量子点基板的制备方法及量子点显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种量子点基板的制备方法及量子点显示面板。

背景技术

目前，对于光致发光的量子点(QD)显示面板，通常设计为用蓝光、紫光等短波长短、高能量的激发光对红、绿、蓝三色量子点层进行激发，使红、绿、蓝三色量子点层出射显示光，实现高色域全彩显示，量子点显示面板具有色域广、出光效率高等优点。其中，为了使红、绿、蓝三色量子点层能够较好的吸收激发光，通常会在红、绿、蓝三色量子点层材料中掺杂散射粒子(例如二氧化钛TiO

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点基板的制备方法及量子点显示面板，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

本发明第一方面提供一种量子点基板的制备方法，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成第一界定部，所述第一界定部包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个第一挡墙，相邻第一挡墙之间形成用于容纳第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层的间隙；

在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部，并在所述阻挡部的顶部形成第一电极；

基于狭缝涂覆工艺分别形成第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层，其中，在基于狭缝涂覆工艺形成第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层其中之一时，通过向第一电极施加电信号使阻挡部在第二方向上倾斜，以使得用于容纳正在形成的量子点层的间隙被阻挡部露出且用于容纳另两个量子点层的间隙被阻挡部遮蔽；

分离所述阻挡部，得到包括所述第一衬底、位于所述第一衬底上的第一界定部、多个第一量子点层、多个第二量子点层和多个第三量子点层的量子点基板。

可选地，所述第一挡墙的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽，所述阻挡部的底面凸起形成有嵌入所述凹槽的第一凸起部。

可选地，所述沿第一方向延伸的凹槽的轴向截面呈正梯形。

可选地，所述沿第一方向延伸的阻挡部的轴向截面呈倒梯形。

可选地，所述阻挡部的材料为负性光刻材料，所述在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部包括：

涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底的阻挡部材料层；

对所述阻挡部材料层进行曝光显影以形成在所述第一挡墙的顶面上的沿第一方向延伸的阻挡部。

可选地，所述阻挡部包括靠近所述第一挡墙的第一部和远离所述第一挡墙的第二部，所述第二部形成有沿第二方向凸起的第二凸起部。

可选地，所述第一电极包括形成在第二凸起部的顶部在第二方向上两端位置的第一子电极和第二子电极。

可选地，所述阻挡部的材料为负性光刻材料，所述在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部包括：

涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底的第一阻挡部材料层；

在所述第一阻挡部材料层的对应第二凸起部的设计区域形成阻光层；

涂覆覆盖阻光层和露出的第一阻挡部材料层的第二阻挡部材料层；

对所述第二阻挡部材料层和第一阻挡部材料层进行曝光显影以形成在所述第一挡墙的顶面上的沿第一方向延伸的阻挡部。

可选地，所述阻光层为半透半反层。

可选地，所述阻挡部的材料为羟基直链聚酯树脂。

可选地，

在所述在所述第一衬底上形成第一界定部之后且在所述在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部之前，所述方法还包括：

在所述第一挡墙的顶面的与阻挡部接触的设计区域形成金属层；

所述分离所述阻挡部包括：

基于湿法刻蚀工艺刻蚀所述金属层；

剥离所述阻挡部。

可选地，在基于湿法刻蚀工艺刻蚀所述金属层之前，所述分离所述阻挡部还包括：

形成至少覆盖所述第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层的第一封装层。

本发明第二方面提供一种量子点显示面板，包括利用本发明第一方面提供的制备方法制备得到的量子点基板、第二衬底和位于所述第二衬底上的阵列排布的多个子像素区域，所述子像素区域包括发光单元；

所述量子点基板位于所述发光单元的远离所述第二衬底一侧，所述发光单元位于所述量子点层的远离所述第一衬底一侧，所述发光单元用于向所述第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层出射激发光，以激发所述第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层出射显示光。

本发明的有益效果如下：

本发明所述技术方案，基于可倾斜而露出或遮蔽相邻第一挡墙之间的间隙的阻挡部，可使用相比于喷墨打印而言喷头开口更大的狭缝涂覆工艺，在不使用掩膜板(Mask)的情况下，实现红、绿、蓝三色量子点层的制作，最终得到高色域全彩显示的量子点显示面板。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出本发明实施例提供的量子点基板的制备方法的流程示意图。

