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银纳米线分散液、含银纳米线的导电体及含银纳米线的导电性层叠体

文献发布时间:2023-06-19 19:30:30



技术领域

本发明涉及一种以包含特定螯合剂为特征的银纳米线分散液、包含特定螯合剂的含银纳米线的导电体及含银纳米线的导电性层叠体。

背景技术

近年来,液晶显示器、等离子显示器、有机电致发光显示器或电子纸等显示设备、触摸屏等输入传感器、薄膜型非晶Si太阳能电池或染料敏化太阳能电池等利用太阳光的太阳能电池等的利用增加,作为这些设备中必需的构件的透明导电膜的需求也增加。

作为所述透明导电膜的材料,以往主要使用氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)。使用ITO的薄膜虽可获得高透明性以及高导电性,但一般通过溅射装置或蒸镀装置来制作,因此在生产速度或制造成本的方面存在问题。进而,由于作为ITO的原料的铟是稳定供给被视为问题的稀有金属,因此要求开发ITO的替代材料。

作为代替ITO的透明导电膜的材料而受到关注的材料之一可列举金属纳米线。金属纳米线由于其直径小,因此在可见光区域的光透过性高,因此能够作为透明导电膜来应用。特别是使用银纳米线的透明导电膜由于具有高导电性以及稳定性,因此受到关注。

在使用银纳米线的透明导电膜中,一般银纳米线的直径越小则越可抑制光的散射,因此膜的光学特性提高。由此,研究了更细的银纳米线的制造方法,例如在专利文献1中,报告了平均直径未满30nm的银纳米线的制造方法及使用所述银纳米线的低雾度透明导体。

然而,可知如专利文献1中获得的银纳米线由于直径非常小,因此不稳定,例如,产生银纳米线的分散液由于经时变化而逐渐副产生银的微粒的问题。此种银的微粒在涂敷有银纳米线的膜中散射光,而导致膜的光学特性变差。因此,要求一种解决此种问题的方法。

对于提高银纳米线的稳定性的添加剂,提出了若干方案,例如在专利文献2中,报告了通过使用吡啶-酮化合物,可抑制涂敷有银纳米线的膜的表面电阻值的上升。在专利文献3中,报告了通过使用具有特定的相互作用电位的杂环化合物,银纳米线涂布物的热稳定性提高。此外,也报告了若干涂敷有银纳米线的导电膜的针对光或高温高湿条件而言的稳定化剂(例如,专利文献4~专利文献8),但关于在银纳米线的分散液的状态下抑制银微粒产生的添加剂却不为人知。

另外,已知在使用银纳米线的导电材料中,由于电场的施加,以迁移为代表的银纳米线的劣化加剧,可确认到实际上在施加电场时在阳极侧因银纳米线的粒子化而导致劣化加剧。因此,正在开发一种防止因施加电场而导致银纳米线劣化的方法。例如在专利文献9中,通过在银的表面镀敷不同的金属来提高耐久性,但需要另外实施镀敷的工序,而存在工序变得繁杂的问题。在专利文献10中,报告了通过在银纳米线油墨中调配具有脲键的低分子化合物,耐迁移性提高,但仅是短路的有无的评价,因此,要求一种通过简便的方法可抑制在阳极侧的银纳米线的粒子化的方法。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1:日本专利特表2013-517603号公报

专利文献2:美国专利申请公开第2014/0255708号公报

专利文献3:日本专利特开2010-086714号公报

专利文献4:美国专利申请公开第2015/0270024号公报

专利文献5:日本专利特开2016-001608号公报

专利文献6:日本专利特表2016-515280号公报

专利文献7:日本专利再表2018-008464号公报

专利文献8:日本专利再表2018-116501号公报

专利文献9:日本专利特开2013-151752号公报

专利文献10:日本专利再表2019-198494号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

鉴于所述现有技术中的课题,本发明的课题在于提供一种与现有方法相比在银纳米线的分散液中可抑制银微粒的产生的方法、以及利用简便的方法抑制银纳米线在阳极侧的粒子化。

[解决问题的技术手段]

本发明者为解决所述课题进行了努力研究,结果发现通过使银纳米线与特定的螯合剂共存,可解决所述课题,从而完成了本发明。

即,本发明为

<1>一种银纳米线分散液,包含银纳米线、分散溶媒以及螯合剂,银纳米线的平均直径为100nm以下,所述银纳米线分散液的特征在于,相对于银纳米线的含量而包含0.1μmol/g~1000μmol/g的螯合剂,并且螯合剂为分子内具有至少一个亚胺骨架的芳香族杂环化合物中选自1,10-菲咯啉、8位经羟基或氨基取代的喹啉、2,2′-联吡啶、联唑(其中,唑为咪唑、噻唑、噁唑中的任一种)及这些的衍生物的群组中的至少一种,

<2>根据所述<1>所述的银纳米线分散液,其中,螯合剂为选自通式(1)~通式(4)的群组中的至少一种,

〔通式(1)〕

[化1]

(其中,通式(1)中,L表示羟基或氨基,R

〔通式(2)〕

[化2]

(其中,通式(2)中,R

〔通式(3)〕

[化3]

(其中,通式(3)中,R

〔通式(4)〕

Z

(其中,通式(4)中,Z

〔通式(5)〕

[化4]

(其中,通式(5)中,X

〔通式(6)〕

[化5]

(其中,通式(6)中,X

<3>根据所述<1>或<2>所述的银纳米线分散液,其中,相对于银纳米线的含量,螯合剂的含量为1μmol/g~300μmol/g,

<4>根据所述<1>至<3>中任一项所述的银纳米线分散液,其中,螯合剂为选自1,10-菲咯啉、新亚铜试剂、红菲咯啉(bathophenanthroline)及其磺酸钠盐、2,2′-联吡啶、8-羟基喹啉、8-氨基喹啉、2-(4-噻唑基)苯并咪唑的群组中的至少一种,

<5>根据所述<1>至<4>中任一项所述的银纳米线分散液,其中,银纳米线的平均直径为30nm以下,

<6>根据所述<1>至<5>中任一项所述的银纳米线分散液,其中,银纳米线的浓度为0.01质量%~3质量%,

<7>根据所述<1>至<6>中任一项所述的银纳米线分散液,还包含选自具有酰胺键的高分子或多糖类中的高分子化合物,高分子化合物的浓度为0.02质量%~1质量%,

<8>根据所述<1>至<7>中任一项所述的银纳米线分散液,其中,分散溶媒包含水或碳数1~3的一元醇类中的任一者,水或碳数1~3的一元醇类在分散溶媒中所占的含量为85质量%以上,

