一种金属箔加工方法及加工装置

技术领域

本发明涉及金属箔加工技术领域，尤其涉及一种金属箔加工方法及加工装置。

背景技术

埋阻金属箔作为一种常见的PCB板构件，应用于PCB板的制造领域。通过埋阻操作，能够将埋阻金属箔放入到PCB板的里层中。这些埋阻金属箔尺寸小且阻值可根据客户要求设置，这样做出来的PCB板跟正常的PCB板相同，但内层却可以埋置很多电阻，以上设计为PCB板的顶层和底层省出了不少元件摆放的空间，因此被普遍地使用于多种不同类型的PCB板之中。

然而，埋阻金属箔的良品率却难以保证，目前常见的方法是利用多个辊子组成的流水线系统，使箔带在预定轨道上传输，在中途经过沉积腔时，通过在沉积液中浸泡和粘附的方式改变箔带的电阻。在上述加工过程中，箔带沉积后的阻值无法确定，如若阻值达不到使用的需求，埋阻金属箔便不能正常的实现在PCB板中的作用，进而导致整个PCB板也变为次品无法使用，这极大的影响了PCB板的产量和良品率。为此，解决金属箔的良品率问题对本领域内未来的发展至关重要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属箔加工方法及加工装置，以解决金属箔良品率低下的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种金属箔加工方法，用于加工箔带，包括以下步骤：

S10、绕第一方向转动上料辊，将卷绕于所述上料辊的所述箔带输送至沉积腔内的沉积液中进行沉积操作；

S20、待沉积操作完成后，利用监控模块测量经过沉积操作后的所述箔带的电阻阻值，若电阻阻值不处于合格阈值范围内，进行步骤S30，否则进行步骤S40；

S30、对所述箔带进行再沉积操作，然后进行步骤S40；

S40、转动收卷辊，将所述箔带回收到所述收卷辊上。

作为金属箔加工方法的优选技术方案，所述监控模块包括扫描单元和运算单元，步骤S20包括以下详细步骤：

S21、利用所述扫描单元探测所述沉积操作形成的电阻层的体积；

S22、使所述运算单元根据电阻层体积的数值计算出所述电阻层的所述电阻阻值；

S23、将所述电阻阻值与所述合格阈值进行比较，若电阻阻值不处于合格阈值范围内，进行步骤S30，否则进行步骤S40。

作为金属箔加工方法的优选技术方案，步骤S30包括以下详细步骤：

S31、绕第二方向转动所述上料辊，使电阻阻值不处于合格阈值范围内的所述箔带移动回输送至所述沉积腔之前；

S32、再次绕所述第一方向转动所述上料辊，使所述箔带再次输送至沉积腔内再次进行沉积操作；

S33、待沉积操作完成后，利用监控模块测量经过沉积操作后的所述箔带的电阻阻值，若电阻阻值不处于合格阈值范围内，返回步骤S31，否则进行步骤S40。

作为金属箔加工方法的优选技术方案，步骤S30包括以下详细步骤：

S34、使电阻阻值不处于合格阈值范围内的所述箔带置于补足腔内的所述沉积液中，然后进行步骤S40。

一种金属箔加工装置，能应用于上述的金属箔加工方法中，所述金属箔加工装置包括所述上料辊、所述沉积腔、所述收卷辊和所述监控模块；所述箔带卷绕于所述上料辊，当所述上料辊绕所述第一方向转动时，所述上料辊驱动卷绕于所述上料辊的所述箔带输出，当所述上料辊绕所述第二方向转动时，所述上料辊驱动脱离所述上料辊的所述箔带移动回所述上料辊上；所述沉积腔内还设有沉积辊，所述沉积辊用于将所述箔带浸泡于所述沉积液中；所述收卷辊用于回收经过所述沉积腔的所述箔带；所述监控模块设于所述沉积腔与所述收卷辊之间，用于测量经过所述沉积腔的所述箔带的电阻阻值。

作为金属箔加工装置的优选技术方案，所述上料辊设置于上料腔内，所述收卷辊设置于收卷腔内，所述上料腔、所述沉积腔和所述收卷腔依次连通，所述监控模块设于所述沉积腔与所述收卷腔之间。

作为金属箔加工装置的优选技术方案，所述上料腔内设有用于将输出所述上料腔的所述箔带上升至输送高度的第一导向轴，所述沉积腔内设有用于将输入所述沉积腔的所述箔带上升至所述输送高度的第二导向轴和用于将输出所述沉积腔的所述箔带上升至所述输送高度的第三导向轴；所述收卷腔内设有用于将输入所述收卷腔的所述箔带上升至所述输送高度的第四导向轴；所述输送高度高于所述沉积液的液面。

