显示基板、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置。

背景技术

在追求最大屏占比的全面屏产品时代，全屏任意位置均能够实现指纹识别功能更复合人们的需求。现有的全屏指纹识别工艺中，实现指纹识别集成的主流方式是在屏幕模组背面或正面的非显示特定区域贴合独立的指纹识别传感器，从而实现指纹识别功能。

常用的指纹识别集成方式包括：超声波外挂方式集成和In Cell光学式集成，而超声波外挂方式集成会增加模组厚度，且制作成本高；In Cell光学式集成需要准直结构等复杂的光路设计，以降低杂散光对指纹识别的影响。

因此亟需一种新的集成方式，在实现将指纹识别集成在显示设备的同时，能够避免增加显示设备的厚度，降低显示设备的制作成本，以及避免复杂的光线准直结构设计。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示基板、显示装置，用于在实现将指纹识别集成在显示设备的同时，能够避免增加显示设备的厚度，降低显示设备的制作成本，以及避免复杂的光线准直结构设计。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种显示基板，包括：

基底；

设置于所述基底上的多个子像素，所述子像素包括子像素驱动电路；

设置于所述基底上的多个指纹识别结构，所述指纹识别结构包括控制电路和指纹识别电极，所述指纹识别电极位于所述控制电路背向所述基底的一侧，所述控制电路与所述指纹识别电极耦接，所述控制电路用于将所述指纹识别电极上的感测信号输出；所述控制电路与所述子像素驱动电路在平行于所述基底的方向上排列。

可选的，所述子像素包括像素开口区；所述指纹识别电极在所述基底上的正投影，与至少一个像素开口区在所述基底上的正投影至少部分交叠。

可选的，所述指纹识别电极包括透明导电氧化物膜层。

可选的，所述指纹识别电极包括具有减反射功能的导电膜层，所述指纹识别电极在垂直于所述基底的方向上的厚度d满足：

2*d*sinθ＝(2k+1)*λ/2；

λ为可见光的波长，k为大于或等于0的整数，θ为环境光射入所述指纹识别电极的入射角。

可选的，所述子像素还包括阳极图形，所述阳极图形位于所述子像素驱动电路背向所述基底的一侧，所述阳极图形与所述子像素驱动电路耦接；

所述显示基板还包括：

阴极层，阴极层的至少部分位于所述阳极图形与所述指纹识别电极之间；

屏蔽图形，所述屏蔽图形的至少部分位于所述多个指纹识别结构中相邻指纹识别电极之间。

可选的，所述屏蔽图形包括网状结构，所述屏蔽图形形成的网格包围至少一个指纹识别电极。

可选的，所述屏蔽图形与所述阴极层耦接。

可选的，所述显示基板还包括：

第一补偿图形，所述第一补偿图形包括网状结构，所述第一补偿图形与所述阳极图形同层同材料设置，所述第一补偿图形与所述阴极层耦接。

可选的，所述显示基板还包括：

第二补偿图形，所述第二补偿图形包括网状结构，所述第二补偿图形与所述阳极图形同层同材料设置，所述第二补偿图形与所述屏蔽图形直接耦接。

可选的，所述指纹识别结构还包括：

第一导电连接部，所述第一导电连接部位于所述控制电路与所述指纹识别电极之间，所述第一导电连接部分别与所述控制电路和所述指纹识别电极耦接。

可选的，所述指纹识别结构还包括：

第二导电连接部，所述第二导电连接部位于所述第一导电连接部与所述指纹识别电极之间，所述第二导电连接部分别与所述第一导电连接部和所述指纹识别电极耦接。

可选的，所述第一导电连接部与所述阳极图形同层同材料设置；和/或，所述第二导电连接部与所述阴极层同层同材料设置。

可选的，所述多个指纹识别结构中包括的多个控制电路呈阵列分布，所述多个控制电路划分为多行控制电路，每行控制电路包括沿所述第一方向排列的多个控制电路；所述多个控制电路划分为多列控制电路，每列控制电路包括沿第二方向排列的多个控制电路；

