非晶硅靶材承载装置

技术领域

本发明涉及激光转印技术领域，具体涉及一种激光转印所用的非晶硅靶材承载装置。

背景技术

在半导体及太阳电池领域，非晶硅是一种被广泛利用的半导体材料。半导体器件表面图案化的非晶硅可被用来制备高性能的半导体器件和太阳电池。一种先进的非晶硅沉积方法利用激光转印的方法在器件表面制备图案化的非晶硅，该方法使用激光照射非晶硅靶材，将靶材表面的非晶硅转印至半导体器件表面，形成图案化的非晶硅层。

非晶硅靶材通常使用平整的石英材料作为载板，非晶硅靶材在激光转印工艺过程中通常使用寿命只有一次，极大的增加了非晶硅靶材的成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种激光转印所用的非晶硅靶材承载装置，包括：用于夹持板状非晶硅靶材的上夹板和下夹板，用于支承上夹板和下夹板的顶板，以及与顶板连接、且用于驱动顶板水平移动和垂直移动的移动装置；

所述顶板平置，顶板设有第一镂空区域，顶板底面还螺纹连接多个竖置螺丝，该多个螺丝位于第一镂空区域外围；移动装置位于第一镂空区域外围；

所述上夹板平置在顶板正下方，上夹板设有第二镂空区域，第二镂空区域位于第一镂空区域正下方，且第一镂空区域在上夹板上的投影不超出第二镂空区域；上夹板被上述多个螺丝贯穿，且该多个螺丝位于第二镂空区域外围；

所述下夹板平置在上夹板正下方，下夹板设有第三镂空区域，第三镂空区域位于第二镂空区域正下方，且第二镂空区域在下夹板上的投影不超出第三镂空区域；下夹板也被上述多个螺丝贯穿，且该多个螺丝位于第三镂空区域外围；

上述多个螺丝分别套装有弹簧，且该多个螺丝上的弹簧都被压缩在上夹板和顶板之间。

优选的，上述多个螺丝还分别套装有垫片，且该多个螺丝上的垫片都设在上夹板和下夹板之间；且各垫片的厚度都小于板状非晶硅靶材的厚度。

优选的，所述上夹板的边沿设有上把手。

优选的，所述下夹板的边沿设有下把手。

优选的，所述顶板、上夹板和下夹板都为矩形。

优选的，所述第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域为矩形。

优选的，所述顶板底面螺纹连接的螺丝数量为四个，该四个螺丝分别位于顶板、上夹板和下夹板的四角。

优选的，所述上夹板的厚度为0.05～2mm。

优选的，所述下夹板的厚度为0.05～2mm。

优选的，所述垫片的厚度为0.05～2mm。

本发明的优点和有益效果在于：本发明提供一种非晶硅靶材承载装置，可应用在激光转印工艺中，可对靶材位置进行多次调整，在保证转印效果的同时实现靶材的多次利用，能够大幅降低靶材的成本。

附图说明

图1是非晶硅靶材承载装置的示意图；

图2是非晶硅靶材承载装置应用于激光转印工艺的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

本发明具体实施的技术方案是：

如图1和图2所示，一种非晶硅靶材承载装置，包括：用于夹持板状非晶硅靶材7的上夹板11和下夹板12，用于支承上夹板11和下夹板12的顶板2，以及与顶板2连接、且用于驱动顶板2移动的移动装置3；顶板2、上夹板11和下夹板12都为矩形；上夹板11和下夹板12的厚度为0.05～2mm；

所述顶板2平置，顶板2设有矩形第一镂空区域，顶板2底面还螺纹连接四个竖置螺丝21，该四个螺丝21位于第一镂空区域外围；

所述上夹板11平置在顶板2正下方，上夹板11设有矩形第二镂空区域，第二镂空区域位于第一镂空区域正下方，且第一镂空区域在上夹板11上的投影不超出第二镂空区域；上夹板11被上述四个螺丝21贯穿，且该四个螺丝21位于第二镂空区域外围；