一种金属箔加工装置，能应用于上述的金属箔加工方法中，所述金属箔加工装置包括所述上料辊、所述沉积腔、所述收卷辊、所述监控模块和所述补足腔；所述上料辊所述上料辊用于驱动卷绕于所述上料辊的所述箔带输出；所述沉积腔内还设有沉积辊，所述沉积辊用于将所述箔带浸泡于所述沉积液中；所述收卷辊用于回收经过所述沉积腔的所述箔带；所述监控模块设于所述沉积腔与所述收卷辊之间，用于测量经过所述沉积腔的所述箔带的电阻阻值；所述补足腔容纳有所述沉积液，所述补足腔内还设有可升降设置的下压单元，所述下压单元能够将所述箔带下压至所述补足腔内的所述沉积液中。

作为金属箔加工装置的优选技术方案，所述沉积辊的两端均同轴设有辊轴，所述辊轴滑设于升降导轨，所述升降导轨沿竖直方向延伸。

作为金属箔加工装置的优选技术方案，所述上料辊设置于上料腔内，所述收卷辊设置于收卷腔内，所述上料腔、所述沉积腔、所述补足腔和所述收卷腔依次连通，所述监控模块设于所述沉积腔与所述补足腔之间。

本发明的有益效果：

本金属箔加工方法利用设置上料辊与收卷辊的设置，能够顺利地完成对箔带的输送操作，并能够保证箔带在沉积操作时能够准确到位。通过将监控模块测量所得的箔带的电阻阻值与合格阈值的比较，能够使满足金属箔阻值需求的箔带顺利收卷，不满足金属箔阻值需求的箔带通过再沉积操作以调整阻值。上述流程简单有效，通过对箔带电阻阻值进行检测并分情况处理的方式，能够保障了箔带在沉积液内的沉积效果，极大地提高了金属箔的加工良品率，从而保证了箔带的电阻阻值能够满足金属箔在各种电子设备中组装的需求。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的金属箔加工方法的流程图；

图2是本发明实施例一提供的金属箔加工装置的结构示意图；

图3是本发明实施例二提供的金属箔加工方法的流程图；

图4是本发明实施例二提供的金属箔加工装置的结构示意图。

图中：

110、上料辊；120、沉积辊；121、辊轴；130、收卷辊；140、下压辊；210、上料腔；220、沉积腔；221、升降导轨；230、收卷腔；240、补足腔；241、驱动单元；242、连接架；300、监控模块；400、箔带；500、沉积液；610、第一导向轴；620、第二导向轴；630、第三导向轴；640、第四导向轴；710、第一方向；720、第二方向。

具体实施方式

为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案做进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

实施例一

如图1和图2所示，本实施例提供了一种金属箔加工方法，用于加工箔带400，包括以下步骤：

步骤一：绕第一方向710转动上料辊110，将卷绕于上料辊110的箔带400输送至沉积腔220内的沉积液500中进行沉积操作。

步骤二：待沉积操作完成后，利用监控模块300测量经过沉积操作后的箔带400的电阻阻值，若电阻阻值不处于合格阈值范围内，进行步骤三，否则进行步骤四。

步骤三：对箔带400进行再沉积操作，然后进行步骤四。

步骤四：转动收卷辊130，将箔带400回收到收卷辊130上。

本金属箔加工方法利用设置上料辊110与收卷辊130的设置，能够顺利地完成对箔带400的输送操作，并能够保证箔带400在沉积操作时能够准确到位。通过将监控模块300测量所得的箔带400的电阻阻值与合格阈值的比较，能够使满足金属箔阻值需求的箔带400顺利收卷，不满足金属箔阻值需求的箔带400通过再沉积操作以调整阻值。上述流程简单有效，通过对箔带400电阻阻值进行检测并分情况处理的方式，能够保障了箔带400在沉积液500内的沉积效果，极大地提高了金属箔的加工良品率，从而保证了箔带400的电阻阻值能够满足金属箔在各种电子设备中组装的需求。

在本实施例中，监控模块300包括扫描单元和运算单元，步骤二包括以下详细步骤：利用扫描单元探测沉积操作形成的电阻层的体积；使运算单元根据电阻层体积的数值计算出电阻层的电阻阻值；将电阻阻值与合格阈值进行比较，若电阻阻值不处于合格阈值范围内，进行步骤三，否则进行步骤四。通过设置扫描单元和运算单元的方式，能够完成对箔带400表面所沉积的电阻层的测量以及阻值计算操作上述结构简单且可靠，能够保证对箔带400电阻阻值的测量操作能够高效且准确的完成，能够极大地提高本金属箔加工方法加工所得箔带400的良品率以及加工效率。