图2-图20示出分别示出本发明实施例提供的量子点基板的制备方法中典型步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

本发明中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本发明的教导。

在本发明中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。

在本发明中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

目前，对于光致发光的量子点(QD)显示面板，通常设计为用蓝光等短波长短、高能量的激发光对红、绿、蓝三色量子点层进行激发，使红、绿、蓝三色量子点层出射显示光，实现高色域全彩显示，量子点显示面板具有色域广、出光效率高等优点。例如，量子点显示面板可包括OLED基板和设置在OLED基板的激发光出光侧的量子点基板，这种量子点显示面板可称为QD-OLED显示面板，其中，OLED基板包括第二衬底和位于所述第二衬底上的阵列排布的多个子像素区域，每个子像素区域包括OLED发光单元，量子点基板包括与子像素区域正投影对应的阵列排布的量子点层，量子点层包括红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层，根据QD-OLED显示面板的像素设计，量子点基板也可包括沿第一方向(例如列方向Y)延伸且沿第二方向(例如行方向X)例如周期性排列的红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层。

红光量子点层可受对应的OLED发光单元出射的例如蓝光、紫光等短波长短、高能量的激发光的激发而出射红光，绿光量子点层可受对应的OLED发光单元出射的例如蓝光、紫光等短波长短、高能量的激发光的激发而出射绿光，蓝光量子点层可受对应的OLED发光单元出射的例如蓝光、紫光等短波长短、高能量的激发光的激发而出射蓝光。为了使红、绿、蓝三色量子点层能够较好的吸收激发光，通常会在红、绿、蓝三色量子点层材料中掺杂散射粒子(例如二氧化钛TiO

有鉴于此，如图1所示，本发明的一个实施例提供了一种量子点基板的制备方法，包括如下步骤：

S110、提供第一衬底。

其中，第一衬底作为量子点基板的承载结构，在一个具体示例中，第一衬底可采用玻璃、石英等透光率高的材料，第一衬底的厚度例如设置在0.3mm～1.5mm之间。

S120、在第一衬底上的第一挡墙设计区域形成黑矩阵层(BM)。

其中，黑矩阵层用于防止最终形成的量子点基板的光线串扰。可理解的是，步骤S120为本实施例中的可选步骤，步骤S120形成的黑矩阵层为本实施例中的可选结构。

S130、在第一衬底上形成第一界定部，第一界定部包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个第一挡墙(第一挡墙可称为Line Bank)，相邻第一挡墙之间形成用于容纳红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层的间隙。

可理解的是，相邻第一挡墙之间存在间隙，意味着多个第一挡墙沿第二方向间隔排列。

例如，如图2和图3所示，步骤S130包括在第一衬底上101形成第一界定部，第一界定部包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个第一挡墙103，其中第一挡墙103在第一衬底101上的正投影被黑矩阵层102在第一衬底101上的正投影覆盖。

图3从俯视角度示出了第一挡墙103与例如QD-OLED显示面板中的OLED基板中像素界定层201的正投影对应关系，如图3所示，OLED基板中像素界定层201呈网格状，发光单元形成在网格状的像素界定层201的开口中，第一方向为列方向Y，第二方向为行方向X，相邻第一挡墙103之间的间隙用于容纳沿第一方向延伸的红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层，例如图3中，左起第一个相邻第一挡墙103之间的间隙用于容纳沿第一方向延伸的红光量子点层，左起第二个相邻第一挡墙103之间的间隙用于容纳沿第一方向延伸的绿光量子点层，左起第三个相邻第一挡墙103之间的间隙用于容纳沿第一方向延伸的蓝光量子点层，左起第四个相邻第一挡墙103之间的间隙用于容纳沿第一方向延伸的红光量子点层，左起第五个相邻第一挡墙103之间的间隙用于容纳沿第一方向延伸的绿光量子点层，即，后续形成的沿第一方向延伸的红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层是沿第二方向周期性排列的。

在一个具体示例中，第一挡墙的材料例如采用采用亚克力、环氧树脂类材料等，由此能够有效的防止激发光之间的串扰，例如可在树脂中加入散射或者反射的粒子，另外也可采用黑色染料而形成吸光的第一挡墙。