所述下夹板12平置在上夹板11正下方，下夹板12设有矩形第三镂空区域，第三镂空区域位于第二镂空区域正下方，且第二镂空区域在下夹板12上的投影不超出第三镂空区域；下夹板12也被上述四个螺丝21贯穿，且该四个螺丝21位于第三镂空区域外围；

所述四个螺丝21分别位于顶板2、上夹板11和下夹板12的四角；

所述移动装置3位于第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域的外围；

上述多个螺丝21分别套装有弹簧4，且该多个螺丝21上的弹簧4都被压缩在上夹板11和顶板2之间；

上述多个螺丝21还分别套装有垫片5，且该多个螺丝21上的垫片5都设在上夹板11和下夹板12之间；且各垫片5的厚度都小于板状非晶硅靶材7的厚度，如垫片5的厚度为0.05～2mm；

所述上夹板11的边沿设有上把手61；下夹板12的边沿设有下把手62。

本发明非晶硅靶材承载装置可应用在激光转印工艺中，工作过程如下：

1）通过操作上把手61来上抬上夹板11（弹簧4被压缩），使上夹板11和下夹板12的间距增大至适于插入板状非晶硅靶材7，将靶材7平插在上夹板11和下夹板12之间，且靶材7的边沿位于第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域的外围；靶材7插入上夹板11、下夹板12之间完成后，松开上夹板11，弹簧4复位下压上夹板11，上夹板11和下夹板12将靶材7夹紧；靶材7位于第一镂空区域正下方的区域分出多个转印区域；

2）移动装置3驱动顶板2移动，使顶板2的第一镂空区域置于激光器8正下方，且使某个未被激光照射的转印区域与激光器8的照射路径正对，以靶材7上与照射路径正对、且未被激光照射的转印区域为待转印区域；

3）将待激光转印非晶硅的半导体器件9置于下夹板12第三镂空区域的正下方，且半导体器件9需要转印非晶硅的区域与靶材7的待转印区域正对；

4）激光器8按照预定的照射路径对靶材7的待转印区域进行激光照射，使靶材7上被激光照射区域的非晶硅转印至半导体器件9表面，在半导体器件9表面形成与照射路径相对应的图案化的非晶硅层；以靶材7上已被激光照射过的区域为已转印区域；

5）激光器8完成激光照射后，移动装置3驱动顶板2移动，使靶材7的已转印区域移出照射路径，且使靶材7上另一个未被激光照射的转印区域与激光器8的照射路径正对，使该转印区域成为待转印区域；

6）将新的待激光转印非晶硅的半导体器件9置于下夹板12第三镂空区域的正下方，且新的半导体器件9上需要转印非晶硅的区域与靶材7的待转印区域正对；

7）重复步骤4）至6），直至靶材7上所有的转印区域都完成激光照射。

在上夹板11和下夹板12之间设置垫片5，能防止上夹板11和下夹板12贴紧在一起，便于将上夹板11和下夹板12分开，更利于靶材7插入上夹板11、下夹板12之间。

上夹板11的边沿设置上把手61，可通过操作上把手61来上抬上夹板11，也便于将上夹板11和下夹板12分开，更利于靶材7插入上夹板11、下夹板12之间。

下夹板12的边沿设置下把手62，可在上抬上夹板11时，通过操作下把手62来下压下夹板12，使下夹板12保持稳定，防止下夹板12误动，也更利于靶材7插入上夹板11、下夹板12之间。

上夹板11和下夹板12将靶材7夹紧后，可以通过调节螺丝21来实现靶材7的水平度调节。

由上可知，本发明非晶硅靶材承载装置，可应用在激光转印工艺中，可对靶材7位置进行多次调整，在保证转印效果的同时实现靶材7的多次利用，能够大幅降低靶材7的成本。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。