显示设备

本申请要求于2021年10月6日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0132685号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的一个或更多个实施例涉及一种显示设备，并且例如，涉及一种具有提高的(增加的)可视性的显示设备。

背景技术

与液晶显示设备不同，有机发光显示设备具有自发光性质，并且不需要单独的光源，因此使其厚度和重量减小。另外，有机发光显示设备具有诸如低功耗、高亮度和/或高反应速度等的高质量特性。

然而，根据相关技术的这样的显示设备具有由于外部光的反射而降低可视性的问题。

发明内容

本公开的一个或更多个实施例包括具有提高的(增加的)可视性的显示设备，在该显示设备中，低反射层和反射控制层布置在发光器件上。然而，这样的目的是示例，并且本公开的范围不受此限制。

实施例的附加方面将部分地在以下的公开中阐述，并且部分地将通过公开而明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例而获知。

根据本公开的实施例的方面，显示设备包括：基底；第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，布置在基底上并且通过发射彼此不同的波长的光而分别形成发射区域；低反射层，布置在第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件上并且包括无机材料；遮光层，对应于发射区域之间的非发射区域布置在低反射层上方并且具有分别对应于发射区域的开口；滤色器层，仅对应于第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件之中的第一发光器件布置在遮光层的开口中；以及反射控制层，布置在遮光层和滤色器层上。

根据一个或更多个实施例，第一发光器件可以发射红色波长的光。

根据一个或更多个实施例，滤色器层可以透射红色波长范围内的光。

根据一个或更多个实施例，遮光层的开口可以包括对应于第一发光器件的第一开口、对应于第二发光器件的第二开口和对应于第三发光器件的第三开口，并且滤色器层可以仅布置在第一开口中。

根据一个或更多个实施例，反射控制层可以布置为填充第二开口和第三开口。

根据一个或更多个实施例，滤色器层的厚度可以为约0.9μm至约3.0μm。

根据一个或更多个实施例，滤色器层的透光率可以在红色波长范围内为70％或更大，并且在绿色波长范围和蓝色波长范围内为50％或更小。

根据一个或更多个实施例，滤色器层可以包括散射剂。

根据一个或更多个实施例，散射剂可以包括TiO

根据一个或更多个实施例，散射剂可以具有约50nm或更大且约500nm或更小的平均直径。

根据一个或更多个实施例，反射控制层可以包括染料、颜料或它们的组合。

根据一个或更多个实施例，反射控制层的透光率可以为64％至72％。

根据一个或更多个实施例，低反射层可以包括镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或它们的组合。

根据一个或更多个实施例，包括在低反射层中的无机材料可以具有1或更大的折射率(n)。

根据一个或更多个实施例，反射控制层可以吸收可见光范围的第二波长范围的光，并且可以可选地吸收可见光范围的第一波长范围的光。

根据一个或更多个实施例，第一波长范围可以为约480nm至约500nm，并且第二波长范围可以为约585nm至约605nm。

根据一个或更多个实施例，第一发光器件可以包括第一像素电极，第二发光器件可以包括第二像素电极，并且第三发光器件可以包括第三像素电极，显示设备还可以包括像素限定层，像素限定层覆盖第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极的边缘，并且可以具有暴露第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每个的中心部分的开口部分，其中，像素限定层可以包括光阻挡材料。

根据一个或更多个实施例，显示设备还可以包括盖层，盖层布置在第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件上，并且包括有机材料，其中，低反射层可以直接布置在盖层上。

根据一个或更多个实施例，显示设备还可以包括：薄膜封装层，布置在低反射层上；以及触摸感测层，布置在薄膜封装层上，其中，遮光层可以布置在触摸感测层上。

通过公开的附图、权利要求和详细描述，除了上面描述的实施例的方面和特征之外的实施例的方面和特征将变得明显。

附图说明

根据结合附图的以下描述，公开的实施例的上面和其它方面和某些实施例的特征将更加明显，在附图中：

图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图；

图2示出了根据实施例的设置在显示设备的任何一个像素中的显示元件以及连接(结合)到其的像素电路；

图3是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性剖视图；

图4A和图4B是示出包括在显示区域中的像素阵列的一部分的示意性平面图；

图5是根据实施例的显示设备的一部分的剖视图；

图6至图8是示出作为图5的修改示例的根据实施例的显示设备的一部分的剖视图；

图9是示出根据实施例的反射控制层的透光率的曲线图；

图10和图11是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；

图12是示出根据对比示例1的第一像素、第二像素和第三像素中的每个的反射光谱的曲线图；以及

图13是示出根据实施例的第一像素的反射光谱的曲线图。

具体实施方式

现在将更详细地参照实施例，其示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在此阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本公开的实施例的各方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表达“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。

各种合适的修改可以应用于呈现的实施例，并且具体实施例将在附图中示出并在详细描述部分中描述。参照下面结合附图的详细描述，呈现的实施例的效果和特征以及(基本上)实现该效果和特征的方法将更清楚。然而，呈现的实施例可以以各种合适的形式实现，而不限于下面呈现的实施例。