在一个具体示例中，第一挡墙在第二方向上的长度设计为10μm～35μm，第一挡墙的厚度设计为5μm～15μm，第一挡墙的厚度决定了后续在相邻第一挡墙的间隙中形成的量子点层的厚度，其设计主要考虑的是量子点层材料的吸收效率。相邻第一挡墙之间的间隙在第二方向上的长度设计为10μm～30μm，相邻第一挡墙的间隙在第二方向上的长度的设计如要考虑的是后续在涂覆量子点层材料时阻挡部的遮蔽效果，如果间隙过宽，要达到设计的闭合效果就比较困难，根据后续步骤的说明可以更好的理解。示例性的，例如图2所示，第一挡墙103在第二方向X上的长度(即图2中第一挡墙103的宽度)为10μm，第一挡墙103的厚度(或者说高度)为10μm，相邻第一挡墙103之间的间隙在第二方向上的长度为15μm。需要说明的是，图2所示的结构在视觉上与实际尺寸比例可能存在偏差，后续附图同理。

在一种可能的实现方式中，步骤S130进一步包括：在第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的凹槽。

本实现方式形成的凹槽，使得后续形成的阻挡部可以更好的与第一挡墙结合，增加阻挡部与第一挡墙结合的稳固性，特别是在阻挡部倾斜时可避免其与第一挡墙脱离，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

在一个具体示例中，在图2所示结构的基础上，本实现方式形成的结构如图4所示，第一挡墙103的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽1031。

在一种可能的实现方式中，沿第一方向延伸的凹槽的轴向截面呈正梯形。

在一个具体示例中，在图2所示结构的基础上，本实现方式形成的结构如图4所示，沿第一方向Y延伸的凹槽1031的轴向截面呈正梯形，其中，结合图3可理解的是，沿第一方向Y延伸的凹槽1031的轴向截面即凹槽1031的平行于第一平面的截面，第一平面垂直于第一衬底101且平行于第二方向X。

在一种可能的实现方式中，步骤S130进一步包括：在第一挡墙的顶面的与阻挡部接触的设计区域形成金属层。

本实现方式形成的金属层从作用上可称为剥离层，其使得后续在形成量子点层之后可以便捷的分离阻挡部，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

在一个具体示例中，在图4所示结构的基础上，本实现方式形成的结构如图5所示，第一挡墙103的顶面形成有金属层104，其中金属层104覆盖凹槽1031的底部及侧壁，并延伸至第一挡墙103顶面的在凹槽1031周边的区域。

在一个具体示例中，由图2所示结构得到图4所示结构及由图4所示结构得到图5所示结构的工艺流程例如：

首先，在第一衬底上沉积界定层材料，然后通过曝光显影的方式制作出第一挡墙103，然后，再次进行曝光，通过采用干刻工艺，调节气体流量和气体的比例，在第一挡墙103的顶面制作出轴向截面呈正梯形的凹槽1031，在制作出轴向截面呈正梯形的凹槽1031后，采用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)蒸镀的方式制作金属层104，另外，在制作出轴向截面呈正梯形的凹槽1031后，也可以通过溅射镀膜(Sputter)后曝光显影的工艺制作出金属层104。

S140、在第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部，并在阻挡部的顶部形成第一电极。

在一种可能的实现方式中，本实施例中，步骤S140形成的阻挡部包括两种结构，相应的，步骤S140包括对应这两种结构的两种流程。下面分别进行说明。

对于第一种结构的阻挡部：

沿第一方向延伸的第一种结构的阻挡部的轴向截面呈大致矩形。

在一个具体示例中，例如参见图6和图7：如图7所示，沿第一方向延伸的第一种结构的阻挡部1051的轴向截面呈大致矩形，在一个具体示例中，沿第一方向Y延伸的第一种结构的阻挡部1051的轴向截面呈大致矩形，其中，结合图3可理解的是，沿第一方向Y延伸的第一种结构的阻挡部1051的轴向截面即阻挡部1051的平行于第一平面的截面，第一平面垂直于第一衬底101且平行于第二方向X。

在一种可能的实现方式中，第一种结构的阻挡部的顶部形成的第一电极形成在第一种结构的阻挡部的顶面中心位置。由此，更利于在后续形成量子点层的步骤中第一种结构的阻挡部在第二方向上的正向和负向倾斜，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

