存储器系统中的动态读取电平阈值

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及存储器子系统中的动态读取电平阈值。

背景技术

存储器子系统可以是存储系统、存储器模块或存储装置和存储器模块的混合。存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

发明内容

本公开的实施例提供一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其可操作地与所述存储器装置耦合以执行包括以下各项的操作：确定所述存储器装置的单元的第一当前操作特性值；从第一操作特性阈值集中识别第一操作特性阈值，其中所述第一当前操作特性值满足基于所述第一操作特性阈值的第一操作特性阈值准则；从多个写入到读取(W2R)延迟时间阈值集中识别对应于所述第一操作特性阈值的W2R延迟时间阈值集，其中所述集中的所述W2R延迟时间阈值中的每一者与相应读取电压电平相关联；从所述W2R延迟时间阈值集中识别W2R延迟时间阈值，对于所述W2R延迟时间阈值，所述存储器装置的所述单元的当前W2R延迟时间满足相关联W2R延迟时间阈值准则；以及识别与所识别的W2R延迟时间阈值相关联的读取电压电平。

本公开的另一实施例提供一种非暂时性计算机可读媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各项的操作：识别与存储器装置的单元相关联的当前循环计数；从循环计数范围集中识别包含所述当前循环计数的循环计数范围；从多个写入到读取(W2R)延迟时间范围集中识别对应于所述循环计数范围的W2R延迟时间范围集，其中所述W2R延迟时间范围中的每一者表示多个W2R延迟时间，并且与用于对具有在所述W2R延迟时间范围内的W2R延迟时间的所述存储器装置的单元执行读取操作的对应读取电压电平相关联；识别所述存储器装置的所述单元的W2R延迟时间，其中所识别的W2R延迟时间是基于由所述存储器装置的所述单元执行的写入操作与读取操作之间的时间差；从所述延迟时间范围集中识别包含所述存储器装置的所述单元的所述W2R延迟时间的W2R延迟时间范围；识别对应于所识别的W2R延迟时间范围的所述读取电压电平；以及基于所识别的读取电压电平在所述存储器装置的所述单元处执行读取操作。

本公开的又一实施例提供一种方法，其包括：确定存储器装置的单元的第一当前操作特性值；从第一操作特性阈值集中识别第一操作特性阈值，其中所述第一当前操作特性值满足基于所述第一操作特性阈值的第一操作特性阈值准则；从多个写入到读取(W2R)延迟时间阈值集中识别对应于所述第一操作特性阈值的W2R延迟时间阈值集，其中所述集中的所述W2R延迟时间阈值中的每一者与相应读取电压电平相关联；从所述W2R延迟时间阈值集中识别W2R延迟时间阈值，对于所述W2R延迟时间阈值，所述存储器装置的所述单元的当前W2R延迟时间满足相关联W2R延迟时间阈值准则；以及识别与所识别的W2R延迟时间阈值相关联的读取电压电平。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图，将更充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释和理解。

图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。

图2A-2C示出根据一些实施例的电压移位的实例。

图3A示出根据一些实施例的调整写入到读取延迟时间阈值的示例延迟时间阈值确定器。

图3B示出根据一些实施例的使用可调整写入到读取延迟时间阈值的示例读取电平确定器。

图4A是根据一些实施例的调整延迟时间阈值和确定对应读取电平的示例方法的流程图。

图4B是根据一些实施例的调整延迟时间范围和使用对应读取电平执行读取操作的示例方法的流程图。

图5A-5C示出根据一些实施例的包含与存储器子系统的示例操作特性值相对应的示例写入到读取延迟时间集的表。

图6A-6C示出根据一些实施例的包含与存储器子系统的示例操作特性值相对应的示例写入到读取延迟时间偏移集的表。

图7是本公开的实施方案可在其中操作的示例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的方面涉及基于操作特性的变化使用可调整写入到读取延迟阈值根据写入到读取延迟对存储器子系统中的存储器进行读取电压调整。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的组合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统，所述存储器子系统包含一或多个组件，例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。

存储器子系统可以包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时需要数据的保持。非易失性存储器装置的一个实例是包含非易失性存储器单元阵列的三维交叉点(“3D交叉点”)存储器装置。3D交叉点存储器装置可以结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的改变来进行位存储。另一实例是“与非”(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每个裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每个平面由物理块集组成。每个块由页集合组成。每个页由存储器单元(“单元”)集组成。单元是存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可存储一或多个二进制信息位，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可以由二进制值(例如“0”和“1”)或这些值的组合表示。

存储器装置可以由布置在二维或三维网格中的位构成。存储器信元蚀刻到列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列中的硅晶片上。字线可以指存储器装置的存储器单元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以生成存储器单元中的每一个的地址。位线和字线的相交点构成存储器信元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，并且可以包含存储器单元的群组、字线群组、字线或个别存储器单元。可以将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的平面，以便允许在每个平面上进行并发操作。存储器装置可被称为“驱动器”，其具有分层在多个“叠组”中的多个裸片。

可使用具有读取电压电平的信号(例如，施加到存储器阵列的字线)来执行读取操作。读取阈值电压电平或值(在本文中为“读取电压电平”)可以是施加到存储器装置的存储器单元以读取存储在存储器单元处的数据的特定电压。例如，如果特定存储器单元的阈值电压被识别为低于施加到特定存储器单元的读取电压电平，则存储在特定存储器单元处的数据可以是特定值(例如，‘1’)，并且如果特定存储器单元的阈值电压被识别为高于读取电压电平，则存储在特定存储器单元处的数据可以是另一个值(例如，‘0’)。因此，可将读取电压电平施加到存储器单元以确定存储在存储器单元处的值。

在常规的存储器子系统中，当存储器单元的阈值电压编程分布发生改变时，相对于改变后的阈值电压，读取电压电平的施加可能是不精确的。例如，存储器单元可被编程为具有低于读取电压电平的阈值电压。经编程阈值电压可以随着时间推移而改变，并且可转变为高于读取电压电平。例如，存储器单元的阈值电压可从最初低于读取电压电平转变为高于读取电压电平。因此，在将读取电压电平施加到存储器单元时，与阈值电压尚未转变时最初存储的值相比，存储在存储器单元处的数据可能被误读或误解为错误的值。

对于某些存储器类型(即，对于采用某些类型的存储媒体的存储器子系统)，错误率可以随着时间推移而改变。确切地说，一些非易失性存储器具有随着时间推移而移动或“漂移”得更高的阈值电压编程分布。在给定的读取电压电平(即，作为读取操作的一部分施加到存储器单元的电压的值)下，如果阈值电压编程分布移动，那么某些可靠性统计数据也可能受到影响。可靠性统计数据的一个实例是位错误率(BER)。BER可以被定义为错误位的数目与存储在存储器子系统的单元中的所有数据位的数目的比率，其中单元可以是整个存储器子系统、存储器装置的裸片、码字的集合，或存储器子系统的任何其它有意义的部分。

