一种关断控制电路及其电子设备

技术领域

本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种关断控制电路及其电子设备。

背景技术

图1是传统的关断控制电路，主要用于将高压电源通过可控制的开关给负载供电。但是传统的关断控制电路关断速度较慢，且关断速度由电流源I1电流大小和MP1/MP2的比例决定，为了提高关断速度需要较大电流从而增大功耗。

发明内容

本发明的目的在于提供一种关断控制电路及其电子设备，旨在解决传统关断控制电路关断速度慢，为了提高关断速度需要较大电流从而增大功耗的问题。

第一方面，本发明提供了一种关断控制电路，包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一反相器X1、第二反相器X2、第一电流源I1、第二电流源I2和负载电阻RL；所述第一MOS管M1的栅极分别连接第一反相器X1的输出端、第二反相器X2的输入端和第三MOS管M3的栅极，第一反相器X1的输入端连接开关控制信号EN，第一MOS管M1的漏极分别连接第六MOS管M6的漏极和栅极以及第七MOS管M7的栅极，第一MOS管M1的源极连接第一电流源I1的输入端和第五MOS管M5的漏极，所述第二MOS管M2的栅极连接第二反相器X2的输出端，第二MOS管M2的源极连接第二电流源I2的输入端，第二MOS管M2的漏极连接第七MOS管M7的漏极、第九MOS管M9的栅极和第八MOS管M8的栅极；所述第三MOS管M3的漏极连接第九MOS管M9的漏极，第三MOS管M3的源极分别连接第四MOS管M4的栅极和漏极以及第五MOS管M5的栅极，所述第四MOS管M4的源极分别连接第五MOS管M5的源极、第一电流源I1的输出端、第二电流源I2的输出端、电源地GND和负载电阻RL的一端；第六MOS管M6的源极分别连接高压电源VM、第七MOS管M7的源极、第九MOS管M9的源极和第八MOS管M8的源极；第八MOS管M8的漏极连接负载电阻RL的另一端。

第二方面，本发明提供了一种电子设备，所述电子设备包括所述的关断控制电路。

在发明中，电路通过关断路径第九MOS管M9、第三MOS管M3、第四MOS管M4和第五MOS管M5，关断速度显著变快，并且不会带来明显的额外功耗。

附图说明

图1是本发明提供的一种传统的关断控制电路的原理图。

图2是本发明一实施例提供的一种关断控制电路的原理图。

图3是本发明一实施例提供的另一种关断控制电路的原理图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

请参阅图2，本发明一实施例提供了一种关断控制电路，包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一反相器X1、第二反相器X2、第一电流源I1、第二电流源I2和负载电阻RL；所述第一MOS管M1的栅极分别连接第一反相器X1的输出端、第二反相器X2的输入端和第三MOS管M3的栅极，第一反相器X1的输入端连接开关控制信号EN，第一MOS管M1的漏极分别连接第六MOS管M6的漏极和栅极以及第七MOS管M7的栅极，第一MOS管M1的源极连接第一电流源I1的输入端和第五MOS管M5的漏极，所述第二MOS管M2的栅极连接第二反相器X2的输出端，第二MOS管M2的源极连接第二电流源I2的输入端，第二MOS管M2的漏极连接第七MOS管M7的漏极、第九MOS管M9的栅极和第八MOS管M8的栅极；所述第三MOS管M3的漏极连接第九MOS管M9的漏极，第三MOS管M3的源极分别连接第四MOS管M4的栅极和漏极以及第五MOS管M5的栅极，所述第四MOS管M4的源极分别连接第五MOS管M5的源极、第一电流源I1的输出端、第二电流源I2的输出端、电源地GND和负载电阻RL的一端；第六MOS管M6的源极分别连接高压电源VM、第七MOS管M7的源极、第九MOS管M9的源极和第八MOS管M8的源极；第八MOS管M8的漏极连接负载电阻RL的另一端。

请参阅图3，本发明一实施例提供的另一种关断控制电路与图2所示的关断控制电路的区别在于，所述关断控制电路还包括稳压二极管D1,所述稳压二极管D1的正极连接第八MOS管M8的栅极，稳压二极管D1的负极连接第八MOS管8的源极。

在本发明一实施例中，所述关断控制电路还可以包括电阻R1，所述电阻R1的两端分别连接第九MOS管M9的源极和栅极。

在本发明一实施例中，所述第一MOS管M1、第二MOS管M2和第三MOS管M3是高压N型MOS管。

在本发明一实施例中，所述第四MOS管M4和第五MOS管M5是低压N型MOS管。

在本发明一实施例中，所述第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9是高压P型MOS管。

在本发明一实施例中，所述第八MOS管M8是开关功率管。

具体参阅图3，本发明一实施例提供的关断控制电路的工作原理如下：

开关控制信号EN为高信号时，第一MOS管M1和第三MOS管M3关断,第二MOS管M2开启，从而使第六MOS管M6和第七MOS管M7慢慢关断，第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极电压开始下降，继而第八MOS管M8导通给负载供电，稳压二极管D1用于钳位第八MOS管M8的栅源电源。开关控制信号EN为低信号时，第一MOS管M1和第三MOS管M3开启,第二MOS管M2关断。开关控制信号EN变低瞬间，第九MOS管M9的栅极电压为低，当第三MOS管M3导通后，第四MOS管M4的栅极电压开始上升，第四MOS管M4导通，形成电流I3，第五MOS管M5和第四MOS管M4成比例地拷贝电流I3形成电流I4，电流I1和I4一起下拉第六MOS管M6的栅极电压，使第七MOS管M7注入到第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极电流显著增大，快速上拉第八MOS管M8的栅极电压，随着第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极电压升高，电流I3和I4也慢慢变小，直到第九MOS管M9关断，I3和I4减小到零，同时第八MOS管M8也关断停止给负载供电，最终第八MOS管M8和第九MOS管M9的电压被上拉到VM，彻底关断第八MOS管M8。

本发明另一实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括所述的关断控制电路。

在本发明实施例中，电路通过关断路径第九MOS管M9、第三MOS管M3、第四MOS管M4和第五MOS管M5，关断速度显著变快，并且不会带来明显的额外功耗。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。