显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及显示装置，并且更具体地，涉及显示装置及其制造方法。尽管本发明适于广泛的应用，但它特别适合于通过以使用包含碱土金属与有机物质的混合物的金属作为阴极的方式促成图案化来确保高透射率并提高效率。

背景技术

近来，因为信息时代已经全面到来，可视地显示电传输信息信号的显示器领域已得到迅速发展。响应于此，已开发出具有诸如小厚度、低重量和低功耗这样的优异特性的各种平板显示装置，并且这些平板显示装置已迅速取代了现有的阴极射线管(CRT)。

这种平板显示装置的代表性示例可以包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、有机发光显示(OLED)装置、量子点显示装置等。

在这些装置当中，诸如有机发光显示装置或量子点发光显示装置这样的自发光显示装置被视为有竞争力的应用，因为它不需要单独的光源并且使得能够实现紧凑的装置设计和鲜明的色彩显示。

此外，自发光显示装置包括基板上的多个像素以及发光二极管，该发光二极管具有在各像素内彼此面对的阳极电极和阴极电极以及在阳极电极和阴极电极之间的发光层。

由于自发光显示装置利用从发光二极管发射的光来实现显示，因此重要的是有效地使用从发光二极管发射的光的提取量。因此，正在进行许多努力，以减小位于发光方向上的阴极电极的厚度以便增加透射率并针对装置的性能稳定性来提升阴极电极以及与阴极电极相邻的配置的可靠性。

另外，对能够按使得光能够透过前面和后面的方式显示图像而不中断视野的透明显示装置的需求正在上升。

透明显示装置旨在通过使自发光区域和透明区域中的发光二极管的布置不同来获得透明显示器和发光显示器二者。

然而，由于自发光区域和透明区域分别需要最优先考虑光发射和透射的效率增加，因此它们由于不同目的而需要不同的结构，由此难以用常见的形成方法来实现。

发明内容

因此，本发明涉及基本上消除了由于相关技术的限制和不足而导致的一个或更多个问题的显示装置及其制造方法。

本发明的目的是提供显示装置，并且更具体地，提供适于通过以使用包括碱土金属与有机物质的混合物的金属作为用作阴极的金属的方式促成图案化来确保高透射率并提高效率的显示装置及其制造方法。

本发明的额外优点、目的和特征将在随后的描述中部分阐述，并且对于阅读了下文后的本领域普通技术人员而言将部分变得显而易见，或者可以通过本发明的实践而得知。可以通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。

本发明的显示装置使得能够通过改变阴极的成分来进行阴极的沉积图案化，由此确保高透射率和高效率二者。

为了实现这些目的和其它优点并且按照本发明的目的，如本文中实施和广义描述的，根据一个实施方式的一种显示装置可以包括：阳极，该阳极在基板的多个发光部中的每一个处；发光层，该发光层被设置在各所述阳极上方；以及阴极，该阴极在所述发光层上方，以与所述基板的所述多个发光部交叠，所述阴极包括碱土金属和与所述碱土金属复合的富勒烯。

在本发明的另一方面，如本文中实施和广义描述的，根据另一实施方式的一种制造显示装置的方法可以包括以下步骤：在基板的多个发光部中的每一个处设置阳极；在各所述阳极上方设置发光层；以及通过在发光层上方沉积碱土金属与富勒烯的混合物来设置阴极。

要理解，本发明的以上总体描述和以下详细描述二者均是示例性和说明性的，旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解并被并入且构成本申请的部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是示出了根据本发明的显示装置的布局。

图2是示出了根据本发明的第一实施方式的显示装置的像素的布局。

图3是沿着图2的线I-I’截取的截面图。

图4是根据本发明的第二实施方式的显示装置的像素的布局。

图5是沿着图4的线II-II’截取的截面图。

图6A是示出了本发明的显示装置的阴极中可使用的富勒烯C

图6B是示出了富勒烯的各种示例的示图。

图7是示出了本发明的显示装置的阴极中可使用的富勒烯衍生物的示图。

图8A、图8B、图8C和图8D是示出了可用于本发明的显示装置的阴极的碱土金属和富勒烯之间形成的复合物的示例的示图。

图9是示出了根据本发明的第一实施方式的在显示装置中形成阴极的方法的示图。

图10是示出了根据本发明的第二实施方式的在显示装置中形成阴极的方法的示图。

图11是示出了AgMg阴极和Mg-C

图12是示出了厚度不同的AgMg阴极和Mg-C

图13是示出了Mg阴极的根据经过时间的J-V特性的曲线图。

图14是示出了Mg-C

图15A是根据第七测试例的显示装置的截面图。

图15B是根据第八测试例的显示装置的截面图。

图15C是根据第九测试例至第十二测试例的显示装置的截面图。

图16是示出了根据本发明的第三实施方式的显示装置的布局。

图17A和图17B是本发明的第三实施方式的修改例的布局。

图18是示出了根据本公开的第四实施方式的显示装置的布局。

图19是沿着图18的线III-III’截取的截面图。

图20是根据本发明的第五实施方式的显示装置的截面图。

图21是示出了取决于阴极的存在与否的透射部在可见光波长上的透射率的曲线图。

具体实施方式

现在，将参照附图根据本文中公开的示例性实施方式详细给出描述。在整个说明书中，相同的参考标号基本上意指相同的部件。在下面的描述中，如果确定对与本发明相关的技术或配置的具体描述可能不必要地模糊本发明的主旨，则应当省略详细描述。另外，以下描述中使用的部件名称是考虑到方便准备说明书而选择的，并且可以不同于实际产品的部分名称。