阈值电压编程分布的漂移速度或速率以及常规存储器子系统的对应BER会受到存储器子系统的一或多个操作特性的影响。示例操作特性包含耗损条件(例如，写入计数)、裸片温度和写入到读取(W2R)延迟时间(即，当写入存储器装置的存储器单元(例如，存储器页)时与当读取所述存储器单元时之间流逝的时间段)。例如，当经历相同的W2R延迟时间时，较高裸片温度下的漂移速度比较低温度下的漂移速度更快。在另一实例中，与较短的W2R延迟时间相比，较长的W2R延迟时间产生较大的阈值电压漂移。在此实例中，较长的W2R延迟时间的读取重试触发率(即，触发纠错处理的错误率)高于较短的W2R延迟时间的读取重试触发率。

现有存储器子系统通过建立一或多个静态W2R延迟时间范围并将读取电压电平与每个静态W2R延迟时间范围相关联而基于W2R延迟时间调整读取电压电平。通过测量当前W2R延迟时间并识别当前W2R延迟时间所对应的静态W2R延迟时间范围，在适当时间调整读取电压电平。然后，使用与所识别的静态W2R延迟时间范围相关联的读取电压电平来执行读取操作。例如，可以通过存储器子系统的漂移跟踪特性定义两个静态W2R延迟时间范围(具有相关联W2R延迟时间阈值)：第一阈值具有50,000个写入循环的值，并且第二阈值具有100,000个写入循环。每个阈值可以对应于静态写入循环范围的边界或端点。因此，在此实例中，第一阈值对应于0-50,000个循环的第一静态范围，并且第二阈值对应于50,000-100,000循环的第二静态范围。

漂移跟踪特征将第一静态W2R延迟时间阈值与针对第一静态写入循环范围优化的第一读取电压电平相关联，并将第二静态W2R延迟时间阈值和针对第二静态写入循环范围优化的第二读取电压电平相关联。漂移跟踪特征可以在存储器子系统操作期间的适当时间测量当前W2R延迟时间，并基于当前W2R延迟时间所属的静态范围调整读取电压电平。例如，如果当前W2R延迟时间属于以第一阈值端点的第一静态范围，则读取电压电平被设置为第一读取电压电平，因为第一读取电平与第一静态阈值相关联。如果当前W2R延迟时间属于以第二阈值端点的第二静态范围，则读取电压电平被设置为第二读取电压电平，因为第二读取电压电平与第二静态阈值相关。

漂移跟踪特征所使用的静态W2R延迟阈值被设置为满足存储器装置的可接受BER。预设的静态W2R延迟阈值在存储器装置的多个不同生命周期阶段(包含生命开始(BOL)阶段、生命中期(MOL)阶段和生命结束阶段(EOL))期间恒定不变。因此，在操作中，漂移跟踪特征使用针对特定操作特性优化的静态W2R延迟时间阈值，所述特定操作特性例如特定耗损条件(例如，对应于EOL阶段的写入计数范围)和特定温度。然而，用于准确地确定读取电压电平是否具有第一值或第二值的适当W2R延迟阈值可以随着存储器装置的耗损条件、温度和/或其它操作特性而变化，因为操作特性影响阈值电压移位量。用于调整读取电压电平的静态W2R延迟阈值不一定适用于在某些操作条件下准确地确定读取电压电平，例如与静态W2R延迟阈值优化的条件或温度显著不同的耗损条件或温度。因此，使用静态W2R延迟阈值由于读取错误和读取重试更频繁发生而导致系统性能退化，并且由于重试读取操作的次数增加而导致性能退化加剧。

本公开的方面通过使用基于将写入到读取延迟时间与根据存储器子系统的操作特性的变化调整的一或多个时间阈值进行比较的读取电压调整技术来解决上述和其它缺陷。在一个实施方案中，每个延迟时间阈值与读取电压电平相关联，并且存储器子系统通过确定当前写入到读取延迟时间并确定当前写入到读取延迟时间对应于哪个延迟时间阈值(例如，超过但不超过任何更高的延迟时间阈值)来识别用于读取操作的读取电压电平。对应于当前写入到读取延迟时间的延迟时间阈值具有相关联读取电压电平，存储器子系统可以使用所述读取电压电平来执行读取操作。例如，存储器子系统可以基于读取操作与写入操作之间的时间差来确定当前写入到读取延迟时间。

存储器子系统基于存储器子系统的操作特性(例如循环计数、操作温度、存储器装置的哪一层包含要读取的单元或所述层的哪一区域包含要读取单元)来调整延迟时间阈值。存储器子系统可以使用从操作特性值到延迟时间阈值的映射，基于操作特性的特定值来确定延迟时间阈值。映射可以指定多个延迟时间阈值，以及每个延迟时间阈值将用于的操作特性值(例如，作为阈值或范围)。延迟时间阈值可以指定为特定值或应用于特定值的偏移。存储器子系统可以在操作期间的适当时间，例如在特定循环计数阈值处、响应于操作特性的改变、在周期性时间或基于其它准则来调整写入到读取延迟时间阈值。

在其它实施方案中，存储器子系统可以保持多个写入到读取延迟时间范围，并且根据操作特性的变化调整范围的端点。范围的端点可以对应于上文描述的延迟时间阈值。与上文描述的延迟时间阈值的调整类似，基于适当时间的操作特性调整范围。每个范围与读取电压电平相关联。存储器子系统可以使用与当前读取到写入延迟下降到的范围相关联的读取电压电平来执行读取操作。

本公开的优点包含但不限于在一系列操作条件下改进的性能，包含与写入计数、温度条件、存储器装置层和存储器装置层的区域相关的耗损条件。不同层(或层的区域)可以具有影响延迟时间阈值的不同物理性质，有利的是，可以基于存储器子系统的一或多个操作特性(例如写入计数、温度电平、层或层的区域)来识别和应用调整后的写入到读取延迟阈值。基于操作特性调整W2R延迟改进更广泛操作特性范围的效率和性能，这些操作特性不同于可以优化静态写入到读取延迟阈值的操作特性。在这些更广泛操作特性范围内改进的效率和性能可以包含例如更少的错误和读取重试，这也可以使得媒体退化更慢。

图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的示例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此类的组合。

存储器子系统110可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(eMMC)驱动器、通用快闪存储(UFS)驱动器以及硬盘驱动器(HDD)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)以及非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。

计算环境100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1示出耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。主机系统120使用存储器子系统110，例如，将数据写入到存储器子系统110以及从存储器子系统110中读取数据。如本文所使用，“耦合到”通常是指组件之间的连接，其可以是间接通信连接或直接通信连接(例如，没有中间组件)，无论是有线还是无线的，包含例如电连接、光学连接、磁连接等的连接。