在一个具体示例中，如图7所示，第一种结构的阻挡部1051的顶部形成的第一电极1061形成在第一种结构的阻挡部1051的顶面中心位置。可理解的是，第一电极1061也是沿第一方向X延伸的，第一电极1061形成在第一种结构的阻挡部1051的顶面中心位置可理解为形成在第一种结构的阻挡部1051的顶面在第二方向Y上的中心位置。

在一种可能的实现方式中，沿第一方向延伸的第一种结构的阻挡部的轴向截面呈倒梯形。由此，更利于在后续形成量子点层的步骤中第一种结构的阻挡部在第二方向上倾斜，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

在一种可能的实现方式中，第一种结构的阻挡部的材料为负性光刻材料，形成第一种结构的阻挡部包括：

涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底的阻挡部材料层；

对阻挡部材料层进行曝光显影以形成在第一挡墙的顶面上的沿第一方向延伸的阻挡部。

此实现方式可有效形成第一种结构的阻挡部，且由于第一种结构的阻挡部的材料为负性光刻材料，在对阻挡部材料层进行曝光显影时，下方的曝光量或者说光照射量由上方至下方是递减的，自然会形成前述实现方式提出的第一种结构的阻挡部的轴向截面呈倒梯形的设计。

在一种可能的实现方式中，在第一挡墙的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽的情况下，第一种结构的阻挡部的底面凸起形成有嵌入凹槽的第一凸起部。

可理解的是，基于上述第一种结构的阻挡部的制作流程，在第一挡墙的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽的情况下，制作得到的第一种结构的阻挡部的底面自然会凸起形成有嵌入凹槽的第一凸起部。本实现方式形成的第一种结构的阻挡部，可以更好的与第一挡墙结合，增加阻挡部与第一挡墙结合的稳固性，特别是在后续形成量子点层的步骤中阻挡部倾斜时可避免阻挡部与第一挡墙脱离，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

在一个具体示例中，在图5所示结构的基础上，制作得到第一种结构的阻挡部的工艺流程例如：

涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底101的阻挡部材料层1051`，得到如图6所示的结构，其中，阻挡部材料层1051`为负性光刻材料，为具有一定阻光性的树脂材料；

对阻挡部材料层1051`进行曝光显影以形成在第一挡墙103的顶面上的沿第一方向延伸的第一种结构的阻挡部1051；

在第一种结构的阻挡部1051的顶面中心位置形成第一电极1061，得到如图7所示的结构，其中，第一电极1061的作用为作为在后续形成量子点层的步骤中第一种结构的阻挡部1051在第二方向上倾斜的牵引电极。

在一个具体示例中，参见图7所示，沿第一方向延伸的第一种结构的阻挡部1051的轴向截面呈大致矩形，其底面凸起形成有嵌入第一挡墙103顶面凹槽的第一凸起部10511，第一电极1061形成在第一种结构的阻挡部1051的顶面在第二方向Y上的中心位置。例如，第一种结构的阻挡部的厚度设计为10μm～15μm(例如厚度设计为15μm)，第一种结构的阻挡部的底部在第二方向上的长度设计为0.5μm～0.7μm，第一种结构的阻挡部的顶部在第二方向上的长度设计为与第一挡墙相近的10μm～35μm。

第一电极例如采用透明电极材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，也可以采用金属电极材料，例如铝(AL)、钼(MO)等。第一电极在第二方向上的长度设计为5μm～10μm，厚度在

此外，可理解的是，也可通过打印工艺形成上述第一种结构的阻挡部。

在一种可能的实现方式中，第一种结构的阻挡部的材料为羟基直链聚酯树脂。羟基直链聚酯树脂具有高韧性，可以保障第一种结构的阻挡部有比较强的韧性，同时在树脂链条上可以激发F原子，使其具有较低的表面能，避免后续形成量子点层的工艺中，在涂覆量子点层材料时量子点层材料沾附在第一种结构的阻挡部的侧壁，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

第二种结构的阻挡部：

沿第一方向延伸的第二种结构的阻挡部包括靠近第一挡墙的第一部和远离第一挡墙的第二部，第二部形成有沿第二方向凸起的第二凸起部。相比于第一种结构的阻挡部，第二种结构的阻挡部的顶部在第二方向上更宽，从而在后续形成量子点层的步骤中的遮蔽效果更好，可适用更大的像素尺寸，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