在用于说明本发明的示例性实施方式的附图中，例如，所例示的形状、大小、比例、角度和数量是通过示例的方式给出的，因此不限于本发明的公开。在整个说明书中，相同的参考标号指定相同的构成元件。另外，在以下对本发明的描述中，当对并入本文中的已知功能和配置的详细描述会使得本发明的主题相当不清楚时，将省略该详细描述。本说明书中使用的术语“包含”、“包括”和/或“具有”没有排除其它元素的存在或添加，除非它与术语“只”一起使用。除非上下文另外清楚指示，否则单数形式旨在也包括复数形式。

在对本发明的各种实施方式中所包括的构成元件的解释中，构成元件被解释为包括误差范围，即使没有对此进行明确描述。

在对本发明的各种实施方式的描述中，当描述位置关系时，例如，当使用“上”、“上方”、“下方”、“旁边”等来描述两个部分之间的位置关系时，一个或更多个其它部分可以位于这两个部分之间，除非使用术语“直接地”或“紧密地”。

在对本发明的各种实施方式的描述中，当描述时间关系时，例如，当使用“之后”、“随后”、“接下来”、“之前”等来描述两个动作之间的时间关系时，这些动作可能不是连续发生的，除非使用术语“直接地”或“恰好”。

在对本发明的各种实施方式的描述中，虽然可以使用诸如例如“第一”和“第二”这样的术语来描述各种元件，但是这些术语仅仅用于将相同或相似的元件彼此区分开。因此，在本说明书中，除非另外提到，否则在本发明的技术范围内，用“第一”修饰的元件可以与用“第二”修饰的元件相同。

本发明的各种实施方式的相应特征可以部分地或全部地彼此联接和组合，并且其各种技术联系和驱动是可能的。这些各种实施方式可以被彼此独立地执行，或者可以被彼此关联地执行。

本发明的显示装置的主要特征在于，以包括碱土金属与富勒烯的混合物的形式形成在基板内用作发光装置的一个电极的阴极。由于由碱土金属与富勒烯的混合物组成的阴极在富勒烯的一些碳原子与碱土金属之间产生复合物，因此产生金属碳化物，由此可以增强电极可靠性。另外，能够提高当使用单个Mg层时降低的透射率。此外，考虑到合金结构中的沉积温度高达超过500℃，当混合物结构的阴极沉积温度变得与有机沉积温度相近时，FMM掩模可用于沉积工艺并且促进图案化。

图1是示出了根据本发明的显示装置的布局。

参照图1，根据本发明的显示装置1000包括基板100，基板100被划分成显示区域AA(即，虚线区域的内部)和非显示区域NA。

多个像素P被设置于显示区域AA。因为发光器件(例如，图3或图5中的OLED)和被配置为驱动发光器件的薄膜晶体管(例如，图3或图5中的TFT)被形成在各像素P中，由此通过各像素的发光器件的操作来执行显示。

非显示区域NA存在于显示区域AA的外部。焊盘部PAD位于非显示区域中的一些中并且焊盘电极(未示出)被设置于焊盘部PAD，由此通过到电路膜(未示出)等的连接而从外部施加信号。从设置于显示区域AA的布线延伸的链接线被设置于没有形成焊盘部PAD的那一侧或那些侧的非显示区域NA，并且被连接到焊盘部PAD。电路膜被连接到电路板(未示出)，由此将电信号从电路板传递到焊盘电极侧。薄膜晶体管TFT1、TFT2和TFT3可以被连接到彼此交叉的第一布线和第二布线(未示出)。

基板100可以像玻璃或透明塑料膜一样是透明的。另选地，基板100可以包括不透明的金属基板。如果显示装置1000包括透射部(参见图4中的“T”)，则基板100可以由对于背面透射而言足够透明的材料(例如，玻璃基板、透明塑料膜等)形成。尽管出于永久性或使用中装置灵活性的目的，基板100通常包括透明塑料膜，但玻璃基板以使减小其自身厚度的方式适用。

每个像素P包括一个或更多个发光器件(例如，OLED)，并且可以在发光器件(OLED)上形成覆盖层(参见图3或图5中的“170”)以改善光提取并保护发光器件(OLED)。

在根据本发明的显示装置中，阴极140被形成在所有显示区域AA中并经由显示区域AA形成在非显示区域NA中的一些中。根据本发明的显示装置的阴极140与阳极111一起构成发光器件(OLED)的两个电极。当显示装置按顶部发光使用时，对于本发明的阴极140而言，保持透射能力是重要的。如果阴极140包含金属，则它应该是薄膜。另外，如图1中所示，由于以完全覆盖显示区域AA的方式单独形成阴极140，因此形成均匀电势的表面而非每个像素区域有偏差是重要的。为此目的，构成阴极140的成分的导电率应该高于预定水平，由此用于阴极配置的成分是重要的。以将富勒烯或富勒烯衍生物与碱土金属混合的方式形成本发明的阴极140，由此旨在确保透明性和低电阻。