<9>一种含银纳米线的导电体,为具有基板以及至少一个含银纳米线的导电层的导电体,其特征在于,进而在导电层中相对于银纳米线的含量而包含0.1μmol/g~1000μmol/g的螯合剂,螯合剂为分子内具有至少一个亚胺骨架的芳香族杂环化合物中选自1,10-菲咯啉、8位经羟基或氨基取代的喹啉、2,2′-联吡啶、联唑(其中,唑为咪唑、噻唑、噁唑中的任一种)及这些的衍生物的群组中的至少一种,

<10>根据所述<9>所述的含银纳米线的导电体,其中,导电层的薄层电阻为1Ω/□~100Ω/□,

<11>根据所述<9>或<10>所述的含银纳米线的导电体,进而Δ雾度未满1.5%,

<12>一种含银纳米线的导电性层叠体,为具有基板、含银纳米线的导电层以及包含螯合剂的保护层的导电性层叠体,其特征在于,螯合剂为分子内具有至少一个亚胺骨架的芳香族杂环化合物中选自1,10-菲咯啉、8位经羟基或氨基取代的喹啉、2,2′-联吡啶、联唑(其中,唑为咪唑、噻唑、噁唑中的任一种)及这些的衍生物的群组中的至少一种,

<13>根据所述<12>所述的含银纳米线的导电性层叠体,其中,在保护层中存在0.05质量%~5质量%的螯合剂。

[发明的效果]

根据本发明,通过使用特定的螯合剂,与现有方法相比,可抑制自银纳米线的分散液中产生作为光学特性变差的原因的微粒,进而,若使用本发明中使用的螯合剂,则也可抑制含银纳米线的导电层在施加电场时的粒子化。

附图说明

具体实施方式

以下,对本发明进行详细说明。

[银纳米线]

本发明的“银纳米线”是指直径未满1μm、纵横尺寸比(长轴长度/直径)为2以上的银结构体。另外,本发明中的“微粒”是指直径未满1μm、纵横尺寸比(长轴长度/直径)未满2的结构体。

[银纳米线的直径]

在使用银纳米线作为透明导电膜的情况下,为了提高透明性,有利的是线的平均直径小,而优选。本发明中的“银纳米线的直径”是指使用扫描式电子显微镜(SEM(scanningelectron microscope);日本电子股份有限公司制造,JSM-5610LV)测量出的直径。另外,“银纳米线的平均直径”是指对100个以上的银纳米线进行观察并测量出的直径的平均值。在本发明中,作为银纳米线的平均直径,优选为100nm以下,更优选为40nm以下,进而优选为30nm以下,特别优选为25nm以下。

[银纳米线的长轴长度]

含有银纳米线的透明导电膜通过银纳米线相互接触,三维导电网络结构在空间上广泛分布而形成,从而表现出导电性,因此就导电性的观点而言,优选为纳米线的平均长轴长度长。另一方面,由于过长的纳米线容易缠绕,因此就分散稳定性的观点而言,优选为短的纳米线。本发明中的“银纳米线的长轴长度”是指使用暗视野显微镜(商品名:BX51,奥林巴斯(Olympus)(股)制造)对银纳米线进行摄影并使用图像处理软件(商品名:图像-普劳帕米尔(Image-Pro Premier),媒体控制论公司(Media Cybemetics,Inc)制造)算出的值。另外,“银纳米线的平均长轴长度”是指对1000个以上的银纳米线进行观察并测量出的长轴长度的平均值。在本发明中,作为银纳米线的平均长轴长度,优选为1μm~100μm,更优选为5μm~30μm,进而优选为7μm~20μm。

[银纳米线的制造方法]

本发明中使用的银纳米线的制造方法并无特别限制,可使用通过公知的制造方法获得的银纳米线。其中,优选为使用通过在多元醇中在成长控制剂以及卤化物盐的存在下将银盐还原而获得银纳米线的制造方法。

[多元醇]

作为所述多元醇,只要为可还原银离子的化合物则并无特别限制,可根据目的自具有两个以上羟基的化合物中适宜选择至少一种。作为具体例,可列举:乙二醇、丙二醇、丁二醇、二乙二醇等二醇类,甘油等三醇类等。这些中,就为液体或成长控制剂的溶解容易性等的方面而言,优选为碳数为1~5的饱和烃的二醇、碳数为1~5的饱和烃的三醇。其中,更优选为使用乙二醇、1,2-丙二醇(丙二醇(Propylene glycol)),1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、甘油,进而优选为使用丙二醇。

[成长控制剂]

所述成长控制剂并无特别限制,可根据目的适宜选择至少一种聚合物。作为具体的例子,为聚乙烯吡咯烷酮、聚(甲基)丙烯酰胺、聚N取代(甲基)丙烯酰胺、聚(甲基)丙烯酸及其衍生物、聚乙烯醇或它们的共聚物。这些中,优选为具有酰胺骨架的聚合物,更优选为聚乙烯吡咯烷酮、聚N取代(甲基)丙烯酰胺或它们的共聚物,进而优选为聚乙烯吡咯烷酮。此处使用的N取代(甲基)丙烯酰胺只要为(甲基)丙烯酰胺的N位的氢原子经一个以上烷基、羟基烷基、芳基、烷氧基烷基等官能基取代而成的化合物,则并无特别限定。

[卤化物盐]