主机系统120可以是计算装置，例如台式计算机、笔记本电脑、网络服务器、移动装置、载具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、物联网(IoT)装置、嵌入式计算机(例如，包含在载具、工业设备或联网商用装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的此类计算装置。主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行附接的SCSI(SAS)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过PCIe接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用NVM高速(NVMe)接口来存取存储器组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可以提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据和其它信号的接口。

存储器装置可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可以是但不限于随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。

非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(NAND)类型快闪存储器和就地写入(write-in-place)存储器，例如三维交叉点(“3D交叉点”)存储器。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的改变来进行位存储。另外，与许多基于闪存的存储器对比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。

尽管描述了例如3D交叉点型存储器之类的非易失性存储器组件，但是存储器装置130可以基于任何其它类型的非易失性存储器，例如与非(NAND)、只读存储器(ROM)、相变存储器(PCM)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、或非(NOR)快闪存储器，以及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。

一种类型的存储器单元，例如，单层级单元(SLC)可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)和四层级单元(QLC)可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一者可包含一或多个存储器单元阵列，例如SLC、MLC、TLC、QLC或此类存储器单元阵列的任何组合。在一些实施例中，特定存储器组件可包含存储器单元的SLC部分以及MLC部分、TLC部分或QLC部分。存储器装置130的存储器单元可以分组为页或码字，所述页或码字可以指代用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。对于一些类型的存储器(例如，NAND)，页可进行分组以形成块。一些类型的存储器(例如3D交叉点)可对跨裸片和通道的页进行分组以形成管理单元(MU)。

存储器子系统控制器115可以与存储器装置130通信以执行操作，例如，在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据和其它此类操作。存储器子系统控制器115可以包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬译码)逻辑的数字电路以执行本文描述的操作。存储器子系统控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)，或其它合适的处理器。

存储器子系统控制器115可包含处理器(处理装置)117，其被配置成执行存储在本地存储器119中的指令。在所示的实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含嵌入式存储器，其被配置成存储用于执行控制存储器子系统110的操作的各种过程、操作、逻辑流和例程的指令，包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信。

在一些实施例中，本地存储器119可以包含存储存储器指针、获取的数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可以包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的示例存储器子系统110已示为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。

通常，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，并且可以将命令或操作转换成指令或适当的命令以实现对存储器装置130的所需存取。存储器子系统控制器115可以负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作，以及与存储器装置130相关联的逻辑块地址和物理块地址之间的地址转译。存储器子系统控制器115可进一步包含主机接口电路，以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路可以将从主机系统接收到的命令转换成存取存储器装置130的命令指令，以及将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。

存储器子系统110还可包含未示出的额外电路或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可以包含高速缓存或缓冲器(例如，DRAM)和地址电路(例如，行解码器和列解码器)，其可从存储器子系统控制器115接收地址且对地址进行解码以存取存储器装置130。

在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130可以是受管理存储器装置，其为与本地控制器(例如，本地控制器135)组合以在同一存储器装置封装内进行媒体管理的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。

存储器子系统110包含读取电压调整组件113，其可用于基于可调整W2R延迟阈值确定调整后的读取阈值。读取电压调整组件113包含延迟时间阈值确定器114和读取电压电平确定器116。读取电压调整组件113监测存储器子系统110的操作特性，并基于所述操作特性调整W2R延迟阈值。在实施例中，操作特性可以是与存储器子系统110的操作期间存储器子系统110的特性或条件相对应的测量、确定或计算的值或电平。在实施例中，操作特性可以是影响存储器子系统110的阈值电压漂移的操作电平或条件。例如，操作特性可以是存储器子系统的循环计数、温度、叠组(其可对应于层)或电距离(其可对应于叠组的区域)。

在一些实施例中，控制器115包含读取电压调整组件113的至少一部分。存储器子系统110可以在操作期间的适当时间，例如在特定写入计数阈值处、响应于操作特性的改变、在周期性时间或基于其它准则来调整W2R延迟阈值。延迟时间阈值确定器114可以基于存储器子系统110的一或多个操作特性来确定延迟时间阈值集。集中的延迟时间阈值中的每一者可以对应于延迟时间范围。当存储器子系统110的W2R延迟时间对应于相关联阈值(例如，满足与对应阈值相关联的准则)(或落入对应范围)时，延迟时间阈值(或范围)中的每一者可以与要在读取操作中使用的对应读取电压电平相关联。读取电压电平确定器116可以通过确定当前W2R延迟时间并确定当前W2R延迟时间对应于哪个阈值(或当前W2R延迟时间属于哪个范围)来确定要在读取操作中使用的读取电压电平。然后，存储器子系统110使用与所确定的阈值(或范围)相关联的相应读取电压电平来执行读取操作。

例如，控制器115可包含处理器117(处理装置)，其被配置成执行存储在本地存储器119中的指令以用于执行本文中所描述的操作。在一些实施例中，读取电压调整组件113是主机系统120、应用程序或操作系统的部分。在相同或替代实施例中，读取电压调整组件113的部分是主机系统120的部分，而读取电压调整组件113的其它部分在控制器115处执行。

在实施例中，基于存储器子系统110的操作特性，读取电压调整组件113确定W2R延迟阈值集，所述W2R延迟阈值集随后可用于确定对应于操作特性的读取电平。在存储器子系统110的操作期间，读取电压调整组件113确定存储器子系统的当前操作特性值集(例如，写入计数和温度)，并使用将操作特性值映射到W2R延迟阈值集的数据结构(例如，经由查找操作)来识别对应W2R延迟阈值集。例如，数据结构可以包含多个W2R延迟阈值集，并且每个集可以与操作特性阈值相关联。读取电压调整组件113可以将当前操作特性值(例如，当前写入计数)与和每个W2R延迟阈值相关联的操作特性阈值进行比较。可以使用基于操作特性阈值的准则来执行比较。读取电压调整组件113可以选择W2R延迟阈值集，对于所述W2R延迟阈值集，当前操作特性值满足所述准则。例如，如果当前操作特性值在操作特性阈值与下一个较低(或下一个较高)操作特性阈值之间，则当前操作特性值可以满足基于所述操作特性阈值的准则。“在…之间”当用于参考阈值或范围时可以指示包含阈值或范围端点值的包含性阈值或范围(例如，如果0<＝a<＝阈值，则a介于0与阈值之间)，或者可以指示包含高达阈值或范围端点值的值的排他阈值或范围，但不包含阈值或范围的端点值(例如，0

对应W2R延迟阈值集中的每个W2R延迟阈值与读取电压电平相关联。例如，上文描述的数据结构可以进一步将每个W2R延迟阈值集中的每个W2R延迟阈值与对应读取电平相关联。因此，如果存储器子系统110的当前W2R延迟满足基于W2R延迟阈值中的一者的准则，则读取电压调整组件113可以使存储器子系统控制器115使用与当前W2R延迟满足的W2R延迟阈值相关联的读取电压电平来执行后续读取操作。例如，如果当前W2R延迟在W2R延迟阈值集中的W2R延迟阈值与下一个较低(或下一个较高)W2R延迟阈值之间，则所述当前W2R延迟可以满足基于所述集中的所述W2R延迟阈值的准则。“在…之间”当用于参考阈值或范围时可以指示包含阈值或范围端点值的包含性阈值或范围(例如，如果0<＝a<＝阈值，则a介于0与阈值之间)，或者可以指示包含高达阈值或范围端点值的值的排他阈值或范围，但不包含阈值或范围的端点值(例如，0