在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，并且在参照附图的描述中，相同或对应的组成由相同的附图标记指示，并且在此不重复其冗余描述。

将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种合适的组件，但是这些组件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。

如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也旨在包括复数形式。

还将理解的是，如在此所使用的术语“包括”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。例如，可以存在居间层、区域或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到(结合到)”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接地连接到所述另一层、区域或组件，或者经由居间层、区域或组件间接地连接到所述另一层、区域或组件。例如，在公开中，当层、区域或组件被称为电连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接地电连接到所述另一层、区域或组件，或者经由居间层、区域或组件间接地电连接到所述另一层、区域或组件。

在公开中，如在此所使用的，诸如“A和/或B”的表达可以包括A、B或A和B。此外，诸如“A和B中的至少一个(种/者)”的表达可以包括A、B或A和B。

在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

当可以不同地实现某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时地(基本上并发地)执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。

为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。例如，因为为了便于解释，可以任意地示出附图中的组件的尺寸和/或厚度，所以以下实施例不限于此。

图1是根据实施例的显示设备1的示意性透视图。

参照图1，根据实施例的显示设备1可以包括显示区域DA和/或显示区域DA外部的非显示区域NDA。尽管图1示出了显示区域DA具有近似矩形(基本上矩形)形状，但是公开不限于此。显示区域DA可以具有各种合适的形状(诸如圆形(基本上圆形)、椭圆形(基本上椭圆形)和/或多边形等)。

显示区域DA是显示图像的部分，并且多个像素P可以布置在显示区域DA中。在本公开中，如在此所使用的，术语“像素”可以意味着“子像素”。像素P中的每个可以包括发光器件(诸如有机发光二极管OLED)。像素P中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。

显示区域DA可以通过从像素P发射的光提供特定图像。在本公开中，像素P可以被定义为发射区域，从该发射区域发射如上面描述的红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种颜色的光。

非显示区域NDA是不布置像素P从而不提供图像的区域。包括用于驱动像素P的驱动电路部分和电源布线的印刷电路板和/或驱动器IC连接(结合)到其的端子部分等可以布置在非显示区域NDA中。

在以下描述中，有机发光显示设备被描述为根据实施例的显示设备1的示例。然而，公开不限于此。例如，根据实施例的显示设备1可以包括无机发光显示设备(或无机EL显示设备)或量子点发光显示设备。例如，包括在设置在显示设备1中的发光器件中的发光层可以包括有机材料和/或无机材料。量子点可以位于从发光层发射的光的路径上。

图2示出了根据实施例的设置在显示设备1的任何一个像素中的显示元件以及连接(结合)到其的像素电路PC。

参照图2，作为显示元件的有机发光二极管OLED连接到像素电路PC。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。有机发光二极管OLED可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。

作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据通过扫描线SL输入的开关电压将通过数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2传输的电压与通过驱动电压线PL供应的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。

作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流发射具有一定亮度的光。第二电力电压ELVSS可以供应到有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)。

尽管图2描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是在另一实施例中，薄膜晶体管或存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而各种地(适当地)改变。

图3是示意性地示出根据一个或更多个实施例的显示设备1的沿着图1的线A-A'截取的剖视图。

参照图3，根据实施例的显示设备1可以包括基底100、显示层200、低反射层300、薄膜封装层400、触摸感测层500和抗反射层600。

基底100可以包括玻璃和/或聚合物树脂。例如，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基底100可以具有柔性、可卷曲和/或可弯曲的特性。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构。

显示层200可以包括作为发光器件的有机发光二极管、电连接(结合)到有机发光二极管的薄膜晶体管以及设置在有机发光二极管与薄膜晶体管之间的绝缘层。

低反射层300可以布置在显示层200上，并且薄膜封装层400可以布置在低反射层300上。例如，显示层200和/或低反射层300可以被薄膜封装层400气密密封。薄膜封装层400可以包括至少一个无机膜层和至少一个有机膜层。

在另一实施例中，可以设置由玻璃形成的封装基底来代替薄膜封装层400。封装基底可以布置在显示层200上，并且显示层200可以设置在基底100与封装基底之间。间隙可以存在于封装基底与显示层200之间，并且间隙可以被填料填充。

触摸感测层500可以布置在薄膜封装层400上。触摸感测层500可以感测外部输入(例如，诸如手指或手写笔的对象的触摸)，因此显示设备1可以获取与触摸位置对应的坐标信息。触摸感测层500可以包括触摸电极和连接(结合)到触摸电极的迹线。触摸感测层500可以通过互电容方法或自电容方法感测外部输入。

触摸感测层500可以布置在薄膜封装层400上。在实施例中，触摸感测层500可以直接形成在薄膜封装层400上。在一些实施例中，触摸感测层500可以单独形成，然后可以经由诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层粘附在薄膜封装层400上。