所述卤化物盐只要为通过将无机盐或者有机盐溶解于极性溶媒中而离解卤化物离子的化合物,则并无特别限制,可根据目的适宜选择至少一种。作为卤化物盐的具体例,可列举:氯化锂、氯化钠、氯化钾、溴化钠、溴化钾等碱金属卤化物,氯化镁、氯化钙、溴化镁等碱土类金属卤化物,氯化铝等土类金属卤化物,氯化锌等锌族金属卤化物,氯化锡等碳族金属卤化物,氯化铁、溴化铁、氯化镍、氯氧化锆等过渡金属卤化物,三乙胺盐酸盐,二甲基乙醇胺盐酸盐等胺盐酸盐,氯化铵、溴化铵、四丁基氯化铵、四丁基溴化铵、苄基三乙基氯化铵等铵盐卤化物,四丁基氯化鏻等鏻盐卤化物等。这些可单独使用,也可组合使用两种以上。特别是通过使用氯化物盐,银纳米线的产率变高,因此优选为使用氯化物盐,通过使用溴化物盐,可获得直径更小的银纳米线,因此更优选为同时使用氯化物盐以及溴化物盐。作为氯化物盐,优选为使用氯化锂、氯化钠、氯化钾、氧氯化锆、氯化铵、苄基三乙基氯化铵,进而优选为使用氯化钠。作为溴化物盐,优选为使用溴化钠、溴化钾、溴化铵、四丁基溴化铵、进而优选为使用溴化钠。

[银盐]

作为所述银盐,只要为被多元醇还原的银化合物,则并无特别限制,可根据目的适宜选择至少一种。作为具体的例子,可列举:硝酸银、硫酸银、氨基磺酸银、氯酸银、高氯酸银等无机酸盐类,乙酸银、乳酸银等有机酸盐类。这些中,优选为使用硝酸银。此外,所述卤化物盐与银盐也可并用同一物质。作为此种化合物,例如可列举氯化银或溴化银。

[银纳米线的精制]

通过所述银纳米线的制造方法获得的银纳米线优选为通过离心法、过滤法、倾泻法、淘洗法、利用溶媒沉淀后再分散处理的方法等的现有公知的方法对反应液进行精制后使用分散溶媒制成银纳米线分散液。

[银纳米线分散液]

本发明的银纳米线分散液是银纳米线分散在分散溶媒中的分散液。在不阻碍发明的效果的程度下,在所述银纳米线分散液中可根据需要并用各种添加剂。作为添加剂的具体例,可列举表面活性剂或高分子化合物。

[银纳米线分散液的浓度]

本发明中使用的银纳米线分散液的银纳米线浓度可任意设定,就分散稳定性的观点而言,优选为10质量%以下,更优选为5质量%以下,进而优选为3质量%以下,特别优选为1质量%以下。另外,在银纳米线浓度极薄的情况下,为了在涂敷时达到目标电阻值,需要提高涂敷厚度、或需要多次涂敷等,使用时的工时增加,因此就生产性的观点而言,优选为0.005质量%以上,更优选为0.01质量%以上,进而优选为0.05质量%以上。

[银纳米线分散液的稀释液的雾度]

通过对特定浓度的银纳米线分散液的雾度进行测定,可估计将银纳米线分散液制成涂膜时的光散射的程度。本发明中的“银纳米线分散液的稀释液的雾度”是指,将银纳米线分散液利用离子交换水使银浓度为0.0015%而得的稀释液放入光路长度为1cm的池(cell)内并使用NDH5000(日本电色工业(股)制造)对雾度进行测定而得的值。就对分散液进行制膜时的透明性的观点而言,银纳米线分散液的稀释液的雾度优选为未满10.0%,更优选为未满5.0%,进而优选为未满3.0%,特别优选为未满2.6%。

[分散溶媒]

本发明中使用的分散溶媒只要为能够分散银纳米线、并且使高分子化合物等银纳米线分散液中所含的其他成分溶解的化合物即可。另外,由于银纳米线分散液也可用于制成含银纳米线的导电层,因此分散溶媒优选为通过在成膜时蒸发包含银纳米线的导电层而形成均匀涂膜的化合物。作为具体例,可列举:水、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-2-丙醇、二丙酮醇等醇类,乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、甘油等多元醇类,乙二醇单丁基醚、丙二醇单甲基醚等二醇醚类,乙二醇二甲基醚等乙二醇二甲醚类,乙二醇单甲基醚乙酸酯等二醇醚酯类,乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯类,丙酮、甲基乙基酮等酮类,甲苯等芳香族类、及包含它们的两种以上的溶媒。其中,就银纳米线的分散性的观点而言,优选为使用极性溶媒。其中,水或碳数1~3的一元醇类在分散溶媒中所占的含量优选为50质量%以上,更优选为75质量%以上,进而优选为85质量%以上。

[螯合剂]

螯合剂是指具有可在同一分子内的至少两处不同位置相对于某一个金属中心而配位的能力的化合物。本发明中,将螯合剂中分子内具有至少一个亚胺骨架的特定的芳香族杂环化合物与银纳米线一起使用。具有亚胺骨架的芳香族杂环是形成苯或呋喃等芳香环的环的至少一个碳经取代为氮的芳香环,具体而言,可列举吡啶或噁唑等。本发明中使用的螯合剂是通过具有至少一个亚胺骨架的芳香族杂环的亚胺型氮以及至少一个杂原子能够进行螯合配位的化合物。认为具有含有亚胺骨架的芳香族杂环结构的螯合剂通过杂环结构中所含的亚胺型氮对银的适度配位能力以及基于螯合效果的稳定化而发挥发明的效果。具有配位能力的亚胺型氮与另一个杂原子的位置关系也重要,优选为在芳香族杂环的从亚胺型氮离开三个键的位置配置另一个具有配位能力的杂原子,而可采用螯合结构的化合物。其中,螯合剂的结构优选为固定为能够进行螯合配位的结构。另外,另一个具有杂原子的官能基也重要,必须为羟基、氨基、亚胺型氮中的任一者。这些中,就对银的亲和性的观点而言,优选为氨基或亚胺型氮,更优选为亚胺型氮。由此,本发明中可使用的螯合剂所具有的具有亚胺骨架的芳香族杂环为选自1,10-菲咯啉、8位经羟基或氨基取代的喹啉、2,2′-联吡啶、联唑(其中,唑为咪唑、噻唑、噁唑中的任一种)及这些的衍生物的群组中的至少一种。以下对具有各芳香族杂环结构的螯合剂进行详细说明。

1,10-菲咯啉及其衍生物是由于1,10-菲咯啉骨架的可进行螯合配位的两个杂原子均为亚胺型氮、并且固定为进行螯合配位的结构而最优选地使用的化合物群组。作为1,10-菲咯啉及其衍生物的可优选地使用的例子,可列举下述通式(7)所表示的化合物。