在一种可能的实现方式中，第二种结构的阻挡部的顶部形成的第一电极包括形成在第二凸起部的顶部在第二方向上两端位置的第一子电极和第二子电极。进一步，第一子电极和第二子电极分别形成在第二凸起部的顶面在第二方向上两端位置。由于第二种结构的阻挡部的顶部在第二方向上更宽，因此第二种结构的阻挡部的这种电极设置方式，更利于在后续形成量子点层的步骤中第二种结构的阻挡部在第二方向上的正向和负向倾斜，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

在一种可能的实现方式中，第二种结构的阻挡部的材料为负性光刻材料，形成第二种结构的阻挡部包括：

涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底的第一阻挡部材料层；

在第一阻挡部材料层的对应第二凸起部的设计区域形成阻光层；

涂覆覆盖阻光层和露出的第一阻挡部材料层的第二阻挡部材料层；

对第二阻挡部材料层和第一阻挡部材料层进行曝光显影以形成在第一挡墙的顶面上的沿第一方向延伸的阻挡部。

此实现方式，可通过一次曝光显影工艺有效形成第二种结构的阻挡部。

在一种可能的实现方式中，在第一挡墙的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽的情况下，第二种结构的阻挡部的底面凸起形成有嵌入凹槽的第一凸起部。

可理解的是，基于上述第二种结构的阻挡部的制作流程，在第一挡墙的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽的情况下，制作得到的第二种结构的阻挡部的底面自然会凸起形成有嵌入凹槽的第一凸起部。本实现方式形成的第二种结构的阻挡部，可以更好的与第一挡墙结合，增加阻挡部与第一挡墙结合的稳固性，特别是在后续形成量子点层的步骤中阻挡部倾斜时可避免阻挡部与第一挡墙脱离，根据后续步骤的说明可以更好的理解。

在一种可能的实现方式中，阻光层为半透半反层。由此，可增强第一部与第二部之间的结合稳固性。此外阻光层也可选用吸光层或反射层。

在一个具体示例中，在图5所示结构的基础上，制作得到第二种结构的阻挡部的工艺流程例如：

涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底101的第一阻挡部材料层10521`，得到如图8所示的结构，可理解的是，在涂覆第一阻挡部材料层10521`后应进行干燥和前烘；

在第一阻挡部材料层10521`的对应第二凸起部的设计区域形成半透半反层107，得到如图9所示的结构，其中，可通过精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)制作材料例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(AL)等金属的半透半反层107；

涂覆覆盖半透半反层107和露出的第一阻挡部材料层10521`的第二阻挡部材料层10522`，得到如图10所示的结构，可理解的是，在涂覆第二阻挡部材料层10522`后应进行干燥和前烘；

对第二阻挡部材料层10522`和第一阻挡部材料层10521`进行曝光显影以形成在第一挡墙的顶面上的沿第一方向延伸的第二种结构的阻挡部，其中，曝光过程如图11所示，曝光掩膜板(Mask)的开口对应第二种结构的阻挡部的第二部形状，由于半透半反层107对光的阻挡，第一阻挡部材料层10521`被曝光的面积变小，从而可得到如图12中所示的包括第一部10521和第二部10522的第二种结构的阻挡部1052；

在第二种结构的阻挡部1051的顶面在第二方向上两端位置形成包括第一子电极10621和第二子电极10622的第一电极1062，得到如图12所示的结构，其中，第一子电极10621和第二子电极10622的作用为作为在后续形成量子点层的步骤中第二种结构的阻挡部1051在第二方向上倾斜的牵引电极。

在一个具体示例中，参见图12所示，沿第一方向延伸的第二种结构的阻挡部1052包括下方的第一部10521和上方的第二部10522，第一部10521底面凸起形成有嵌入第一挡墙103顶面凹槽的第一凸起部10523，也可理解为第二种结构的阻挡部1052包括第一部10521、第二部10522和第一凸起部10523，第一子电极10621和第二子电极10622分别形成在第二部10522的顶面在第二方向Y上两端位置。例如，第二种结构的阻挡部中，第一部的厚度设计为5μm～10μm，第一部在第二方向上的长度设计为4μm～10μm，第二部的厚度设计为3μm～8μm，包括两侧的第二凸起部的第二部在第二方向上的长度设计为10μm～15μm。