此外，如图1中所示，封装层200被形成在显示区域AA和除了焊盘部PAD之外的非显示区域NA上，从而完全覆盖阴极140。封装层200防止来自外部的湿气渗透并保护形成在整个显示区域AA上的阵列构造(包括薄膜晶体管)以及发光器件(OLED)，并且被形成为大小大于作为发光器件(OLED)的组成之一的阴极140的大小。因此，可以以覆盖发光器件(OLED)的阴极140的顶面和侧面的方式形成封装层200。

在一些实施方式中，封装层200可以被形成为包括无机封装层、有机封装层和无机封装层的层叠层。此外，还可以添加一对有机/无机封装层。无机封装层被至少进一步形成在有机封装层的外部，由此使得无机封装层能够防止外部湿气渗透。有机封装层被设置为在处理过程中根据环境条件覆盖因内部气体引起的颗粒流或内部颗粒。

阴极140具有与焊盘部PAD连接的布线和基板100上的规定触及部(未示出)，由此从焊盘部PAD接收地信号或预定的电压信号。

与针对各子像素SP分别形成的阳极111相反，阴极140以对于整个显示区域AA集成的方式形成。为了保持预定电势而非每个区域有差异以便有机发光器件(OLED)稳定操作，重要的是使阴极140保持低电阻。

下文中，根据本发明的各种实施方式，参照截面图描述根据本发明的具体实施方式的显示装置。

图2是示出了根据本发明的第一实施方式的显示装置的像素的布局，并且图3是沿着图2的线I-I’截取的截面图。

图2和图3中的根据本发明的第一实施方式的显示装置可以包括：阳极111，该阳极111被设置于基板100的多个发光部E1、E2和E3中的每一个；发光层132a/132b/132c，该发光层132a/132b/132c被设置在对应阳极111上；以及阴极140，该阴极140以与基板100的多个发光部交叠的方式在发光层上包含碱土金属和与碱土金属复合的富勒烯。

发光器件OLED被设置于发光部E1、E2和E3中的每一个，由此发射光。根据内部发光层是有机发光层还是无机发光层，发光器件OLED的类型可以包括有机发光器件OLED或无机发光器件OLED，本发明不受此限制。

发光器件OLED包括阳极111、有机层叠EL和阴极140。对应发光部E1/E2/E3的阳极被连接到对应薄膜晶体管TFT1/TFT2/TFT3，由此接收电信号。

如图2中所示，像素P可以包括蓝色发光部E1、红色发光部E2和绿色发光部E3或者替代地其它颜色的组合。该图中示出的像素P可以在基板100的显示区域AA中的矩阵上进行重复。

例如，发光部E(即，E1、E2和E3)可以在同一行中平行。另选地，发光部E可以在对角方向上布置。另选地，发光部E可以按在一列中具有不同布置的方式布置。尽管发光部E具有相同的大小，但本发明不受此限制。另选地，发光部E可以根据要显示的显示装置的预计特性而具有不同的大小，由此能通过对特定的发光部赋予权重或减法而改变。发光部E(即，E1、E2和E3)的形状在图中为矩形，本发明不受此限制。另选地，发光部E(即，E1、E2和E3)的形状可以是多边形或椭圆形，或者发光部E的至少一些角可以是圆形的。在某些情况下，发光部E(即，E1、E2和E3)的角可以按彼此间隔开预定距离地彼此邻近的方式布置。

发光部E的发射不同颜色光的发光部E1、E2和E3的布置可以包括例如以上提到的蓝色、绿色和红色子像素，本发明不受此限制。发光部E还可以包括白色发光部WE。发光部E的蓝色/绿色/红色布置可以被其它布置(例如，青色/品红色/黄色等)取代。另外，发光部E可以具有发光部的其它颜色组合的布置。

尽管以下描述主要是针对应用于使用有机发光层作为发光层的有机发光器件的情况提议的，但是通过将有机发光层改变成包括量子点发光层的层来将量子点发光器件(QLED)设置到发光部的情况适用于本发明的显示装置。

此外，可以以在发光部E(即，E1、E2和E3)和透射部T周围设置堤部150这样的方式限定区域。堤部150可以部分地与阳极111的边缘交叠。

有机层叠EL包括通过空穴与电子的复合来产生大量光发射的发光层132a/132b/132c、将空穴从阳极111传输到发光层132a/132b/132c的空穴传输层(HTL)131以及将电子从阴极140传输到发光层132a/132b/132c的电子传输层(ETL)。

空穴注入层(未示出)可以被进一步包括在空穴传输层131和阳极111之间，并且电子注入层134可以被包括在电子传输层133和阴极140之间。电子注入层134可以包含诸如碱性化合物或镧系金属这样的无机化合物，而不包括有机物质，并且可以在形成阴极140的过程中形成。