所述显示基板还包括多条识别扫描线和多条信号传输线；

所述识别扫描线的至少部分沿所述第一方向延伸，所述识别扫描线与对应的一行控制电路中各控制电路分别耦接，所述信号传输线的至少部分沿所述第二方向延伸，所述信号传输线与对应的一列控制电路中各控制电路分别耦接；所述控制电路用于在对应的识别扫描线的控制下，将所述指纹识别电极上的感测信号输出至对应的信号传输线。

可选的，所述控制电路包括控制晶体管，所述控制晶体管的栅极与对应的识别扫描线耦接，所述控制晶体管的输入电极与所述指纹识别电极耦接，所述控制晶体管的输出电极与对应的信号传输线耦接；

所述子像素驱动电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的输出电极与所述阳极图形耦接；所述控制晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极同层同材料设置，所述控制晶体管的有源图形与所述第一晶体管的有源图形同层同材料设置，所述控制晶体管的输入电极和所述控制晶体管的输出电极均与所述第一晶体管的输出电极同层同材料设置。

基于上述显示基板的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。

本发明提供的技术方案中，将指纹识别结构集成在显示基板内部，并将控制电路与子像素驱动电路在平行于所述基底的方向上排列，使得所述指纹识别结构与所述子像素能够相互嵌入式集成，这样不仅使得显示基板能够实现全屏任意显示位置指纹识别，实现最大屏占比，而且不会大幅度增加显示基板的厚度与重量，有利于显示基板的轻薄化发展。而且，所述指纹识别结构通过触控改变电容的方式实现指纹识别，避免了准直结构等复杂的光路设计。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的显示基板的第一截面示意图；

图2为本发明实施例提供的显示基板的第二截面示意图；

图3为本发明实施例提供的显示基板的第三截面示意图；

图4为本发明实施例提供的显示基板的第四截面示意图；

图5为本发明实施例提供的指纹识别结构的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的阳极层和开口区的示意图；

图7为本发明实施例提供的指纹识别电极和屏蔽图形的示意图。

具体实施方式

为了进一步说明本发明实施例提供的显示基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

请参阅图1，本发明实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括：基底101；设置于所述基底101上的多个子像素，所述子像素包括子像素驱动电路；设置于所述基底101上的多个指纹识别结构，所述指纹识别结构包括控制电路(如位于控制电路区的控制晶体管)和指纹识别电极114-1，所述指纹识别电极114-1位于所述控制电路背向所述基底101的一侧，所述控制电路与所述指纹识别电极114-1耦接，所述控制电路用于将所述指纹识别电极114-1上的感测信号输出；所述控制电路与所述子像素驱动电路在平行于所述基底101的方向上排列。

需要说明，图1中还示出了：缓冲层102，有源层103，第一栅金属层104，第二栅金属层105，层间介质层106(包括第一栅极绝缘层，第二栅极绝缘层和层间绝缘层)，第一源漏金属层107。

示例性的，所述子像素包括子像素驱动电路和设置于所述子像素驱动电路背向所述基底101的一侧的发光元件；所述子像素驱动电路包括7T1C结构或2T1C结构等；所述发光元件包括沿远离所述基底101的方向依次层叠设置的阳极图形109-1、发光功能层(图中未示出)和阴极层112。

示例性的，所述多个子像素包括多个红色子像素R，多个绿色子像素G和多个蓝色子像素B，所述多个子像素形成多个像素单元，每个像素单元均包括一个R，一个B和两个G。

如图5所示，示例性的，所述显示基板还包括读取芯片ROIC，所述控制电路(包括控制晶体管KTFT)能够将其耦接的指纹识别电极114-1上的感测信号输出至所述读取芯片ROIC。

更详细地说，指纹识别电极114-1与手指之间具有封装层115，所述封装层115能够作为中间介质层，使得指纹识别电极114-1与手指之间形成电容，根据指纹“谷”、“脊”与指纹识别电极114-1之间形成的电容差异，控制电路对应输出不同的电压信号至读取芯片，读取芯片通过电荷积分放大的方式进行检测，并最终完成指纹识别功能。