在实施例中，可以将W2R延迟时间阈值确定为多种不同类型操作特性的函数。读取电压调整组件113可以将每个W2R延迟时间阈值确定为基本阈值和一或多个W2R延迟偏移值的总和。基本阈值可以是针对与存储器装置相关联的第一类型操作特性(例如，如上文所描述的写入计数)确定的时间量，并且每个偏移值可以是针对与存储器装置相关联的对应不同类型操作特性(例如，温度、叠组、电距离或其它操作特性)确定的时间量。因此，可以确定基于温度的W2R延迟偏移，并将其添加到基本阈值。类似地，可以基于存储器装置的叠组标识符来确定基于叠组的偏移，并且可以基于存储器装置的电距离来确定基于电距离的偏移，并将它们添加到基本阈值。此外，如果基于除写入计数之外的操作特性确定基本阈值，则可以基于写入计数确定基于写入计数的偏移，并将其添加到基本阈值。

可以使用将偏移类型的操作特性值映射到W2R延迟偏移集的数据结构来确定每种类型操作特性(例如，温度、叠组、电距离、写入计数或其它操作特性)的偏移。例如，可以使用将温度映射到延迟时间偏移集的数据结构来确定基于温度的偏移。读取电压调整组件113可以将存储器装置的当前温度与表中的每个W2R延迟偏移集相关联的温度范围进行比较。读取电压调整组件113可以选择与当前温度下降到的温度范围相关联的W2R延迟偏移集。可以类似地确定其它类型操作特性的偏移。

在相同或替代实施例中，作为阈值的替代或补充，数据结构可以将操作特性值映射到W2R延迟范围集。阈值可以表示范围的一个端点，并且范围的另一端点可以由另一阈值表示。读取电压调整组件113可以确定存储器子系统的当前操作特性值集(例如，写入计数和温度)，并且使用将操作特性值映射到W2R延迟范围集的数据结构(例如，经由查找操作)，识别对应W2R延迟范围集。例如，数据结构可以包含多个W2R延迟范围集，并且每个集可以与操作特性范围相关联。范围可以包含第一端点和第二端点。如果值介于第一端点与第二端点之间，则所述值可属于某个范围。读取电压调整组件113可以确定当前操作特性值(例如，当前写入计数)属于哪个操作特性范围，并选择与当前操作特性属于的范围相关联的W2R延迟阈值集。

对应W2R延迟范围集中的每个W2R延迟范围与读取电压电平相关联。例如，上文描述的数据结构可以进一步将每个W2R延迟范围集中的每个W2R延迟范围与对应读取电平相关联。因此，如果存储器子系统110的当前W2R延迟属于集的W2R延迟范围中的一者，则读取电压调整组件113可以使存储器子系统控制器115使用与当前W2R延迟所属的W2R延迟范围相关联的读取电压电平执行后续读取操作。可以将上文描述的延迟偏移添加到对应W2R延迟范围的一个或两个端点。下文描述与读取电压调整组件113的操作有关的进一步细节。

图2A-2C示出根据一些实施例的电压移位的实例。图2A示出初始时间T1的曲线图200。曲线图200上所示为对应于例如0的经编程值的设置电压分布202A，和对应于例如1的经编程值的重置电压分布204A。水平(伏)轴表示电压值，其向右侧增加。初始读取电压电平VDM1将存储器子系统的存储器装置的特定区(例如，叠组或电距离)的设置分布202A和重置分布204A划分为特定数目的循环。然而，对于相同数目的循环，读取电压电平VDM1没有在存储器子系统的不同区(例如，不同叠组或不同电距离)清楚地划分设置分布203和重置分布205。由于不同叠组(或电距离)的次优VDM1，包围VDM1和设置分布203的相交点的椭圆207内不同区的位可能被读取为错误值。因此，读取电压电平VDM1不适合在对存储器子系统的不同区的读取操作中使用，并且清楚地划分设置分布203和重置分布205的不同读取电平电压优于VDM1。

图2B示出在时间T1之后发生的时间T2的曲线图210。在T1与T2之间的时间期间，初始设置分布202A已漂移到第一经移位设置分布202B。类似地，初始重置分布204A在同一时间期间已漂移到第一经移位重置分布204B。VDM1是时间T2处的次优读取电压电平，因为VDM1与第一经移位设置分布202B重叠。在时间T2处，清晰划分第一经移位设置分布202B和第一经移位重置分布204B的不同读取电平电压VDM2优于VDM1。

图2C示出在时间T2之后发生的时间T3的曲线图220。可以看出，自时间T2以来，因为重置分布以比设置分布更快的速率漂移，所以重置分布已经比设置分布向左漂移得更远。因此，不同的分布以不同的速率漂移。在T2与T3之间的时间期间，第一经移位设置分布202B已漂移到第二经移位设置分布202C。类似地，第一经移位重置分布204B在同一时间期间已漂移到第二经移位重置分布204B。VDM2是时间T3处的次优读取电压电平，因为VDM2与第二经移位设置分布202C重叠。在时间T3处，清楚划分第二经移位设置分布202C和第二经移位重置分布204C的不同读取电平电压VDM3优于VMD2。

图3A示出根据一些实施例的调整写入到读取延迟时间阈值的示例延迟时间阈值确定器114。延迟时间阈值确定器114接收一或多个当前操作特性值302作为输入。每个操作特性值302可以是存储器子系统110的存储器装置130的一或多个单元的特性。操作特性值302可以包含循环计数，例如写入计数、温度、叠组、电距离或存储器装置130的单元的其它特性。存储器装置130的温度可以基于例如存储器子系统110的温度测量或存储器装置130的温度测量。叠组可以是例如存储器装置130的层。电距离可以是例如从电压源到存储器装置130的存储阵列中的存储器单元的距离。电距离可对应于叠组的区域。例如，第一电距离可以对应于含有距电压源第一距离的单元的第一区域，并且第二电距离可以对应于含有距电压源第二距离的单元的第二区域。

延迟时间阈值确定器114基于操作特性值302确定W2R延迟时间阈值集314。延迟时间阈值确定器114包含或存取操作特性(“OC”)阈值集304，其中的每一者与延迟时间阈值集314相关联。OC阈值304和延迟时间阈值312可以例如根据与存储器装置130相关联的媒体表征信息和/或经验数据来确定。OC阈值304和相关联延迟时间阈值集312可以存储在数据结构中，例如图5A的映射表500或映射表的其它表示形式。OC阈值集304分别包含第一OC阈值306A、第二OC阈值306B和第三OC阈值306C。数据结构将OC阈值306中的每一者与对应W2R延迟时间阈值集312相关联，并且进一步将每个W2R延迟时间阈值集312中的每个W2R延迟时间阈值316与电压读取电平相关联，这在下文关于图3B描述。