抗反射层600可以布置在触摸感测层500上。抗反射层600可以降低入射在显示设备1上的光(外部光)的反射率。

图4A和图4B是示出包括在显示区域DA中的像素阵列的一部分的示意性平面图。

参照图4A，显示设备1可以包括像素P，并且像素P可以包括发射不同颜色的光的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。例如，第一像素P1可以发射红光，第二像素P2可以发射绿光，并且第三像素P3可以发射蓝光。然而，公开不限于此。例如，发射蓝光的第一像素P1、发射绿光的第二像素P2和/或发射红光的第三像素P3等的各种合适的修改可以是可能的。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以均具有多边形形状之中的矩形(基本上矩形)形状。在本公开中，多边形(例如，矩形)可以包括其中顶点被倒圆的形状。在另一实施例中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以具有圆形(基本上圆形)或椭圆形(基本上椭圆形)形状。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的尺寸可以彼此不同。例如，第二像素P2的面积可以小于第一像素P1的面积和第三像素P3的面积，并且第一像素P1的面积可以小于第三像素P3的面积。在另一实施例中，各种合适的修改是可能的，例如，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的尺寸可以基本上相同。

在本公开中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的尺寸可以指形成每个像素的显示元件的发射区域EA的尺寸，并且发射区域EA可以由像素限定层209的开口部分209OP(见图5)限定。

布置在显示层200上方的遮光层610具有对应于每个像素的开口610OP。开口610OP是遮光层610被部分去除的区域，因此，从显示元件发射的光可以通过开口610OP透射到外部。遮光层610的主体可以包括能够吸收外部光的材料，因此，可以提高(增加)显示设备1的可视性。

当从平面图观看时，遮光层610的开口610OP可以布置为围绕第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个。在实施例中，遮光层610的开口610OP可以具有带有圆角的矩形(基本上矩形)形状。遮光层610的与第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个对应的每个开口610OP的面积可以大于第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个的面积。然而，公开不限于此。遮光层610的开口610OP中的每个的面积可以与第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个的面积基本上相同。

如图4A中所示，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以以

在下文中，下面根据图5中所示的堆叠顺序更详细地描述根据实施例的显示设备1。

图5是根据实施例的显示设备1的一部分的剖视图。图6至图8是示出作为图5的修改示例的根据实施例的显示设备1的一部分的剖视图。

参照图5，根据实施例的显示设备1可以包括基底100、显示层200、低反射层300、薄膜封装层400、触摸感测层500和抗反射层600。

显示层200可以包括第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3以及薄膜晶体管TFT，并且包括作为绝缘层的缓冲层201、栅极绝缘层203、层间绝缘层205、平坦化层207、像素限定层209和间隔件211。在实施例中，显示层200还可以包括布置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上的盖层230。

缓冲层201可以位于基底100上以减少或阻挡(基本上阻挡)异物、湿气和/或外部空气从基底100的底部的渗透，并且可以在基底100上提供平坦化表面。缓冲层201可以包括诸如氧化物和/或氮化物的无机材料、有机材料和/或有机/无机复合物，并且可以具有无机材料和/或有机材料的单层或多层结构。用于阻挡或减少外部空气的渗透的阻挡层可以设置在基底100与缓冲层201之间。缓冲层201可以包括氧化硅(SiO

薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层201上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。薄膜晶体管TFT可以连接(结合)到有机发光二极管OLED以驱动有机发光二极管OLED。

半导体层ACT可以布置在缓冲层201上，并且可以包括多晶硅。在一些实施例中，半导体层ACT可以包括非晶硅。在一些实施例中，半导体层ACT可以包括选自于由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。半导体层ACT可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。

栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以由各种合适的导电材料形成。栅电极GE可以包括选自于由钼、铝、铜和钛组成的组中的至少一种材料。例如，栅电极GE可以是钼的单层，或者具有钼层、铝层和钼层的三层结构。源电极SE和漏电极DE可以均包括选自于由铜、钛和铝组成的组中的至少一种材料。例如，源电极SE和漏电极DE可以均具有钛层、铝层和钛层的三层结构。

为了确保半导体层ACT与栅电极GE之间的绝缘，可以在半导体层ACT与栅电极GE之间设置包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料的栅极绝缘层203。此外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料的层间绝缘层205可以布置在栅电极GE上方，并且源电极SE和漏电极DE可以布置在层间绝缘层205上方。如此，可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)或对于本领域普通技术人员而言在阅读本公开之后明显的其它合适的方法来形成包括无机材料的绝缘膜。相同(或基本上相同)的描述适用于下面描述的实施例。

平坦化层207可以布置在薄膜晶体管TFT上。为了提供平坦的上表面，在形成平坦化层207之后，可以对平坦化层207的上表面执行化学机械抛光。平坦化层207可以包括通用商业聚合物(诸如聚酰亚胺(例如，光敏聚酰亚胺)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物和/或乙烯醇类聚合物等。尽管图5示出了平坦化层207是单层，但是平坦化层207可以是多层。