此外，可理解的是，也可通过打印工艺形成上述第二种结构的阻挡部。

在一种可能的实现方式中，第二种结构的阻挡部的材料为羟基直链聚酯树脂。即，对于第二种结构的阻挡部，第一部和第二部的材料分别为羟基直链聚酯树脂。羟基直链聚酯树脂具有高韧性，可以保障第一种结构的阻挡部有比较强的韧性，同时在树脂链条上可以激发F原子，使其具有较低的表面能，避免后续形成量子点层的工艺中，在涂覆量子点层材料时量子点层材料沾附在第一种结构的阻挡部的侧壁，根据后续步骤的说明可以更好的理解。此外，第二种结构的阻挡部中的第二部的材料也可选用比羟基直链聚酯树脂刚性更好的弹性树脂。

至此，得到如图7或图12所示的基板结构，该基板结构包括第一衬底及在第一衬底上形成的第一界定部和多个阻挡部，其中，黑矩阵层沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列，第一界定部包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个第一挡墙，相邻第一挡墙之间形成用于容纳红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层的间隙，多个阻挡部沿第一方向延伸且分别设置在多个第一挡墙的顶面，阻挡部的顶部设置有第一电极。此外，该基板结构还可包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列黑矩阵层，第一挡墙在第一衬底上的正投影被黑矩阵层在第一衬底上的正投影覆盖。后续步骤(即下述步骤S150)可基于该基板结构进行量子点基板的制备。

S150、基于狭缝涂覆工艺分别形成红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层，其中，在基于狭缝涂覆工艺形成红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层其中之一时，通过向第一电极施加电信号使阻挡部在第二方向上倾斜，以使得用于容纳正在形成的量子点层的间隙被阻挡部露出且用于容纳另两个量子点层的间隙被阻挡部遮蔽。

在一个具体示例中，红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层例如在第二方向上周期性排布，对于一组红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层，基于如图7所示的包括第一种结构的阻挡部1051的基板结构，基于狭缝涂覆工艺分别形成红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层的流程例如：

首先，如图13所示，图13中由左至右的三个相邻第一挡墙103之间的间隙中，两侧间隙用于分别形成绿光量子点层和蓝光量子点层，中间间隙用于形成红光量子点层，则可通过向由左至右的第1个阻挡部1051上的第一电极1061施加正电压信号、第2个阻挡部1051上的第一电极1061施加负电压信号、第3个阻挡部1051上的第一电极1061施加正电压信号、第4个阻挡部1051上的第一电极1061施加负电压信号，使得由左至右的第1个和第2个阻挡部1051在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对左侧间隙进行遮蔽，由左至右的第3个和第4个阻挡部1051在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对右侧间隙进行遮蔽，同时由左至右的第2个和第3个阻挡部1051发生的倾斜露出中间间隙，这样，即可在不使用掩膜板的情况下，基于狭缝涂覆工艺在中间间隙涂覆红光量子点层材料1081`。其中需要说明的是：第一、可通过在第二方向X上对第一电极1051逐行加电的方式形成图13所示的阻挡部倾斜状态，这样，在向由左至右的第3个阻挡部1051上的第一电极1061施加正电压信号时，由于第2个阻挡部1051已经向左倾斜，所以第3个阻挡部1051与第2个阻挡部1051之间不会再因电场力的相互吸引而产生倾斜。第二、以由左至右的第1个和第2个阻挡部1051在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对左侧间隙进行遮蔽为例，由于红光量子点层材料1081`—包含红光量子点与散射粒子的混合溶液存在表面张力，例如偏转量大于10度就无法进入，因此第1个和第2个阻挡部1051如图13所示不必完全闭合即可形成对左侧间隙的遮蔽。

在涂覆完红光量子点层材料1081`后，先撤销对各第一电极1061施加的电信号，各阻挡部1051恢复至初始的不倾斜状态，之后对红光量子点层材料1081`进行固化，形成红光量子点层1081。