延迟时间阈值确定器112可以选择W2R延迟阈值集312，对于所述W2R延迟阈值集，当前操作特性值302满足对应准则308。为了选择W2R延迟阈值集312，延迟时间阈值确定器114针对每个W2R延迟阈值集312将当前操作特性值302与和W2R延迟阈值集312相关联的OC阈值306进行比较。可以基于准则308所对应的OC阈值306使用准则308执行所述比较。例如，准则308A(“在0与第一OC阈值之间”)与第一OC阈值306A(“50,000”)相关联。

如果当前操作特性值302满足准则308，则延迟时间阈值确定器112可以选择满足的准则308所对应的OC阈值306A。然后，延迟时间阈值确定器112可以选择与所选OC阈值306相关联的W2R延迟时间阈值集312。例如，第一W2R延迟时间阈值集312A与第一OC阈值306A相关联，因此，当操作特性值302满足基于第一OC阈值306A的准则308A时，所选W2R延迟时间阈值集314是第一W2R延迟时间阈值集312A。类似地，作为另一实例，第二W2R延迟时间阈值集312B与第二OC阈值306B相关联，因此当操作特性值302满足基于第二OC阈值306B的准则308B时，所选W2R延迟时间阈值集314是第二W2R延迟时间阈值集312B。作为又一实例，第三W2R延迟时间阈值集312C与第三OC阈值306C相关联，因此当操作特性值302满足基于第三OC阈值306C的准则308C时，所选W2R延迟时间阈值集314是第三W2R延迟时间阈值集312C。

例如，第一OC阈值306A可以是50,000次写入，并且第一准则“在0与50,000之间”可以基于第一OC阈值306A。第二OC阈值306B可以是100,000次写入，并且第二准则“在50,000与100,000之间”可以基于第二OC阈值306B。第三OC阈值306C可以是150,000次写入，并且第三准则“在100,000与150,000之间”可以基于第三OC阈值306C。例如，如果操作特性值为65,000次写入，则延迟时间阈值确定器114选择第二W2R延迟时间阈值集312B，因为65,000满足第二准则(“在50,000次写入与100,000次写入之间”)。

所选W2R延迟时间阈值集314包含一或多个延迟时间阈值316，例如对应于第一读取电平的第一延迟时间阈值316A、对应于第二读取电平的第二延迟时间阈值316B和对应于第三读取电平的第三延迟时间阈值316C。延迟时间阈值316可选自W2R延迟时间阈值集314并用于识别读取电平，如下文关于图3B所描述。

在实施例中，例如，如果当前操作特性值在OC阈值306与更高(或下一个更低)的操作特性阈值306之间，则当前操作特性值302可以满足基于OC阈值306的准则。例如，延迟时间阈值确定器114可以选择W2R延迟阈值集314，如下所示。由于65,000的操作特性值在第一OC阈值306A与第二OC阈值306B之间，并且延迟时间阈值确定器114选择(例如，根据惯例)包含操作特性值302的范围的上限阈值，因此所选阈值是第二OC阈306B。与所选阈值(306B)相关联的W2R延迟时间阈值集312B是第二W2R延迟时间阈值集312B。

在实施例中，延迟时间阈值确定器114可以将W2R延迟时间阈值316确定为多种不同类型操作特性302的函数。延迟时间阈值确定器114可以将每个W2R延迟阈值确定为基本阈值和一或多个W2R延迟偏移值的总和。基本阈值可以是针对与存储器装置相关联的第一类型操作特性(例如，如上文所描述的写入计数)确定的时间量，并且每个偏移值可以是针对与存储器装置相关联的对应不同类型操作特性(例如，温度、叠组、电距离或其它操作特性)确定的时间量。因此，延迟时间阈值确定器114可以确定基于温度的W2R延迟偏移，并将所述偏移添加到基本阈值。类似地，延迟时间阈值确定器114可以基于存储器装置的叠组标识符确定基于叠组的偏移，并且可以基于存储器装置的电距离确定基于电距离的偏移，并将这些偏移添加到基本阈值。此外，如果基于除写入计数之外的操作特性确定基本阈值，则延迟时间阈值确定器114可以基于写入计数确定写入计数基本偏移。

延迟时间阈值确定器114可以使用将偏移类型的操作特性值映射到W2R延迟偏移集的数据结构来确定每种类型的操作特性(例如，温度、叠组、电距离、写入计数或其它操作特性)的偏移。例如，可以使用将温度映射到延迟时间偏移集的数据结构(例如图6A中所示的温度偏移表600)来确定基于温度的偏移。读取电压调整组件113可以将存储器装置的当前温度与和表中的每个W2R延迟偏移集相关联的温度范围进行比较。读取电压调整组件113可以选择与当前温度所属于的温度范围相关联的W2R延迟偏移集，并将W2R延迟偏移中的每一者添加到对应于W2R延迟偏移的读取电平的延迟时间阈值。可以类似地确定其它类型操作特性的偏移。例如，可以使用图6B所示的叠组偏移表610来确定基于叠组的偏移，并且可以使用图6C所示的电距离偏移表620来确定基于电距离的偏移。在其它实施例中，例如，通过将每个W2R延迟偏移添加到对应于W2R延迟偏移的读取电平的延迟范围的两个端点，读取电压调整组件113可以将W2R延迟偏移中的每一者添加到对应于W2R延迟偏移的读取电平的延迟范围。

尽管延迟时间阈值确定器114被描述为处理OC阈值306和确定W2R延迟时间阈值314，但在其它实施例中，延迟时间阈值确定器114可以处理OC阈值范围和/或确定W2R延迟时间范围。时间范围的每个端点可以对应于阈值。因此，在其它实施例中，可以将OC阈值范围转换为OC阈值306或将OC阈值转换为OC阈值范围，并且可以将W2R延迟时间范围转换为W2R延迟时间阈值314或将W2R延迟时间阈值转换为W2R延迟时间范围。

图3B示出根据一些实施例的使用可调整写入到读取延迟时间阈值的示例读取电平确定器116。读取电平确定器116基于W2R延迟时间阈值集314和当前W2R延迟时间322确定读取电压电平326。读取电平确定器116可以接收W2R延迟时间阈值集314和当前W2R延迟时间322作为输入。如果未接收到作为输入的W2R延迟时间322，则读取电平确定器可以生成所述W2R延迟时间。可以基于由存储器子系统对存储器装置130的存储器单元执行的写入操作与读取操作之间的延迟来生成W2R延迟时间322。W2R延迟时间322例如可以是执行读取操作的时间与在读取操作之前执行写入操作的时间之间的差。