第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以布置在平坦化层207上。第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极221、包括第一公共层222a、第一发光层222b和第二公共层222c的第一中间层222以及对电极223。第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极221'、包括第一公共层222a、第二发光层222b'和第二公共层222c的第二中间层222'以及对电极223。第三有机发光二极管OLED3可以包括第三像素电极221”、包括第一公共层222a、第三发光层222b”和第二公共层222c的第三中间层222”以及对电极223。

在以下描述中，描述基于包括在第一像素P1中的第一有机发光二极管OLED1，并且第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每个的堆叠结构与第一有机发光二极管OLED1的堆叠结构基本上相同，因此，在此不重复其冗余描述。

第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极221(在下文中，被称为像素电极221)、第一中间层222(在下文中，被称为中间层222)和对电极223，第一中间层222可以包括第一发光层222b(在下文中，被称为发光层222b)。

像素电极221可以布置在平坦化层207上。像素电极221可以针对每个像素布置。分别对应于相邻像素的像素电极221可以彼此间隔开地布置。

像素电极221可以是反射电极。在这种情况下，像素电极221可以包括反射膜和形成在反射膜上的透明或半透明导电层，反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、它们的混合物和/或它们的化合物。透明或半透明导电层可以包括选自于由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

像素限定层209可以布置在像素电极221上。像素限定层209可以具有暴露每个像素电极221的中心部分的开口部分209OP。像素限定层209覆盖像素电极221的边缘，并且增加像素电极221的边缘与对电极223之间的距离，使得可以防止或减少在像素电极221的边缘处发生电弧。

像素限定层209可以包括有机绝缘材料。在一些实施例中，像素限定层209可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅)。在一些实施例中，像素限定层209可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在实施例中，像素限定层209可以包括光阻挡材料，并且可以以黑色提供。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂和/或膏、金属颗粒(例如，镍、铝、钼和/或它们的合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)和/或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)等。当像素限定层209包括光阻挡材料时，可以减少由于布置在像素限定层209下方的金属结构引起的外部光的反射。然而，公开不限于此。在另一实施例中，如图6中所示，像素限定层209可以包括透光有机绝缘材料而不是光阻挡材料。

间隔件211可以布置在像素限定层209上。间隔件211可以包括有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺)。在一些实施例中，间隔件211可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅(SiN

在实施例中，间隔件211可以包括与像素限定层209的材料相同(基本上相同)的材料。在这种情况下，像素限定层209和间隔件211可以在使用半色调掩模的掩模工艺或对于本领域普通技术人员而言在阅读本公开之后明显的其它合适的工艺中一起形成。在实施例中，间隔件211和像素限定层209可以包括不同的材料。

中间层222可以布置在像素电极221和像素限定层209上。中间层222可以包括第一公共层222a、发光层222b和第二公共层222c。

发光层222b可以布置在像素限定层209的开口部分209OP中。发光层222b可以包括包含能够发射蓝光、绿光或红光的荧光材料或磷光材料的有机材料。上述有机材料可以是低分子量有机材料或聚合物有机材料。在一些实施例中，发光层222b可以包括包含量子点等的无机材料。更详细地，量子点可以是半导体化合物晶体，并且半导体化合物晶体可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种合适的发光波长的光的材料。量子点可以包括例如III-VI族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物和/或它们的组合。

第一公共层222a和第二公共层222c可以分别布置在发光层222b下方和上方。第一公共层222a可以包括例如空穴传输层(HTL)或者HTL和空穴注入层(HIL)。第二公共层222c可以包括例如电子传输层(ETL)或者ETL和电子注入层(EIL)。在实施例中，可以不设置第二公共层222c。

尽管发光层222b针对每个像素布置为对应于像素限定层209的开口部分209OP，但是第一公共层222a和第二公共层222c可以均一体地形成以完全覆盖基底100。例如，第一公共层222a和第二公共层222c可以均一体地形成以完全覆盖(基本上完全覆盖)基底100的显示区域DA。

对电极223可以是作为电子注入电极的阴极。对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、镱(Yb)和/或它们的合金。在示例中，对电极223可以包括AgMg和/或AgYb等。在一些实施例中，对电极223还可以包括在包括上面描述的材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO和/或In

在实施例中，显示设备1还可以包括布置在有机发光二极管OLED上的盖层230。盖层230可以通过相长干涉的原理提高(增加)有机发光二极管OLED的发光效率。盖层230可以包括例如相对于具有589nm波长的光具有1.6或更大的折射率的材料。

盖层230可以包括包含有机材料的有机盖层、包含无机材料的无机盖层或包含有机材料和无机材料的复合盖层。例如，盖层230可以包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以可选地取代有包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基。

低反射层300可以布置在盖层230上。由于盖层230可以布置在有机发光二极管OLED上，因此可以说的是，低反射层300布置在有机发光二极管OLED上。根据实施例，低反射层300可以包括具有低反射率的无机材料，并且可以包括金属和/或金属氧化物。当低反射层300包括金属时，低反射层300可以包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或它们的组合。此外，当低反射层300包括金属氧化物时，低反射层300可以包括例如TiO