〔通式(7)〕

[化6]

(其中,通式(7)中,R

作为这些1,10-菲咯啉及其衍生物的具体例,可列举:1,10-菲咯啉、新亚铜试剂、2,9-二丁基-1,10-菲咯啉、4,7-二甲基-1,10-菲咯啉、3,4,7,8-四甲基-1,10-菲咯啉、2,9-二氯-1,10-菲咯啉、4,7-二氯-1,10-菲咯啉、红菲咯啉及其磺酸钠盐、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(bathocuproin)及其磺酸钠盐等。其中,就获取容易性的观点而言,优选为使用1,10-菲咯啉、新亚铜试剂、红菲咯啉及其磺酸钠盐,更优选为使用1,10-菲咯啉。另外,就配位性官能基附近的取代基越小,则位阻越缓和,对与银的相互作用有利而言,通式(7)中的R

8位经羟基或氨基取代的喹啉及其衍生物可采用基于亚胺型氮与羟基或氨基的螯合结构,是固定为进行螯合配位的结构的化合物。作为喹啉及其衍生物的可优选地使用的例子,可列举下述通式(8)所表示的化合物。

〔通式(8)〕

[化7]

(其中,通式(8)中,L表示羟基或氨基,R

作为8位经羟基或氨基取代的喹啉及其衍生物的具体例,可列举:8-羟基喹啉、8-羟基-2-甲基喹啉、8-羟基-2-丙基喹啉、5-氟-8-羟基喹啉、5-氯-8-羟基喹啉、7-溴-5-氯-8-羟基喹啉、8-氨基喹啉、8-氨基-2-甲基喹啉等。其中,就获取容易性的观点而言,优选为使用8-羟基喹啉、8-羟基-2-甲基喹啉、5-氯-8-羟基喹啉、8-氨基喹啉,更优选为使用8-羟基喹啉、8-氨基喹啉。另外,就配位性官能基附近的取代基越小,则位阻越缓和,对与银的相互作用有利而言,通式(8)中的R

在2,2′-联吡啶及其衍生物中,2,2′-联吡啶骨架的吡啶基彼此通过一个单键连接,因此能够以所述键结轴为中心自由旋转,因此虽进行螯合配位的结构未被固定,但可进行螯合配位的两个杂原子均为亚胺型氮,而可优选地使用。作为2,2′-联吡啶及其衍生物的可优选地使用的例子,可列举下述通式(9)所表示的化合物。

〔通式(9)〕

[化8]

/>

(其中,通式(9)中,R

作为这些2,2′-联吡啶及其衍生物的具体例,可列举:2,2′-联吡啶、4,4′-二甲基-2,2′-联吡啶、5,5′-二甲基-2,2′-联吡啶、6,6′-二甲基-2,2′-联吡啶、4,4′-二溴-2,2′-联吡啶、6,6′-二溴-2,2′-联吡啶、4,4′-二-叔丁基-2,2′-联吡啶等。其中,就获取容易性的观点而言,优选为使用2,2′-联吡啶。另外,就配位性官能基附近的取代基越小,则位阻越缓和,对与银的相互作用有利而言,通式(9)中的R

一般而言,所谓联唑,是两个唑通过单键键结的化合物,本发明中所提及的联唑是指各个唑(其中,唑为咪唑、噻唑、噁唑中的任一者)在2位或4位与另一个唑键结而形成联唑骨架的化合物。在联唑及其衍生物中,联唑骨架的唑基彼此通过一个单键连接,因此能够以所述键结轴为中心自由旋转,因此与2,2′-联吡啶同样地进行螯合配位的结构未被固定。然而,与6员环彼此进行单键键结的2,2′-联吡啶相比较,5员环彼此进行单键键结的联唑在两个环取共平面而采用对于进行螯合配位而言优选的结构时,两个环彼此的位阻小,因此对于进行螯合配位而言更优选的结构可稳定地存在,因此可更优选地使用2,2′-联吡啶及其衍生物。进而,由于可进行螯合配位的两个杂原子均为亚胺型氮,因此可优选地使用。作为联唑及其衍生物的可优选地使用的例子,可列举下述通式(10)所表示的化合物。

〔通式(10)〕

Z

(其中,通式(10)中,Z

〔通式(11)〕

[化9]

(其中,通式(11)中,X

其中,就配位性官能基附近的取代基越小,则位阻越缓和,对与银的相互作用有利而言,通式(11)中的R

〔通式(12)〕

[化10]

(其中,通式(12)中,X

其中,就配位性官能基附近的取代基越小,则位阻越缓和,对与银的相互作用有利而言,通式(12)中的R

作为这些联唑及其衍生物的具体例,可列举:2-(4-噻唑基)苯并咪唑、2,2′-联咪唑、2,2′-双-(4,5-二甲基咪唑)、2,2′-二甲基-4,4′-联噻唑等。其中,就获取容易性的观点而言,优选为使用2-(4-噻唑基)苯并咪唑。

[银纳米线分散液中的螯合剂的含量]

通过将本发明中规定的螯合剂添加至银纳米线的分散液中,可抑制银纳米线分散液随时间产生微粒。本发明中使用的螯合剂的量越多,则越可抑制微粒的产生,因此银纳米线分散液中所含的螯合剂需要相对于银纳米线而使用0.1μmol/g以上。其中,优选为0.5μmol/g以上,更优选为1μmol/g以上,进而优选为2μmol/g以上,特别优选为5μmol/g以上。另一方面,就银纳米线的分散性或导电性的观点而言,螯合剂的使用量优选为少。因此,所使用的螯合剂的量相对于银纳米线而优选为1000μmol/g以下,更优选为300μmol/g以下,进而优选为100μmol/g以下。

[高分子化合物]