可以省略空穴注入层和电子注入层134。在某些实施方式中，空穴传输层131和电子传输层133中的每一个可以通过被赋予不同功能而形成为多层。

堤部150被形成在每个像素P的未设置有发光部E1、E2和E3的区域中。发光部E1、E2和E3可以被定义为堤部150的开口区域。

此外，覆盖层170被进一步设置在发光器件OLED上，以对发光器件OLED进行保护和光提取，并且封装层200被形成在覆盖层170上，以防止外部湿气渗透发光器件OLED和薄膜晶体管TFT1、TFT2和TFT3并保护它们。

尽管为了描述发光部E1、E2和E3中的每一个的发光器件OLED的配置及其光学效果而从图3省略了堤部150，但还可以在形成阳极111之后并且在形成有机层叠EL之前进一步形成部分地与阳极111的边缘交叠的堤部150，以限定发光部E1、E2和E3。

图4是根据本发明的第二实施方式的显示装置的像素的布局，并且图5是沿着图4的线II-II’截取的截面图。

如图4和图5中所示，除了各自是子像素的发光部E1、E2和E3外，根据本发明的第二实施方式的显示装置还包括被设置于像素P的透射部T。图4中示出的像素P的结构可以被重复地布置在图1中示出的基板100的显示区域AA中。

在根据本发明的第二实施方式的显示装置中，如图5中所示，可以以不包括透射部T的方式对阴极240进行图案化。

通过这样，由于在透射部T中行进的光路中不包括阴极240，因此因阴极240中包含的金属成分所占据的光吸收量，出现光透射率上升。在这种情况下，由于在透射部T中，与发光部E1、E2和E3相比，薄膜晶体管TFT、阳极111、发光层132a、132b和132c和阴极240的成分并没有被包括在光路中，并且更具体地，并没有包括具有反射率的电极成分，因此足以从基板100背面观察到的光从基板100的底部穿过封装层200。

在根据本发明的第二实施方式的显示装置中，发光部E(即，E1、E2和E3)的配置与以上提到的第一实施方式相同，并且将省略对其的描述。

此外，由于在透射部T中省略了堤部150，因此这对透射能力有帮助。

在根据本发明的第二实施方式的显示装置中，如图4中所示，堤部150可以被配置为使发光部和透射部分别敞露并分开。

根据图2和图3的本发明的第一实施方式的显示装置和根据图4和图5的本发明的第二实施方式的显示装置二者都可以包括与基板100的多个发光部E1、E2和E3交叠并且包括碱土金属和与碱土金属复合的富勒烯的阴极140/240。

下文中，描述了用于本发明的阴极的富勒烯。

图6A是示出了本发明的显示装置的阴极成分中能包含的富勒烯C

如图6A和图6B中所示，富勒烯是碳的有机化合物并且具有三维形状，该三维形状形成呈球形或卵形或类似形式的稳定形式。在富勒烯中，在三维表面上重复五边形或六边形碳结合结构，并且碳处于五边形或六边形的每个顶点的位置处。

富勒烯具有结构对称性，因为它的碳结合结构不是单面的，并且由于来自球形或椭圆形的离域π(pi)电子的特性，富勒烯还具有高稳定性。

如图6A中所示，富勒烯的典型示例是C

图6B通过使碳原子数目与富勒烯C

图7示出了作为高电子迁移率的n型富勒烯衍生物的富勒烯衍生物。

包含诸如PCBM(6,6-苯基C

如此，通过在碱土金属中包括富勒烯衍生物来形成阴极可以具有增加阴极中电子注入特性的优点。在某些实施方式中，如果阴极本身包含有机富勒烯衍生物并且富勒烯衍生物的电子渗透性高，则可能能够以省略图3或图5的电子注入层134的形式实现有机发光器件。在这种情况下，阴极134可以直接与电子传输层133接触。

此外，当形成阴极时，通过将有机富勒烯和碱土金属包含在单个坩埚中来将它们共沉积。这样做，以碱土金属的含量大于有机富勒烯的方式供应物质，并且更优选地，碱土金属与有机富勒烯的比率为10:1至20:1。在形成之后，富勒烯可以以占阴极总体积的1vol％至10vol％的含量被包含。

在阴极140中，碱土金属控制能够引起发光器件(OLED)中的阳极111与阴极140之间的强空腔(cavity)特性的反射谐振的阴极140的导电率以及反射率，并且当考虑到阴极140的电光功能时，应该比富勒烯或富勒烯衍生物的含量更多。因此，在阴极140的整个结构中，碱土金属成为主要成分，并且富勒烯或富勒烯衍生物可以作为掺杂物被包括在碱土金属中。

在图1至图5的根据本发明的显示装置中，从发光层132a/132b/132c发射的光最终通过阳极111与阴极140之间的谐振和反射而朝向阴极140投射。为此目的，在阳极111中可以包括Al、Al合金、Ag、Ag合金、Mg、Mg合金、APC(Ag-Pd-Cu)等的反射电极。阴极140包含具有反射透射能力以实现最终光透射的碱土金属。

