硅G脚4，双向可控硅T二脚5与双向可控硅T一脚7之间导通，第一无极性电容1上的电流通过放电负载9快速放电，本线路当双向可控硅T一脚7与双向可控硅T二脚5之间为交流电时，双向可控硅T二脚5与双向可控硅T一脚7之间不导通，当双向可控硅T一脚7与双向可控硅T二脚5之间为直流电时，双向可控硅T二脚5与双向可控硅T一脚7之间导通，构成阻断交流电通直流电路，当第二无极性电容8换成电感，则当双向可控硅T一脚7与双向可控硅T二脚5为交流电时，双向可控硅T二脚5与双向可控硅T一脚7之间导通，当双向可控硅T一脚7与双向可控硅T二脚5之间为直流电时，双向可控硅T二脚5与双向可控硅T一脚7之间不导通，构成阻断直流电通交流电电路。

双向可控硅G脚4与双向可控硅6通过双向触发二极管相连，确定双向可控硅6的触发电压，双向可控硅G脚4与双向可控硅6之间或不接双向触发二极管，双向可控硅G脚(4)与双向可控硅(6)通过电阻相连或不通过电阻相连，通过电阻相连能加大双向可控硅6触发电压。

限流电阻3的上接线端或下接线端串联接上电位器，扩大本电路适用的电容的范围，限流电阻3的上接线端或下接线端或不串联接上电位器，第二无极性电容8改成可调电容，扩大本电路适用的电容的范围，第二无极性电容8为可调电容或固定容量电容。

第一无极性电容一脚2与双向可控硅T二脚5相连接，第一无极性电容二脚10通过放电负载9与双向可控硅T一脚7相连，或第一无极性电容二脚10与双向可控硅T一脚7直接相连，第一无极性电容一脚2与双向可控硅T二脚5通过放电负载9相连接。

限流电阻3的上接线端或下接线端串联接上电感，起到阻挡交流电作用继而能缩小限流电阻3的阻值的作用，限流电阻3的上接线端或下接线端或不串联接上电感。

第一无极性电容1接上的交流电换成脉动直流电，本电路依然起到相同作用。

双向可控硅6由两只反极性并联的可控硅替代，或直接使用双向可控硅。

双向可控硅G脚4通过限流电阻3连接到双向可控硅T二脚5，双向可控硅G脚(4)通过第二无极性电容8连接到双向可控硅T一脚7，或双向可控硅G脚4通过第二无极性电容8连接到双向可控硅T二脚5，双向可控硅G脚4通过限流电阻3连接到双向可控硅T一脚(7)。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。