出于提高银纳米线的分散稳定性或涂敷适应性的目的,优选为在本发明的银纳米线分散液中添加高分子化合物。作为高分子化合物的具体例,可列举:甲基纤维素、乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素、硝酸纤维素、乙酸纤维素、瓜尔胶、黄原胶、罗望子胶、车前子胶、印度树胶(ghatti gum)、刺槐豆胶、羟乙基瓜尔胶、羟丙基瓜尔胶等多糖类及其衍生物,聚(甲基)丙烯酸树脂,聚氨基甲酸酯树脂,聚酯树脂,醇酸树脂,环氧树脂,乙烯乙酸乙烯酯树脂,聚乙烯吡咯烷酮等聚-N-乙烯基化合物,聚(甲基)丙烯酰胺,聚N取代(甲基)丙烯酰胺,聚乙烯醇及其衍生物等。其中,优选为使用多糖类及其衍生物或具有酰胺键的高分子。在多糖类及其衍生物中,优选为甲基纤维素、乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羟丙基甲基纤维素,更优选为羟丙基甲基纤维素。在具有酰胺键的高分子中,优选为使用聚N取代(甲基)丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮,更优选为聚乙烯吡咯烷酮。

[高分子化合物的浓度]

就提高银纳米线的分散性或涂敷适应性的观点而言,银纳米线分散液中所含的高分子化合物的浓度优选为0.005质量%以上,更优选为0.02质量%以上,进而优选为0.05质量%以上。另外,就涂膜的导电性的观点而言,高分子化合物的含量优选为5质量%以下,更优选为1质量%以下,进而优选为0.4质量%以下。

[使用银纳米线分散液的含银纳米线的导电层的制膜]

本发明的银纳米线分散液例如可用于含银纳米线的导电层的形成,通过利用公知的方法涂布在基板上而获得含银纳米线的导电层。作为涂布方法的具体例,可列举:旋涂法、狭缝涂布法、浸涂法、刮刀涂布法、棒涂法、喷涂法、凸版印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、平板印刷法、分配法及喷墨法等。另外,也可使用这些涂布方法反复涂布多次。

[含银纳米线的导电体]

含银纳米线的导电体是具有基板以及含银纳米线的导电层的导电体。

[含银纳米线的导电性层叠体]

含银纳米线的导电性层叠体是具有至少各一层的基板、含银纳米线的导电层以及保护层的层叠体。含银纳米线的导电层可对银纳米线分散液进行制膜而制成。另外,保护层可对保护层形成用树脂组合物进行制膜而制成。在本发明中,含银纳米线的导电层和/或保护层中可包含螯合剂,通过在含银纳米线的导电层和/或保护层的至少一者中包含本发明中规定的螯合剂,可抑制施加电场时银纳米线的粒子化。

[层叠方法]

含银纳米线的导电性层叠体的制造方法并无特别限定。例如,可列举如下方法等:通过在基材上对银纳米线分散液进行制膜而形成含银纳米线的导电层,进而在其上表面形成保护层;或者在基材上预先形成保护层,在其上依次形成含银纳米线的导电层、保护层。

[基板]

基板可根据用途适宜选择,可坚硬,也可容易弯曲。另外,也可被着色。本发明的基板只要为利用公知的方法获得的或者市售品的基板,则可无特别限制地使用。作为基板材料的具体例,可列举:玻璃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚烯烃、聚氯乙烯。在基板上还可形成有机功能性材料及无机功能性材料。另外,也可层叠多个基板。

[含银纳米线的导电层]

含银纳米线的导电层是包含银纳米线的层。含银纳米线的导电层可对银纳米线分散液进行制膜而制成。银纳米线分散液可使用公知的分散液,但优选为包含本发明中规定的螯合剂。

[含银纳米线的导电层的薄层电阻]

含银纳米线的导电层的薄层电阻用作含银纳米线的导电体或含银纳米线的导电性层叠体的导电性的指标。含银纳米线的导电层的薄层电阻可通过使所述导电层中所含的银纳米线的量变化而根据使用的用途任意地设定。作为可优选地使用的薄层电阻的范围,为0.1Ω/□~1000Ω/□,更优选为1Ω/□~100Ω/□。

[保护层]

保护层由保护层形成用树脂组合物形成,主要是出于物理性、化学性保护含银纳米线的导电层的目的而设置。保护层可与含银纳米线的导电层邻接地设置,也可在保护层与导电层之间具有多层。就对含银纳米线的导电层进行保护的观点而言,保护层优选为与含银纳米线的导电层邻接地配置。

[保护层形成用树脂组合物]

保护层形成用树脂组合物是包含光聚合引发剂和/或热聚合引发剂、以及聚合性单体和/或大分子单体的组合物。保护层形成用树脂组合物中,可进而根据需要包含螯合剂、耐候性提高剂、溶媒、硬化助剂以及后述的其他添加剂。本发明中,通过使用包含本发明中规定的螯合剂的保护层形成用树脂组合物来形成含银纳米线的导电性层叠体的保护层,可抑制施加电场时银纳米线的粒子化。

[保护层的制膜]

作为保护层形成用树脂组合物的涂布方法,可使用公知的涂布方法。作为涂布方法的具体例,可列举:旋涂法、狭缝涂布法、浸涂法、刮刀涂布法、棒涂法、喷涂法、凸版印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、平板印刷法、分配法及喷墨法等。另外,也可使用这些涂布方法反复涂布多次。

[保护层中的螯合剂的含量]

通过将本发明中规定的螯合剂添加至含银纳米线的导电性层叠体中,可抑制施加电场时银纳米线的粒子化。含银纳米线的导电性层叠体的保护层中使用的螯合剂的量越多,越可抑制粒子化,因此保护层中所含的螯合剂优选为0.01质量%以上,更优选为0.05质量%以上,进而优选为0.1质量%以上,特别优选为0.2质量%以上。另一方面,就导电性的观点而言,认为螯合剂的使用量优选为少。由此,保护层中所含的螯合剂的量优选为15质量%以下,更优选为7质量%以下,进而优选为5质量%以下,特别优选为2质量%以下。保护层中所含的螯合剂的量可由相对于保护层形成用树脂组合物中所含的成分中除溶媒以外的成分的量而言的螯合剂的量求出。

[光聚合引发剂]

光聚合引发剂并无特别限定,可为利用公知的方法获得的、或者市售品的光聚合引发剂。作为光聚合引发剂的具体例,可列举:1-羟基环己基苯基酮、二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、苯甲酰基苯甲酸、苯甲酰基苯甲酸甲酯、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(4-吗啉基)-1-丙酮、呫吨酮、蒽醌、2-甲基蒽醌等。这些可使用一种或组合使用两种以上。

[热聚合引发剂]