示例性的，所述多个子像素包括多个子像素驱动电路，所述多个指纹识别结构包括多个控制电路，所述多个子像素驱动电路和所述多个控制电路可以在平行于所述基底101的方向上排列。示例性的，所述子像素和所述控制电路一对一设计，以FHD 400PPI为例，则指纹识别传感也为400PPI。示例性的，所述多个子像素驱动电路和所述多个控制电路交替分布。示例性的，所述子像素和所述控制电路多对一设计，以实现更高PPI的指纹识别传感器件。示例性的，所述多个子像素驱动电路划分为多组子像素驱动电路组，每个子像素驱动电路中包括至少两个子像素驱动电路，所述多组子像素驱动电路组与所述多个控制电路交替分布。

示例性的，所述多个子像素驱动电路和所述多个控制电路均匀布局在基底101上。

示例性的，所述多个子像素驱动电路和所述多个控制电路均匀布局在显示基板的显示区域内，显示基板能够实现在整个显示区域内的指纹感测

示例性的，所述显示基板包括有源矩阵有机发光二极管显示基板，所述显示基板采用顶发射结构，显示基板上设置有子像素驱动电路阵列和控制电路阵列，子像素驱动电路阵列和控制电路阵列相互嵌入分布，子像素驱动电路阵列和控制电路阵列能够实现工艺同步制作，部分膜层共用。

需要说明，所述控制电路的制作工艺与子像素驱动电路的制作工艺兼容，能够在制作所述子像素驱动电路的工艺过程中，同时完成所述控制电路的制作。

根据上述显示基板的具体结构可知，本发明实施例提供的显示基板中，将所述指纹识别结构集成在显示基板内部，并将所述控制电路与所述子像素驱动电路在平行于所述基底101的方向上排列，使得所述指纹识别结构与所述子像素能够嵌入式集成，不仅使得显示基板能够实现全屏任意显示位置指纹识别，实现最大屏占比，而且不会大幅度增加显示基板的厚度与重量，有利于显示基板的轻薄化发展。而且，所述指纹识别结构通过触控改变电容的方式实现指纹识别，避免了准直结构等复杂的光路设计。

如图1～图4、图6和图7所示，在一些实施例中，所述子像素包括像素开口区111；所述指纹识别电极114-1在所述基底101上的正投影，与至少一个像素开口区111在所述基底101上的正投影至少部分交叠。

需要说明，图6中的虚线框为隔垫物PS的布局位置。

示例性的，所述指纹识别电极114-1连接的控制电路的布局区域在所述基底上的正投影，与所述至少一个像素开口区111对应的子像素驱动电路的布局区域在所述基底上的正投影相邻。需要说明，像素开口区111对应的子像素驱动电路是指：像素开口区111所属的子像素包括的子像素驱动电路。

示例性的，所述指纹识别电极114-1在所述基底101上的正投影，与多个像素开口区111在所述基底101上的正投影至少部分交叠，所述指纹识别电极114-1连接的控制电路的布局区域，被所述多个像素开口区111中的至少部分像素开口区111对应的子像素驱动电路的布局区域包围。

示例性的，显示基板中的每个像素单元均包括一个R，一个B和两个G，所述指纹识别电极114-1与至少部分所述像素单元一一对应，所述指纹识别电极114-1在所述基底101上的正投影覆盖对应的像素单元中各子像素包括的像素开口区111在所述基底101上的正投影。

示例性的，显示基板中的多个子像素划分为多个子像素组，每个子像素组包括至少一个子像素，所述指纹识别电极114-1与至少部分所述子像素组一一对应，所述指纹识别电极114-1在所述基底101上的正投影覆盖对应的子像素组中各子像素包括的像素开口区111在所述基底101上的正投影。示例性的，所述指纹识别电极114-1在所述基底101上的正投影与对应的子像素组中各子像素包括的像素开口区111在所述基底101上的正投影至少部分交叠。

