一种SF6密度一体化监测装置及方法

技术领域

本发明涉及SF

背景技术

SF

目前SF

发明内容

本发明实施例提供一种SF

第一方面，提供一种SF

第二方面，提供一种SF

这样，本发明实施例，利用现代传感器技术，需要采集温度和压力两个特征量，并对这两个特征量信号进行预处理、传送、存储、计算、判断和显示来完成整个在线监测过程，将机械式显示，电子测量技术，信号处理技术，物联网通信技术等融合为一体化的装置，使其能够具备传统密度继电器的功能和外观，也能实现数字化精确测量，仪表盘显示数值与实际测量值匹配。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例的SF

图2是本发明实施例的SF

图3是本发明实施例的SF

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例公开了一种SF

如图1～3所示，SF

电路箱1的外表面安装有密度仪表盘5。电路箱1具有IP67等级的外壳。内部电路模块位于电路箱1内。三通4的第一端连通GIS设备6的进气孔。三通4的第一端和GIS设备6的进气孔之间设置有阀门7。阀门7与三通4的第一端之间，以及，阀门7与GIS设备6的进气孔之间均通过法兰连接。压力变送器2的测试端设置在三通4的第二端的管道内。具体的，压力变送器2的测试端通过螺纹固定在三通4的第二端的管道内。压力变送器2是一种压阻式传感器，利用固体的压阻效应制成，当压阻材料收到作用力后，其电阻或电阻率发生明显变化。压阻式传感器的内部电阻是在半导体材料硅的基片上用集成电路工艺制成的扩散电阻，当压阻式传感器放入有压力的气室中，气压通过传感器孔进入压力腔，扩散电阻在压阻效应的作用下，阻值将会发生变化，在激励电源为恒压供电的情况下，产生一个与输入压力成比例的输出电动势，从而获得与压力值对应关系。温度变送器3的测试端设置在三通4的第三端的管道内。具体的，温度变送器3的测试端通过螺纹固定在三通4的第三端的管道内。温度变送器3通常选用铂电阻PT-100进行温度采集，其原理是：当温度变化时，金属铂电阻的阻值发生变化，引起电量的变化，构成热电阻电桥测温原理，构成电信号和温度变化的比例关系。

内部电路模块包括：模数采样单元8、中央处理器9、时钟单元10、存储单元11和通讯单元12。模数采样单元8分别与压力变送器2、温度变送器3和中央处理器9电连接。中央处理器9还有密度仪表盘5、时钟单元10、存储单元11和通讯单元12电连接。

具体的，压力变送器2用于检测GIS设备6内部的压力，并将压力发送到模数采样单元8。温度变送器3用于检测GIS设备6内部的温度，并将温度发送到模数采样单元8。模数采样单元8用于将收到的压力和温度进行模数转换后，发送到中央处理器9。中央处理器9用于根据压力和温度，采用经验公式计算得到SF

P＝0.58×10

A＝0.764×10

B＝2.51×10

其中，P表示压力，单位为kgf/cm

当温度给定时，联立上述三式得到如下的一元三次方程：

SF

通过数值计算的对分法(最小二分法)求解以f(r)＝0在区间[a,b]实根的过程如下：

从端点X

(1)若f(X

(2)若f(X

(3)若f(X

(4)若f(X

(5)以上过程一直进行到区间右端点b为止。

密度仪表盘5可用于显示中央处理器9发送的测量结果。密度仪表盘5可以是指针式的。

通讯单元12用于接收中央处理器9的测量结果，并将测量结果发送到其他外部设备。通讯单元12可采用RS-485通信接口，该通信接口符合智能变电站站内接口规范。

时钟单元10用于记录采样的时间和故障报警发生的时间，并在存储单元11中存储起来。

存储单元11还可以用于存储中央处理器的测量结果。

本发明实施例还公开了一种SF

综上，本发明实施例，利用现代传感器技术，需要采集温度和压力两个特征量，并对这两个特征量信号进行预处理、传送、存储、计算、判断和显示来完成整个在线监测过程，将机械式显示，电子测量技术，信号处理技术，物联网通信技术等融合为一体化的装置，使其能够具备传统密度继电器的功能和外观，也能实现数字化精确测量，仪表盘显示数值与实际测量值匹配。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。