在实施例中，包括在低反射层300中的无机材料的吸收系数k可以为4.0或更小且0.5或更大(0.5≤k≤4.0)。此外，包括在低反射层300中的无机材料可以具有1或更大(n≥1.0)的折射率n。

低反射层300引起输入到显示设备1中的光与从布置在低反射层300下方的金属层反射的光之间的相消干涉，因此，可以降低外部光的反射率。因此，当通过低反射层300降低显示设备1的外部光的反射率时，可以提高显示设备1的显示质量和可视性(质量和/或可视性增加)。

尽管图5示出了其中低反射层300布置在基底100的整个表面(诸如对电极223和盖层230)上的结构，但是公开不限于此。如图7中所示，可以针对每个像素通过图案化来设置低反射层300。在这种情况下，低反射层300可以被图案化以对应于每个像素的发射区域EA，并且低反射层300的面积可以与发射区域EA的面积相同(基本上相同)或大于发射区域EA的面积。

薄膜封装层400可以布置在低反射层300上。薄膜封装层400可以包括至少一个无机膜层和至少一个有机膜层。例如，薄膜封装层400可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。

第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiO

有机封装层420可以减小第一无机封装层410和/或第二无机封装层430的内应力。有机封装层420可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)或它们的任何组合。

可以通过涂覆具有流动性并且包括单体的材料，然后引起反应从而使用热或光(诸如紫外线或对于本领域普通技术人员而言在阅读本公开之后应该是明显的其它能源)使单体结合以形成聚合物来形成有机封装层420。在一些实施例中，可以通过涂覆聚合物材料来形成有机封装层420。

即使当薄膜封装层400中发生裂纹时，薄膜封装层400也可以通过上述多层结构防止或减少第一无机封装层410与有机封装层420之间或有机封装层420与第二无机封装层430之间的裂纹彼此连接。因此，可以防止或减少外部湿气和/或氧等通过其渗透到显示区域DA中的路径的形成。

在实施例中，当薄膜封装层400布置在有机发光二极管OLED上时，基底100可以包括聚合物树脂。然而，公开不限于此。

触摸感测层500可以布置在薄膜封装层400上。触摸感测层500可以包括第一导电层MTL1、第一触摸绝缘层510、第二导电层MTL2和第二触摸绝缘层520。第一导电层MTL1可以直接布置在薄膜封装层400上。在这种情况下，第一导电层MTL1可以直接布置在薄膜封装层400的第二无机封装层430上。然而，公开不限于此。

此外，触摸感测层500可以包括设置在第一导电层MTL1与薄膜封装层400之间的绝缘膜。绝缘膜可以布置在薄膜封装层400的第二无机封装层430上，以使其上布置有第一导电层MTL1等的表面平坦化(基本上平坦化)。在这种情况下，第一导电层MTL1可以直接布置在绝缘膜上。绝缘膜可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiO

在实施例中，第一触摸绝缘层510可以布置在第一导电层MTL1上。第一触摸绝缘层510可以包括无机材料或有机材料。当第一触摸绝缘层510包括无机材料时，第一触摸绝缘层510可以包括选自于由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅组成的组中的至少一种材料。当第一触摸绝缘层510包括有机材料时，第一触摸绝缘层510可以包括选自于由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂组成的组中的至少一种材料。

在实施例中，第二导电层MTL2可以布置在第一触摸绝缘层510上。第二导电层MTL2可以用作用于发送用户的触摸输入的传感器。第一导电层MTL1可以用作用于在一个方向上连接图案化的第二导电层MTL2的连接部分。在实施例中，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2都可以用作传感器。在这种状态下，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以经由接触孔CH彼此电连接(结合)。如此，当第一导电层MTL1和第二导电层MTL2都用作传感器时，触摸电极的电阻减小，使得可以快速地感测(可以更快速地感测)用户的触摸输入。

在实施例中，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以具有例如网格结构，以透射从有机发光二极管OLED发射的光。在这种状态下，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以布置为(基本上)不与有机发光二极管OLED的发射区域EA叠置。

第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)和/或它们的合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物(诸如ITO、IZO、ZnO和/或氧化铟锡锌(ITZO)等)。此外，透明导电层可以包括导电聚合物(诸如PEDOT、金属纳米线、碳纳米管和/或石墨烯等)。

在实施例中，第二触摸绝缘层520可以布置在第二导电层MTL2上。第二触摸绝缘层520可以包括无机材料或有机材料。当第二触摸绝缘层520包括无机材料时，第二触摸绝缘层520可以包括选自于由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅组成的组中的至少一种材料。当第二触摸绝缘层520包括有机材料时，第二触摸绝缘层520可以包括选自于由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂组成的组中的至少一种材料。

在另一实施例中，如图8中所示，触摸感测层500可以包括第一导电层MTL1、第一触摸绝缘层510和第二导电层MTL2，并且可以不包括第二触摸绝缘层520。在这种情况下，遮光层610可以具有覆盖第二导电层MTL2的结构。第一触摸绝缘层510的一部分可以通过遮光层610的开口610OP暴露。