在显示装置中，用于阴极140的碱土金属包括Mg、Ca、Be、Sr、Ba和Ra中的至少一种。

此外，当共沉积碱土金属M和富勒烯以形成阴极140的层时，富勒烯中所包含的碳原子可以与碱土金属M形成复合物(图8A)或者原位碳(C)原子可以通过打破双键而与碱土金属M形成复合物(图8B)。另选，如图8C中所示，当碱土金属M位于富勒烯单体之间时，两个单体的碳原子与碱土金属M可以复合在一起。在其它配置中，如图8D中所示，碱土金属M进入三维结构，以与表面上的至少一个碳原子形成复合物。

在一些实现方式中，关于图7中示出的富勒烯衍生物与碱土金属的复合，富勒烯衍生物的官能团与碱土金属可以复合在一起，富勒烯衍生物表面的至少一个碳原子与碱土金属可以复合在一起，或碱土金属可以进入富勒烯衍生物的三维结构，然后与邻近的碳原子形成复合物。

因此，根据本发明的显示装置，当通过富勒烯与碱土金属的复合来形成阴极时，在阴极中产生碱土金属复合结构。因此，由于金属掺杂效应，界面电阻减小并且阴极的导电率提高。当富勒烯的碳与碱土金属之间产生复合时，其充当金属碳化物，由此增加了导电率并稳定了层特性。因此，可以增强表面稳定性和可靠性。另外，由于包含碱土金属作为阴极的主要成分，因此可以保持碱土金属的低电阻率。此外，在阴极140中，由碳原子与碱土金属之间的复合产生的金属碳化物(MC

在本发明的显示装置中，由于每个发光部都被实现为具有强空腔效应，因此阳极111和阴极140之间的对应发光层132a、132b和132c的厚度可以彼此不同，以求最佳谐振效果。

此外，本发明的阴极中所包含的碱土金属和富勒烯或富勒烯衍生物具有相近的低于500℃的沉积温度。在这种情况下，由于碱土金属是金属但具有低沉积温度，因此在FMM掩模的耐热温度下阴极沉积是可能的，并且可以在沉积过程中形成可以被图案化的阴极。另一方面，当形成包含诸如Ag这样的金属的阴极时，由于对应的沉积温度为800℃或更高，因此在使用精细金属掩模(FMM)时产生变形。因此，图案化是不可能的。

另外，当形成包括诸如Ag这样的金属的阴极时，具有低沉积温度的另一金属能被用作附加金属。在这种情况下，由于蒸发点不同，因此不可能在同一源中使用，由此不利地需要使用各自的坩埚。

根据本发明的显示装置的阴极使用具有相近的低于500℃的沉积温度的碱土金属和有机物质富勒烯，由此可以使用同一个坩埚。因此，碱土金属和富勒烯可以以作为混合物被包括在同一源中的方式被共沉积。

下文中，描述了形成根据第一实施方式的显示装置的阴极的方法。

图9是示出了根据本发明的第一实施方式的形成显示装置中的阴极的方法的示图。

参照图9，在根据第一实施方式的显示装置中，阴极140被形成为覆盖被设置于显示区域AA的每个子像素P的发光部E1、E2和E3。由于阴极140被形成在整个显示区域AA中，因此不必使用FMM沉积掩模。因此，通过分别从不同的源510和520供应富勒烯C

这里，附图标记600是指将基板500固定在腔室(未示出)内的平台，并且在该平台600上进行沉积工艺。

图10是示出了根据本发明的第二实施方式的在显示装置中形成阴极的方法的示图。

参照图10，在根据本发明的第二实施方式的显示装置中，除了发光部E1、E2和E3之外，像素P还包括透射部T。为了升高透射部的透射率，可以使用以透射部T之外的区域作为开口区域OP的FMM掩模910来仅在非透射部上选择性地沉积阴极物质。这里，能使用FMM掩模910的原因是因为富勒烯C

另外，由于富勒烯C

关于根据本发明的第二实施方式的显示装置，如图10中所示，当阴极由碱土金属与富勒烯的混合物或碱土金属与富勒烯衍生物的混合物形成时，由于沉积温度低至沉积发光层或公共层的温度，因此能共同使用沉积室并确保工艺的便利性。

下文中，通过测试描述了用于本发明的阴极的碱土金属与富勒烯衍生物的混合结构的特性。

在测试中，例如，代表性使用镁作为示例性碱土金属并且使用富勒烯C

首先，第一测试例应用厚度为

[表1]

图11是示出了AgMg阴极和Mg-C

如表1中所示，由于不使用高导电率的Ag，因此第三测试例至第六测试例与第一测试例相比效率降低了约10％。然而，可以观察到，第三测试例至第六测试例具有与AgMg厚度变薄的第二测试例的水平相近的水平。此外，可以确认第三测试例至第五测试例的寿命或移位电压的水平与第一测试例的寿命或移位电压的水平相近。

如图11中所示，可以确认在第一测试例和第四测试例中亮度光谱是相等或相近的。如图12中所示，可以观察到，在第一测试例以及第三测试例至第五测试例中，寿命几乎相等。

即，如同本发明的阴极，当使用碱土金属与富勒烯衍生物的混合结构时，效率、寿命和移位电压特性与第一测试例的效率、寿命和移位电压特性相近。因此，可以获得：AgMg阴极的功能水平与使用包括有机物质和碱土金属的合金而非包括碱土金属和其它金属的合金的金属合金的功能水平相近。