热聚合引发剂并无特别限定,可为利用公知的方法获得的、或者市售品的热聚合引发剂。作为热聚合引发剂的具体例,可列举:过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾等过硫酸盐类;叔丁基过氧化氢、枯烯过氧化氢、过氧化苯甲酰、过氧化月桂酰等过氧化物类;由过硫酸盐类或过氧化物类与亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、硫代硫酸盐、甲醛次硫酸钠、硫酸亚铁、硫酸亚铁铵、葡萄糖、抗坏血酸等还原剂组合形成的氧化还原引发剂;2,2′-偶氮双异丁腈、2,2′-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2′-偶氮双(2-甲基丁腈)、2,2′-偶氮双(2-甲基丙酸)二甲酯、2,2′-偶氮双(2-脒基丙烷)二盐酸盐等偶氮化合物类。这些可使用一种或组合使用两种以上。

[聚合性单体及大分子单体]

作为聚合性单体及大分子单体,只要为通过可见光、或紫外线或电子束之类的电离放射线的照射而直接或受到引发剂的作用而发生聚合反应的单体及大分子单体,则可无特别限定地使用。作为一分子中具有一个聚合性不饱和基的聚合性单体的具体例,可列举:(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、甲氧基-二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基-三乙二醇(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯类;(甲基)烯丙醇、甘油单(甲基)烯丙基醚等(甲基)烯丙基化合物;苯乙烯、甲基苯乙烯、丁基苯乙烯等芳香族乙烯类;乙酸乙烯酯等羧酸乙烯酯类;(甲基)丙烯酰胺、N-环己基(甲基)丙烯酰胺、N-苯基(甲基)丙烯酰胺、N-(2-羟基乙基)(甲基)丙烯酰胺等(甲基)丙烯酰胺类。另外,作为一分子中具有两个以上聚合性不饱和基的聚合性单体的具体例,可列举:聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性双酚A二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性异氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯等。作为大分子单体的具体例,可使用每一分子平均具有一个以上聚合性不饱和基的聚合性氨基甲酸酯丙烯酸酯树脂、聚合性聚氨基甲酸酯树脂、聚合性丙烯酸树脂、聚合性环氧树脂、聚合性聚酯树脂。这些可使用一种或组合使用两种以上。

[耐候性提高剂]

就经时稳定性的观点而言,保护层形成用树脂组合物中优选为包含耐候性提高剂。耐候性提高剂是为了在环境下抑制银纳米线的劣化而发挥功能的化合物。此种耐候性提高剂可使用公知的物质。其中,优选为与下述通式(13)或通式(14)所表示的化合物组合使用,更优选为与选自2-巯基噻唑啉、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑甲基醚、3-(1,3-苯并噻唑-2-基硫基)丙酸、(1,3-苯并噻唑-2-基硫基)琥珀酸中的化合物组合使用。

〔通式(13)〕

[化11]

(其中,通式(13)中,R

〔通式(14)〕

[化12]

(其中,通式(14)中,R

[保护层形成用树脂组合物的溶媒]

保护层形成用树脂组合物中可进而含有溶媒。溶媒只要为使树脂组合物中的其他成分溶解、在制膜时通过蒸发而形成均匀的涂膜的化合物即可。作为溶媒的具体例,可列举:水、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲苯、正己烷、正丁基醇、二丙酮醇、甲基异丁基酮、甲基丁基酮、乙基丁基酮、环己酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚、丙二醇单甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇乙基甲醚、1,3-丁二醇二乙酸酯、环己醇乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、四氢糠醇及N-甲基-2-吡咯烷酮等。这些可使用一种或组合使用两种以上。

[硬化助剂]

保护层形成用树脂组合物中可进而含有硬化助剂。硬化助剂只要是一分子中具有两个以上反应性官能基的化合物即可。作为反应性官能基的具体例,可列举:异氰酸酯基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基、巯基等。这些可使用一种或组合使用两种以上。

[其它添加剂]

在不阻碍本发明的效果的范围内,可在保护层形成用树脂组合物中添加各种添加剂。作为添加剂,例如可使用有机微粒、阻燃剂、阻燃助剂、耐氧化稳定剂、流平剂、润滑赋予剂、抗静电剂、染料、填充剂等。

本发明的含银纳米线的导电体或本发明的含银纳米线的导电性层叠体可广泛地应用于例如液晶显示器用电极材料、等离子显示器用电极材料、有机电致发光显示器用电极材料、电子纸用电极材料、触摸屏用电极材料、薄膜型非晶Si太阳能电池用电极材料、染料敏化太阳能电池用电极材料、电磁波屏蔽材料、抗静电材料等的各种设备等。

实施例

以下,基于本发明的实施例进行具体说明,但本发明并不限定于这些实施例。

此外,表中的各药剂的缩写意味着以下的意思。

Phen:1,10-菲咯啉一水合物

Neoc:新亚铜试剂0.5水合物

Batho:红菲咯啉二磺酸二钠水合物

bpy:2,2′-联吡啶

8-HQ:8-羟基喹啉

8-AQ:8-氨基喹啉

TBZ:2-(4-噻唑基)苯并咪唑

HPBO:2-(2-羟基苯基)苯并噁唑

box:2,2′-(2-双噁唑啉)

DAcPy:2,6-二乙酰基吡啶

HEPy:2-吡啶乙醇

Im:咪唑

ImA:4-咪唑羧酸

MBI:2-巯基苯并咪唑

IPA:2-丙醇

HPMC-1:羟丙基甲基纤维素(陶氏化学(Dow Chemical)(股)制造,美多秀(Methocel)311)

HPMC-2:羟丙基甲基纤维素(信越化学工业公司制造,麦特洛兹(Metolose)(注册商标)60SH10000)

MBT:2-巯基苯并噻唑

DETA:二亚乙基三胺

4,4′-bpy:4,4′-联吡啶

<银纳米线的制成>

(合成例1)