上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述指纹识别电极114-1在所述基底101上的正投影，与至少一个像素开口区111在所述基底101上的正投影至少部分交叠，充分利用了显示基板内部的布局空间，在不降低显示PPI的前提下，实现了高DPI的电容指纹识别结构集成。

如图1～图4所示，在一些实施例中，所述指纹识别电极114-1包括透明导电氧化物膜层。

示例性的，所述指纹识别电极114-1采用高透过率的透明导电氧化物材料制作，高透过率的透明导电氧化物包括ITO或者AZO(掺铝氧化锌)等。

制作所述指纹识别电极114-1时，可以利用高透过率的透明导电氧化物材料，图形化形成透明导电氧化物膜层。

上述设置所述指纹识别电极114-1包括透明导电氧化物膜层，使得所述指纹识别电极114-1在与像素开口区111交叠的情况下，不会影响子像素的出光率。

在一些实施例中，所述指纹识别电极114-1包括具有减反射功能的导电膜层，所述指纹识别电极114-1在垂直于所述基底101的方向上的厚度d满足：

2*d*sinθ＝(2k+1)*λ/2；λ为可见光的波长，k为大于或等于0的整数，θ为环境光射入所述指纹识别电极114-1的入射角。

示例性的，所述指纹识别电极114-1包括半透明的具有减反射功能的导电膜层。

示例性的，所述导电膜层包括：层叠设置的MoO

示例性的，环境光射入所述指纹识别电极114-1的入射角θ可以取90度或锐角。

上述设置所述指纹识别电极114-1在垂直于所述基底101的方向上的厚度d满足2*d*sinθ＝(2k+1)*λ/2，使得光程差为可见光半波长的奇数倍，满足了干涉相消降反射要求，使所述指纹识别电极114-1在用于实现指纹识别功能的同时，起到降低对环境光反射的作用。因此，上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述指纹识别电极114-1包括具有减反射功能的导电膜层，使得所述指纹识别电极114-1能够代替偏光片，实现对环境光的减反射功能。因此，上述实施例提供的显示基板无需设置偏光片，有利于所述显示基板的薄型化。

如图1～图4、图6所示，在一些实施例中，所述子像素还包括阳极图形109-1，所述阳极图形109-1位于所述子像素驱动电路背向所述基底101的一侧，所述阳极图形109-1与所述子像素驱动电路耦接；

所述显示基板还包括：

阴极层112，阴极层112的至少部分位于所述阳极图形109-1与所述指纹识别电极114-1之间；

屏蔽图形114-2，所述屏蔽图形114-2的至少部分位于所述多个指纹识别结构中相邻指纹识别电极114-1之间。

示例性的，采用ITO材料沉积形成阳极层，对所述阳极层进行图形化，形成所述阳极图形109-1。

示例性的，制作完所述阳极图形109-1后，继续制作像素界定层110，所述像素界定层110限定出多个像素开口区111。然后制作发光功能层，所述发光功能层包括公共膜层和有机发光材料层，所述公共膜层包括电子传输层，电子注入层，空穴传输层和空穴注入层，采用Fine Metal Mask(中文：精细金属掩模板，简称FMM)蒸镀公共膜层和有机发光材料层。然后采用FMM蒸镀阴极层112。接着沉积形成平坦介质层113，平坦介质层113可以是有机感光膜层或无机层，当平坦介质层11采用有机感光膜层时，通过photo pattern(曝光图形化)对平坦介质层11开孔；当平坦介质层11采用无机绝缘层时，采用激光方式对平坦介质层11打孔。然后沉积形成导电膜层，对所述导电膜层图形化形成所述指纹识别电极114-1。

示例性的，所述屏蔽图形114-2与所述指纹识别电极114-1同层同材料设置。制作所述屏蔽图形114-2的方法包括：沉积形成所述导电膜层，对所述导电膜层图形化，同时形成所述指纹识别电极114-1和所述屏蔽图形114-2。