抗反射层600可以布置在触摸感测层500上。抗反射层600可以包括遮光层610、滤色器层620和反射控制层630。

遮光层610可以包括与发射区域EA叠置的开口610OP。开口610OP可以包括分别对应于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的第一开口610OP1、第二开口610OP2和第三开口610OP3。发射区域EA可以由像素限定层209的开口部分209OP限定，并且在实施例中，遮光层610的开口610OP可以与像素限定层209的开口部分209OP叠置，并且图11的遮光层610的开口610OP的第二宽度W2可以大于图11的像素限定层209的开口部分209OP的第一宽度W1。

具有开口610OP的遮光层610的主体部分可以与像素限定层209的主体部分叠置。例如，遮光层610的主体部分可以仅与像素限定层209的主体部分叠置。遮光层610的主体部分是与遮光层610的开口610OP不同的部分，并且可以具有预定的体积(厚度)。同样，像素限定层209的主体部分是与像素限定层209的开口部分209OP不同的部分，并且可以具有预定的体积(厚度)。

滤色器层620可以布置在触摸感测层500上。在实施例中，滤色器层620可以仅布置在第一有机发光二极管OLED1上。当第一有机发光二极管OLED1发射红色波长范围的光时，滤色器层620可以布置为对应于发射红色波长范围的光的第一像素P1。滤色器层620可以布置为填充遮光层610的设置为对应于第一有机发光二极管OLED1的发射区域EA的第一开口610OP1的内部。

滤色器层620可以透射特定波长范围的光。更详细地，滤色器层620可以仅透射从第一有机发光二极管OLED1发射的波长范围的光。例如，滤色器层620可以包括红色组分，并且红色组分可以包括例如红色颜料和/或红色染料等。在实施例中，滤色器层620可以透射从第一有机发光二极管OLED1发射的红光，并且可以通过吸收除了红光波长之外的波长的光来增加红光的纯度。此外，当红光穿过滤色器层620时，从第一有机发光二极管OLED1发射的红光的发光波长的带宽可以减小。例如，可以通过滤色器层620实现高色纯度的红光。

滤色器层620布置为仅对应于第一有机发光二极管OLED1，因此，滤色器层620可以不布置在第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上。因此，下面描述的反射控制层630可以嵌入遮光层610的在第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上方的第二开口610OP2和第三开口610OP3中。反射控制层630可以与通过遮光层610的第二开口610OP2和第三开口610OP3暴露的第二触摸绝缘层520(或图8的实施例中的第一触摸绝缘层510)直接接触。

在实施例中，滤色器层620的第一厚度t1可以是约0.9μm至3.0μm。更详细地，滤色器层620的第一厚度t1可以是约2.7μm至3.0μm。在这种情况下，滤色器层620的第一厚度t1可以大于遮光层610的主体部分的厚度。考虑到滤色器层620的透光率，可以在上面的范围内恰当地(适当地)调节滤色器层620的厚度。

反射控制层630可以布置在滤色器层620上。反射控制层630可以可选地吸收在显示设备1内部反射的光或从显示设备1的外部入射的光的一些范围内的波长的光。在以下描述中，参照图9更详细地描述反射控制层630。

图9是示出根据实施例的反射控制层630的透光率的曲线图。

一起参照图5和图9，在图9中，反射控制层630看起来吸收480nm至500nm的第一波长范围的光和585nm至605nm的第二波长范围的光。在这种情况下，反射控制层630的透射光谱可以在第一波长范围和第二波长范围内具有40％或更小的透光率。例如，反射控制层630可以吸收第一有机发光二极管OLED1的红光波长范围、第二有机发光二极管OLED2的绿光波长范围和第三有机发光二极管OLED3的蓝光波长范围之外的波长的光。如此，由于反射控制层630吸收不属于第一有机发光二极管OLED1的红光波长范围、第二有机发光二极管OLED2的绿光波长范围和第三有机发光二极管OLED3的蓝光波长范围的波长的光，因此可以防止或减少显示设备1的亮度的降低，并且可以同时地(并发地)防止或减少显示设备1的发光效率的劣化，从而提高(增加)可视性。

在另一实施例中，与图9的曲线图不同，反射控制层630可以必须地吸收585nm至605nm的第二波长范围的光，并且可以可选地吸收480nm至500nm的第一波长范围的光。例如，反射控制层630可以不吸收第一波长范围的光，并且在一些情况下，为了调节最终光反射率，可以至少部分地吸收第一波长范围的光。在一些实施例中，反射控制层630可以可选地吸收不同的波长范围(例如，410nm至440nm)的光。

在实施例中，反射控制层630可以是包括染料、颜料或它们的组合的有机材料层。反射控制层630可以包括四氮杂卟啉(TAP)类化合物、卟啉类化合物、金属卟啉类化合物、噁嗪类化合物、方酸菁类化合物、三芳基甲烷类化合物、聚甲炔类化合物、蒽醌类化合物、酞菁类化合物、偶氮类化合物、苝类化合物、呫吨类化合物、二铵类化合物、二吡咯亚甲基类化合物、花菁类化合物和/或它们的组合。