在以下测试中，通过参照寿命特性，检查单个碱土金属层的阴极和碱土金属与C

图13是示出了根据Mg阴极的经过时间的J-V特性的曲线图，并且图14是示出根据Mg-C

参照图13，在应用单层Mg阴极的情况下，即使对于同一电流密度10mA/cm

另一方面，参照图14，当使用Mg-C

下表2示出了在图15A至图15C中配置的透明显示装置的各种测试例的结构中的透明度、薄层电阻、寿命和高温可靠性。

图15A是根据第七测试例的显示装置的截面图，图15B是根据第八测试例的显示装置的截面图，并且图15C是根据第九测试例至第十二测试例的显示装置的截面图。

共同地，根据图15A中示出的第七测试例的显示装置、根据图15B中示出的第八测试例的显示装置和根据图15C中示出的第九测试例至第十二测试例的显示装置具有相同的层叠结构，该层叠结构由阳极111、有机层叠EL、阴极40a/40b/140、电子注入层34/134、覆盖层170以及包括第一无机封装层201、有机封装层202和第二无机封装层203的3层层叠组成。

这里，如同测试例当中的图15A，第七测试例的显示装置具有以厚度

在阴极40a/40b/140中，相应测试例彼此不同。在图15A的第七测试例中，仅以厚度

除了阴极40a/40b/140和电子注入层134之外，第七测试例至第十二测试例的显示装置采用相同的配置。

[表2]

参照表2，由于第七测试例的AgMg变成厚度

参照表2，在第八测试例的Mg单层阴极的情况下，如图13中检查的，由于移位电压ΔV为8.9V，因此不能够确保高温可靠性。

相反，如同本发明的显示装置，当应用第九测试例至第十二测试例的富勒烯C

然而，在增加诸如Mg这样的碱土金属中的富勒烯C

即，在本发明的显示装置中，关于由碱土金属与富勒烯的混合物形成的阴极，富勒烯的含量可以大致在1vol％和10vol％之间的范围内。

另外，通过以上提到的测试，确认了本发明的显示装置具有对于第七测试例的薄膜阴极不可能的、可以使用FMM掩模进行图案化的绝对优点。

下文中，描述了在本发明的显示装置中的发光部和透射部的形状与第二实施方式不同的示例。

图16是示出了根据本发明的第三实施方式的显示装置的布局，并且图17A和图17B是本发明的第三实施方式的修改例的布局。

参照图16，在根据本发明的第三实施方式的显示装置中，透射部T可以以透射部T的虚拟矩形形状的每个角被切割的方式被配置为具有8个边的八边形形状。第一发光部E1可以与相对于X轴(未示出)倾斜的四个边中的两个邻近，并且第三发光部E3可以与其余的邻近。

另外，第二发光部E2可以以与X轴方向并排与透射部T的平坦侧邻近的方式位于第一发光部E1和第三发光部E3之间。

位于透射部T周围的第一发光部E1、第二发光部E2和第三发光部E3可以分别发射不同颜色的光。第一发光部E1和第三发光部E3中的每一个的大小相对大于第二发光部E2的大小。如果在显示装置所追求的颜色表现中存在具有一定权重的发光颜色，则第一发光部E1和第三发光部E3中的每一个可以被设置为大小较大的发光部。第一发光部E1和第三发光部E3中的每一个可以是六边形的，并且第二发光部E2可以是矩形的。

堤部150可以被设置在第一发光部E1、第二发光部E2和第三发光部E3之间以及在透射部T与第一发光部E1、第二发光部E2和第三发光部E3之间。

在本发明的第三实施方式中，阴极240被以不与透射部T的大小交叠的方式设置。

在这种情况下，根据透射部T对于基板100而言具有的开口率大小，阴极240可以具有相同的透射率。

参照图17A和图17B，例示了根据本发明的第三实施方式的修改例的显示装置。阴极240a/240b被配置为在X/Y轴方向上与透射部T部分交叠。在这种情况下，透射部T的部分宽度被留作阴极240a中的开口区域。图17A中示出的示例示出了其中阴极240a被形成为以具有与第一发光部E1或第三发光部E3相同的长度的方式在X轴方向上延伸的条。图17B中示出的示例示出了其中阴极240b被形成为以具有与第一发光部E1或第三发光部E3相同的宽度的方式在Y轴方向上延伸的条。这些仅是示例性的，并且可以通过控制透射部与阴极之间的交叠宽度来调整阴极的导电率。

[表3]

参照表3，在AgMg薄膜阴极的情况下，由于如上所述Ag的沉积温度高，因此使用FMM掩模的完全沉积是困难。因此，当阴极被完全沉积并且在透射部区域中交叠时，在面板的透射部的开口率为55％或65％的情况下，透射部的透射率应该考虑光路上阴极所占据的单层的透射率。如果对应的厚度增加，则透明度降低。另一方面，在包含根据本发明的富勒烯与碱土金属的混合物的阴极薄层的情况下，当在图16中示出的第三实施方式的透射部的整个区域中阴极不交叠时，透射部的透射率可以跟随面板透射部的开口率。