示例性的，所述屏蔽图形114-2具有固定电位，所述固定电位包括GND电位。

上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述屏蔽图形114-2的至少部分位于所述多个指纹识别结构中相邻指纹识别电极114-1之间，使得所述屏蔽图形114-2能够很好的屏蔽相邻指纹识别电极114-1之间的相互干扰，从而有效降低了所述指纹识别电极114-1与手指之间形成的传感电容的噪声干扰。

另外，通过设置阴极层112的至少部分位于所述阳极图形109-1与所述指纹识别电极114-1之间，使得所述指纹识别电极114-1与子像素驱动电路之间能够被所述阴极层112阻隔，从而所述阴极层112有效屏蔽了子像素驱动电路对所述指纹识别电极114-1的干扰，进一步降低了对传感电容的噪声干扰。

如图7所示，在一些实施例中，所述屏蔽图形114-2包括网状结构，所述屏蔽图形114-2形成的网格包围至少一个指纹识别电极114-1。

示例性的，所述屏蔽图形114-2形成多个网格，每个网格包围至少一个指纹识别电极114-1，每个指纹识别电极114-1仅被一个网格包围。

上述实施例提供的显示基板中，在指纹识别电极114-1周边设置同层网状的屏蔽图形114-2，很好的屏蔽了相邻指纹识别电极114-1之间的相互干扰，有效降低了所述指纹识别电极114-1与手指之间形成的传感电容的噪声。

如图1和图3所示，在一些实施例中，所述屏蔽图形114-2与所述阴极层112耦接。

示例性的，所述屏蔽图形114-2包括网状结构，所述屏蔽图形114-2在所述基底101上的正投影与所述阴极层112在所述基底101上的正投影具有交叠区域，所述屏蔽图形114-2通过多个过孔与所述阴极层112实现电连接。

上述设置所述屏蔽图形114-2与所述阴极层112耦接，使得所述屏蔽图形114-2具有稳定的电位，使所述屏蔽图形114-2具有更好的屏蔽效果；而且，还使得所述屏蔽图形114-2能够起到辅助阴极的作用，有利于降低所述阴极层112的IR Drop。

如图1和图2所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括：第一补偿图形(如图1和图2中的109-2)，所述第一补偿图形包括网状结构，所述第一补偿图形与所述阳极图形109-1同层同材料设置，所述第一补偿图形与所述阴极层112耦接。

示例性的，所述第一补偿图形与所述屏蔽图形114-2的形状大致相同，所述第一补偿图形在所述基底101上的正投影与所述屏蔽图形114-2在所述基底101上的正投影基本重叠。

示例性的，所述第一补偿图形在所述基底101上的正投影与所述阴极层112在所述基底101上的正投影具有交叠区域，所述第一补偿图形与所述阴极层112通过多个过孔实现电连接。

示例性的，所述第一补偿图形，所述屏蔽图形114-2和所述阴极层112电连接在一起，具有GND电位，或者VSS(即电源负极)的电位。

上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述第一补偿图形与所述阴极层112耦接，使得所述第一补偿图形能够起到辅助阴极的作用，有利于降低所述阴极层112的IRDrop。

另外，将所述第一补偿图形与所述阳极图形109-1同层同材料设置，使得所述第一补偿图形与所述阳极图形109-1能够在同一次构图工艺中同时形成，从而更好的降低了显示基板的制作流程和制作成本。

如图4所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括：

第二补偿图形(如图4中的109-2)，所述第二补偿图形包括网状结构，所述第二补偿图形与所述阳极图形109-1同层同材料设置，所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2直接耦接。

示例性的，所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2直接电连接，所述第二补偿图形在显示基板的边缘区域接入GND信号，使所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2均具有稳定的地电位。

示例性的，所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2的形状大致相同，所述第二补偿图形在所述基底101上的正投影与所述屏蔽图形114-2在所述基底101上的正投影基本重叠。