然后，如图14所示，图14中由左至右的三个相邻第一挡墙103之间的间隙中，两侧间隙用于分别形成红光量子点层和蓝光量子点层，中间间隙用于形成绿光量子点层，则可通过向由左至右的第1个阻挡部1051上的第一电极1061施加正电压信号、第2个阻挡部1051上的第一电极1061施加负电压信号、第3个阻挡部1051上的第一电极1061施加正电压信号、第4个阻挡部1051上的第一电极1061施加负电压信号，使得由左至右的第1个和第2个阻挡部1051在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对左侧间隙进行遮蔽，由左至右的第3个和第4个阻挡部1051在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对右侧间隙进行遮蔽，同时由左至右的第2个和第3个阻挡部1051发生的倾斜露出中间间隙，这样，即可在不使用掩膜板的情况下，基于狭缝涂覆工艺在中间间隙涂覆绿光量子点层材料1082`。

在涂覆完绿光量子点层材料1082`后，先撤销对各第一电极1061施加的电信号，各阻挡部1051恢复至初始的不倾斜状态，之后对绿光量子点层材料1082`进行固化，形成绿光量子点层1082。

最后，如图15所示，图15中由左至右的三个相邻第一挡墙103之间的间隙中，两侧间隙用于分别形成红光量子点层和绿光量子点层，中间间隙用于形成蓝光量子点层，则可通过向由左至右的第1个阻挡部1051上的第一电极1061施加正电压信号、第2个阻挡部1051上的第一电极1061施加负电压信号、第3个阻挡部1051上的第一电极1061施加正电压信号、第4个阻挡部1051上的第一电极1061施加负电压信号，使得由左至右的第1个和第2个阻挡部1051在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对左侧间隙进行遮蔽，由左至右的第3个和第4个阻挡部1051在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对右侧间隙进行遮蔽，同时由左至右的第2个和第3个阻挡部1051发生的倾斜露出中间间隙，这样，即可在不使用掩膜板的情况下，基于狭缝涂覆工艺在中间间隙涂覆蓝光量子点层材料1083`。

在涂覆完蓝光量子点层材料1083`后，先撤销对各第一电极1061施加的电信号，各阻挡部1051恢复至初始的不倾斜状态，之后对蓝光量子点层材料1083`进行固化，形成蓝光量子点层1083。

在另一个具体示例中，红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层例如在第二方向上周期性排布，对于一组红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层，基于如图12所示的包括第二种结构的阻挡部1052的基板结构，基于狭缝涂覆工艺分别形成红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层的流程例如：

首先，如图16所示，图16中由左至右的三个相邻第一挡墙103之间的间隙中，两侧间隙用于分别形成绿光量子点层和蓝光量子点层，中间间隙用于形成红光量子点层，则可通过由左至右逐行加电的方式向由左至右的第1个至第4个阻挡部1061上的左侧第一子电极10621施加正电压信号且右侧第一子电极10622施加负电压信号，使得由左至右的第1个和第2个阻挡部1061在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对左侧间隙进行遮蔽，由左至右的第3个和第4个阻挡部1061在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对右侧间隙进行遮蔽，同时由左至右的第2个和第3个阻挡部1061发生的倾斜露出中间间隙，这样，即可在不使用掩膜板的情况下，基于狭缝涂覆工艺在中间间隙涂覆红光量子点层材料1081`。

在涂覆完红光量子点层材料1081`后，先撤销对各第一电极1061施加的电信号，各阻挡部1061恢复至初始的不倾斜状态，之后对红光量子点层材料1081`进行固化，形成红光量子点层1081。

然后，如图17所示，图17中由左至右的三个相邻第一挡墙103之间的间隙中，两侧间隙用于分别形成红光量子点层和蓝光量子点层，中间间隙用于形成绿光量子点层，则可通过由左至右逐行加电的方式向由左至右的第1个至第4个阻挡部1061上的左侧第一子电极10621施加正电压信号且右侧第一子电极10622施加负电压信号，使得由左至右的第1个和第2个阻挡部1061在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对左侧间隙进行遮蔽，由左至右的第3个和第4个阻挡部1061在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对右侧间隙进行遮蔽，同时由左至右的第2个和第3个阻挡部1061发生的倾斜露出中间间隙，这样，即可在不使用掩膜板的情况下，基于狭缝涂覆工艺在中间间隙涂覆绿光量子点层材料1082`。