W2R延迟时间阈值集可以基于一或多个操作特性值302，并由延迟时间阈值确定器114提供，如上文关于图3A所描述。读取电平确定器116包含或存取延迟时间阈值316与读取电压电平324之间的映射。所述映射可以存储在数据结构中，例如图5A的映射表500或映射表的其它表示形式。当满足基于延迟时间阈值316的准则时，数据结构将延迟时间阈值316中的每一者与用于读取操作的对应读取电平电压324相关联。所述准则可以包含当前W2R延迟时间322与W2R延迟时间阈值集314中的W2R延迟时间阈值316中的一或多者之间的比较。

所选W2R延迟阈值集314中的每个W2R延迟阈值316可以与读取电压电平相关联。例如，上文描述的数据结构可以进一步将每个W2R延迟阈值集314中的每个W2R延迟阈值316与对应读取电平相关联。

读取电平确定器116可以选择读取电压电平326，对于所述读取电压电平，当前W2R延迟时间322满足对应准则320。为了选择读取电压电平326，读取电平确定器116将当前W2R延迟时间322与W2R延迟时间阈值集314中的每个W2R延迟时间阈值316进行比较，并确定哪个W2R延迟时间阈值316具有满足的准则320。可以基于准则320所对应的W2R延迟时间阈值316使用准则320A执行所述比较。例如，如果当前W2R延迟时间322在W2R延迟阈值316与集314中的下一个更高(或下一个更低)的W2R延迟阈值316之间，则当前W2R延迟时间322可以满足基于W2R延迟阈值集314中的W2R延迟时间阈值316的准则。如果W2R延迟时间阈值316与范围相关联(例如，是范围的端点)，则如果当前W2R延迟时间322属于与W2R延迟时间阈值相关联的范围，则当前W2R延迟时间322可以满足基于W2R延迟时间阈值316的准则。例如，第一W2R延迟时间阈值316A可以是1秒，并且第一W2R延迟时间阈值316A可以与第一范围“0秒<＝当前W2R延迟时间<1秒”相关联。第一范围可以对应于第一准则320A。此外，第二W2R延迟时间阈值316B可以是10秒，并且第二W2R延迟时间阈值316B可以与第二范围“1秒<＝当前W2R延迟时间<10秒”相关联。第二范围可以对应于第二准则320B。在此实例中，5秒的当前W2R延迟时间满足与第二W2R延迟时间316B相关联的准则320B。

如果当前W2R延迟时间322满足准则320，则读取电平确定器116可以选择满足的准则320所对应的W2R延迟时间阈值316。然后，读取电平确定器116可以选择与所选W2R延迟时间阈值相关联的读取电压电平324。例如，第一读取电压电平324A与第一W2R延迟时间阈值316A相关联，因此，在当前W2R延迟时间322满足基于第一W2R延迟时间阈值316A的准则320A时，所选读取电压电平326是第一读取电压电平324A。

类似地，在另一实例中，第二读取电压电平324B与第二W2R延迟时间阈值316B相关联，因此，在当前W2R延迟时间322满足基于第二W2R延迟时间阈值316B的准则320B时，所选读取电压电平326是第二读取电压电平324B。作为又一实例，第三读取电压电平324C与第三W2R延迟时间阈值316C相关联，因此，在当前W2R延迟时间322满足基于第三W2R延迟时间阈值316C的准则320C时，所选读取电压电平326是第三读取电压电平324C。

因此，如果存储器子系统110的当前W2R延迟时间322满足基于W2R延迟阈值316和当前W2R延迟时间中的一者的准则320，则读取电平确定器116可以确定读取电压电平326，并使存储器子系统控制器115使用所选读取电压电平326执行后续一或多个读取操作。

尽管读取电平确定器116被描述为处理W2R延迟时间阈值314，但在其它实施例中，读取电平确定器116可以处理W2R延迟时间范围。

图4A是根据一些实施例的调整延迟时间阈值和确定对应读取电平的示例方法400的流程图。方法400可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法400由图1的读取电压调整组件113执行。虽然以特定顺序或次序示出，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所示实施例仅为实例，且所示过程可以不同次序进行，且一些过程可并行地进行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。

在操作402，处理装置确定存储器装置的单元的第一当前操作特性值。在操作404，处理装置从第一操作特性阈值集中识别第一操作特性阈值，其中第一当前操作特性值满足基于第一操作特性阈值的第一操作特性阈值准则。操作特性阈值中的每一者可以对应于具有由对应操作特性阈值指定的第一端点的操作特性范围。

在操作406，处理装置从多个延迟时间阈值集中识别对应于第一操作特性阈值的延迟时间阈值集，其中所述集中的延迟时间阈值中的每一者与对应读取电压电平相关联。所述集合中的延迟时间阈值中的每一者可以表示对应写入到读取延迟时间范围的端点，并且与所述集中的延迟时间阈值中的每一者相关联的对应读取电压电平可以用于对具有在对应写入到读取延迟时间范围内的写入到读取延迟时间的存储器组件执行读取操作。

可以使用将操作特性阈值映射到延迟时间阈值集的第一映射表来识别延迟时间阈值集，其中第一映射表将每个操作特性阈值映射到对应延迟时间阈值集。第一映射表可以包含记录集，每个记录包括特定操作特性阈值和对应延迟时间阈值集。处理装置可以在第一映射表中识别包含第一操作特性阈值的记录，其中所述记录进一步包含所识别的延迟时间阈值集。第一映射表可以将每个延迟时间阈值集的每个延迟时间阈值映射到对应读取电压电平，并且可以使用第一映射表来识别与所识别的延迟时间阈值相关联的读取电压电平。

在操作408，处理装置从延迟时间阈值集中识别延迟时间阈值，对于所述延迟时间阈值，存储器装置的单元的当前写入到读取延迟时间满足相关联延迟时间阈值准则。在操作410，处理装置识别与所识别的延迟时间阈值相关联的读取电压电平。处理装置可以基于读取电压电平在存储器装置的单元处执行读取操作。

图4B是根据一些实施例的调整延迟时间范围和使用对应读取电平执行读取操作的示例方法420的流程图。方法420可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法420由图1的读取电压调整组件113执行。虽然以特定顺序或次序示出，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所示实施例仅为实例，且所示过程可以不同次序进行，且一些过程可并行地进行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。

在操作422，处理装置识别与存储器子系统相关联的当前循环计数。在操作424，处理装置从循环计数范围集中识别包含当前循环计数的循环计数范围。

在操作426，处理装置从多个写入到读取(W2R)延迟时间范围集中识别对应于循环计数范围的W2R延迟时间范围集，其中W2R延迟时间范围中的每一者表示多个W2R延迟时间，并且与用于对具有在W2R延迟时间范围内的W2R延迟时间的存储器装置的单元执行读取操作的对应读取电压电平相关联。可以使用将循环计数范围映射到W2R延迟时间范围集的第一映射表来识别W2R延迟时间范围集。第一映射表可包含记录集，并且每个记录可包含特定循环计数范围和对应W2R延迟时间范围集。处理装置可以在第一映射表中识别搜索包含当前循环计数的循环计数范围的记录。所述记录如果被找到则指定已识别的W2R延迟时间范围集。此外，第一映射表可将每个W2R延迟时间范围集的每个W2R延迟时间范围映射到对应读取电压电平，并且处理装置可以使用第一映射表来识别与所识别的W2R延迟时间范围相关联的读取电压电平。