如图4、图6和图7所示，示例性的，所述第二补偿图形在所述基底101上的正投影与所述屏蔽图形114-2在所述基底101上的正投影具有交叠区域，所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2通过多个过孔实现电连接。示例性的，所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2之间具有像素界定层110和平坦介质层113，在制作完成所述平坦介质层113之后，采用激光打孔方式，形成贯穿所述像素界定层110和平坦介质层113的多个过孔(如图7中的Via2)，所述屏蔽图形114-2与所述第二补偿图形通过所述多个过孔实现直接电连接。

将所述第二补偿图形与所述阳极图形109-1同层同材料设置，使得所述第二补偿图形与所述阳极图形109-1能够在同一次构图工艺中同时形成，从而更好的降低了显示基板的制作流程和制作成本。

上述将所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2直接耦接，使得所述显示基板的工艺流程得到简化。需要说明，上述将所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2直接耦接，使得所述第二补偿图形与所述屏蔽图形114-2并未起到辅助阴极的作用，这种结构适用于小尺寸，且对阴极层112的IR Drop不敏感的显示基板。

需要说明，所述第一补偿图形和所述第二补偿图形均可以采用如图6中的标记109-2示意的网格结构。

如图1～图4、图6和图7所示，在一些实施例中，所述指纹识别结构还包括：

第一导电连接部109-3，所述第一导电连接部109-3位于所述控制电路与所述指纹识别电极114-1之间，所述第一导电连接部109-3分别与所述控制电路和所述指纹识别电极114-1耦接。

如图4所示，示例性的，所述第一导电连接部109-3与所述控制电路之间设置有有机平坦层108，所述第一导电连接部109-3通过贯穿所述有机平坦层108的过孔(如图6中的Via1)与所述控制电路耦接；所述第一导电连接部109-3与所述指纹识别电极114-1之间设置有像素界定层110和平坦介质层113，所述第一导电连接部109-3通过贯穿所述像素界定层110和平坦介质层113的过孔与所述指纹识别电极114-1耦接。

示例性的，在制作完成所述平坦介质层113之后，采用激光打孔方式，形成贯穿所述像素界定层110和平坦介质层113的多个过孔，所述指纹识别电极114-1与所述第一导电连接部109-3通过该多个过孔实现直接电连接。

值得注意，在采用激光打孔方式形成过孔的情况下，能够减少对膜层的图形化工艺。

上述设置所述第一导电连接部109-3分别与所述控制电路和所述指纹识别电极114-1耦接，不仅避免了制作较深的过孔，还保证了所述控制电路和所述指纹识别电极114-1之间的连接性能。

如图1和图2所示，在一些实施例中，所述指纹识别结构还包括：

第二导电连接部，所述第二导电连接部位于所述第一导电连接部109-3与所述指纹识别电极114-1之间，所述第二导电连接部分别与所述第一导电连接部109-3和所述指纹识别电极114-1耦接。

示例性的，所述第二导电连接部与所述第一导电连接部109-3之间设置有像素界定层110，所述第二导电连接部通过贯穿所述像素界定层110的过孔与所述第一导电连接部109-3耦接；所述第二导电连接部与所述指纹识别电极114-1之间设置有平坦介质层113，所述第二导电连接部通过贯穿所述平坦介质层113的过孔与所述指纹识别电极114-1耦接。

上述设置所述第二导电连接部分别与所述第一导电连接部109-3和所述指纹识别电极114-1耦接，不仅避免了制作较深的过孔，还保证了所述控制电路和所述指纹识别电极114-1之间的连接性能。

在一些实施例中，所述第一导电连接部109-3与所述阳极图形同层同材料设置；和/或，所述第二导电连接部与所述阴极层112同层同材料设置。

将所述第一导电连接部109-3与所述阳极图形109-1同层同材料设置，使得所述第一导电连接部109-3与所述阳极图形109-1能够在同一次构图工艺中形成，有利于简化显示基板的制作工艺流程，降低制作成本。

将所述第二导电连接部与所述阴极层112同层同材料设置，使得所述第二导电连接部与所述阴极层112能够在同一次构图工艺中形成，有利于简化显示基板的制作工艺流程，降低制作成本。