如图17A或图17B中所示，在考虑到整个阴极大小的导电率而与透射部的预定宽度交叠的情况下，当透射部的大小的70％或更多与阴极不交叠时，可以确认与和整个AgMg阴极薄膜交叠的情况相比，面板透明度高。特别地，由于如图16至图17B中所示与用厚度为

如图17A和图17B中所示，在第三实施方式的修改例中，当以阴极240a/240b的大小为基板上透射部的总大小的1/4或更小的方式将阴极240a/240b与透射部交叠时，本发明的发明人已经确认了优异的透明度。

下文中，在根据本发明的显示装置中，描述了以不同方式应用阴极的图案化的示例。

图18是示出了根据本发明的第四实施方式的显示装置的布局，并且图19是沿着图18的线III-III’截取的截面图。

参照图18和图19，根据本发明的第四实施方式的显示装置示出了相机700位于基板100下方的示例。在这种情况下，为了提高相机700所处区域中的相机识别率，旨在从相机顶部的配置中省略吸收光的配置。

即，为此目的，阴极440以与相机区域CA间隔开预定距离的方式被图案化。

背板660可以被进一步设置在基板100下方，以进行背面保护。

在根据本发明的第四实施方式的显示装置中，由富勒烯与碱土金属的混合物形成的阴极440由于其低沉积温度而能被图案化。此外，阴极440可以以与相机700的区域间隔开的方式被配置。

这里，相机700包括相机镜头CLZ、支撑并保护相机镜头CLZ的相机模块MD以及其上安装有相机模块MD的相机电路板CCB。

相机电路板CCB可以通过围绕相机模块MD延伸而被设置在背板600下方。

可以在相机区域CA和发光部E之间设置具有预定距离的空白区域BZ。可以在空白区域BZ中部分地布置通过避开相机区域CA而经过的绕线107a。

缓冲层105、薄膜晶体管TFT和层间绝缘层108/109被形成在与发光部E对应的区域的基板100上，阳极111被以连接到薄膜晶体管TFT的方式设置，并且堤部150被以与阳极111的边缘交叠的方式设置。

空穴传输层131、发光层132a/132b、电子传输层133和阴极440被依次形成在阳极111上，由此构成发光器件(OLED)。

这里，不使用FMM掩模的空穴传输层131和电子传输层133可以以延伸到空白区域BZ和相机区域CA的方式形成。

如上所述，阴极440可以以与相机区域CA间隔开的方式被图案化。

覆盖层170被形成在阴极440上，由此保护发光器件(OLED)并增强光投射特性。

覆盖层170可以被形成为保护空白区域BZ中的阴极440。

可以以依次沉积第一无机封装层301、有机封装层302和第二无机封装层303的方式在覆盖层170上形成封装层300的结构。

这里，在封装层300中，可以从边框区域BZ和相机区域CA中部分地省略有机封装层302，以求变薄的相机区域CA的透湿稳定性。

在这种情况下，由于第一无机封装层301和第二无机封装层303被形成在覆盖层170上，因此可以通过覆盖层170、第一无机封装层301和第二无机封装层303保护相机区域CA周围的阴极440的顶面和侧面。

在一些实现方式中，保护膜750可以进一步被设置于显示装置的顶面。偏振片740通过粘合剂层745被粘附到保护膜750的内表面，由此保护外部光反射。

触摸功能层或光学功能层800可以进一步被包括在偏振片740和第二无机封装层303之间。

触摸功能层或光学功能层800被形成为覆盖相机区域CA和边框区域BZ。

图20是根据本发明的第五实施方式的显示装置的截面图。

在一些实施方式中，作为根据第四实施方式的显示装置的修改例，可以通过去除基板100的部分厚度来插入预定厚度的相机700。

参照图20，以在基板100中形成孔100a并将相机插入孔100a中的方式配置根据本发明的第五实施方式的显示装置。孔100a被设置于背板600以及基板400。在这种情况下，阴极400在以碱土金属与富勒烯的混合物沉积的情况下能被图案化。

可以从相机区域CA和边框区域BZ中省略作为阴极下方的发光器件的元件的电子传输层133和空穴传输层131，以防止因相机区域CA中的曝光而湿气渗透的风险。

下文中，在本发明的显示装置中，描述了取决于透射部中阴极的存在与否的针对可见光波长的透射率。

[表4]

图21是示出了取决于阴极的存在与否的透射部在可见光波长上的透射率的曲线图。

在表4中，当从透射部去除阴极时，在所有可见光波长下透射率增加了30％或更多。由于如图21中所示透射率相对于透射部透射率增大了高达97％并且在所有波长频带下保持高透射率，因此各波长几乎没有透射率差异，由此可以有利地防止色移。

如在前面的描述中提到的，当碱土金属与富勒烯的混合物被应用作为本发明的阴极时，促成了图案化，以使得能够实现高透射率和使得发光器件能够稳定操作。

另外，当碱土金属与富勒烯被混合在一起时，本发明的发明人确认由于单层碱土金属与氧气之间的反应而导致的氧化层形成被减少。

在分别形成了单个Mg层和Mg与富勒烯C

此外，由于需要将阴极实现为薄膜以保持透射能力，因此诸如Ag这样的过渡金属引起的问题是，因形成单个层而产生聚合效应，由此表面特性变得不规则。因此，难以将这样的阴极直接应用于显示装置。