一边向包括搅拌装置、温度计、氮气导入管的四口烧瓶中送入氮气,一边加入1.0质量%的聚乙烯吡咯烷酮(巴斯夫(BASF)公司制造,索卡兰(Sokalan)(注册商标)K90P)的丙二醇溶液666.97质量份、浓度1.5质量%的氯化钠的丙二醇溶液5.35质量份、浓度2.2质量%的溴化钠的丙二醇溶液1.87质量份及丙二醇162.95质量份,在室温下搅拌30分钟。继而,将内温升温至145℃后,加入混合溶解有1.06质量份的2,5-二甲基-4-羟基-3(2H)-呋喃酮、4.80质量份的离子交换水及30质量份的丙二醇的溶液,搅拌10分钟。其后,一边在145℃下保持内温,一边历时90分钟加入浓度5.5质量%的硝酸银的丙二醇溶液127质量份,进而搅拌30分钟。其后,通过对所获得的溶液进行冷却,获得包含银纳米线的反应液。

[银纳米线分散液(a)的制备]

在包含银纳米线的反应液1000质量份中加入水3000质量份进行稀释,利用膜滤器进行抽吸过滤。进而在残渣上加入水,反复进行5次抽吸过滤,再次加入水,由此获得0.15质量%的粗精制银纳米线分散液。使用离心分离机以2000rpm的转速对所获得的粗精制银纳米线分散液进行处理10分钟,采集所残留的上清液,由此去除直径相对较大的银纳米线。使用膜滤器对所获得的上清液进行浓缩,制备含量为0.7质量%的银纳米线分散液(a)。关于所获得的银纳米线,平均长轴长度为12μm,平均直径为25nm。

[银纳米线分散液的稳定性试验]

关于银纳米线分散液的稳定性试验,可通过如下方式来评价稳定性,即,将银纳米线分散液在40℃下静置10天,对所获得的银纳米线分散液的稀释液的雾度进行测定,求出与刚制备后的银纳米线分散液相比较的雾度上升率。具体而言,雾度上升率由下述(1)式给出。雾度上升率的值低时由于经时变化而银微粒的产生得到抑制,因此示出光学特性的恶化程度小。测定中使用NDH5000(日本电色工业(股)制造)。

(H2-H1)/H1×100(%)…(1)

H1:刚制备后的银纳米线分散液的稀释液的雾度

H2:在40℃下静置10天后的银纳米线分散液的稀释液的雾度

雾度上升率优选为未满15%,更优选为未满12%,进而优选为未满7%,特别优选为未满4%。

(实施例A-1)

在塑料容器中加入0.7质量%的银纳米线分散液(a)7.14质量份、5质量%的聚乙烯吡咯烷酮(巴斯夫(BASF)公司制造,索卡兰(Sokalan)(注册商标)K30P)水溶液0.10质量份、0.1质量%的1,10-菲咯啉一水合物的水溶液0.10质量份、乙醇0.10质量份、离子交换水2.56质量份,盖上盖子后,利用振荡机混合5分钟,由此制备0.5质量%的银纳米线分散液(A-1)。所制备的银纳米线分散液(A-1)的稀释液的雾度为2.27%。对所制备的银纳米线分散液(A-1)进行稳定性试验,将结果示于表1中。

(实施例A-2~实施例A-19、比较例A-1~比较例A-8)

实施例A-2~实施例A-19及比较例A-1~比较例A-8如表1记载的那样变更条件,除此以外,以与实施例A-1同样的方式对银纳米线分散液进行稳定性试验。结果也一并记载于表1中。以二水合物的形式计算红菲咯啉二磺酸二钠水合物的物质量。

[表1]

(实施例B-1)

[含银纳米线的导电体的制成]

在塑料容器中装入0.7质量%的银纳米线分散液(a)5.71质量份、0.5质量%的羟丙基甲基纤维素(陶氏化学(Dow Chemical)(股)制造,美多秀(Methocel)311)水溶液2.40质量份、0.1质量%的1,10-菲咯啉一水合物的水溶液0.08质量份、离子交换水9.81质量份、2-丙醇2.0质量份,之后盖上盖子,利用振荡机混合5分钟,由此制备银纳米线浓度为0.2质量%的银纳米线分散液(B-1)。使用No.7的线棒在膜厚100μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜(PET(polyethylene terephthalate)膜,东丽(Toray)(股)制造,商品名“露米勒(Lumirror)U403”)上均匀地涂布银纳米线分散液(B-1),利用120℃的热风对流式干燥机干燥2分钟,由此制成含银纳米线的导电体。对所制成的导电体进行物性测定,将结果示于表2中。

(实施例B-2~实施例B-11、比较例B-1~比较例B-4)

实施例B-2~实施例B-11及比较例B-1~比较例B-4如表2记载的那样变更条件,除此以外,以与实施例B-1同样的方式制成含银纳米线的导电体,并进行物性测定。结果也一并记载于表2中。

[含银纳米线的导电体的薄层电阻]

对含银纳米线的导电体上的9个不同部位的薄层电阻(Ω/□)进行测定,由其算术平均值求出含银纳米线的导电体中的导电层的平均薄层电阻。在薄层电阻的测定中,使用非接触式表面电阻率测定器EC-80P(纳普森(Napson)(股)制造)。进而,为了估计螯合剂对薄层电阻的影响,求出相对于不含螯合剂的含银纳米线的导电体而言的包含螯合剂的含银纳米线的导电体的导电层的薄层电阻变化率。薄层电阻变化率由下式(2)给出。薄层电阻变化率的值小表示螯合剂所引起的薄层电阻的上升得到抑制。

(r2-r1)/r1×100(%)…(2)

r1:不含螯合剂的含银纳米线的导电体中导电层的平均薄层电阻

r2:包含螯合剂的含银纳米线的导电体中的导电层的平均薄层电阻

薄层电阻变化率优选为未满30%,更优选为未满20%,进而优选为未满15%,特别优选为未满10%。

[含银纳米线的导电体的总光线透过率]

使用NDH5000(日本电色工业(股)制造)对含银纳米线的导电体的总光线透过率进行测定。进而,通过下式算出含银纳米线的导电体与涂敷前的基板的总光线透过率的差,作为Δ总光线透过率。

Δ总光线透过率(%)=含银纳米线的导电体的总光线透过率-涂敷前的基板的总光线透过率

此处,Δ总光线透过率的绝对值越小表示越优异,Δ总光线透过率的绝对值优选为10%以下,更优选为5%以下。

[含银纳米线的导电体的雾度]