如图5所示，在一些实施例中，设置所述多个指纹识别结构中包括的多个控制电路呈阵列分布，所述多个控制电路划分为多行控制电路，每行控制电路包括沿所述第一方向排列的多个控制电路；所述多个控制电路划分为多列控制电路，每列控制电路包括沿第二方向排列的多个控制电路；

所述显示基板还包括多条识别扫描线L1和多条信号传输线L2；

所述识别扫描线L1的至少部分沿所述第一方向延伸，所述识别扫描线L1与对应的一行控制电路中各控制电路分别耦接，所述信号传输线L2的至少部分沿所述第二方向延伸，所述信号传输线L2与对应的一列控制电路中各控制电路分别耦接；所述控制电路用于在对应的识别扫描线L1的控制下，将所述指纹识别电极114-1上的感测信号输出至对应的信号传输线L2。

示例性的，所述第一方向包括水平方向，所述第二方向包括竖直方向。

示例性的，所述多个控制电路划分为沿第二方向排列的多行控制电路，每行控制电路包括沿所述第一方向排列的多个控制电路；所述多个控制电路划分为沿第一方向排列的多列控制电路，每列控制电路包括沿第二方向排列的多个控制电路。

示例性的，所述多条识别扫描线沿所述第二方向排列，所述多条信号传输线沿所述第一方向排列。

示例性的，所述多条识别扫描线与所述多行控制电路一一对应，所述多条信号传输线与所述多列控制电路一一对应。

示例性的，所述多条识别扫描线分别与显示基板的栅极驱动电路GOA耦接，所述多条信号传输线分别与读取芯片耦接。

示例性的，所述多条识别扫描线逐条扫描，以控制多行控制电路逐行将指纹识别电极114-1上的感测信号传输至对应的信号传输线。

如图1～图5所示，在一些实施例中，所述控制电路包括控制晶体管KTFT，所述控制晶体管KTFT的栅极与对应的识别扫描线L1耦接，所述控制晶体管KTFT的输入电极与所述指纹识别电极114-1耦接，所述控制晶体管KTFT的输出电极与对应的信号传输线L2耦接；

所述子像素驱动电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的输出电极与所述阳极图形109-1耦接；所述控制晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极同层同材料设置，所述控制晶体管的有源图形与所述第一晶体管的有源图形同层同材料设置，所述控制晶体管的输入电极和所述控制晶体管的输出电极均与所述第一晶体管的输出电极同层同材料设置。

示例性的，所述控制晶体管选用N型晶体管或P型晶体管。

示例性的，所述子像素驱动电路还包括驱动晶体管，所述第一晶体管连接在所述驱动晶体管与对应的阳极图形109-1之间。

示例性的，所述控制晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极均采用第一栅金属层制作；所述控制晶体管的有源图形与所述第一晶体管的有源图形均采用有源层制作；所述控制晶体管的输入电极，所述控制晶体管的输出电极，以及所述第一晶体管的输出电极均采用第一源漏金属层制作。

上述设置所述控制晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极同层同材料设置，所述控制晶体管的有源图形与所述第一晶体管的有源图形同层同材料设置，所述控制晶体管的输入电极和所述控制晶体管的输出电极均与所述第一晶体管的输出电极同层同材料设置，使得所述控制电路与所述子像素驱动电路能够同步制作，这样不仅简化了显示基板的制作流程，还降低了所述显示基板的制作成本。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。

上述实施例提供的显示基板中，将所述指纹识别结构集成在显示基板内部，并将所述控制电路与所述子像素驱动电路在平行于所述基底101的方向上排列，使得所述指纹识别结构与所述子像素能够嵌入式集成，不仅使得显示基板能够实现全屏任意显示位置指纹识别，实现最大屏占比，而且不会大幅度增加显示基板的厚度与重量，有利于显示基板的轻薄化发展。而且，所述指纹识别结构通过触控改变电容的方式实现指纹识别，避免了准直结构等复杂的光路设计。

本发明实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时同样具有上述有益效果，此处不再赘述。

需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。