处理装置可以测量与存储器子系统相关联的当前温度，并从温度范围集中识别包含与存储器子系统相关联的当前温度的温度范围。处理装置还可以从多个W2R延迟时间偏移集中识别对应于与存储器子系统相关联的当前温度的W2R延迟时间偏移集，使得W2R延迟时间偏移集中的每个W2R延迟时间偏移与对应读取电压电平相关联。处理装置可以基于所识别的写入到读取(W2R)延迟时间偏移集来调整W2R延迟时间范围集。处理装置可以通过将所识别的W2R延迟时间偏移集中的每个W2R延迟时间偏移添加到所识别的W2R延迟时间范围集中的每个W2R延迟时间范围的每个端点来调整W2R延迟时间范围集。

在操作428，处理装置识别存储器装置的单元的W2R延迟时间，其中所识别的W2R延迟时间是基于由存储器装置的单元执行的写入操作与读取操作之间的时间差。在操作430，处理装置从延迟时间范围集中识别包含存储器装置的单元的W2R延迟时间的W2R延迟时间范围。在操作432，处理装置识别对应于所识别的W2R延迟时间范围的读取电压电平。在操作434，处理装置基于确定的读取电压电平在存储器装置的单元处执行读取操作。

图5A示出根据一些实施例的包含与存储器子系统的示例阈值操作特性值相对应的示例写入到读取延迟时间阈值集的表500。表500将写入计数阈值502映射到W2R延迟时间阈值集506。表500进一步将每个集506中的每个延迟时间阈值映射到读取电平504。表500指定，对于第一写入计数阈值(例如，50,000次写入)502A，对应第一延迟时间阈值集506A包含第一读取电平504A的第一延迟时间阈值、第二读取电平504B的第二延迟时间阈值和第三读取电平504C的第三延迟时间阈值。第一集506A的第一延迟时间阈值、第二延迟时间阈值和第三延迟时间阈值可以分别为例如1微秒、1秒和1小时。图5A-5C和6A-6C所示的表可以例如根据与存储器装置130相关联的媒体表征信息和/或根据经验数据生成。

表500指定，例如，当存储器子系统的当前写入计数在下限(例如，0次写入)与第一写入计数阈值502A(例如，50,000次写入)之间时，将使用第一延迟时间阈值集506A。此外，第一集506A指定在当前延迟时间值在下限(例如，0秒)与第一延迟时间阈值(例如，1微秒)之间时，将使用第一读取电平504A。第一集506A还指定在当前延迟时间值在第一延迟时间阈值(例如，1微秒)与第二延迟时间阈值(例如，1秒)之间时，将使用第二读取电平504B。第一集506A进一步指定在当前延迟时间值在第二延迟时间阈值(例如，1秒)与第三延迟时间阈值(例如，1小时)之间时将使用第三读取电平504C。

表500还指定，当存储器子系统的当前写入计数在第一写入计数阈值502A(例如，50,000次写入)与第二写入计数阈值502B(例如，100,000次写入)之间时，将使用第二延迟时间阈值集506B。此外，第二集506B指定，在当前延迟时间值在下限(例如，0秒)与第一延迟时间阈值(例如，1微秒)之间时，将使用第一读取电平504A。第二集506B还指定，在当前延迟时间值在第一延迟时间阈值(例如，1微秒)与第二延迟时间阈值(例如，0.5秒)之间时，将使用第二读取电平504B。第二集506B进一步指定，在当前延迟时间值在第二延迟时间阈值(例如，0.5秒)与第三延迟时间阈值(例如，0.5小时)之间时，将使用第三读取电平504C。

表500还指定，例如，当存储器子系统的当前写入计数在第二写入计数阈值502B(例如，100,000次写入)与第三写入计数阈值502C(例如，150,000次写入)之间时，将使用第三延迟时间阈值集506C。此外，第三集506C指定在当前延迟时间值在下限(例如，0秒)与第一延迟时间阈值(例如，1微秒)之间时，将使用第一读取电平504A。第三集506C还指定在当前延迟时间值在第一延迟时间阈值(例如，1微秒)与第二延迟时间阈值(例如，0.2秒)之间时，将使用第二读取电平504B。第三集506C进一步指定在当前延迟时间值在第二延迟时间阈值(例如，0.2秒)与第三延迟时间阈值(例如，0.2小时)之间时将使用第三读取电平504C。

图5B示出根据一些实施例的包含与存储器子系统的示例操作特性值范围相对应的示例写入到读取延迟时间阈值集的表510。表510将写入计数范围512映射到W2R延迟时间阈值集516。表510进一步将每个集516中的每个延迟时间阈值映射到读取电平514。表510指定，对于第一写入计数范围(例如，0-50,000次写入)512A，对应第一延迟时间阈值集516A包含第一读取电平514A的第一延迟时间阈值、第二读取电平514B的第二延迟时间阈值和第三读取电平514C的第三延迟时间阈值。第一集516A的第一延迟时间阈值、第二延迟时间阈值和第三延迟时间阈值可以分别为例如1微秒、1秒和1小时。

表510指定，例如，当存储器子系统的当前写入计数在第一范围512A(例如，0-50,000次写入)内时，将使用第一延迟时间阈值集516A。第一集516A指定如上文针对图5A的表500描述的延迟时间阈值。表500还指定，当存储器子系统的当前写入计数在第二范围512B(例如，50,000-100,000次写入)内时，将使用第二延迟时间阈值集506B。第二集516B指定如上文针对图5A的表500描述的延迟时间阈值。表510还指定，例如，当存储器子系统的当前写入计数在第三范围512C(例如，100,000-150,000次写入)内时，将使用第三延迟时间阈值集506C。第三集516C指定如上文针对图5A的表500描述的延迟时间阈值。

图5C示出根据一些实施例的包含与存储器子系统的示例操作特性值范围相对应的示例写入到读取延迟时间范围集的表520。表520将写入计数范围522映射到W2R延迟时间范围526。表520进一步将每个集526中的每个延迟时间范围映射到读取电平524。表520指定，对于第一写入计数范围(例如，0-50,000次写入)522A，对应第一延迟时间范围集526A包含第一读取电平524A的第一延迟时间范围、第二读取电平524B的第二延迟时间范围和第三读取电平524C的第三延迟时间范围。第一集526A的第一延迟时间范围、第二延迟时间范围和第三延迟时间范围可以分别为(0秒、1秒)、(1秒、1小时)和(1小时、无限)。