作为优选，扫描单元和运算单元通信连接于控制模块上，控制模块通过控制各个构件动作的方式，能够实现对箔带400处理操作的调整。本实施例中，控制模块、扫描单元和运算单元均为本领域内的常规装置，其工作方法以及连接方式均为本领域内的现有技术，为本领域内工作人员所熟知，在此不多加赘述。

进一步地，步骤三包括以下详细步骤：绕第二方向720转动上料辊110，使电阻阻值不处于合格阈值范围内的箔带400移动回输送至沉积腔220之前；再次绕第一方向710转动上料辊110，使箔带400再次输送至沉积腔220内再次进行沉积操作；待沉积操作完成后，利用监控模块300测量经过沉积操作后的箔带400的电阻阻值，若电阻阻值不处于合格阈值范围内，返回绕第二方向720转动上料辊110的步骤，否则进行步骤四。

上述再沉积操作通过将电阻阻值不处于合格阈值范围内的箔带400收回，通过再次进入沉积腔220的方式以实现对箔带400表面再次沉积电阻层的操作。本实施例通过改变上料辊110转向的方式，能够对箔带400的输送方向进行转变，且能够在箔带400变向的同时保证对箔带400定位的效果，从而确保箔带400能够顺利地完成再沉淀操作，使得金属箔的生产效率与良品率得以保证。

具体地，当上料辊110绕第一方向710转动时，上料辊110顺时针旋转；当上料辊110绕第二方向720转动时，上料辊110逆时针旋转。

继续参考图2，本实施例还提供了一种金属箔加工装置，能应用于上述的金属箔加工方法中，金属箔加工装置包括上料辊110、沉积腔220、收卷辊130和监控模块300；箔带400卷绕于上料辊110，当上料辊110绕第一方向710转动时，上料辊110驱动卷绕于上料辊110的箔带400输出，当上料辊110绕第二方向720转动时，上料辊110驱动脱离上料辊110的箔带400移动回上料辊110上；沉积腔220内还设有沉积辊120，沉积辊120用于将箔带400浸泡于沉积液500中；收卷辊130用于回收经过沉积腔220的箔带400；监控模块300设于沉积腔220与收卷辊130之间，用于测量经过沉积腔220的箔带400的电阻阻值。具体地，控制模块能够控制上料辊110的转向。

本金属箔加工装置利用上料辊110能够绕第一方向710和第二方向720转动的优化设计，使得箔带400在本加工装置上的移动方向可调，上述改进使得箔带400在变向的过程中无需停机和拆装，仅需要控制模块对上料辊110的转向进行调整即可实现。沉积辊120的设置在确保箔带400浸泡于沉积液500内的同时，还能有效地避免箔带400的外表面遭受剐蹭和损伤。上述设计简单可靠，能够高效且顺利地实现本实施例所提供的金属箔加工方法，利用控制模块的配合，还能够提高本金属箔加工装置的自动化程度，从而保证了金属箔加工方法的准确度，进而提升了对箔带400加工的良品率。

在本实施例中，上料辊110设置于上料腔210内，收卷辊130设置于收卷腔230内，上料腔210、沉积腔220和收卷腔230依次连通，监控模块300设于沉积腔220与收卷腔230之间。上述结构改进将各个相互关联的腔依次连通，使得本金属箔加工装置的结构简单且占用空间小，从而有效地降低了本金属箔加工装置的生产成本，同时还简化了箔带400在本金属箔加工装置的设置方式，减少了箔带400在加工过程中出现位置偏移情况的风险。

进一步地，上料腔210内设有用于将输出上料腔210的箔带400上升至输送高度的第一导向轴610，沉积腔220内设有用于将输入沉积腔220的箔带400上升至输送高度的第二导向轴620和用于将输出沉积腔220的箔带400上升至输送高度的第三导向轴630；收卷腔230内设有用于将输入收卷腔230的箔带400上升至输送高度的第四导向轴640；输送高度高于沉积液500的液面。上述设计保证了未处于沉积操作过程中的箔带400能够不被沉积液500浸泡，从而避免了箔带400提前浸泡沉积液500以及完成沉积操作的箔带400不能及时脱离沉积液500的情况发生，上述设置保证了箔带400沉积操作的品质，提高了电阻层形成的质量，提高了经过沉积操作后的箔带400被监控模块300检测合格的概率，从而减少了箔带400因检测不合格而倒回的频率，进而提高了对箔带400加工的效率。

具体地，第一导向轴610、第二导向轴620、第三导向轴630和第四导向轴640分别与其所设置于的腔体转动连接，上述设置避免了有效地避免箔带400的外表面遭受剐蹭和损伤，确保了箔带400能够始终完好的进行沉积操作，从而进一步的保证了金属箔的良品率。