在涂覆完绿光量子点层材料1082`后，先撤销对各第一电极1061施加的电信号，各阻挡部1061恢复至初始的不倾斜状态，之后对绿光量子点层材料1082`进行固化，形成绿光量子点层1082。

最后，如图18所示，图18中由左至右的三个相邻第一挡墙103之间的间隙中，两侧间隙用于分别形成红光量子点层和绿光量子点层，中间间隙用于形成蓝光量子点层，则可通过由左至右逐行加电的方式向由左至右的第1个至第4个阻挡部1061上的左侧第一子电极10621施加正电压信号且右侧第一子电极10622施加负电压信号，使得由左至右的第1个和第2个阻挡部1061在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对左侧间隙进行遮蔽，由左至右的第3个和第4个阻挡部1061在电场力的作用下顶部相互吸引而发生倾斜，从而对右侧间隙进行遮蔽，同时由左至右的第2个和第3个阻挡部1061发生的倾斜露出中间间隙，这样，即可在不使用掩膜板的情况下，基于狭缝涂覆工艺在中间间隙涂覆蓝光量子点层材料1083`。

在涂覆完蓝光量子点层材料1083`后，先撤销对各第一电极1061施加的电信号，各阻挡部1061恢复至初始的不倾斜状态，之后对蓝光量子点层材料1083`进行固化，形成蓝光量子点层1083。

综上，本实施例设计了如图7或图12所示的基板结构，基于可倾斜而露出或遮蔽相邻第一挡墙103之间的间隙的阻挡部1051或阻挡部1052，可使用相比于喷墨打印而言喷头开口更大的狭缝涂覆工艺，在不使用掩膜板(Mask)的情况下，实现红、绿、蓝三色量子点层的制作。

S160、分离阻挡部，得到量子点基板，量子点基板包括第一衬底、位于第一衬底上的第一界定部、多个红光量子点层、多个绿光量子点层和多个蓝光量子点层的量子点基板。

在一种可能的实现方式中，在第一挡墙的顶面的与阻挡部接触的设计区域形成有金属层的情况下，步骤S160进一步包括：

基于湿法刻蚀工艺刻蚀金属层；

剥离阻挡部。

由此，可便捷的分离阻挡部。

在一种可能的实现方式中，在基于湿法刻蚀工艺刻蚀金属层之前，步骤S160进一步包括：

形成至少覆盖红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层的第一封装层。由此，可在基于湿法刻蚀工艺刻蚀金属层时保护已形成的红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层。

在一个具体示例中，基于图18所示的结构，并在先撤销对各第一电极1061施加的电信号，各阻挡部1061恢复至初始的不倾斜状态，对蓝光量子点层材料进行固化，形成蓝光量子点层后，可先例如基于例如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺沉积一层用于阻隔水氧的第一封装层109，例如厚度在

至此，得到如图20所示的量子点基板，该量子点基板包括第一衬底101、位于第一衬底101上的第一界定部、多个红光量子点层1081、多个绿光量子点层1082和多个蓝光量子点层1083，第一界定部包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的第一挡墙103，红光量子点层1081、绿光量子点层1082和蓝光量子点层1083设置在相邻第一挡墙103之间的间隙中。此外，该量子点基板还可包括封装红光量子点层1081、绿光量子点层1082和蓝光量子点层1083的第一封装层109和第二封装层110，例如图20所示，第一挡墙103的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽。后续可将该量子点基板设置在例如OLED基板的激发光出光侧，得到量子点显示面板。

本发明的另一个实施例提供了一种量子点显示面板，包括量子点基板、第二衬底和位于第二衬底上的阵列排布的多个子像素区域，子像素区域包括发光单元。

其中，量子点基板可通过前述实施例提供的量子点基板的制备方法制备得到，量子点基板包括第一衬底、位于第一衬底上的第一界定部、多个红光量子点层、多个绿光量子点层和多个蓝光量子点层，第一界定部包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的第一挡墙，红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层设置在相邻第一挡墙之间的间隙中。

本实施例提供的量子点显示面板中，量子点基板位于发光单元的远离第二衬底一侧，发光单元位于量子点层的远离第一衬底一侧，发光单元用于向红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层出射激发光，以激发红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层出射显示光。

本发明的另一个实施例提供了一种量子点显示装置，包括上述量子点显示面板。其中，量子点显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。