例如，反射控制层630可以包括由化学式1至化学式4中的任何一个表示的化合物。化学式1至化学式4可以具有对应于上面描述的化合物的发色团结构。化学式1至化学式4是示例，但公开不限于这些示例。

化学式1

化学式2

化学式3

化学式4

在化学式1至化学式4中，

M表示金属，

X

R基团彼此相同或不同，并且可以均为未取代或取代有氢、氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基的C

未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C

Q

在实施例中，X

例如，X

在实施例中，在反射控制层630的表面上以包括镜面反射分量(SCI)模式测量的反射率可以是10％或更小。例如，由于反射控制层630吸收显示设备1的反射的外部光，因此可以提高(增加)可视性。

在根据实施例的显示设备1中，为了减少外部光的反射，不使用偏振膜，并且引入低反射层300和反射控制层630。

作为对比示例，当使用偏振膜(偏振器)来减少外部光的反射时，从第一有机发光二极管至第三有机发光二极管发射的光的透射率会因偏振膜而显著降低。当使用对应于每个像素的颜色的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器来减少外部光的反射时，会根据针对每个像素的不同的光的反射率来产生反射色带，并且由于大量的工艺，因此会增加工艺成本。

由于根据上面讨论的实施例的显示设备1包括通常应用于每个像素的低反射层300和反射控制层630，因此可以增加透光率，并且可以同时地(并发地)减少外部光的反射。此外，通过仅提供红色的滤色器层620，可以最大化(增加)发光效率，并且可以同时地(并发地)简化该工艺。

反射控制层630可以布置为遍及显示区域DA的整个表面，以覆盖滤色器层620和遮光层610。如上面描述的，与当滤色器层620仅对应于第一有机发光二极管OLED1布置时不同，反射控制层630可以布置为遍及第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。反射控制层630可以在第一有机发光二极管OLED1上方布置在滤色器层620上，并且反射控制层630可以在第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上方布置为覆盖遮光层610的开口610OP。因此，从第一有机发光二极管OLED1发射的光L1可以穿过滤色器层620和反射控制层630，并且分别从第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射的光L2和L3可以穿过反射控制层630。

在实施例中，反射控制层630可以具有约64％至72％的透光率。可以根据包括在反射控制层630中的颜料和/或染料的含量适当地调节反射控制层630的透光率。

图10和图11是根据实施例的显示设备1的一部分的示意性剖视图。

参照图10，滤色器层620的结构不同于上述实施例。在以下描述中，描述了滤色器层620的差异，并且在此不重复其冗余描述。

在实施例中，滤色器层620可以包括散射剂SP。滤色器层620可以包括由聚合物光敏树脂形成的基质MR，并且散射剂SP可以分散在滤色器层620的基质MR中。基质MR还可以包括除了聚合物光敏树脂之外的颜料和/或染料。

散射剂SP可以包括TiO

在实施例中，散射剂SP可以是球形(基本上球形)颗粒。公开不限于此，并且散射剂SP可以是椭圆形(基本上椭圆形)的或无定形(基本上无定形)的。

散射剂SP的平均直径可以是500nm或更小。例如，散射剂SP可以具有50nm或更大且500nm或更小的平均直径。散射剂SP的平均直径可以是例如通过对多个散射剂SP的剖面中的直径进行算术平均而获得的值。当散射剂SP的平均直径小于50nm时，为了在滤色器层620中展示散射效果，会增加散射剂SP的量，并且在这种情况下，会降低滤色器层620的透光率。此外，当散射剂SP的平均直径减小到小于50nm时，随着滤色器层620的相对亮度值根据视角的变化增加，根据视角的色差减小，使得可能无法获得提高(增加)显示质量的效果。此外，当散射剂SP的平均直径超过500nm时，由于颗粒的相对大的尺寸，会在滤色器层620的形成期间确定膜性质。此外，当散射剂SP的平均直径超过500nm时，在制造工艺中，用于形成滤色器层620的树脂可能难以从喷嘴喷射。

如上面描述的，根据实施例的滤色器层620可以包括散射剂SP以最小化(减小)前侧亮度的减小并且还减小根据视角的亮度差。因此，可以改善根据视角的显示质量差异。

参照图11，示出了对应于实施例的一个像素的堆叠结构。图11示出了结合滤色器层620的厚度与上述实施例的不同之处。在以下描述中，描述了滤色器层620的差异，并且在此不重复其冗余描述。

在实施例中，滤色器层620可以具有第二厚度t2。图5中的滤色器层620的第一厚度t1可以是约0.9μm至3.0μm。更详细地，滤色器层620的第二厚度t2可以是约0.9μm至1.5μm。与图5的滤色器层620的第一厚度t1相比，这减少了约50％-70％。在这种情况下，滤色器层620的第二厚度t2可以小于遮光层610的主体部分的厚度。