实施例二

如图3和图4所示，该实施例二的金属箔加工方法与上述实施例一基本相同，二者的区别在于，步骤三包括以下详细步骤：使电阻阻值不处于合格阈值范围内的箔带400置于补足腔240内的沉积液500中，然后进行步骤四。

上述步骤使得电阻阻值不处于合格阈值范围内的箔带400能够再一次的进行沉积操作，通过第二次的沉积操作，能够稳定的提升箔带400电阻阻值合格的概率。而且上述设计还使得箔带400在移动的过程中无需停止或减速，这使得本金属箔加工方法能够在保持极高的加工效率的同时，提高对箔带400沉积操作的良品率。

继续参考图4，本实施例还提供了一种金属箔加工装置，能应用于上述的金属箔加工方法中，金属箔加工装置包括上料辊110、沉积腔220、收卷辊130、监控模块300和补足腔240；上料辊110用于驱动卷绕于上料辊110的箔带400输出；沉积腔220内还设有沉积辊120，沉积辊120用于将箔带400浸泡于沉积液500中；收卷辊130用于回收经过沉积腔220的箔带400；监控模块300设于沉积腔220与收卷辊130之间，用于测量经过沉积腔220的箔带400的电阻阻值；补足腔240容纳有沉积液500，补足腔240内还设有可升降设置的下压单元，下压单元能够将箔带400下压至补足腔240内的沉积液500中。

本金属箔加工装置由于本金属箔加工装置对箔带400的输送方向单一，能够有效地减少了箔带400在输送过程中减速或停止的概率，从而极大地提高了对箔带400加工的效率。沉积辊120在实施例二中起到的有益效果与实施例一相同，在此不多加赘述。下压单元的设计能够使电阻阻值不处于合格阈值范围内的箔带400在不降低自身输送速度的情况下再次进行沉积操作，利用监控模块300与补足腔240之间的配合，能够选择性的对某一部分的箔带400进行再沉积操作，上述设置避免了电阻阻值处于合格阈值范围内的箔带400再度沉积而导致电阻阻值发生不利变化的情况，同时也减少了对补足腔240内沉积液500的损耗，降低了沉积液500补充的频率。上述设计简单可靠，能够高效且顺利地实现本实施例所提供的金属箔加工方法，利用控制模块的配合，还能够提高本金属箔加工装置的自动化程度，从而提高了金属箔加工方法的效率以及准确度，进而提升了金属箔的加工效率以及良品率。

具体地，下压单元包括下压辊140、驱动单元241和连接架242，下压辊140用于下压箔带400，下压辊140转动连接于连接架242上，驱动单元241用于驱动连接架242在竖直方向上升降。具体地，控制模块通信连接驱动单元241，用于控制连接架242的升降。

在本实施例中，沉积辊120的两端均同轴设有辊轴121，辊轴121滑设于升降导轨221，升降导轨221沿竖直方向延伸。辊轴121在竖直方向上滑动的设计使得沉积辊120能够自动适应下压辊140对箔带400的下压动作而升降，从而避免了箔带400因受力变形而紧绷进而发生剐蹭摩擦甚至断裂情况，上述设计简单可靠，使得金属箔加工装置在下压辊140进行下压操作时仍能顺利地运行，降低了箔带400损伤的风险，进一步的保障了对箔带400沉积操作的良品率。

作为优选，上料辊110设置于上料腔210内，收卷辊130设置于收卷腔230内，上料腔210、沉积腔220、补足腔240和收卷腔230依次连通，监控模块300设于沉积腔220与补足腔240之间。通过将监控模块300设于沉积腔220与补足腔240之间，能够在不停止对箔带400进行驱动的情况下对电阻阻值不处于合格阈值范围内的箔带400进行及时的再沉积操作；利用补足腔240同时与沉积腔220和收卷腔230连通的设置，能够使完成再沉积操作的箔带400直接回收至收卷辊130上，从而极大地提高了再沉积操作的效率。上述结构改进将各个相互关联的腔依次连通，使得本金属箔加工装置的结构简单且占用空间小，从而有效地降低了本金属箔加工装置的生产成本。

作为优选，上料腔210内转动连接有第一导向轴610，沉积腔220内转动连接有第二导向轴620和第三导向轴630；收卷腔230内转动连接有第四导向轴640。上述结构的所处位置与实施例一中对应构件的位置相同，且实施例二的输送高度同时高于沉积腔220内的沉积液500液面和补足腔240内的沉积液500液面，多个导向轴所起到的作用与实施例一所描述的有益效果相同，在此不多加赘述。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。