表520指定，例如，当存储器子系统的当前写入计数在第一范围522A(例如，0-50,000次写入)内时，将使用第一延迟时间范围集526A。第一集526A指定在当前W2R延迟时间在第一集526A的第一延迟时间范围内时将使用第一读取电平524A，在当前W2R延迟时间在第一集526A的第二延迟时间范围内时将使用第二读取电平524B，并且在当前W2R延迟时间在第一集526A的第三延迟时间范围内时将使用第三读取电平524C。

表520还指定，例如，当存储器子系统的当前写入计数在第二范围522B(例如，50,000-1000,000次写入)内时，将使用第二延迟时间范围集526B。第二集526B指定在当前W2R延迟时间在第二集526B的第一延迟时间范围内时将使用第一读取电平524A，在当前W2R延迟时间在第二集526B的第二延迟时间范围内时将使用第二读取电平524B，并且在当前W2R延迟时间在第二集526B的第三延迟时间范围内时将使用第三读取电平524C。

表520进一步指定，例如，当存储器子系统的当前写入计数在第三范围522C(例如，100,000-1500,000次写入)时，将使用第三延迟时间范围集526C。第三集526C指定在当前W2R延迟时间在第三集526C的第一延迟时间范围时将使用第一读取电平524A，在当前W2R延迟时间在第三集526C的第二延迟时间范围时将使用第二读取电平524B，并且在当前W2R延迟时间在第三集526C的第三延迟时间范围时将使用第三读取电平524C。

图6A示出根据一些实施例的包含与存储器子系统的温度602相对应的示例W2R延迟时间偏移集606的表600。表600将温度范围602映射到W2R延迟偏移集606。表600进一步将每个集606中的每个偏移映射到读取电平604。表600指定，对于第一温度范围(例如，0-45C)602A，对应第一延迟偏移集606A包含第一读取电平604A的第一延迟偏移、第二读取电平604B的第二延迟偏移以及第三读取电平604C的第三延迟偏移。第一集606A中的第一延迟偏移、第二延迟偏移和第三延迟偏移分别为0微秒、-100毫秒和-2分钟。

表600还指定，对于第二温度范围(例如，45C-70C)602B，对应第二延迟偏移集606B包含第一读取电平604A的第一延迟偏移、第二读取电平604B的第二延迟偏移和第三读取电平604C的第三延迟偏移。第二集606B中的第一延迟偏移、第二延迟偏移和第三延迟偏移分别为0微秒、-300毫秒和-4分钟。

图6B示出根据一些实施例的包含与存储器子系统的叠组值612相对应的示例W2R延迟时间偏移集616的表610。表610将叠组值612映射到W2R延迟偏移集616。表610进一步将每个集616中的每个偏移映射到读取电平614。表610指定，对于第一叠组(例如，叠组0)612A，对应第一延迟偏移集616包含第一读取电平614A的第一延迟偏移、第二读取电平614B的第二延迟偏移以及第三读取电平614C的第三延迟偏移。第一叠组612A的第一延迟偏移、第二延迟偏移和第三延迟偏移分别为0微秒、-260毫秒和-2分钟。

表610还指定，对于第二叠组(例如，叠组1)612B，对应第二延迟偏移集616包含第一读取电平614A的第一延迟偏移、第二读取电平614B的第二延迟偏移和第三读取电平614C的第三延迟偏移。第二叠组612B的第一延迟偏移、第二延迟偏移和第三延迟偏移分别为0微秒、-460毫秒和-3分钟。

图6C示出根据一些实施例的包含与存储器子系统的电距离622相对应的示例写入到读取延迟时间偏移集626的表620。表620将电距离622映射到W2R延迟偏移集626。表620进一步将每个集626中的每个偏移映射到读取电平624。表620指定，对于电距离(例如，电距离0)622A，对应第一延迟偏移集626包含第一读取电平624A的第一延迟偏移、第二读取电平624B的第二延迟偏移以及第三读取电平624C的第三延迟偏移。电距离622A的第一延迟偏移、第二延迟偏移和第三延迟偏移分别为0微秒、-325毫秒和-1分钟。

表620还指定，对于第二电距离(例如，电距离1)622B，对应第二延迟偏移集626包含第一读取电平624A的第一延迟偏移、第二读取电平624B的第二延迟偏移和第三读取电平624C的第三延迟偏移。第二电距离622B的第一延迟偏移、第二延迟偏移和第三延迟偏移分别为0微秒、-400毫秒和-2分钟。

图7示出计算机系统700的示例机器，其中可以执行指令集，用于使机器执行本文讨论的任何一或多种方法。在一些实施例中，计算机系统700可以对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，所述主机系统包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行与图1的读取电压调整组件113相对应的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如联网)到LAN、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量进行操作。

机器可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换机或桥接器或非数字电路，或能够(依序或以其它方式)执行指定待由机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一(或多)个指令集以进行本文中所论述的方法中的任何一或多种。

实例计算机系统700包含处理装置702、主存储器704(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、动态随机存取存储器(DRAM)，例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、静态存储器706(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)以及数据存储系统718，它们经由总线730彼此通信。

处理装置702表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更具体地，处理装置可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置702也可以是一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理装置702被配置成执行指令726以用于执行本文中所论述的操作和步骤。计算机系统700可进一步包含通过网络720通信的网络接口装置708。

数据存储系统718可以包含机器可读存储媒体724(也称为计算机可读媒体)，在其上存储一或多个指令集726或体现本文描述的方法或功能中的任何一或多者的软件。指令726还可在其由计算机系统700执行期间完全或至少部分地驻存在主存储器704内和/或处理装置702内，主存储器704和处理装置702也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体724、数据存储系统718和/或主存储器704可以对应于图1的存储器子系统110。

在一个实施例中，指令726包含实施与读取电压调整组件(例如，图1的读取电压调整组件113)相对应的功能的指令。虽然在实例实施例中将机器可读存储媒体724示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集合且致使机器执行本公开的方法中的任何一种或多种的任何媒体。术语“计算机可读存储媒体”因此应被认为包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。

已在针对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示方面呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其它技术人员的方式。在本文中，且一般将算法构想为产生所要结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。通常(但未必)，这些量采用能够存储、组合、比较以及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已经证实，主要出于常用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、编号等等有时是便利的。

然而，应牢记，所有这些和类似术语将与适当物理量相关联，且仅仅为应用于这些量的便利标记。本公开可以指将计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)数量的数据操控和变换为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理数量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。

本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。这一设备可以出于所需目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此类计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、CD-ROM和磁光盘、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡或适合于存储电子指令并且各自耦合到计算机系统总线的任何类型的媒体。

本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可以与根据本文中的教示的程序一起使用，或可以证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现各种这些系统的结构。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示内容。

本公开可以提供为计算机程序产品或软件，其可以包含在其上存储有可以用于编程计算机系统(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如计算机可读)媒体包含机器(例如计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。

在前述说明书中，本公开的实施例已经参照其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书及图式。