如此，通过调节滤色器层620的厚度，诸如蓝光的短波长范围的光的透光率可以略微增加(例如，增加约15％)。然而，这不影响滤色器层620的特性，而是可以通过对应于增加的透光率的光来增加相同反射率下的发光效率。根据实施例的显示设备1的滤色器层620的透光率可以在红色波长范围内为70％或更大，并且可以在绿色波长范围和蓝色波长范围内为50％或更小。这可以通过下面描述的表1中的实施例2来确认。

图12是示出根据对比示例1的第一像素、第二像素和第三像素中的每个的反射光谱的曲线图。图13是示出根据实施例的第一像素的反射光谱的曲线图。

参照图12的曲线图，测量了滤色器层620和反射控制层630未应用到其的对比示例1的反射光谱。在图12中，测量了用于发射红光的红色像素R'、用于发射绿光的绿色像素G'和用于发射蓝光的蓝色像素B'中的每个。

对比示例1包括上面在图5中描述的低反射层300。在图12中，可以确认的是，绿色像素G'和蓝色像素B'在除了绿色波长范围和蓝色波长范围之外的区域中具有低反射率，而红色像素R'相对于约400nm至550nm的波长范围(特别是蓝光波长范围)内的红光具有高反射率。从在蓝光波长范围内具有高反射率的红色像素R'发射的光可以用作降低显示区域DA中的发光效率的因素。

因此，参照图13的曲线图，基于用于发射红光的第一有机发光二极管，测量了根据图12的对比示例1的红色像素R'、根据实施例1的红色像素R1和根据实施例2的红色像素R2中的每个的反射光谱。

针对根据对比示例1的红色像素R'，如上面参照图12描述的，可以确认的是，红光的反射率在约400nm至550nm的波长范围(例如，蓝光波长范围)内高。

在实施例1和实施例2中，设置了低反射层300、滤色器层620和反射控制层630。在实施例1中，滤色器层620的厚度为约2.7μm至3.0μm，并且在实施例2中，滤色器层620的厚度为约0.9μm至1.5μm。如在实施例1和实施例2中，当滤色器层620和反射控制层630设置在低反射层300上方时，可以确认的是，实施例1的红色像素R1和实施例2的红色像素R2两者的反射率在约580nm或更小的波长范围内减少到约5％。如此，通过在用于发射红光的第一有机发光二极管OLED1上方设置滤色器层620和反射控制层630，降低了红光在约580nm或更小(更详细地，400nm至550nm)的波长范围内的反射率，使得可以提高显示设备1的发光效率。

表1

参照表1，示出了对比示例2、实施例1和实施例2在相同反射率下的效率比。实施例1和实施例2与上面在图13中描述的实施例1和实施例2相同。对比示例2是包括低反射层300和反射控制层但滤色器层620未应用到其的结构。

可以看出的是，相对于5.30％的反射率，针对对比示例2，与采用偏振膜(偏振器)的结构相比，效率增加到125.6％。相反，可以看出的是，针对对应于第一红色像素应用了滤色器层620的实施例1和实施例2，与采用偏振膜(偏振器)的结构相比，效率分别提高到135.5％和137.5％。这确认的是，与对比示例2相比，增加了约10％的效率。

表2

参照表2，示出了针对对比示例2、实施例1和实施例2在相同反射率下的(针对每个波长范围的)透光率。

根据实施例的显示设备1的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以分别发射红光、绿光和蓝光。在这种状态下，蓝光的最大峰值波长可以是约460nm，绿光的最大峰值波长可以是约550nm，并且红光的最大峰值波长可以是约650nm。

根据实施例的显示设备1的滤色器层620的透光率可以在红色波长范围内为65％或更大，并且可以在绿色波长范围和蓝色波长范围内为30％或更小。

反射控制层630可以具有约64％至72％的透光率。更详细地，反射控制层630可以在蓝光的最大峰值波长下具有约76％至90％的透光率，在绿光的最大峰值波长下具有约66％至72％的透光率，并且在红光的最大峰值波长下具有约79％至86％的透光率。

对比示例2假设为具有其中未设置滤色器层620的结构，例如，在用于发射红色波长的光的第一有机发光二极管上方不布置滤色器层620而仅布置反射控制层。在这种情况下，由于滤色器层620吸收除了红色波长之外的波长的光，因此反射控制层会必须地包括比根据实施例的反射控制层630更多的颜料和/或染料。针对对比示例2，反射控制层可以具有约60％至64％的透光率。根据实施例的反射控制层630具有约64％至72％的透光率，因此可以确认的是，与对比示例2相比，提高了透光率。可以通过这种透光率的提高来提高显示设备1的发光效率。

根据上述实施例，可以通过减少外部光的反射来实现具有提高的可视性的显示设备。公开的范围不受上面的效果的限制。

应该理解的是，在此描述的实施例应该仅在描述性含义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在此进行形式和细节上的各种合适的改变。