使用NDH5000(日本电色工业(股)制造)对含银纳米线的导电体的雾度进行测定。进而,通过下式算出含银纳米线的导电体与涂敷前的基板的雾度的差,作为Δ雾度。

Δ雾度(%)=含银纳米线的导电体的雾度-涂敷前的基板的雾度

此处,Δ雾度的值越小表示越优异,Δ雾度的值优选为3.0%以下,更优选为1.5%以下,进而优选为1.0%以下。

[表2]

(实施例C-1)

[银纳米线分散液的制备]

在塑料容器中装入0.7质量%的银纳米线分散液(a)3.43质量份、0.5质量%的羟丙基甲基纤维素(陶氏化学(Dow Chemical)(股)制造,美多秀(Methocel)311)水溶液1.20质量份、离子交换水3.87质量份、2-丙醇1.5质量份,之后盖上盖子,利用振荡机混合5分钟,由此制备银纳米线浓度为0.24质量%的银纳米线分散液(C-1a)。

[含银纳米线的导电体的制备]

使用No.7的线棒在膜厚100μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜(PET膜,东丽(Toray)(股)制造,商品名“露米勒(Lumirror)U403”)上均匀地涂布银纳米线分散液(C-la),利用120℃的热风对流式干燥机干燥2分钟,由此制备含银纳米线的导电体(C-1b)。

[保护层形成用树脂组合物的制备]

在四口烧瓶中装入作为聚合性单体及大分子单体的二季戊四醇六丙烯酸酯15质量份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯5质量份、作为聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮0.8质量份、1,10-菲咯啉一水合物0.042质量份、作为溶媒的丙二醇单甲醚80质量份,之后搅拌至成为均匀的溶液,从而制备保护层形成用树脂组合物(C-1c)。

[含银纳米线的导电性层叠体的形成]

利用丙二醇单甲醚将保护层形成用树脂组合物(C-1c)稀释至4倍,通过旋涂法(4000rpm30秒)均匀地涂布在含银纳米线的导电体(C-1b)上,利用80℃的热风对流式干燥机干燥2分钟后,使用紫外线照射装置UV1501C-SZ(森工程(SEN ENGINEERING)(股)制造)在PET基板上,自上方以500mJ/cm

[电场施加高温高湿试验]

将所制成的含银纳米线的导电性层叠体切断成尺寸为纵3cm×横10cm,利用切割机在横5cm的位置形成宽30μm左右的非导电部。接着,将针对光学弹性树脂(3M(股)制造,商品名8146-2,膜厚50μm)而单面的隔离件剥离后贴合的玻璃基板(亚速旺(ASONE)(股)制造,钠玻璃制载玻片)的剩余单面的隔离件剥离,以在含银纳米线的导电性层叠体的上表面配置光学弹性树脂的方式并以含银纳米线的导电性层叠体的两端露出的方式进行贴合,获得在PET膜上依次层叠有含银纳米线的导电性层叠体、光学弹性树脂、玻璃的样品片。接着,使用测试器夹持样品片的非导电部,确认到在两端无电流流动。其后,夹持样品片的非导电部并在两端串联连接3个单三电池,在所述状态下使用恒温恒湿器试验机(五十铃(ISUZU)制作所制造,TPAV-48-20),在85℃、85%RH的环境下静置10小时,由此进行施加电场高温高湿试验。使用暗视野显微镜(商品名:BX51,奥林巴斯(Olympus)(股)制造)对试验后的样品片进行观察,可确认到从非导电部向电池的正极侧进行粒子化而银纳米线消失的部分。将所述银纳米线消失的区域距非导电部的距离等间隔测定9点,算出其平均值,作为粒子化距离的平均值。将结果示于表3中。此处,粒子化距离的平均值越小表示越优异,优选为220mm以下,更优选为200mm以下,进而优选为175mm以下。

(实施例C-2~实施例C-9,比较例C-1~C-4)

在实施例C-2~实施例C-9及比较例C-1~比较例C-4中,如表3中记载那样变更条件,除此以外,以与实施例C-1同样的方式制成含银纳米线的导电性层叠体,并进行物性测定。结果也一并记载于表3中。

[表3]

可知,实施例A-1~实施例A-19包含一定量以上的本发明中规定的螯合剂,因此与不含螯合剂的比较例1相比可抑制经时变化所引起的雾度上升。

另一方面,可知,在使用专利文献2中作为吡啶-酮化合物例示的2,6-二乙酰吡啶的比较例A-2或使用专利文献3中作为具有特定的相互作用电位的杂环化合物例示的4-咪唑羧酸的比较例A-3、使用与本发明中特定的结构不同的杂环化合物的比较例A-4~比较例A-7中,与包含本发明中规定的螯合剂的实施例A-1~实施例A-19相比经时变化所引起的雾度上升的抑制效果不充分。

可知,与实施例A-1~实施例A-6、实施例A-18、实施例A-19相比,比较例A-8由于银纳米线分散液中所含的相对于银纳米线而言的螯合剂的物质量处于本发明规定的范围外,因此经时变化所引起的雾度上升的抑制效果不充分。

可知,与实施例A-18相比实施例A-1~实施例A-6、实施例A-19由于银纳米线分散液中所含的相对于银纳米线而言的螯合剂的物质量处于更优选的范围内,因此可进一步抑制雾度的上升。

可知,实施例B-1~实施例B-11包含规定量以下的本发明中规定的螯合剂,因此显示出与不含相同银纳米线含量的螯合剂的比较例B-1、比较例B-3同等的薄层电阻值,对导电性的不良影响小。然而,在使用规定量以上的比较例B-2中,与比较例B-1相比较,确认到薄层电阻显著上升。由此可知,需要以规定量以下使用本发明中规定的螯合剂。

另一方面,可知,使用专利文献3中作为具有特定的相互作用电位的杂环化合物例示的2-巯基苯并咪唑的比较例B-4与比较例B-3相比较,薄层电阻显著上升,对导电性的不良影响大,无法优选地使用。

可知,实施例C-1~实施例C-9包含本发明中规定的螯合剂,因此与不含本发明中规定的螯合剂的比较例C-1相比较施加电场时的粒子化区域变小,耐性提高。

另一方面,可知,在使用与本发明中规定的结构不同的化合物的比较例C-2~比较例C-4中,与比较例C-1相比较几乎无减小施加电场时的粒子化区域的效果,抑制施加电场时的劣化的效果是有限的。

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