为了确保阴极的高透射率和低电阻率，本发明的显示装置建议用富勒烯中的一些碳原子与碱土金属的混合物代替单一金属材料形成阴极140，并且更具体地，利用了由于这些材料的低沉积温度而可以进行透射部图案化的优点。

因此，根据本发明的显示装置及其制造方法具有以下效果和/或优点。

第一，用包括碱土金属与富勒烯的混合物或包括碱土金属与富勒烯衍生物的混合物形成阴极。在这种情况下，由于沉积温度低，因此可以在FMM掩模的耐热温度下进行阴极沉积，由此形成在沉积过程中可图案化的阴极。

第二，当用包括或包含碱土金属和富勒烯的混合物或包括或包含碱土金属和富勒烯衍生物的混合物形成阴极时，由于沉积温度低至用于沉积发光层或公共层的温度，因此可共同使用沉积室并且有助于确保可处理性。

第三，碱土金属与富勒烯的混合物为碱土金属赋予了抗氧化性，可以增强阴极的高温高湿可靠性。

第四，由于可以通过图案化的阴极省略透射部的阴极，因此可以提高透射部的透射率，这有利地适用于透明显示装置。

第五，由于将具有选择性交叠部分的阴极设置于透射部，因此可以控制面板的透射效率。在这种情况下，由于阴极可以因与透射部交叠的区域而具有低电阻率，因此可以防止阴极的电压降并且可以提高透射效率。

第六，当使用n型高电子迁移率富勒烯作为富勒烯异构体时，因为电子可注入性的提高，所以预计效率提高。

为此目的，根据本发明的一个实施方式的显示装置可以包括在基板的多个发光部中的每一个处的阳极、设置在各阳极上方的发光层以及在发光层上方以与基板的多个发光部交叠的阴极，阴极包括碱土金属和与碱土金属复合的富勒烯。

基板还包括在多个发光部之间的透射部，并且阴极可以包括与透射部不交叠的区域。

阴极可以与透射部交叠的大小等于或小于基板中透射部的总大小的1/4。

显示装置还可以包括在基板下方以与透射部的区域的一部分对应的相机。

阴极可以与基板的相机对应区域间隔开预定距离。

富勒烯可以包括C20或更高的碳聚合体。

富勒烯可以具有球形或椭圆形形状。

碱土金属位于球形或椭圆形形状内，并且可以与富勒烯的一个或更多个碳原子形成复合物。

碱土金属位于富勒烯的外部，并且可以与富勒烯的一个或更多个碳原子形成复合物。

阴极的富勒烯可以以低于10vol％被包含在阴极中。

显示装置还可以包括在发光层和阴极之间的电子注入层，并且电子注入层可以包括或包含镧金属。

碱土金属可以包括Mg、Ca、Be、Sr、Ba和Ra中的至少一种。

显示装置还可以包括在阴极上方的覆盖层和封装层。

基板可以包括孔，并且阴极可以与孔间隔开预定距离。

覆盖层和无机封装层可以被依次设置在与孔间隔开的阴极的顶面和侧面。

碱土金属和富勒烯可以以作为混合物被包括在同一源中的方式被共沉积。

碱土金属的含量可以大于富勒烯。

碱土金属与富勒烯的比率可以为10:1至20:1。

碱土金属可以与富勒烯衍生物的一个或更多个碳原子复合。

阴极的富勒烯的含量可以高于阴极的总体积的1％。

与阳极和阴极之间的每个发光部对应的发光层的厚度可以彼此不同。

根据本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法可以包括以下步骤：在基板的多个发光部中的每一个处设置阳极，在阳极上方设置发光层，并且通过在包括所述发光层的基板上方沉积碱土金属与富勒烯的混合物来设置阴极。

该方法还可以包括在设置阳极的步骤之后的设置与阳极边缘交叠的堤部的步骤。

在设置堤部的步骤中，第一开口区域可以被定义为发光部，并且第二开口区域可以被定义为透射部。

设置阴极的步骤可以包括使用具有与透射部对应的屏蔽部的沉积掩模的步骤。

该方法还可以包括在基板下方设置相机的步骤。

设置阴极的步骤可以包括执行图案化以使其与相机间隔开距离的步骤。

基板可以包括用于插入相机的孔。

虽然以上已经参照附图详细描述了本发明的实施方式，但是本领域技术人员将显而易见的是，上述本发明不限于上述实施方式，并且可以在本发明的精神和范围内，设想到各种替代形式、修改形式和改变形式。因此，本发明中公开的各种实施方式不旨在限制本发明的技术精神，并且本发明的技术精神的范围不受实施方式的限制。因此，所公开的实施方式实施出于描述目的提供，不旨在限制本公开的技术范围，并且本公开的技术范围不受实施方式的限制。本公开的范围应该基于随附权利要求书进行解释，并且落入权利要求书等同范围内的所有技术思路应该被理解为属于本公开的范围。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2019-0180194的权益，该韩国专利申请特此以引用方式并入，如同在本文中完全阐明。